TW311230B - - Google Patents

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3.11230 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（1 ) 本發明一般與掃描電子束速度調變（S V Μ )有關，特別是 針對其所採用的放大雷路。 發明背景 影像視銳度，可根據視頻顯示信號之推導，利用掃描電 子束速度的調變來增強，這種方法是已為人知的。此推導 信號（或SVM信號 >，可由視頻顯示信號的亮度成份推導而 來，目.可用來產生掃描雷子束速度變動。放慢電子束速度 會造成顯示器寒亮，增快速度則會使顯示器變暗。因此水 平速率邊緣在視覺上可藉由顯示強度邊緣轉變（edge t r a n s ί t ί ο η )的變化來增強。此種增強銳度的方法較之利 用視頻頻率峰值，提供更多好處。舉例而言，峰值化高亮 度顯示元件之光圈可被避免。再者，視頻尖波器頻寬中所 產生的視頻雜訊不會被增強。 掃棉雷子束速度可利用SVM線圈來調變，此線圈會產生 一輔肋的偏轉場。此S V Μ場連同主偏轉場，因應於S V Μ線 圈中雷流的棟件來產生雷子束加速度或減速度。電子束加 谏麻或減速度的大小與S V Μ雷流之振幅成正比。一典型 SVM線圈的偏轉蚕敏度可Μ —例子表示：一安培的電流可 在中心銀幕產生1到3毫米的雷子束偏轉。 由於SVM信號一般用來表示高頻的視頻内容，由是可知 S V Μ線圈雷流具有振幅及頻譜，它可Μ很容易地被耦合而 產生不必要的外來串音成份。此串音成份可能是由於電源 或固路耦合而來。因此安排產生SVM線圈電流的雷路而無 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 S11230 五、發明説明（2 ) 顯著的接地或與雷源導通是有好處的。 本發明概要 雷子束偏轉裝置包含一個掃描雷子束之陰極射線管。在 此陰極射線管上裝置有一線圈用來輔肋電子束偏轉。在電 源供應器與回路間耦合有一放大器，放大器的输入端耦合 一個信號，此信號可用來表示一視頻瞬間信號緣；输出端 刖耦合到線圈以回應输入信號而產生一脈衝電流K使電子 束偏轉。此放大器與線圈之姐成係用來使脈衝電流主要流 通於線圈與放大器輸出端之間，而實質上不流通於電源供 應器及冋路。 附圖之簡略說明 國1所示為一新穎的掃描電子束速度調變驅動放大器及 輔肋偏轉線圈。 圖2所示為圖示1的SVM線圈驅動器Μ對稱橋式姐態來 描诫》 圖3所示為一 SVM信號及其所產生之電流。 圖4所示為针對圓1雷路的新穎實施例Μ橋式姐態來描 i求。 詳細說明 _1中一掃描雷子束速度調變信號，或稱SVM信號，是 由端點A , B之間输人。為了舉例說明的目的，端點A上的 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X25*7公釐） I . N 訂 炊 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局一貝工消費合作社印製 S11230 A7 B7 五、發明説明（5 ) SVM信號是以一個類似脈衝的波形來表示，此波形具有對 稱峰堉到峰值的雷壓差為1 . 5伏特。S V Μ信號的導出與處 理不包含在本案之範圍。端點下部或SVM信號產生器的信 號接地導線，經由一個雷阻耦合到驅動放大器的信號接地 端，W避免耦合到不必要的瞬間干擾或雜訊。圖1與圖2所 示之信號接地導線皆連接到一個偏轉接地導線。 圖1之新穎驅動放大器可視為包含一個放大器及除噪聲 段1〇〇 ，其雷颳增益大約為5 ; Μ及一個輔肋偏轉線圈驅 動放大器200 ，其配置必須與雷壓Vc對稱，其設置在電源 供應器與此驅動放大器的接地端之間。