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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein die Modulation der Strahl-Abtastgeschwindigkeit (SVM
= scanning beam velocity modulation) und insbesondere eine darin
benutzte Verstärkerschaltung.
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Aus
der EP-A-0 469 556 ist eine Vorrichtung zur Modulation der Strahl-Ablenkgeschwindigkeit
mit einer strombegrenzenden Rückkoppelungsschaltung zur Änderung
des Signalausgangs Spitze-zu-Spitze von einem Begrenzerverstärker bekannt.
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Es
ist bekannt, dass die wahrgenommene Bildschärfe durch Modulation der Strahl-Abtastgeschwindigkeit
entsprechend einer Ableitung oder Differenzierung eines Videowiedergabesignals
verbessert werden kann. Das abgeleitete oder differenzierte Signal,
oder das SVM-Signal, kann aus einer Luminanzkomponente des Videowiedergabesignals
abgeleitet werden und dient zur Erzeugung von Änderungen in der Strahlablenkgeschwindigkeit.
Eine Verlangsamung der Elektronenstrahlgeschwindigkeit ergibt eine
Aufhellung der Wiedergabe, eine Beschleunigung der Geschwindigkeit
ergibt eine Verdunkelung der Wiedergabe. Somit können horizontalfrequente Kanten
durch eine Änderung
der Wieder-gabeintensität
um einen Kantenübergang
verbessert werden. Dieses Verfahren der Schärfeverbesserung bietet verschiedene
Vorteile gegenüber
dem durch eine videofrequente Spitzenanhebung, zum Beispiel wird
ein Aufblühen
der Bildelemente mit hoher Spitzenhelligkeit vermieden, und zusätzlich wird
das Videorauschen innerhalb der Bandbreite eines Video-Spitzenanhebers
nicht erhöht.
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Die
Strahlabtastgeschwindigkeit kann durch eine SVM-Spule moduliert
werden, die ein zusätzliches
Ablenkfeld erzeugt. Das SVM-Feld erzeugt in Verbindung mit dem Hauptablenkfeld
eine Beschleunigung oder Verzögerung
des Elektronenstrahls, abhängig
von der Polarität
des Stroms in der SVM-Spule. Der Betrag der Beschleunigung oder
Verzögerung des
Strahls ist proportional zu der Größe des SVM-Stroms. Die Ablenkempfindlichkeit
einer üblichen
SVM-Spule kann zum Beispiel in dem Bereich liegen, wo 1 Ampere zwischen
1 bis 3 Millimeter in der Strahlablenkung bei der Schirmmitte erzeugt.
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Da
das SVM-Signal im allgemeinen einen hochfrequenten Videoinhalt darstellt,
kann davon ausgegangen werden, dass der Strom der SVM-Spule eine
Größe und ein
Frequenzspektrum aufweist, das leicht unerwünschte, äußere Übersprechkomponenten erzeugt.
Derartige Übersprechkomponenten können durch
eine Verkopplung über
das Netzteil oder die Rückleitung
erfolgen. Somit ist es vorteilhaft, wenn der Strom der SVM-Spule
ohne nennenswerte Erd- oder Betriebsspan-nungs-Leitungen erzeugt wird und fließt.
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Eine
Vorrichtung für
die Elektronenstrahlablenkung enthält eine Kathodenstrahlröhre mit
einem Abtastelektronenstrahl. Eine Spule für eine zusätzliche elektronische Strahlablenkung
befindet sich auf der Kathodenstrahlröhre. Ein Verstärker liegt
zwischen einem Betriebsspannungsanschluss und einer Rückleitung
und enthält
einen Eingang, der mit einem Signal verbunden ist, das einen Videosignal-Kantenübergang
darstellt. Der Verstärker
enthält
einen Ausgang, der mit der Spule verbunden ist, zur Erzeugung eines
Impulsstroms mit einer ersten Komponente und einer zweiten Komponente
darin für
die Elektronenstrahlablenkung aufgrund des Signals. Der Verstärker hat
einen Brückenaufbau.
Die Spule ist mit dem Verstärker
verbunden, damit die erste Komponente in der Spule und dem Verstärker fließt und zum Fluss
der zweiten Komponente in der Spule, dem Verstärker, dem Netzteil und der
Rückleitung.
Die zweite Komponente hat eine minimale Größe, wodurch die unerwünschten
Kopplungswirkungen in dem Netzteil und der Rückleitung unbedeutend werden.
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Die
Erfindung ist in den Ansprüchen
1 bis 6 angegeben.
