JPH0865538A - 電子ビーム偏向用の装置 - Google Patents
電子ビーム偏向用の装置Info
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- JPH0865538A JPH0865538A JP7226920A JP22692095A JPH0865538A JP H0865538 A JPH0865538 A JP H0865538A JP 7226920 A JP7226920 A JP 7226920A JP 22692095 A JP22692095 A JP 22692095A JP H0865538 A JPH0865538 A JP H0865538A
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/16—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by deflecting electron beam in cathode-ray tube, e.g. scanning corrections
- H04N3/18—Generation of supply voltages, in combination with electron beam deflecting
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/30—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical otherwise than with constant velocity or otherwise than in pattern formed by unidirectional, straight, substantially horizontal or vertical lines
- H04N3/32—Velocity varied in dependence upon picture information
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- Signal Processing (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルス性のＳＶＭ偏向電流が不要なクロスト
ークを他の回路の中に生じさせないように、ＳＶＭ電流
が閉じ込められる回路構成を提供する。 【解決手段】 電子ビーム偏向装置は、走査電子ビーム
を有する陰極線管を含んでいる。補足電子ビーム偏向用
のコイル（Ｌ）が陰極線管に取り付けられる。増幅器
（Ｑ５、Ｑ６）が電源と帰路の間に結合され、増幅器の
入力は、ビデオ信号のエッジの変移を表わす信号に結合
される。増幅器（Ｑ５、Ｑ６）の出力は、この信号に応
答して電子ビームを偏向するためにパルス電流（Ｉ１、
Ｉ６）を発生するコイル（Ｌ）に結合される。増幅器
（Ｑ５、Ｑ６）とコイル（Ｌ）は、パルス電流が電源お
よび帰路に流れ込まずに主としてコイルおよび増幅器出
力の中に循環するように構成される。
ークを他の回路の中に生じさせないように、ＳＶＭ電流
が閉じ込められる回路構成を提供する。 【解決手段】 電子ビーム偏向装置は、走査電子ビーム
を有する陰極線管を含んでいる。補足電子ビーム偏向用
のコイル（Ｌ）が陰極線管に取り付けられる。増幅器
（Ｑ５、Ｑ６）が電源と帰路の間に結合され、増幅器の
入力は、ビデオ信号のエッジの変移を表わす信号に結合
される。増幅器（Ｑ５、Ｑ６）の出力は、この信号に応
答して電子ビームを偏向するためにパルス電流（Ｉ１、
Ｉ６）を発生するコイル（Ｌ）に結合される。増幅器
（Ｑ５、Ｑ６）とコイル（Ｌ）は、パルス電流が電源お
よび帰路に流れ込まずに主としてコイルおよび増幅器出
力の中に循環するように構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に、走査ビーム
速度変調（ＳＶＭ）に関し、特に、ＳＶＭに使用される
増幅回路に関する。
速度変調（ＳＶＭ）に関し、特に、ＳＶＭに使用される
増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像の見掛け上の鮮鋭度は、ビデオ信号
から取り出される信号に従って走査ビームの速度を変調
することにより高められる。この取り出される信号、す
なわちＳＶＭ信号は、ビデオ信号の輝度成分から得ら
れ、走査ビームの速度を変化させるのに使用される。電
子ビームの速度を遅くすると、表示画像は明るくなり、
電子ビームを加速すると表示画像は暗くなる。従って、
エッジ部の変移に応じて表示画像の明暗を変化させるこ
とにより、水平周波数のエッジ部は視覚的に強調され
る。この鮮鋭度強調法により、ビデオ周波数ピーキング
により得られるよりも優れた種々の利点が得られる。例
えば、ピーキングされた高輝度画素のブルーミングは避
けられ、その上、ビデオ・ピーカーの帯域幅内で発生す
るビデオ・ノイズは強調されない。
から取り出される信号に従って走査ビームの速度を変調
することにより高められる。この取り出される信号、す
なわちＳＶＭ信号は、ビデオ信号の輝度成分から得ら
れ、走査ビームの速度を変化させるのに使用される。電
子ビームの速度を遅くすると、表示画像は明るくなり、
電子ビームを加速すると表示画像は暗くなる。従って、
エッジ部の変移に応じて表示画像の明暗を変化させるこ
とにより、水平周波数のエッジ部は視覚的に強調され
る。この鮮鋭度強調法により、ビデオ周波数ピーキング
により得られるよりも優れた種々の利点が得られる。例
えば、ピーキングされた高輝度画素のブルーミングは避
けられ、その上、ビデオ・ピーカーの帯域幅内で発生す
るビデオ・ノイズは強調されない。
【０００３】走査ビームの速度は補足偏向磁界を発生す
るＳＶＭコイルにより変調される。このＳＶＭ磁界は、
主偏向磁界と共に、ＳＶＭコイル内の電流の極性に応じ