在N及P的Ac耦合輸 入信號也要對雷限V c對稱偏壓以耦合到輔肋驅動器電晶體 _、此輔肋偏轉或S V Μ線圈係在位於Q點的電壓V c與二個驅 動，雷晶體的集極接點R之間耦合。此驅動電晶體係Μ Β 類偏壓，Μ使得S V Μ信號的負變化導通Ρ Ν Ρ電晶體，而正 寒化導通Ν Ρ Ν雷晶體。如此雙向偏轉雷流便由電晶體集極 ，緙由S V Μ線圈到雷路的Q點被驅動，其中有一不顯著的 小雷流成份流通於對應的集極到射極電路外。為控制能量 損耗*特別是在驅動器級，因而由射極電流取樣提供回授 。此被衰減及過濾的信號S V M C T L係耦合至S V Μ信號處理 雷路，此雷路不在本案中討論。 1.5伏特的額定峰值到峰值SVM信號由端點Α蝓入· S V Μ處理器的信號接地端耦合至端點B Μ降低雜散的和不 必要的暫態接地雷流串音或雜訊。端點Α的信號經電阻 R1耦合至NPN雷晶體Q〗的基極，此構成一增益約為5的共射 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 啟！ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 SH23〇 A7 ---ϋ 五、發明説明（4 ) 裱的大器：> 雷晶體Q1的射極接到串聯電阴R 3及R 4，此二電 陏之另一端接至地端。而R 3 , R 4的接點B則連接到S V Μ處 琿器的地端。雷晶體Q 1的集極經電阻R 2接到例如為2 6伏特 之雷源供應器，這是由串聯電阻R7與解耦合電容C1解耦合 而來。雷晶體Q1的集極並耦合至ΝΡΝ電晶體Q2的基極，此 構成一射極跟隨放大器。雷晶體Q2的集極接至解耦合的 2fi伏特雷源•而其射極直接接到ΝΡΝ雷晶體Q3的基極， Q2的射極也接到雷m R 5及電m R 6，R 5再與電阻R 6串聯接到 地端。R 5與R 6的接點接到P N P電晶體Q 4的基極。電晶體 Q3與Q4構成射極追隨放大器，在電晶體Q4基極的SVM信號 因雷流流姅雷阳R 5之故而含有一對應雷晶體Q 3基極的D C補 倌。此0C補償窜流會使S V Μ信號產生使矂聲或小信號振幅 褒減的效應：、雷晶體Q 3的射橘經雷胆R 8連接至耦合電容 C2，同樣地雷晶體Q4的射極也經由雷阻R10連接至AC耦合 雷容C3 。雷晶體Q3和Q4的射極雷阻R9連接在一起Μ控 制R F Τ的產生。電容C 2上的S V Μ信號利用接到地端的電容 C 4來過濾Κ供R F I之減少，電容C 3上的信號則利用接至地 端的雷容C5而WRFI過濾。ΡΝΡ驅動電晶體Q5的基極連接 至雷容C 2與C 4的接點以及雷阻R 1 1與1Π 2的接點。同樣地 NPN驅動雷晶體Q6的基極連接至電容C3與C5的接點及電阻 R 1 3與1Π 4的接點。 雷m R 11 , R 1 2 , Rl 3及R 1 4的串接構成耦合於電源電壓 + VK地之間的分ϋ器。此雷源雷壓+v，例如為135伏特， 是由串聯雷^R20及接於地端的旁路電容器C6解耦合而來 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 B7 ---—-- 五、發明説明（> ) 。由於由雷阳R 11 , R1 2 , R 1 3及R 1 4所構成的分壓器是對 稱的，位於R12, R13接點的中心點Q會產生電壓Vc，其值 為雷颳+ V的一半，例如大約為67伏特，此電壓經由電容 C8解耦合罕地端。PNP雷晶體Q5的射極也經由電容C7和電 阳R1 7的串接而耦合到中心點Q ，同樣地N P N電晶體的射 楝絆由雷容C9和雷陏R19的串接耦合到電胆R12與R13的接 點‘.此兩姐串聯耦合回授路徑有效地降低中心點Q的A C阻 杭。PNP雷晶體Q5的射極經由雷阳R22與R20的串接連接到 1 3 5伏特的雷源，雷阻R 2 0提供此雷源的解耦合。接於電 晶聘Q 5射極的雷阴R 2 2提供D C頁反饋Μ控制D C工作點°同 樣地，Ν Ρ Ν電晶體Q 6的射極經雷阻R 2 1接到地端以控制D C T作點.