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1 zeigt
einen erfindungsgemäßen Treiberverstärker für die Modulation
der Abtaststrahlgeschwindigkeit und eine zusätzliche Ablenkspule.
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2 zeigt
den Treiber für
die SVM-Spule von 1 in einer symmetrischen Brückenanordnung.
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3 zeigt ein SVM-Signal und dadurch erzeugte
Ströme.
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4 zeigt
eine erfindungsgemäße Modifikation
der Schaltung von 1 in einem Brückenaufbau.
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In 1 wird
ein Signal für
die Modulation der Strahlabtastgeschwindigkeit oder SVM-Signal zwischen
den Klemmen A und B eingegeben. Das SVM-Signal an der Klemme A ist
zum Zwecke der Erläuterung
als ein impulsförmiges
Signal dargestellt mit symmetrischem Wert Spitze-zu-Spitze von 1,5 Volt.
Die Ableitung oder Differenzierung sowie die Verarbeitung des SVM-Signals
bilden keinen Teil der vorliegenden Anmeldung. Die Unterseite oder
der Signalerdleiter von dem SVM-Signalgenerator ist über einen
Widerstand mit Signalerde des Treiberverstärkers verbunden, um eine unerwünschte Kopplung von Übergangsstörungen oder
Rauschen zu vermeiden. Die in den 1 und 2 dargestellten
Signalerdleiter sind alle mit einem Ablenkungs-Erdleiter verbunden.
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Der
erfindungsgemäße Treiberverstärker von 1 enthält einen
Verstärker
und einen Kernbereich (coring section) 100 mit einer Spannungsverstärkung von
ungefähr
5 und einen zusätzlichen
Ablenkspulentreiberverstärker
200, ausgebildet im wesentlichen symmetrisch zu einer Spannung Vc
in der Mitte zwischen der Betriebsspannung und der Treibererde.
Die wechselspannungsgekoppelten Eingangssignale bei N und P liegen
ebenfalls symmetrisch um die Spannung Vc zur Kopplung mit den komplementären Treibertransistoren.
Die zu sätzliche Ablenk-
oder SVM-Spule liegt zwischen der Spannung Vc am Punkt Q und dem
Verbindungspunkt der Kollektoren der Treibertransistoren, Punkt
R. Die Treibertransistoren sind in Klasse B vorgespannt, so dass
die negativen Übergänge des
SVM-Signals eine Leitung in dem PNP-Transistor bewirken und die positiven
Signalübergänge den
NPN-Transistor einschalten.
Somit wird der bidirektionale Ablenkstrom durch die SVM-Spule von
den Kollektoren zu dem Schaltungspunkt Q gesteuert, wobei eine unbedeutend
kleine Stromkomponente außerhalb
der jeweiligen Kollektor/Emitter-Schaltungen
fließt.
Zur Bildung einer Steuerung der Verlustleistung, insbesondere in der
Treiberstufe, ist eine Rückkopplung
von einer Emitterstromabtastung vorgesehen. Dieses gedämpfte und
gefilterte Signal SVM CTL wird einer SVM-Signalverarbeitungsschaltung
zugeführt,
die keinen Teil dieser Anmeldung bildet.
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Das
SVM-Signal mit einem nominellen Wert Spitze-zu-Spitze von 1,5 Volt
wird an der Klemme A eingegeben, wobei Signalerde des SVM-Prozessors mit
der Klemme B verbunden ist, um störendes und unerwünschtes Übersprechen
durch Erdübergangsströme oder
Rauschen zu verringern. Das Signal an der Klemme A wird über einen
Widerstand R1 der Basis eines NPN-Transistors Q1 zugeführt, der als Emitterverstärker mit
einer Verstärkung
von ungefähr 5
ausgebildet ist. Der Emitter des Transistors Q1 ist mit einer Reihenschaltung
des Widerstands R3 und des Widerstands R4 verbunden, die mit Erde
verbunden sind, wobei der Verbindungspunkt, die Klemme B, mit Erde
des SVM-Prozessors verbunden ist. Der Kollektor des Transistors
Q1 ist über
einen Widerstand R2 mit einer Betriebsspannung, zum Beispiel 26
Volt, verbunden, die durch einen Reihenwiderstand R7 und den Entkoppelungskondensator
C1 entkoppelt ist. Der Kollektor des Transistors Q1 ist außerdem mit
dem Basisanschluss eines PNP-Transistors
Q2 verbunden, der als Emitterfolgerverstärker ausgebildet ist. Der Kollektor
des Transistors Q2 ist mit der entkoppelten Betriebsspannung von
26 Volt verbunden, und der Emitter ist direkt mit dem Basisanschluss
des NPN-Transistors
Q3 verbunden. Der Emitter des Transistors Q2 ist außerdem mit
einem Widerstand R5 und einem Widerstand R6 verbunden, die in Reihe
liegen mit den mit Erde verbundenen Widerstand R6.