て電子ビームを加速または減速させる。電子ビームの加
速量または減速量はＳＶＭ電流の大きさに比例する。典
型的なＳＶＭコイルの偏向感度は、例えば、１アンペア
によりスクリーンの中央で１〜３ミリメーターのビーム
偏向を生じる範囲にある。
るＳＶＭコイルにより変調される。このＳＶＭ磁界は、
主偏向磁界と共に、ＳＶＭコイル内の電流の極性に応じ
て電子ビームを加速または減速させる。電子ビームの加
速量または減速量はＳＶＭ電流の大きさに比例する。典
型的なＳＶＭコイルの偏向感度は、例えば、１アンペア
によりスクリーンの中央で１〜３ミリメーターのビーム
偏向を生じる範囲にある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＳＶＭ信号
は、高周波のビデオ成分を表わしているので、ＳＶＭコ
イルの電流の大きさと周波数スペクトルは容易に結合さ
れて、不要な、外来のクロストーク成分を生じることが
理解される。このようなクロストーク成分は、電源およ
び・または帰路を経由する結合から生じる。従って、Ｓ
ＶＭコイル電流が、大地または電源に著しく流れずに、
発生され循環するようにすることが有利である。
は、高周波のビデオ成分を表わしているので、ＳＶＭコ
イルの電流の大きさと周波数スペクトルは容易に結合さ
れて、不要な、外来のクロストーク成分を生じることが
理解される。このようなクロストーク成分は、電源およ
び・または帰路を経由する結合から生じる。従って、Ｓ
ＶＭコイル電流が、大地または電源に著しく流れずに、
発生され循環するようにすることが有利である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】電子ビーム偏向装置は、
走査電子ビームを有する陰極線管を含んでいる。電子ビ
ーム補足偏向用のコイルは陰極線管に取り付けられる。
増幅器が電源と帰路の間に結合され、その入力は、ビデ
オ信号のエッジ部の変移を表わす信号に結合される。増
幅器の出力は、パルス電流を発生するコイルに結合さ
れ、前記信号に応答して電子ビームを偏向する。増幅器
とコイルは、主としてコイルと増幅器の出力の中にパル
ス電流を循環させ、電源と帰路にかなりのパルス電流が
流れ込まないようにする。
走査電子ビームを有する陰極線管を含んでいる。電子ビ
ーム補足偏向用のコイルは陰極線管に取り付けられる。
増幅器が電源と帰路の間に結合され、その入力は、ビデ
オ信号のエッジ部の変移を表わす信号に結合される。増
幅器の出力は、パルス電流を発生するコイルに結合さ
れ、前記信号に応答して電子ビームを偏向する。増幅器
とコイルは、主としてコイルと増幅器の出力の中にパル
ス電流を循環させ、電源と帰路にかなりのパルス電流が
流れ込まないようにする。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１で、走査ビーム速度変調信号
すなわちＳＶＭ信号は端子ＡとＢの間に入力される。端
子ＡにおけるＳＶＭ信号は、説明のために、インパルス
状の波形として描かれており、対称的なピーク・ピーク
値１．５ボルトを有する。ＳＶＭを取り出して処理する
ことは本出願の部分を形成しない。低い方、すなわちＳ
ＶＭ信号発生器からの信号接地導体は、過渡的妨害また
は雑音などの不要な結合を防ぐために、抵抗を介してド
ライブ増幅器信号接地導体に結合される。図１と図２に
示す信号接地導体は全て、偏向接地導体に結合される。
すなわちＳＶＭ信号は端子ＡとＢの間に入力される。端
子ＡにおけるＳＶＭ信号は、説明のために、インパルス
状の波形として描かれており、対称的なピーク・ピーク
値１．５ボルトを有する。ＳＶＭを取り出して処理する
ことは本出願の部分を形成しない。低い方、すなわちＳ
ＶＭ信号発生器からの信号接地導体は、過渡的妨害また
は雑音などの不要な結合を防ぐために、抵抗を介してド
ライブ増幅器信号接地導体に結合される。図１と図２に
示す信号接地導体は全て、偏向接地導体に結合される。
【０００７】図１の発明的ドライブ増幅器は、約５の電
圧利得を有する増幅器・コアリング部１００、および電
源とドライバ接地との中間に設定される電圧Ｖｃに関し
て対称的に構成される補助偏向コイル・ドライブ増幅器
２００から成ると考える。ＮおよびＰにおいて交流結合
される入力信号も電圧Ｖｃに関して対称的にバイアスさ
れ、相補形ドライブ・トランジスタに結合される。補助
偏向コイルすなわちＳＶＭコイルは、電圧Ｖｃ（点Ｑ）
と、ドライブ・トランジスタのコレクタの接続点（点
Ｒ）との間に結合されている。ドライブ・トランジスタ
はＢ級でバイアスされ、ＳＶＭ信号が負方向に変移する
とＰＮＰトランジスタが導通し、ＳＶＭ信号が正方向に
変移すると、ＮＰＮトランジスタが導通するようにす
る。従って、ＳＶＭコイルを通ってコレクタから回路点
Ｑへ双方向の偏向電流が流され、僅か小量の電流成分が
それぞれのコレクタからエミッタへの回路の外部に循環
する。特にドライブ段における電力の消失を抑制するた
めに、エミッタ電流のサンプルから帰還が得られる。こ
の減衰され濾波された信号ＳＶＭ ＣＴＬはＳＶＭ信号
処理回路（本出願の部分を形成しない）に結合される。
圧利得を有する増幅器・コアリング部１００、および電
源とドライバ接地との中間に設定される電圧Ｖｃに関し
て対称的に構成される補助偏向コイル・ドライブ増幅器
２００から成ると考える。ＮおよびＰにおいて交流結合
される入力信号も電圧Ｖｃに関して対称的にバイアスさ
れ、相補形ドライブ・トランジスタに結合される。補助
偏向コイルすなわちＳＶＭコイルは、電圧Ｖｃ（点Ｑ）
と、ドライブ・トランジスタのコレクタの接続点（点
Ｒ）との間に結合されている。ドライブ・トランジスタ
はＢ級でバイアスされ、ＳＶＭ信号が負方向に変移する
とＰＮＰトランジスタが導通し、ＳＶＭ信号が正方向に
変移すると、ＮＰＮトランジスタが導通するようにす
る。従って、ＳＶＭコイルを通ってコレクタから回路点
Ｑへ双方向の偏向電流が流され、僅か小量の電流成分が
それぞれのコレクタからエミッタへの回路の外部に循環