、 s v Μ線圈丨，係位於c R Τ管頸之上，它可能非常接近信號 接地端或飫阳抗導體，例如一個主偏轉範L X。這種非常接 诉的導體會產生雜散耦合雷容，在此雷容C5表示。此雜 散雷容不只禽降低線圈雷流的上升時間，而且會額外地對 高頻’脈衝SVM線圈雷流產生干擾或串音耦合路徑’而使 SVM的性能寒差ΰ$νΜ雷流的的本質對輻射具有導電作用 目' 會利用雷容耦合到鄱近導體。此外，將這種變差的S V Μ 雷流排除在雷源及例如接地導體的回流路徑之外是非常需 要的。不必要的s ν Η干擾可能注入於信號成份可比產生 SV Μ驅動信號的視頻信號晩產生或早產生電路中。因此在 預料S V Μ線路的銳度增強作用時，不必要的串音信號或雜 波不會被鑲藏起來而是看得見的。據此，當S V Μ工作頻率 -8 - 本紙張尺度適用中_家檩準（cns ) Α4規格（2獻297公董） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Λ! 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 提升而驅動器雷流增加時，限制這種不良的S V Μ驅動電流 到頫動放大器及輔肋偏轉或S V Μ線圈的工作的重要性相對 增加。 圖2所示為圖1.之新潁S V Μ I*大器，Κ拓撲學的方法以 對稱橋式雷路重書於此來說明雷路200 。電橋的節點S, T , R ,及Q對應到圖示1枏同的節點，其中節點S及Τ分 別耦合於1 3 5伏特雷源與地端之間。節點S是電晶體Q 5的 射稱，縳雷阳R 2 2及R 2 0耦合到電源而利用電容C 6解耦合 到地端。節點Τ是雷晶體Q 6的射極，經電阻R 2 1耦合到地 端。雷晶體Q 5和Q 6的集極相接構成此電橋的驅動節點R ， 輔肋偏轉或S V Μ線圈橫越橋式雷路的中間接到節點Q 。調 諧和阴尼元件與S V Μ線圈L並連，而為了清晰起見省略於 此。節點Q利用雷容C 8解耦合於地端，其經D C偏壓至約等 於雷湄的一半，例如為6 7伏特，這是利用串聯電阻R 11 , R 1 2 , R 1 3及R 1 4所構成的雷附性分壓器來完成。在電晶體 05的射極雷路中有串聯至節點Q的雷容C7與雷阻R17。另一 侗完伞相同的串接網路由雷阻R 1 9與電容C 9構成Μ連接電 晶體0 6的射極到節點Q 。因此，雷晶體Q 5和Q 6利用電容串 聯網路構成雷橋的一邊，而利用雷阳網路構成雷橋的另一 邊。 存典型的橋式姐態電路中，流通於反向節點例如R與Q 之間的雷流，與流通於例如反向節點S與Τ之間的電流並 沟有顯著的交互作用。於是*節點R與Τ之間的S V Μ線圈 雷潦暈便被限制，使其大部份流通於雷橋之間而且要遠離 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 25»7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-° 台 丨· Ay A7 311230 B7 五、發明説明（7 ) 雷源與地端。這樣，高頻脈衝S V Μ雷流便可避免由電源或 冋路而來的雷位干擾。 經渦慮珅及放大的S V Μ信號分別經由電容C 2及C 3耦合到 橋式钼態驅動雷晶體Q 5和Q 6。雷晶體Q 5和Q 6 Μ Β類放大器 之方式搡作*其基楝藉由雷阳分壓器R11, R12, R13和 R 1 4而偏鼯於截I卜區。若有額外信號去瞒聲的需要，則電 晶體Q 5和（3 6可再運用滴當的雷阳堉來偏壓截止。在Ν點的 負脈衝S V Μ信號使雷晶體Q 5導通並使得電流I 1經S V Μ線圈 流向節點Q及雷客C 7 , C 8 , C 9和C S。電流I 1大致包含兩部 份，U = I 2 + U，其中I 2流於橋式電路間，而電流I 3經電容 C s和C 8導通線圈並經由雷容C 6及電阻R 2 2流回。