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Die
Verbindung der Widerstände
ist mit dem Basisanschluss eines PNP-Tran-sistors Q4 verbunden.
Die Transistoren Q3 und Q4 sind als Emitterfolgerverstärker ausgebildet,
wo das SVM-Signal an der Basis des Transistors Q4 einen Gleichspannungsversatz
an der Basis des Transistors Q3 aufweist aufgrund des Stromfluss
in dem Widerstand R5. Dieser Gleichspannungsversatz bewirkt eine
sogenannte Entkernung (coring) oder Dämpfung des Signals mit kleiner
Amplitude des SVM-Signals. Der Emitter des Transistors Q3 ist über einen
Widerstand R8 mit einem Wechselspannungs-Kopplungskondenstor C2 verbunden, und
auf ähnliche
Weise ist der Emitter des Transistors Q4 über einen Widerstand R10 mit
einem Wechselspannungs-Kopplungskondensator C3 verbunden. Die Emitter
der Transistoren Q3 und Q4 sind miteinander über einen Widerstand R9 verbunden,
der die Steuerung der RFI-Erzeugung bildet. Das SVM-Signal am Kondensator
C2 wird für
die RFI-Verringerung durch einen mit Erde verbundenen Kondensator
C4 gefiltert. Das Signal an dem Kondensator C3 wird durch einen
mit Erde verbundenen Kondensator C5 RFI-gefiltert. Der Basisanschluss
des PNP-Treibertransistors
Q5 ist mit dem Verbindungspunkt der Kondensatoren C2 und C4 und
mit dem Verbindungspunkt der Widerstände R11 und R12 verbunden. Ähnliches
gilt für den
Basisanschluss des NPN-Treibertransistors Q6, der mit dem Verbindungspunkt
der Kondenstoren C3, C5 und den Widerständen R13 und R14 verbunden ist.
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Die
Widerstände
R11, R12, R13 und R14 bilden einen in Reihe geschalteten Spannungsteiler zwischen
einer Betriebsspan nung +V und Erde. Die Betriebsspannung +V von
zum Beispiel ungefähr
135 Volt wird durch einen Reihenwiderstand R20 und einen Überbrückungskondenstor
C6 entkoppelt, der mit Erde verbunden ist. Da der durch die Widerstände R11,
R12, R13 und R14 gebildete Spannungsteiler symmetrisch ist, erzeugt
der Mittelpunkt Q der Verbindung der Widerstände R12 und R13 eine Spannung
Vc mit einem Wert der Hälfte
der Spannung +V, zum Beispiel ungefähr 67 Volt, die von Erde durch
einen Kondensator C8 entkoppelt ist. Der Emitter des Transistors
Q5 ist außerdem über den
in Reihe geschalteten Kondensator C7 und den Widerstand R17 mit
dem Mittelpunkt Q verbunden. Auf ähnliche Weise ist der Emitter
des NPN-Transistors Q6 mit dem Verbindungspunkt der Widerstände R12 und
R13 über
den in Reihe geschalteten Kondensator C9 und den Widerstand R19
verbunden. Diese beiden in Reihe geschalteten Rückkoppelungswege verringern
effektiv die Wechselspannungsimpedanz an dem Mittelpunkt Q. Der
Emitter des PNP-Transistors Q5 ist über die in Reihe geschalteten
Widerstände
R22 und R20 mit der Betriebsspannung von 135 Volt verbunden. Der
Widerstand R20 bildet, wie beschrieben, eine Entkopplung von der
Betriebsspannung. Der Widerstand R22 an dem Emitter des Transistors
Q5 bildet eine Gleichspannungsgegenkopplung zur Steuerung des Gleichspannungsarbeitspunktes. Ähnlich ist
der Emitter des NPN-Transistors Q6 für die Steuerung des Gleichspannungsarbeitspunktes über den
Widerstand R21 mit Erde verbunden.