する。特にドライブ段における電力の消失を抑制するた
めに、エミッタ電流のサンプルから帰還が得られる。こ
の減衰され濾波された信号ＳＶＭ ＣＴＬはＳＶＭ信号
処理回路（本出願の部分を形成しない）に結合される。
【０００８】公称１．５ボルト（ピーク・ピーク値）Ｓ
ＶＭ信号が端子Ａに入力され、ＳＶＭプロセッサ信号の
接地が端子Ｂに結合され、スプリアスの、不要な過渡的
接地電流クロストークまたはノイズを減少させる。端子
Ａにおける信号は抵抗Ｒ１を介してＮＰＮトランジスタ
Ｑ１のベースに結合される。Ｑ１はエミッタ共通増幅器
として構成され、約５の利得を有する。トランジスタＱ
１のエミッタは、接地されている直列抵抗Ｒ３とＲ４に
接続され、その接続部、端子Ｂ、はＳＶＭプロセッサ信
号の接地に接続される。トランジスタＱ１のコレクタは
抵抗Ｒ２を介して電源（例えば２６ボルト）に接続され
る。電源は直列抵抗Ｒ７と減結合コンデンサＣ１により
減結合される。また、トランジスタＱ１のコレクタは、
エミッタホロワ増幅器として構成されるＮＰＮトランジ
スタＱ２のベース端子にも結合される。トランジスタＱ
２のコレクタは、減結合される２６ボルトの電源に接続
され、エミッタはＮＰＮトランジスタＱ３のベース端子
に直接接続される。トランジスタＱ２のエミッタはま
た、接地された抵抗Ｒ６と直列に接続されている抵抗Ｒ
５と抵抗Ｒ６にも接続される。これらの抵抗の接続点は
ＰＮＰトランジスタＱ４のベース端子に接続される。ト
ランジスタＱ３とＱ４はエミッタ・ホロワ増幅器として
構成され、トランジスタＱ４のベースにおけるＳＶＭ信
号は、抵抗Ｒ５に電流が流れ込む結果として、トランジ
スタＱ３のベースに対して直流オフセットを有する。こ
の直流オフセットはコアリング、すなわちＳＶＭ信号の
振幅のわずかな減衰を生じる。トランジスタＱ３のエミ
ッタは抵抗Ｒ８を介して交流結合コンデンサＣ２に結合
され、同様に、トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ１
０を介して交流結合コンデンサＣ３に結合される。トラ
ンジスタＱ３とＱ４のエミッタは、無線周波妨害（ＲＦ
Ｉ）の発生を抑制する抵抗Ｒ９を介して共に接続され
る。コンデンサＣ２におけるＳＶＭ信号は、ＲＦＩを減
じるために、接地されているコンデンサＣ４により濾波
される。コンデンサＣ３における信号は、接地されてい
るコンデンサＣ５によりＲＦＩ濾波される。ＰＮＰドラ
イバ・トランジスタＱ５のベース端子は、コンデンサＣ
２とＣ４の接続点および抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点に
接続される。同様に、ＮＰＮドライバ・トランジスタＱ
６のベース端子は、コンデンサＣ３とＣ５、および抵抗
Ｒ１３とＲ１４の接続点に接続される。
ＶＭ信号が端子Ａに入力され、ＳＶＭプロセッサ信号の
接地が端子Ｂに結合され、スプリアスの、不要な過渡的
接地電流クロストークまたはノイズを減少させる。端子
Ａにおける信号は抵抗Ｒ１を介してＮＰＮトランジスタ
Ｑ１のベースに結合される。Ｑ１はエミッタ共通増幅器
として構成され、約５の利得を有する。トランジスタＱ
１のエミッタは、接地されている直列抵抗Ｒ３とＲ４に
接続され、その接続部、端子Ｂ、はＳＶＭプロセッサ信
号の接地に接続される。トランジスタＱ１のコレクタは
抵抗Ｒ２を介して電源（例えば２６ボルト）に接続され
る。電源は直列抵抗Ｒ７と減結合コンデンサＣ１により
減結合される。また、トランジスタＱ１のコレクタは、
エミッタホロワ増幅器として構成されるＮＰＮトランジ
スタＱ２のベース端子にも結合される。トランジスタＱ
２のコレクタは、減結合される２６ボルトの電源に接続
され、エミッタはＮＰＮトランジスタＱ３のベース端子
に直接接続される。トランジスタＱ２のエミッタはま
た、接地された抵抗Ｒ６と直列に接続されている抵抗Ｒ
５と抵抗Ｒ６にも接続される。これらの抵抗の接続点は
ＰＮＰトランジスタＱ４のベース端子に接続される。ト
ランジスタＱ３とＱ４はエミッタ・ホロワ増幅器として
構成され、トランジスタＱ４のベースにおけるＳＶＭ信
号は、抵抗Ｒ５に電流が流れ込む結果として、トランジ
スタＱ３のベースに対して直流オフセットを有する。こ
の直流オフセットはコアリング、すなわちＳＶＭ信号の
振幅のわずかな減衰を生じる。トランジスタＱ３のエミ
ッタは抵抗Ｒ８を介して交流結合コンデンサＣ２に結合
され、同様に、トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ１
０を介して交流結合コンデンサＣ３に結合される。トラ
ンジスタＱ３とＱ４のエミッタは、無線周波妨害（ＲＦ
Ｉ）の発生を抑制する抵抗Ｒ９を介して共に接続され
る。コンデンサＣ２におけるＳＶＭ信号は、ＲＦＩを減
じるために、接地されているコンデンサＣ４により濾波
される。コンデンサＣ３における信号は、接地されてい
るコンデンサＣ５によりＲＦＩ濾波される。ＰＮＰドラ
イバ・トランジスタＱ５のベース端子は、コンデンサＣ
２とＣ４の接続点および抵抗Ｒ１１とＲ１２の接続点に
接続される。同様に、ＮＰＮドライバ・トランジスタＱ
６のベース端子は、コンデンサＣ３とＣ５、および抵抗
Ｒ１３とＲ１４の接続点に接続される。
【０００９】抵抗Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４は、
電源電圧＋Ｖと大地間に結合される直列接続の分圧器を
形成する。電源電圧＋Ｖ（例えば、約１３５ボルト）
は、直列抵抗Ｒ２０とバイパス・コンデンサＣ６（接地
されている）により減結合される。抵抗Ｒ１１，Ｒ１
２，Ｒ１３，Ｒ１４により形成される分圧器は対称的な
ので、抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１３の接続点における中心点
Ｑで発生される電圧Ｖｃは電圧＋Ｖの１／２の値（例え
ば、約６７ボルト）であり、これはコンデンサＣ８によ
り大地に減結合される。ＰＮＰトランジスタＱ５のエミ
