KR100394178B1

KR100394178B1 - 빔주사속도변조용증폭기

Info

Publication number: KR100394178B1
Application number: KR1019950023311A
Authority: KR
Inventors: 달프랑크그리펜트로그
Original assignee: 톰슨 콘슈머 일렉트로닉스, 인코포레이티드
Priority date: 1994-08-03
Filing date: 1995-07-31
Publication date: 2003-10-17
Also published as: JPH0865538A; CA2154814C; TW311230B; EP0696137B1; DE69533534T2; KR960009593A; CA2154814A1; US5569985A; JP3686131B2; CN1119334A; CN1063003C; DE69533534D1; MY113083A; EP0696137A1

Abstract

빔 주사 속도 변조, 즉 SVM은 화상의 명확도를 증가시키는데 채용될 수 있다. 그러나, 충격성 SVM 편향 전류(11, 12, 13, 16, 17, 18)는 다른 회로로의 바람직하지 못한 누화를 생성시키므로 SVM 전류가 제한되는 구조가 개시된다. 전자 빔 편향을 위한 장치는 주사 전자 빔을 갖는 음극선관를 포함한다. 전자 빔 보조 편향 코일(L)은 음극선관 상에 장착된다. 증폭기(Q5, Q6)는 전원과 리턴 회로 사이에 접속되고 비디오 신호 에지 전이를 나타내는 신호에 접속된 입력을 갖는다. 증폭기(Q5, Q6)는 상기 신호에 응답하여 전자 빔 편향을 위해 펄스 전류(11, 16)를 발생시키는 코일(L)에 접속되는 출력을 갖는다. 증폭기(Q5, Q6)와 코일(L)은 전원과 리턴 회로에 흐르는 실질적인 펄스 전류 없이 주로 코일(L)과 증폭기(Q5, Q6) 출력내에서 펄스 전류가 순환하도록 구성된다.

Description

빔 주사 속도 변조용 증폭기

본 발명은 일반적으로 빔 주사 속도 변조(SVM)에 관한 것이며, 더 상세히 말하면 SVM에 사용되는 증폭 회로에 관한 것이다.

비디오 디스플레이 신호의 미분에 따른 주사 빔 속도의 변조에 의해 뚜렷한화상의 명확도가 증대될 수 있다. 미분 신호, 즉 SVM 신호는 비디오 디스플레이 신호의 휘도 성분으로부터 유도될 수 있으며, 빔 주사 속도 변이를 발생시키는 데 채용된다. 전파 빔 속도가 느리면 디스플레이는 밝아지고, 전자 빔 속도가 가속화되면 디스플레이는 어두워진다. 이와 같이, 수평 속도 에지(edge)는 에지 전이에 대한 디스플레이 밀도의 변이에 의해 가시적으로 증대될 수 있다. 이러한 명확도 증대 방법은 비디오 주파수 피킹(video frequency peaking)에 의해 제공되는 명확도 증대 방법에 비해 피크된 고휘도 화소의 발생을 피하고 또한 비디오 피커(peaker)의 대역내에서 발생하는 비디오 잡음이 증대되지 않는 것과 같은 다양한 이점을 제공한다.

주사 빔 속도는 보조 편향 필드를 발생시키는 SVM 코일에 의해 변조될 수 있다. 주 편향 필드와 관련하여 SVM 필드는 SVM 코일의 전류의 극성에 응답하여 전자 빔 가속화 또는 감속화를 발생시킨다. 빔 가속화 및 감속화의 양은 SVM 전류의 크기에 비례한다. 통상적인 SVM 코일의 편향 감도는 예를 들어 1 암페어는 화면 중앙에서 1 내지 3 밀리미터의 빔 편향을 발생시키는 범위 내에 있을 수 있다.

SVM 신호는 일반적으로 고주파 비디오 내용을 나타내므로, SVM 코일 전류는 바람직하지 못한 외부로부터의 누화 성분을 발생시키도록 쉽게 접속되는 크기 및 주파수 스펙트럼을 갖는 것으로 인지될 수 있다. 이러한 누화 성분은 전원 및 리턴(return) 회로를 통한 접속으로부터 발생될 수 있다. 따라서 발생된 SVM 코일 전류가 접지 또는 전원으로의 큰 전도없이 순환하도록 조정되는 것이 바람직하다.