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Die
SVM-Spule L liegt auf dem Hals der Kathodenstrahlröhre CRT
und kann in der Nähe
einer Signalerde oder eines Leiters mit niedriger Impedanz liegen,
zum Beispiel einer Hauptablenkeinheit LX. Derartige eng benachbarte
Leiter bilden eine Streukoppelungskapazität, dargestellt durch den Kondensator
CS, die nicht nur die SVM-Leistungsfähigkeit durch Verringerung
der Anstiegszeit des Spulenstroms beeinträchtigt, sondern zusätzlich einen
Stör- oder Übersprechkopplungsweg
für den
hochfrequenten impulsartigen SVM- Spulenstrom
bildet. Die Art des SVM-Stroms ist nützlich für die Strahlung und die kapazitive
Kopplung auf die benachbarten Leiter. Außerdem ist es sehr erwünscht, dass
der impulsartige SVM-Strom von der Betriebsspannung und den Rückleitungswegen
wie den Erdungsleitern ausgeschlossen wird. Eine unerwünschte SVM-Störung kann
in die Schaltung eingefügt
werden, wo die Signalkomponenten vor oder später als das Videosignal liegen,
aus dem das SVM-Treibersignal erzeugt wird. Somit bleibt das unerwünschte Übersprechsignal oder
die Störspitze
(glitch) nicht verborgen, sondern ist sichtbar und verringert den
Vorgang der Schärfeverbesserung
der SVM-Schaltung. Daher ist es, wenn die SVM-Betriebsfrequenzen erhöht werden und
die Treiberströme
zunehmen, zunehmend wichtig, dass die impulsartigen SVM-Treiberströme auf den
Treiberverstärker
und die zusätzliche
Ablenk- oder SVM-Spule beschränkt
werden.
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2 zeigt
den erfindungsgemäßen SVM-Verstärker von 1,
wobei die erläuternde Schaltung
200 topologisch als eine symmetrische Brücke dargestellt ist. Die Brücke ist
dargestellt mit Schaltungspunkten S und T und R und Q, entsprechend
denselben Schaltungspunkten, die in 1 gezeigt
sind, wo Schaltungspunkte S und T zwischen der Betriebsspannung
von 135 Volt und Erde liegen. Der Emitter des Transistors Q5, der
Schaltungspunkt S, ist über
Widerstände
R22 und R20 mit der Betriebsspannung verbunden und durch den Kondensator
C6 von Erde entkoppelt. Der Schaltungspunkt T am Emitter des Transistors
Q6 ist über
den Widerstand R21 mit Erde verbunden. Die Kollektoren der Transistoren
Q5 und Q6 sind miteinander verbunden und bilden den Steuerpunkt
R der Brücke,
wobei die zusätzliche
Ablenk- oder SVM-Spule über die
Mitte der Brücke
mit dem Schaltungspunkt Q verbunden ist. Die Abstimm- und Dämpfungskomponenten
parallel zu der SVM-Spule 11 wurden zum Zwecke der Klarheit weggelassen.
Der Punkt Q ist durch einen Kondensator C8 von Erde entkoppelt und
ist gleichspannungsmäßig vorgespannt
auf ungefähr
die Halbe Betriebsspannung, zum Beispiel 67 Volt, durch den aus
den in Reihe liegenden Widerständen
R11, R12, R13 und R14 gebildeten Widerstandsteiler. In der Emitterschaltung
des Transistors Q5 liegen der in Reihe geschaltete Kondensator C7
und der Widerstand R17, die mit dem Schaltungspunkt Q verbunden
sind. Ein identisches Netzwerk durch den Widerstand R19 und den
Kondensator C9 liegt zwischen dem Emitter des Transistors Q6 und
dem Schaltungspunkt Q. Somit bilden die Transistoren Q5 und Q6 eine
Seite der Brücke,
und die Netzwerke mit den in Reihe geschalteten Kondensator und
dem Widerstand bilden die andere Seite.
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Im
allgemeinen kann in einer Brückenschaltung
der Strom zwischen den gegenüberliegenden Schaltungspunkten,
zum Beispiel R und Q, ohne nennenswertes Zusammenarbeiten mit den
Strömen zwischen
den anderen gegenüberliegenden
Schaltungspunkten, zum Beispiel S und T, fließen. Dadurch wird der SVM-Spulenstromfluss
zwischen den Schaltungspunkten R und T weitestgehend auf dem Fluss
in der Brückenschaltung
beschränkt
und ist weitestgehend nicht vorhanden von der Betriebsspannung und
Erde. Somit werden hochfrequente, impulsförmige SVM-Ströme daran
gehindert, eine potentielle Störleitung über die
Betriebsspannung oder die Rückleitung
zu fließen.