ッタはまた、直列接続のコンデンサＣ７と抵抗Ｒ１７を
介して、中心点Ｑに結合される。同様に、ＮＰＮトラン
ジスタＱ６のエミッタは、直列接続のコンデンサＣ９と
抵抗Ｒ１９を介して、抵抗Ｒ１２とＲ１３の接続点に結
合される。これら２つの直列結合された帰還路は、中心
点Ｑにおける交流インピーダンスを効果的に減少させ
る。ＰＮＰトランジスタＱ５のエミッタは、直列接続さ
れた抵抗Ｒ２２とＲ２０を介して１３５ボルトの電源に
接続される。抵抗Ｒ２０は、前述のように、電源からの
減結合を行う。トランジスタＱ５のエミッタにおける抵
抗Ｒ２２は、直流動作点を制御するために直流負帰還を
与える。同様に、ＮＰＮトランジスタＱ６のエミッタ
は、直流動作点を制御するために、抵抗Ｒ２１を介して
接地される。
電源電圧＋Ｖと大地間に結合される直列接続の分圧器を
形成する。電源電圧＋Ｖ（例えば、約１３５ボルト）
は、直列抵抗Ｒ２０とバイパス・コンデンサＣ６（接地
されている）により減結合される。抵抗Ｒ１１，Ｒ１
２，Ｒ１３，Ｒ１４により形成される分圧器は対称的な
ので、抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１３の接続点における中心点
Ｑで発生される電圧Ｖｃは電圧＋Ｖの１／２の値（例え
ば、約６７ボルト）であり、これはコンデンサＣ８によ
り大地に減結合される。ＰＮＰトランジスタＱ５のエミ
ッタはまた、直列接続のコンデンサＣ７と抵抗Ｒ１７を
介して、中心点Ｑに結合される。同様に、ＮＰＮトラン
ジスタＱ６のエミッタは、直列接続のコンデンサＣ９と
抵抗Ｒ１９を介して、抵抗Ｒ１２とＲ１３の接続点に結
合される。これら２つの直列結合された帰還路は、中心
点Ｑにおける交流インピーダンスを効果的に減少させ
る。ＰＮＰトランジスタＱ５のエミッタは、直列接続さ
れた抵抗Ｒ２２とＲ２０を介して１３５ボルトの電源に
接続される。抵抗Ｒ２０は、前述のように、電源からの
減結合を行う。トランジスタＱ５のエミッタにおける抵
抗Ｒ２２は、直流動作点を制御するために直流負帰還を
与える。同様に、ＮＰＮトランジスタＱ６のエミッタ
は、直流動作点を制御するために、抵抗Ｒ２１を介して
接地される。
【００１０】ＳＶＭコイルＬは、ＣＲＴ管ネックに配置
されており、信号接地導体または低インピーダンス導体
（例えば、主偏向ヨークＬｘ）にごく接近している。こ
のように導体がごく接近すると、コンデンサＣＳによ
り、漂遊結合容量が発生され、これはコイル電流の立上
り時間を劣化させてＳＶＭ性能を損なうのみならず、高
周波のパルス性ＳＶＭコイル電流に対して、妨害すなわ
ちクロストークの結合路にもなる。ＳＶＭ電流の性質は
放射を促し、隣接する導体に容量性結合を導く。パルス
性のＳＶＭ電流を電源、および接地導体のような、戻り
電流路から排除することが非常に望ましい。ビデオ信号
から発生されるＳＶＭ信号成分がビデオ信号よりも先に
進んでいると、不要なＳＶＭ妨害が回路に導入される。
従って、不要なクロストーク信号またはグリッチは隠さ
れずに見ることができ、ＳＶＭ回路の鮮鋭度強調作用が
予期される。従って、ＳＶＭ動作周波数が高められかつ
ドライブ電流が増加するにつれ、パルス性のＳＶＭドラ
イブ電流を、ドライブ増幅器および補助偏向コイルすな
わちＳＶＭコイルに閉じ込めることがますます重要とな
る。
されており、信号接地導体または低インピーダンス導体
（例えば、主偏向ヨークＬｘ）にごく接近している。こ
のように導体がごく接近すると、コンデンサＣＳによ
り、漂遊結合容量が発生され、これはコイル電流の立上
り時間を劣化させてＳＶＭ性能を損なうのみならず、高
周波のパルス性ＳＶＭコイル電流に対して、妨害すなわ
ちクロストークの結合路にもなる。ＳＶＭ電流の性質は
放射を促し、隣接する導体に容量性結合を導く。パルス
性のＳＶＭ電流を電源、および接地導体のような、戻り
電流路から排除することが非常に望ましい。ビデオ信号
から発生されるＳＶＭ信号成分がビデオ信号よりも先に
進んでいると、不要なＳＶＭ妨害が回路に導入される。
従って、不要なクロストーク信号またはグリッチは隠さ
れずに見ることができ、ＳＶＭ回路の鮮鋭度強調作用が
予期される。従って、ＳＶＭ動作周波数が高められかつ
ドライブ電流が増加するにつれ、パルス性のＳＶＭドラ
イブ電流を、ドライブ増幅器および補助偏向コイルすな
わちＳＶＭコイルに閉じ込めることがますます重要とな
る。
【００１１】図２は図１の発明的なＳＶＭ増幅器を描き
直し、回路２００を対称的なブリッジとして位相幾何学
的に示している。ブリッジに示されている節点Ｓ、Ｔ、
Ｒ、Ｑは図１に示す同じ節点と対応しており、節点Ｓと
Ｔはそれぞれ、１３５ボルトの電源と大地との間に結合
されている。トランジスタＱ５のエミッタ（節点Ｓ）
は、抵抗Ｒ２２とＲ２０を介して電源に結合され、コン
デンサＣ６により大地に減結合される。節点Ｔ（トラン
ジスタＱ６のエミッタ）は抵抗Ｒ２１を介して接地され
る。トランジスタＱ５とＱ６のコレクタは接続され、ブ
リッジの駆動節点Ｒを形成し、補助偏向コイルすなわち
ＳＶＭコイルはブリッジの中心を横切って節点Ｑに接続
される。ＳＶＭコイルＬと並列に接続される同調・減衰
用の構成要素はわかりやすくするために省略されてい
る。節点Ｑは、コンデンサＣ８により大地に減結合され
ると共に、直列抵抗Ｒ１１とＲ１２とＲ１３とＲ１４で
形成される抵抗性分圧器により電源電圧の約１／２（例
えば６７ボルト）に直流バイアスされる。トランジスタ
Ｑ５のエミッタ回路で直列に接続されたコンデンサＣ７
と抵抗Ｒ１７は節点Ｑに接続される。抵抗Ｒ１９とコン
デンサＣ９で形成される同様な直列接続の回路はトラン
ジスタＱ６のエミッタから節点Ｑに接続される。従っ
て、トランジスタＱ５とＱ６はブリッジの片側を形成
し、直列接続のコンデンサと抵抗の回路は他の側を形成
している。
直し、回路２００を対称的なブリッジとして位相幾何学
的に示している。ブリッジに示されている節点Ｓ、Ｔ、
Ｒ、Ｑは図１に示す同じ節点と対応しており、節点Ｓと