전자 빔 편향을 위한 장치는 주사 전자 빔을 갖는 음극선관을 포함한다. 전자 빔 보조 편향을 위한 코일은 음극선관 상에 장착된다. 증폭기는 전원과 리턴 회로 사이에 접속되고 비디오 신호 에지 전이를 나타내는 신호에 접속되는 입력을 갖는다. 증폭기는 상기 신호에 응답하여 전자 빔 편향을 위한 펄스 전류를 발생시키는 코일에 접속된 출력을 갖는다. 증폭기와 코일은 전원과 리턴 회로에 흐르는 실질적인 펄스 전류 없이 주로 코일과 증폭기 출력 내에서 펄스 전류가 순환하도록 구성된다.

제1도에서 빔 주사 속도 변조 신호, 즉 SVM 신호는 단자 A와 B 사이의 입력이다. 단자 A에서의 SVM 신호는 1.5 V의 대칭적인 피크-피크 값을 갖는 임펄스 형태의 파형으로서 도시된다. SVM 신호의 유도 및 처리는 본 명세서에 포함되지 않는다. 하측부, 즉 SVM 신호 발생기로부터의 신호 접지 도체는 과도 간섭 또는 잡음 등의 바람직하지 못한 접속을 방지하기 위하여 저항을 통하여 구동 증폭기 신호 접지에 접속된다. 제1도 및 제2도에 도시된 신호 접지 도체는 모두 편향 접지 도체에 접속된다

제1도의 본 발명의 구동 증폭기는 약 5의 전압 이득이 있는 증폭기 및 코어링 구역(100)과, 전원과 구동기 접지간의 중간 경로에 형성된 전압 Vc에 대해 본래 대칭적으로 구성된 보조 편향 코일 구동 증폭기(200)를 포함하는 것으로 간주될 수 있다. N과 P에서의 AC 접속된 입력 신호는 상보적 구동 트랜지스터에 접속되기 위해 대략 전압 Vc로 대칭적으로 바이어스된다. 상보적 편향, 즉 SVM 코일은 Q 점에서의 전압 Vc와 구동 트랜지스터 콜렉터들의 접합점인 R 점 사이에 접속된다. 구동기 트랜지스터는 B 급으로 바이어스되어 SVM 신호의 음의 전이는 PNP 트랜지스터를전도시키고 SVM 신호의 양의 신호 전이는 NPN 트랜지스터를 턴온시킨다. 이와 같이, 양 방향 편향 전류는 각 콜렉터 내지 에미터 회로의 외부를 순환하는 극소 전류 성분을 가지며 SVM 코일을 통하여 콜렉터로부터 회로 Q 점으로 구동된다. 특히 구동기 단에서의 전력 소비를 제어하기 위해, 피드백이 에미터 전류 샘플로부터 제공된다. 이 감쇄되고 필터링된 신호 SVM CTL은 본 명세서에 포함되지 않은 SVM 신호 처리 회로에 접속된다.

명목상 1.5 V의 피크-피크 SVM 신호는 단자 A에서의 입력이며 위조의 바람직하지 못한 과도 접지 전류 누화 또는 잡음을 감소시키기 위해 SVM 프로세서 신호 접지는 단자 B에 접속된다. 단자 A에서의 신호는 저항 R1을 통하여 약 5의 이득을 갖는 공통 에미터 증폭기로서 구성되는 NPN 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(Q1)의 에미터는 SVM 프로세서 접지에 접속된 접합점, 즉 단자 B를 갖는, 저항 R3과 접지에 접속되는 저항 R4와의 직렬 결합에 접속된다. 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 저항 R2를 통하여 직렬 저항 R7과 분리 커패시턴스 C1에 의하여 분리되는 26 V 등의 전원에 접속된다. 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 에미터 폴로워 증폭기로서 구성된 NPN 트랜지스터(Q2)의 베이스 단자에 접속된다. 트렌지스터(Q2)의 콜렉터는 분리된 26 V 전원에 접속되고, 에미터는 NPN 트랜지스터(Q3)의 베이스 단자에 직접 접속된다. 트랜지스터(Q2)의 에미터는 저항 R5와 접지에 접속된 저항 R6에 직렬 접속된다. 저항간의 접합점은 PNP 트랜지스터(Q4)의 베이스 단자에 접속된다. 트랜지스터(Q3, Q4)는 트랜지스터(Q4)의 베이스에서의 SVM 신호가 저항 R5의 전류 흐름의 결과로서 트랜지스터(Q3)의 베이스에 대해 DC 오프셋을 갖는 에미터 폴로워 증폭기로서 구성된다. 이 DC 오프셋은 코어링 또는 SVM 신호의 작은 신호 진폭 감쇄를 유도한다. 트랜지스터(Q3)의 에미터는 저항 R8을 통하여 AC 접속 커패시터 C2에 접속되며, 이와 유사하게 트랜지스터(Q4)의 에미터는 저항 R10을 통하여 AC 접속 커패시터 C3에 접속된다. 트랜지스터(Q3, Q4)의 에미터는 RFI 발생을 제어하는 저항 R9를 통하여 서로 접속된다. 커패시터 C2에서의 SVM 신호는 접지에 접속된 커패시터 C4에 의해 RFI 감소를 위해 필터링된다. 커패시터 C3에서의 신호는 접지에 접속된 커패시터 C5에 의하여 RFI 필터링된다. PNP 구동기 트랜지스터(Q5)의 베이스 단자는 커패시터 C2 및 C4의 접합점과 저항 R11 및 R12의 접합점에 접속된다. 이와 유사하게, NPN 구동기 트랜지스터(Q6)의 베이스 단자는 커패시터 C3 및 C5의 접합점과 저항 R13 및 R14의 접합점에 접속된다.