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Die
verarbeiteten und verstärkten
SVM-Signale werden über
Kondensatoren C2 bzw. C3 den als Brücke ausgebildeten Treibertransistoren
Q5 und Q6 zugeführt.
Die Transistoren Q5 und Q6 arbeiten als Verstärker in der Klasse B, wobei
die Basen durch den Widerstandsteiler R11, R12, R13 und R14 auf Sperrung
oder Abschaltung vorgespannt sind. Die Transistoren Q5 und Q6 können in
Sperrrichtung vorgespannt sein durch geeignete Manipulation der
Widerstandswerte, wenn eine zusätzliche
Signalentkernung benötigt
wird. Eine negativer SVM-Signalimpuls am Schaltungspunkt N bewirkt,
dass der Transistor Q5 leitet, und bewirkt einen impulsförmigen Strom
I1 über
die SVM-Spule zu dem Punkt Q und Kondensatoren C7, C8, C9 und CS.
Der Strom I1 enthält
im wesentlichen zwei Teile, wobei I1 = I2 + I3, wobei I2 innerhalb
der Brücke
fließt
und der Strom I3 über
Kondensatoren CS und C8 durch die Spule fließt und über den Kondensator C6 und
den Widerstand R22 zurückfließt. Wenn
der Transistor Q5 einschaltet, wird eine Schaltung mit geringer
Impedanz gebildet und bewirkt, dass der von C7 kommende Strom über die
SVM-Spule L und den in Reihe geschalteten Widerstand R17 fließt. Da der
Wert des Widerstands R17 mit 3,3 Ohm klein ist verglichen mit dem
Wert des Widerstands R22 von 51 Ohm, ist Strom I2 groß verglichen
mit dem Strom I3. Zum Beispiel beträgt mit den in 1 angegebenen
Werten der Strom I3 ungefähr
1/15 des Stroms I2. Die Dauer der Leitung des Transistors Q5 ist
durch die Breite des SVM-Impulses bestimmt, die zum Beispiel 150
Nanosekunden sein kann. Wenn somit der Transistor Q5 leitet, wird ein
Entladeweg gebildet mit einer Entladezeitkonstanten, aufgrund des
Widerstands R17 und des Kondensators C7 von ungefähr 75 Mikrosekunden, wobei
der Sättigungswiderstand
des Transistors Q5 ignoriert wird. Da somit der Kondensator C7 den SVM-Strom
für nur
ungefähr
150 Nanosekunden liefert, wird die Spannung über dem Kondensator nicht nennenswert
geändert
oder entladen. Der Kondensator C8 liefert außerdem einen Stromimpuls von
150 Nanosekunden über
die SVM-Spule, den Transistor Q5, den Widerstand R22 und den Kondensator
C6, der in der Reihenschaltung als Strom I3 erscheint. Der Streukondensator
CS wird außerdem über einen Stromweg über Erde
und die Kondensatoren C6 und C8 entladen. Da jedoch der Wert der
Streukapazität sehr
klein ist im Vergleich mit den Kondensatoren C6, C7, C8 und C9,
die in der Größenordnung
von 25 Picofarad liegen, ist der durch die Streuung bewirkte SVM-Strom
ebenfalls sehr klein im Vergleich mit dem in der Brücke fließenden Strom.
Im allgemeinen hat der Strom I1 einen Spitzenwert in der Größenordnung
von 600 Milliampere, wobei I3 im allgemeinen 40 Milliampere beträgt.
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Ein
positiver SVM-Signalimpuls am Punkt P bewirkt, dass der Transistor
Q6 einen Impulsstrom I6 von dem Punkt Q über die SVM-Spule L führt, der
im wesentlichen durch den Kondenstor C9 geliefert wird. Der durch
den Transistor C6 zu der SVM-Spule L
geleitete Strom enthält
im wesentlichen zwei Komponenten I6 = I7 + I8, wobei I7 innerhalb
der Brücke fließt und der
Strom I8 über
die Kondensatoren IS und den Widerstand R21 durch die Spule fließt und über den
Kondensator C8 zurückkehrt.