當電晶體 Q 5導通時，一低闲抗雷路會形成*造成雷流由C 7供應，經 姅S V Μ線圈L及串聯雷厢R 1 7 。由於雷阻R 1 7之值3 . 3歐 娘之堉較之雷阳R 2 2之值5 1歐姆之值來得小，電流I 2會比 雷流ί ：?大。例如，以表示於圖1之值，I 3約等於I 2的 1/15。雷晶體Q 5的導通持鑛時間由S V Μ脈衝的寬度來決定 ，擧例而言，其寬度可能為1 5 0微秒（n s >，因此當雷晶體 β 5導埔時，會形成一個放雷路徑，此路徑具有一放電時間 常齡，其信約為7 5毫秒（m s )，這時由雷阻R 1 7及電容C 7得 來，#忽略雷晶體Q 5的飽和阳杭。由於電容C 7供應S V Μ雷 流揮約1 5 0微秒（rt s )，故此雷容器上的雷壓沒有明顯的變 化或放雷。雷容器C 8也經S V Μ線圈雷晶體Q 5，電阻R 2 2及 雷客C 6供應150微秒（〇3)寬度的雷流脈衝，其流經此串聯 结構而為雷流I 3 雜散雷容C S也藉由一電流路徑，通過地 - 10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 妗丨. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 端餌雷容（:6和C8來放雷。然而由於此雜散電容之值較之電 容C6, C7. C8及C9是非常小的，約在25微微法拉（pf)，所 W雜散導滴的S V Μ雷流較之流於橋式雷路中之電流也是非 常小的。標準雷流I 1具有6 0 0毫安的峰值 > 而I 3之標準值 為40毫安。 # Ρ點一俩TK S V Μ信號脈衝會便雷晶體Q6導通而使脈衝 雷涼丨R由節點Q流向S V Μ線圈L ，此雷流源基本上由電容 C 9供應：由雷晶體Q 6導通而流到S V Μ線圈L的電流大致包 含兩分曇，ϊ Β =丨7 + I 8 ,其中Τ 7流通於橋式雷路間而電流 ί 8铧雷客C S和雷阳R 2 1導通線圈並經由電容C 8流回。由於 雷阳R 1 9 3 . 3歐姆之值較之雷阳R 2 2 5 1歐姆之值來得小， 雷流丨7會比雷流I 8大，所以丨8雷流值約等於I 7的1 / 1 5。 S V Μ雷流導通雜散雷容C S而循流於地端和C 8。減少雜散電 客C S會肓接減低導通於地端的雷流I 3和I 8。由電阻R 1 9和 雷容C 9所姐成的放雷時間常數計算方式與所述於電晶體 0 5的方式相同。由於雷晶體Q6導通約達1 5 0微秒（n s ) *此 信相當於約放雷時間常數的1 / 5 0 0 ，故在電容C 9間不會感 鱟得到雷昭改變。 圖3 Α說明一個發生於Τ V線水平掃描期間的”脈衝與條形 (b a r ) ”視頻信號。圖3 B所示則為画1端點A的一個S V Μ信 號•基本h包含潢緣或水平轉寒，這是對圖3 Α的信號延長 其時間刻度而得來。圖3 C說明在時間11及t 2的電壓與電流 脈衝> Μ延長其時間刻度來表示。波形P表示在P點的 S V Μ雷颳波形，它是被耦合Μ用來使S V Μ雷流導通於電晶 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^! 311230 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 9 ) 1 1 體 Q6 此 信 號 波 形 P 與 加 諸 於 _ 1 電 路 中 Ν點 的 信 號 完 全 1 1 枏 同 » ϊ言 使 得 SVM 雷 流 〇 對 負 信 號 值 導 通 。