Ｔはそれぞれ、１３５ボルトの電源と大地との間に結合
されている。トランジスタＱ５のエミッタ（節点Ｓ）
は、抵抗Ｒ２２とＲ２０を介して電源に結合され、コン
デンサＣ６により大地に減結合される。節点Ｔ（トラン
ジスタＱ６のエミッタ）は抵抗Ｒ２１を介して接地され
る。トランジスタＱ５とＱ６のコレクタは接続され、ブ
リッジの駆動節点Ｒを形成し、補助偏向コイルすなわち
ＳＶＭコイルはブリッジの中心を横切って節点Ｑに接続
される。ＳＶＭコイルＬと並列に接続される同調・減衰
用の構成要素はわかりやすくするために省略されてい
る。節点Ｑは、コンデンサＣ８により大地に減結合され
ると共に、直列抵抗Ｒ１１とＲ１２とＲ１３とＲ１４で
形成される抵抗性分圧器により電源電圧の約１／２（例
えば６７ボルト）に直流バイアスされる。トランジスタ
Ｑ５のエミッタ回路で直列に接続されたコンデンサＣ７
と抵抗Ｒ１７は節点Ｑに接続される。抵抗Ｒ１９とコン
デンサＣ９で形成される同様な直列接続の回路はトラン
ジスタＱ６のエミッタから節点Ｑに接続される。従っ
て、トランジスタＱ５とＱ６はブリッジの片側を形成
し、直列接続のコンデンサと抵抗の回路は他の側を形成
している。
【００１２】ブリッジ構成の回路では、典型的に、向か
い合う節点（例えばＲとＱ）の間を流れる電流は、他の
向かい合う節点（例えばＳとＴ）の間を流れる電流と著
しい相互作用を生じない。従って、節点ＲとＴの間を流
れるＳＶＭコイルの電流は、主としてブリッジ回路内に
閉じ込められ、電源および大地にはほとんど存在しな
い。従って、高周波のパルス性ＳＶＭ電流が電源または
帰路を介して導通を妨害するのが防がれる。
い合う節点（例えばＲとＱ）の間を流れる電流は、他の
向かい合う節点（例えばＳとＴ）の間を流れる電流と著
しい相互作用を生じない。従って、節点ＲとＴの間を流
れるＳＶＭコイルの電流は、主としてブリッジ回路内に
閉じ込められ、電源および大地にはほとんど存在しな
い。従って、高周波のパルス性ＳＶＭ電流が電源または
帰路を介して導通を妨害するのが防がれる。
【００１３】処理され増幅されたＳＶＭ信号は、コンデ
ンサＣ２とＣ３を介して、ブリッジ構成のドライバ・ト
ランジスタＱ５とＱ６にそれぞれ交流結合される。トラ
ンジスタＱ５とＱ６はＢ級増幅器として動作し、ベース
は、抵抗性分圧器Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４によ
りカットオフでバイアスされる。トランジスタＱ５とＱ
６は、信号のコアリングが更に必要とされる場合には、
抵抗値を適当に操作して更に深くバイアスされる。点Ｎ
における負のパルス性ＳＶＭ信号はトランジスタＱ５を
導通させ、パルス性電流Ｉ１を、ＳＶＭコイルおよびコ
ンデンサＣ７，Ｃ８，Ｃ９，ＳＳを介して、節点Ｑに循
環させる。電流Ｉ１は本質的に２つの部分から成り（Ｉ
１＝Ｉ２＋Ｉ３）、電流Ｉ２はブリッジ内を循環し、電
流Ｉ３はコンデンサＣＳとＣ８を介してコイルの中を通
り、コンデンサＣ６と抵抗Ｒ２２を経て戻る。トランジ
スタＱ５がオンになると、低インピーダンスの回路が形
成され、Ｃ７より供給される電流は、ＳＶＭコイルＬお
よび直列接続の抵抗Ｒ１７を通って循環する。抵抗Ｒ１
７の値３．３オームは抵抗Ｒ２２の値５１オームに比較
して小さいので、電流Ｉ２は電流Ｉ３に比較して大き
い。例えば、図１に示す値では、電流Ｉ３は電流Ｉ２の
約１／１５である。トランジスタＱ５の導通期間はＳＶ
Ｍインパルスの幅（例えば、１５０ナノセカンド）によ
り決定される。従って、トランジスタＱ５が導通してい
る時、トランジスタＱ５の飽和抵抗を無視すると、抵抗
Ｒ１７とコンデンサＣ７により、約７５マイクロセカン
ドの放電時定数を有する放電路が形成される。従って、
コンデンサＣ７がＳＶＭ電流を供給する時間はわずか１
５０ナノセカンドぐらいにすぎないので、コンデンサＣ
７両端の電圧は著しく変化せず、放電されない。コンデ
ンサＣ８も、ＳＶＭコイルとトランジスタＱ５と抵抗Ｒ
２２とコンデンサＣ６を介して、１５０ナノセカンドの
パルス電流を供給し、これは直列に電流Ｉ３として現れ
る。漂遊コンデンサＣＳも、電流路を経て、大地および
コンデンサＣ６とＣ８を通して放電する。しかしなが
ら、コンデンサＣ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９と比較して、漂
遊容量は非常に小さい（約２５ピコファラド）ので、漂
遊容量で導かれるＳＶＭ電流も、ブリッジ内を循環する
電流に比較して非常に小さい。典型的には電流Ｉ１の最
大値は約６００ミリアンペアであり、Ｉ３は典型的には
４０ミリアンペアである。
ンサＣ２とＣ３を介して、ブリッジ構成のドライバ・ト
ランジスタＱ５とＱ６にそれぞれ交流結合される。トラ
ンジスタＱ５とＱ６はＢ級増幅器として動作し、ベース
は、抵抗性分圧器Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４によ
りカットオフでバイアスされる。トランジスタＱ５とＱ
６は、信号のコアリングが更に必要とされる場合には、
抵抗値を適当に操作して更に深くバイアスされる。点Ｎ
における負のパルス性ＳＶＭ信号はトランジスタＱ５を
導通させ、パルス性電流Ｉ１を、ＳＶＭコイルおよびコ
ンデンサＣ７，Ｃ８，Ｃ９，ＳＳを介して、節点Ｑに循
環させる。電流Ｉ１は本質的に２つの部分から成り（Ｉ
１＝Ｉ２＋Ｉ３）、電流Ｉ２はブリッジ内を循環し、電
流Ｉ３はコンデンサＣＳとＣ８を介してコイルの中を通
り、コンデンサＣ６と抵抗Ｒ２２を経て戻る。トランジ
スタＱ５がオンになると、低インピーダンスの回路が形
成され、Ｃ７より供給される電流は、ＳＶＭコイルＬお
よび直列接続の抵抗Ｒ１７を通って循環する。抵抗Ｒ１
７の値３．３オームは抵抗Ｒ２２の値５１オームに比較
して小さいので、電流Ｉ２は電流Ｉ３に比較して大き
い。例えば、図１に示す値では、電流Ｉ３は電流Ｉ２の
約１／１５である。トランジスタＱ５の導通期間はＳＶ
Ｍインパルスの幅（例えば、１５０ナノセカンド）によ