Da der Wert des Widerstands R19, 3,3 Ohm, klein ist verglichen mit
dem Wert des Widerstands R22, 51 Ohm, ist der Strom I7 groß verglichen
mit dem Strom I8. Dabei hat I8 einen Wert von ungefähr 1/15
von I7. Der über
die Streukapazität
CS geführte
SVM-Strom fließt über Erde
und C8. Jede Verringerung in der Streukapazität CS verringert direkt die
Größe der nach
Erde abgeleiteten Ströme
I3 und I8. Die Entladezeitkonstante durch den Widerstand R19 und
den Kondensator C9 arbeitet, wie beschrieben, für den Transistor Q5. Da der
Transistor Q6 für
ungefähr
150 Nanosekunden leitet, was ungefähr 1/500 der Entladezeitkonstanten entspricht,
gibt es keine nennenswerte Änderung
in der Spannung über
dem Kondensator C9.
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3A zeigt
ein sogenanntes "pulse
and bar"-Videosignal,
das während
der Horizontalperiode einer Fernsehzeile auftritt. 3B zeigt
ein SVM-Signal an der Klemme A von 1 aus im
wesentlichen den Kanten oder horizontalen Übergängen, abgeleitet von dem in 3A dargestellten
Signal, jedoch mit einer gedehnten Zeitskala dargestellt. 3C zeigt
Spannungs- und Stromimpulse, die währen der Zeiten t1 und t2 auftreten,
jedoch mit einer gedehnten Zeitskala. Die Kurve P zeigt die SVM-Spannungskurvenform,
die beim Punkt P auftritt, wodurch eine SVM-Stromleitung im Transistor Q6
erfolgt. Die in P dargestellte Signalkurven form ist identisch zu
dem Signal am Schaltungspunkt N in 1 und ergibt
eine SVM-Stromleitung für
negative Signalwerte. Die Kurve I6 zeigt den Kollektorstrom des
Transistors Q6 in den Brückenkomponenten,
der SVM-Spule L, dem Widerstand R19 und dem Kondensator C9. Die
Kurve I8 zeigt den Strom aus der Brückenschaltung während der
Leitung des Transistors Q6, die ungefähr 1/15 derjenigen des Kollektorstroms
I6 beträgt.
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4 zeigt
eine erfindungsgemäße Modifikation
des als Brücke
ausgebildeten SVM-Verstärkers
von 2. In 4 sind die Punkte S und T zu den
Verbindungen der in Reihe liegenden Rückkoppelungsnetzwerke mit dem
Widerstand R17 und dem Kondensator C7 und dem Widerstand R9 bzw.
dem Kondensator C9 verschoben. Die Wirkungsweise der Schaltung bleibt
weitestgehend so, wie sie für 2 beschrieben
wurde. Jedoch bewirkt in der in 4 dargestellten
Ausführungsform
die Leitung in beiden Transistoren Q5 oder Q6 aufgrund der geeigneten Polarität des Eingangssignals
Impulsströme
von dem Kondensator C7 oder C9. Zum Beispiel bewirkt ein negativ
gerichteter Eingangsimpuls, im allgemeinen mit einer Dauer in der
Größenordnung
von 150 Nanosekunden, dass der Transistor Q5 über den Widerstand R17 und
die SVM-Spule einen Strom von dem Kondenstor C7 liefert. Die impulsförmigen Ströme I1 und
I2 sind im wesentlichen gleich, und der impulsförmige Strom I3 wird nennenswert
verringert und enthält
im wesentlichen einen Strom durch die Streukapazität CS. Der
durch den Kondensator C7 gelieferte impulsförmige Strom wird über den
Widerstand R22 entladen, wenn der Transistor Q5 nichtleitend ist. Ähnliches
gilt für
den Transistor Q6, wo ein positiver Eingangsimpuls bewirkt, dass
der Transistor Q6 einen Strom über
den Widerstand R19 und die SVM-Spule über den Kondensator C9 liefert.
Die Entladeströme
I6 und I7 sind im wesentlichen gleich, und der Strom I8 ergibt sich
im wesentlichen durch die Streukapazität CS. Der Kondensator C9 wird
während
der Zeiten der Nicht-Leitung des Transistors Q6 über den Widerstand R21 neu
geladen. Somit erzeugt die Ausführungsform
von 4 einen Impuls oder SVM-Ströme, die innerhalb der Brücke fließen und
bei der Betriebsspannung und der Rückleitung im wesentlichen nicht
vorhanden sind.
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Der
erfindungsgemäße, als
Brücke
ausgebildete Treiberverstärker
für die
SVM-Spule verringert den impulsförmigen
Strom so, dass er weitestgehend innerhalb der Brückenschaltung fließt. Somit
werden hochfrequente SVM-Ströme
weitestgehend daran gehindert, eine mögliche Störleitung über die Betriebsspannung oder
die Rückleitung
zu bilden.