波 形 16 表 示 電 1 1 晶 體 Q6的 集 栎 雷 流 此 雷 流 流 通 於 雷 橋 元 件SVM 線 圈 L » y—v 請 1 | 雷 m R 1 9及雷容C9 之 間 〇 波 形 18 表 示 在 電 晶體 Q6 導 通 時 電 先 閲 1 I 讀 1 1 橋 外 的 雷 流 t 其 值 約 為 集 極 雷 流 16的 1/ 15 〇 背 1 I 圖 4 表 示 —* 個 針 對 Π5»! _ 2 橋 式 組 態 SVM 放 大器 的 -- 個 新 穎 之 注 1 1 意 1 | 型 〇 在 圖 4 中 * m 點 S 與 T 分 別 重 置 於 包含 電 阻 R17 與 事 項 1 1 雷 η C7的 接 點 Μ 及 包 含 雷 阳 R19 與 雷 容 C9的 接 點 的 串 聯 再 1 1 P 捋 網 路 〇 此 雷 路 的 X 作 原 理 大 致 維 持 與 圖2 所 述 相 同 〇 •Mj 本 頁 1 然 而 蘭 4 之 具 體 實 施 例 中 在 雷 晶 體 Q 5或Q 6的 導 通 因 應 S__^ 1 於 m 當 的 輸 入 信 號 極 件 使 m 衝 雷 流 由 雷 容C7或 C9來 供 應 1 I 〇 例 如 一 般 具 有 1 5 0 微 秒 (η S ) 等 級 的 持 續時 間 的 負 脈 衝 1 輪 入 信 號 使 雷 晶 餺 0 5 由 雷 容 C7 經 雷 阻 R17 及SVM 線 圈 導 通 1 訂 1 雷 流 〇 脈 衝 雷 流 11 和 12大 致 相 等 且 電 流 13實 質 上 被 減 少 目. 包 含 雜 散 雷 容 CS 產 生 的 雷 流 〇 當 雷 晶 體 Q5沒 有 導 通 時 t 1 I 由 雷 η C7供 應 的 脈 衝 雷 流 經 雷 陏 R22 再 充 雷。 1 同 樣 地 對 雷 晶 體 Q6而 言 __. 個 正 輸 入 脈 衝電 流 使 電 晶 體 1 1 Q6由 雷 容 C9 經 雷 m R 1 9 及 SVM 線 圈 導 通 電 流° 放 電 電 流 I 6和 I 7大 致 相 等 而 雷 流 18基 本 上 由 雜 散 電容 C5而 來 〇 在 1 1 雷 晶 體 Qfi沒 有 導 通 的 時 間 雷 容 C9 經 雷 阻 R21 再 充 電 〇 所 1 1 Μ 圖 4 的 具 鵂 宵 fife 例 在 產 生 流 通 於 雷 橋 且 基本 上 1% 離 電 源 1 1 m 冋 路 的 脈 衛 或 SVM 雷 流 〇 I 本 m 明 的 新 穎 橋 式 姐 態 SVM 線 圈 驅 動 放 大器 限 制 脈 衝 雷 1 1 流 * 使 其 大 部 份 流 调 於 雷 橋 〇 所 Μ 高 頻 SVM雷 流 可 大 大 地 1 I 擗 免 來 白 雷 源 或 雷 湄 回 路 對 雷 路 導 通 的 雷 位干 擾 〇 1 1 1 1 12 1 1 1 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 i 一種電子束僱轉裝置，包括： - 具有掃描竃子束的陰極射線管； - 輔肋電子束餳轉的線圈，裝置於該陰極射嫌管之上 9 - 表示視頻信號緣轉變的信號； - 耦合於電源與回路間的放大器，放大器的输入耦合 於該信號而轤出耦合至該線圈，用Μ因應於該信號 而於線圈中產生一脈衝電流來作電子束偏轉； 該放大器及線圈之姐態在使該振銜電流主要流通於該線 圈及放大器输出之間*而沒有實質的脈衝轚滾流通於該 電源及回路。 2· 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中之放大器及線圈 具有一對稱組態。 a 根據申請專利範圍第2項之裝置，其中該對稱姐態為一 電橋。 4- 根據申請專利範麵第1項之裝置，其中該鼯衡轚流包含 第一成份及第二成份。 a 根據申請專利範園第4項之裝置，其中該第一成份及第 二成份由第一電阻值及第二電阻值來決定，選擇該等竃 阻值係用來事先決定靈敏度及將該第二成份減至最小。 a 根據申請專利範圔第5項之裝置，其中該第一脈銜竃流 成份係導通於該放大器及線圈之間•而該第二脈銜電流 成份係導通於該放大器，線圈及電源回路之間。 