り決定される。従って、トランジスタＱ５が導通してい
る時、トランジスタＱ５の飽和抵抗を無視すると、抵抗
Ｒ１７とコンデンサＣ７により、約７５マイクロセカン
ドの放電時定数を有する放電路が形成される。従って、
コンデンサＣ７がＳＶＭ電流を供給する時間はわずか１
５０ナノセカンドぐらいにすぎないので、コンデンサＣ
７両端の電圧は著しく変化せず、放電されない。コンデ
ンサＣ８も、ＳＶＭコイルとトランジスタＱ５と抵抗Ｒ
２２とコンデンサＣ６を介して、１５０ナノセカンドの
パルス電流を供給し、これは直列に電流Ｉ３として現れ
る。漂遊コンデンサＣＳも、電流路を経て、大地および
コンデンサＣ６とＣ８を通して放電する。しかしなが
ら、コンデンサＣ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９と比較して、漂
遊容量は非常に小さい（約２５ピコファラド）ので、漂
遊容量で導かれるＳＶＭ電流も、ブリッジ内を循環する
電流に比較して非常に小さい。典型的には電流Ｉ１の最
大値は約６００ミリアンペアであり、Ｉ３は典型的には
４０ミリアンペアである。
【００１４】点ＰにおけるＳＶＭインパルス信号が正で
あれば、トランジスタＱ６はインパルス電流Ｉ６を節点
Ｑから、本来コンデンサＣ９より供給されるＳＶＭコイ
ルＬを介して、導く。トランジスタＱ６よりＳＶＭコイ
ルＬに導かれる電流は本質的に２つの成分から成り（Ｉ
６＝Ｉ７＋Ｉ８）、電流Ｉ７はブリッジ内を循環し、電
流Ｉ８は、コンデンサＣＳと抵抗Ｒ２１を経てコイルを
通って導かれ、コンデンサＣ８を経て戻る。抵抗Ｒ１９
の値３．３オームは抵抗Ｒ２２の値５１オームに比較し
て小さいので、電流Ｉ７は電流Ｉ８に比較して大きく、
Ｉ８の値はＩ７の値の約１／１５である。漂遊容量ＣＳ
を経て導かれるＳＶＭ電流は大地とＣ８を通って循環す
る。漂遊容量ＣＳが減少すれば、大地に導かれる電流Ｉ
３とＩ８も直接減少する。抵抗Ｒ１９とコンデンサＣ９
により形成される放電時定数は、トランジスタＱ５に関
して説明したのと同様に機能する。トランジスタＱ６は
約１５０ナノセカンドの間導通し、これは放電時定数の
約１／５００に相当するので、コンデンサＣ９両端の電
圧にあまり変化は認められない。
あれば、トランジスタＱ６はインパルス電流Ｉ６を節点
Ｑから、本来コンデンサＣ９より供給されるＳＶＭコイ
ルＬを介して、導く。トランジスタＱ６よりＳＶＭコイ
ルＬに導かれる電流は本質的に２つの成分から成り（Ｉ
６＝Ｉ７＋Ｉ８）、電流Ｉ７はブリッジ内を循環し、電
流Ｉ８は、コンデンサＣＳと抵抗Ｒ２１を経てコイルを
通って導かれ、コンデンサＣ８を経て戻る。抵抗Ｒ１９
の値３．３オームは抵抗Ｒ２２の値５１オームに比較し
て小さいので、電流Ｉ７は電流Ｉ８に比較して大きく、
Ｉ８の値はＩ７の値の約１／１５である。漂遊容量ＣＳ
を経て導かれるＳＶＭ電流は大地とＣ８を通って循環す
る。漂遊容量ＣＳが減少すれば、大地に導かれる電流Ｉ
３とＩ８も直接減少する。抵抗Ｒ１９とコンデンサＣ９
により形成される放電時定数は、トランジスタＱ５に関
して説明したのと同様に機能する。トランジスタＱ６は
約１５０ナノセカンドの間導通し、これは放電時定数の
約１／５００に相当するので、コンデンサＣ９両端の電
圧にあまり変化は認められない。
【００１５】図３のＡは、１本のＴＶラインの水平期間
中に発生する“パルス・バー”ビデオ信号を示す。図３
のＢは図１の端子ＡにおけるＳＶＭ信号を示し、エッ
ジ、すなわち、図３のＡに示す信号から取り出される水
平方向の変移から成るが、時間の尺度を広げて描かれて
いる。図３のＣは時刻ｔ１とｔ２で生じる電圧・電流パ
ルスを、時間の尺度を拡大して示している。波形Ｐは点
Ｐで発生するＳＶＭ電圧波形であり、これはトランジス
タＱ６内にＳＶＭ電流を導通させるように結合される。
信号波形Ｐは、図１の回路点Ｎに加えられる信号と同じ
であり、負の信号値に対してＳＶＭ電流を導通させる。
波形Ｉ６は、ブリッジの構成要素、ＳＶＭコイルＬ、抵
抗Ｒ１９およびコンデンサＣ９の中を循環するトランジ
スタＱ６のコレクタ電流を示す。波形Ｉ８は、トランジ
スタＱ６が導通している間ブリッジ回路から出る電流を
示し、これはコレクタ電流Ｉ６の約１／１５である。
中に発生する“パルス・バー”ビデオ信号を示す。図３
のＢは図１の端子ＡにおけるＳＶＭ信号を示し、エッ
ジ、すなわち、図３のＡに示す信号から取り出される水
平方向の変移から成るが、時間の尺度を広げて描かれて
いる。図３のＣは時刻ｔ１とｔ２で生じる電圧・電流パ
ルスを、時間の尺度を拡大して示している。波形Ｐは点
Ｐで発生するＳＶＭ電圧波形であり、これはトランジス
タＱ６内にＳＶＭ電流を導通させるように結合される。
信号波形Ｐは、図１の回路点Ｎに加えられる信号と同じ
であり、負の信号値に対してＳＶＭ電流を導通させる。
波形Ｉ６は、ブリッジの構成要素、ＳＶＭコイルＬ、抵
抗Ｒ１９およびコンデンサＣ９の中を循環するトランジ
スタＱ６のコレクタ電流を示す。波形Ｉ８は、トランジ
スタＱ６が導通している間ブリッジ回路から出る電流を
示し、これはコレクタ電流Ｉ６の約１／１５である。
【００１６】図４は、図２のブリッジ構成のＳＶＭ増幅
器の発明的変更を示す。図４で、節点Ｓおよび節点Ｔは
それぞれ、抵抗Ｒ１７とコンデンサＣ７および抵抗Ｒ１
９とコンデンサＣ９から成る直列帰還回路の接続点に再
配置されている。回路の動作は図２に関して述べたもの
と大体同じである。しかしながら、図４に示す実施例
で、入力信号の極性に応じてトランジスタＱ５またはＱ
６が導通すると、パルス性電流がコンデンサＣ７または
Ｃ９より供給される。例えば、負方向の入力パルス（典
型的には約１５０ナノセカンドの持続時間を有する）に
より、トランジスタＱ５はコンデンサＣ７から抵抗Ｒ１
７およびＳＶＭコイルを経て電流を導く。パルス性電流
Ｉ１とＩ２は本質的に等しく、パルス性電流Ｉ３は相当
に減少し、漂遊容量ＣＳによる電流を本質的に含んでい
る。トランジスタＱ５が導通していない時、コンデンサ
Ｃ７より供給されるパルス性電流は抵抗Ｒ２２を経て再
充電される。トランジスタＱ６に関しても同様に、正の
入力パルスにより、トランジスタＱ６はコンデンサＣ９
から抵抗Ｒ１９およびＳＶＭコイルを経て電流を伝え
る。放電電流Ｉ６とＩ７は本質的に等しく、電流Ｉ８は
漂遊容量ＣＳによるものである。コンデンサＣ９は、ト
ランジスタＱ６の非導通期間中、抵抗Ｒ２１を経て再充
電される。従って、図４の実施例では、インパルス電流
すなわちＳＶＭ電流が発生されて、ブリッジ内を循環
し、電源および帰路には存在しない。
器の発明的変更を示す。図４で、節点Ｓおよび節点Ｔは
それぞれ、抵抗Ｒ１７とコンデンサＣ７および抵抗Ｒ１
９とコンデンサＣ９から成る直列帰還回路の接続点に再
配置されている。回路の動作は図２に関して述べたもの
と大体同じである。しかしながら、図４に示す実施例
で、入力信号の極性に応じてトランジスタＱ５またはＱ
６が導通すると、パルス性電流がコンデンサＣ７または
Ｃ９より供給される。例えば、負方向の入力パルス（典
型的には約１５０ナノセカンドの持続時間を有する）に
より、トランジスタＱ５はコンデンサＣ７から抵抗Ｒ１
７およびＳＶＭコイルを経て電流を導く。パルス性電流
Ｉ１とＩ２は本質的に等しく、パルス性電流Ｉ３は相当
に減少し、漂遊容量ＣＳによる電流を本質的に含んでい
る。トランジスタＱ５が導通していない時、コンデンサ
Ｃ７より供給されるパルス性電流は抵抗Ｒ２２を経て再
充電される。トランジスタＱ６に関しても同様に、正の
入力パルスにより、トランジスタＱ６はコンデンサＣ９
から抵抗Ｒ１９およびＳＶＭコイルを経て電流を伝え
る。放電電流Ｉ６とＩ７は本質的に等しく、電流Ｉ８は
漂遊容量ＣＳによるものである。コンデンサＣ９は、ト
ランジスタＱ６の非導通期間中、抵抗Ｒ２１を経て再充
電される。従って、図４の実施例では、インパルス電流
すなわちＳＶＭ電流が発生されて、ブリッジ内を循環
し、電源および帰路には存在しない。
【００１７】
【発明の効果】この発明によるブリッジ構成のＳＶＭコ
イル・ドライブ増幅器は、パルス性電流を、主としてブ
リッジ回路内に循環するように閉じ込めるので、高周波
のＳＶＭ電流が電源もしくは帰路を通って導通を妨害す
るのが防がれる。
イル・ドライブ増幅器は、パルス性電流を、主としてブ
リッジ回路内に循環するように閉じ込めるので、高周波
のＳＶＭ電流が電源もしくは帰路を通って導通を妨害す
るのが防がれる。
【図１】発明的な走査ビーム速度変調ドライブ増幅器と
補助偏向コイルを示す。
補助偏向コイルを示す。
【図２】図１のＳＶＭコイル・ドライブ増幅器を対称的
なブリッジ構成で示す。
なブリッジ構成で示す。
【図３】ブリッジ構成で発生されるＳＶＭ信号と電流を
示す。
示す。
【図４】ブリッジ構成で描かれた図１の回路の発明的変
更を示す。
更を示す。
１００ 増幅器・コアリング部 ２００ ドライブ増幅器 Ｌ ＳＶＭコイル Ｌｘ 主偏向ヨーク
Claims (3)
- 【請求項１】 走査電子ビームを有する陰極線管と、 前記陰極線管に取り付けられた、補足電子ビーム偏向用
のコイルと、 ビデオ信号のエッジの変移を表わす信号と、 電源と帰路の間に結合されており、前記信号に結合され
る入力を備え、且つパルス電流を発生し前記信号に応答
して電子ビームを偏向させるために前記コイルに結合さ
れる出力を備える増幅器とを含んでいる、電子ビーム偏
向用の装置であって、 前記増幅器および前記コイルは、パルス電流が前記電源
および前記帰路に流れ込まずに主として前記コイルおよ
び前記増幅器出力内に前記パルス電流が循環するように
構成されている、前記電子ビーム偏向用の装置。 - 【請求項２】 ビーム走査速度変調（ＳＶＭ）信号用の
増幅器であって、 前記増幅器を起動する電源と、 前記増幅器の電力帰路と、 第１、第２、第３および第４の節点を有するブリッジ構
成と、 前記第１と第２の節点をブリッジする、第１のＳＶＭ入
力信号を供給する第１の手段と、 前記第２と第３の節点をブリッジする、第２のＳＶＭ入
力信号を供給する第２の手段と、 前記第１と第４の節点をブリッジする第１の帰還路と、 前記第３と第４の節点をブリッジする第２の帰還路と、 前記第２と第４の節点をブリッジするＳＶＭコイルとを
含んでおり、 ＳＶＭインパルス電流の導通路は、前記ブリッジ内を循
環するよう限定され、前記電源および前記電力帰路に流
れ込まないようにする、前記ビーム走査速度変調信号用
の増幅器。 - 【請求項３】 ビーム走査速度変調（ＳＶＭ）信号用の
増幅器であって、 前記増幅器の電源と、 前記増幅器の電力帰路と、 ＳＶＭ入力信号に結合されて、その信号を増幅しコアリ
ングする増幅・コアリング手段と、 ブリッジ構成を有し、増幅され且つコアリングされた信
号を前記増幅・コアリング手段から受け取り、その信号
に応答して電流を発生するドライブ増幅器と、 前記ブリッジに結合され、前記電流に応答してビーム走
査速度変調を行うＳＶＭコイルとを含んでおり、 前記電流は、前記ブリッジと前記コイルの中を循環する
ように閉じ込められ、前記電源と前記電力帰路に流れる
のはわずかにすぎない、前記ビーム走査速度変調信号用
の増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US285566 | 1988-12-16 | ||
| US08/285,566 US5569985A (en) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | Amplifier for scanning beam velocity modulation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0865538A true JPH0865538A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3686131B2 JP3686131B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=23094801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22692095A Expired - Fee Related JP3686131B2 (ja) | 1994-08-03 | 1995-08-02 | 電子ビーム偏向用の装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5569985A (ja) |