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------II-----、玎------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 S1123Q S D8 六、申請專利範圍 7. 一種電子束掃描速度調變（SVM)信號的放大器，包括： - 供應該放大器電能的電源； - 供應該放大器的電源回路； - 橋式姐態，含有第一 •第二，第三及第四節點； - 第一裝置，用來供應一橋接該第一及第二節點之第 一 SVM轤入信號； - 第二裝置，用來供應一橋接第二及第三節點之第二 SVM输人信號； - 第一回授路徑* Μ電橋連接該第一及第四節酤； - 第二回授路徑* Μ電橋連接該第三及第四節點； -SVM線圈·以霣橋連接該第二及第四節點，實質上 SVM脈衝電流的傳導路徑被限制，使其流通於該霣 橋之間，並被排除在該電源及電源回路的傅等之外 Ο a 根據申請專利範圈第7項之放大器，其中該第一裝置包 括一個經姐態為輔助射極追随器的放大器。 a 根據申請專利範圍第7項之放大器，其中該第一装置包 括一僩去噍聲放大器（Coring amplifier)。 ία 根據申誚專利範圍第7項之放大器*其中該橘式姐態包 括具有共集槿斓點的電晶體•且寶質上該等電晶《具有 等效射極端點回授路徑。 11 根據申請專利範圃第7項之放大器，其中該第一回授及 第二回授路徑包括一電阻轚容回授路徑。 12. 一種電子束掃描速度調變（SVM)信號的放大器，包括： -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X1297公釐） --------------IT------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 - 供應該放大器電能的電源； - 供應該放大器的霉源回路； - 耦合至SVH蝓入信號的裝置，用來對信號作放大與 去噪轚； - 具有橋式姐態的匾動放大器*用以接收來自該裝置 的已放大及已去噪轚的信號*並產生對懕之電流； -SV Μ線圈耩合至該竃橋· Μ因應於該轚流來作電子 束速度調變 > 實霣上該轚流被限制而流通於該電橋 及線圈之間•而對該電源及電源回路沒有顯著的傅 導作用。 根據申謫專利範匾第12項之放大器*其中該裝置包括一 個電晶體放大器*該放大器《合到一個纆姐態為射極追 随放大器的輔肋電晶體對，該電晶體對被偏壓Μ提供去 噪聲作用。 认，根據申請專利範圈第12項之放大器，其中該驅動放大器 包括一個經姐態為共射極放大器的輔肋罨晶體對，該電 晶體對去哺聲信號之正僱移便會在該轚晶《對之一電晶 體中產生一第一導電方向的電流；而該已放大並已去噪 轚信號的負偏移會在該電晶體對的另一個電晶體中產生 一第二導罨方向的電流。 15. 根據申請專利範圃第14項之放大器，其中該輔助電晶體 對被偏壓以使得該已放大並去噪聲之信號額外地再予W 去嗓聲。 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------1------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 311230 g88 六、申請專利範圍 16. 根據申請專利範圔第14項之放大器，其中該SVM線圈耦 考 及 參 授 。號 回 間信 一 之零 第 位該 該 電中 中。 考其 其徑 參， ，路 號器 器授 信大。大回 零放半放的 個之一之性 一項的項容 及14位 7 電 點第電第一 端圍源圍括 極範電範包 集利於利徑 共專當專路 等請相請授 該申約申回 於據位據二 合根電根第 17.la 裝— 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