| EP (1) | EP0696137B1 (ja) |
| JP (1) | JP3686131B2 (ja) |
| KR (1) | KR100394178B1 (ja) |
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| CA (1) | CA2154814C (ja) |
| DE (1) | DE69533534T2 (ja) |
| MY (1) | MY113083A (ja) |
| TW (1) | TW311230B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| FI119344B (fi) * | 1999-02-05 | 2008-10-15 | It Per Lo Sviluppo Dell Elettr | Menetelmä näyttöpäätteen ympäristöönsä aiheuttaman sähkökentän pienentämiseksi ja näyttöpääte |
| US6239561B1 (en) * | 1999-11-05 | 2001-05-29 | Thomson Licensing S.A. | Signal processing for scanning beam velocity modulation |
| US6340995B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-01-22 | Thomson Licensing Sa | Emission control with scanning beam velocity modulation |
| US6674253B2 (en) * | 2002-01-03 | 2004-01-06 | Zilog, Inc. | Scan velocity modulation technique |
| JP2004297739A (ja) * | 2002-04-17 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 映像表示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4185301A (en) * | 1977-06-01 | 1980-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Scanning velocity modulation system |
| US5072300A (en) * | 1990-08-02 | 1991-12-10 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Beam scan velocity modulation apparatus with disabling circuit |
| US5093728A (en) * | 1990-08-02 | 1992-03-03 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Beam scan velocity modulation apparatus |
-
1994
- 1994-08-03 US US08/285,566 patent/US5569985A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-04 TW TW083107159A patent/TW311230B/zh active
-
1995
- 1995-07-25 EP EP95111649A patent/EP0696137B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-25 DE DE69533534T patent/DE69533534T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-27 CA CA002154814A patent/CA2154814C/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-31 KR KR1019950023311A patent/KR100394178B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-07-31 MY MYPI95002213A patent/MY113083A/en unknown
- 1995-08-02 JP JP22692095A patent/JP3686131B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-02 CN CN95109507A patent/CN1063003C/zh not_active Expired - Fee Related
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| DE69533534D1 (de) | 2004-10-28 |
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| MY113083A (en) | 2001-11-30 |
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