저항 R11, R12, R13 및 R14는 전원 +V와 접지 사이에 접속된 직렬 접속 전위 디바이더를 형성한다. 예를 들어 약 135 V의 전원 +V는 직렬 저항 R20과 접지에 접속된 바이패스 커패시터 C6에 의해 분리된다. 저항 R11, R12, R13 및 R14에 의해 형성된 전원 디바이더는 대칭적이므로, 저항 R12 및 R13의 접합점에서의 중앙점 Q는 전압 +V의 ½ 값인 커패시터 C8에 의해 접지로 분리되는 약 67 V를 갖는 전압 Vc를 발생시킨다. PNP 트랜지스터(Q5)의 에미터는 직렬 접속된 커패시터 C7과 저항 R17을 통하여 중앙점 Q에 접속된다. 이와 유사하게, NPN 트랜지스터(Q6)의 에미터는 직렬 접속된 커패시터 C9와 저항 R19를 통하여 저항 R12 및 R13의 접합점에 접속된다. 직렬 접속된 이들 2개의 피드백 경로는 중앙점 Q에서의 AC 임피던스를 효과적으로 감소시킨다. PNP 트랜지스터(Q5)의 에미터는 직렬 접속된 저항 R22 및 R20을 통하여 135 V의 전원에 접속된다. 저항 R20은 상기한 바와 같이 전원으로부터의 분리를 제공한다. 트랜지스터(Q5)의 에미터에서의 저항 R22는 DC 동작점을 제어하기 위한 DC 축퇴를 제공한다. 이와 유사하게, NPN 트랜지스터(Q6)의 에미터는 DC 동작점의 제어를 위해 저항 R21을 통하여 접지에 접속된다.

SVM 코일 L은 CRT 수상관의 네크 상에 위치하여 신호 접지 또는 주 편향 요크(LX)와 같은 저 임피던스 도체에 근접 배치될 수 있다. 이러한 근접 도체는 표유 접속 커패시턴스(stray coupling capacitance)를 제공하는데(커패시터 CS로 나타내어짐), 이는 코일 전류의 상승 시간을 감쇄시킴으로써 SVM 성능을 손상시킬뿐만 아니라 고주파 임펄스성 SVM 코일 전류에 대한 간섭 또는 누화 결합(crosstalk coupling) 경로를 제공할 수 있다. SVM 전류의 특성은 방사 및 인접 도체로의 용량성 접속에 기여한다. 또한, 임펄스성 SVM 전류는 전원 및 접지 도체와 같은 리턴 전류 경로로부터 제외되는 것이 바람직하다. 바람직하지 않은 SVM 간섭은 신호 성분이 SVM 구동 신호가 발생되는 비디오 신호보다 앞서는 회로로 삽입될 수 있다. 이와 같이, 바람직하지 못한 누화 신호 또는 글리치(glitch)는 SVM 회로의 선명도를 향상시키는 것을 예측하면서 은닉되는 것이 아니라 가시화된다. 따라서, SVM 동작 주파수가 상승되고 구동 전류가 증가됨에 따라 임펄스성 SVM 구동 전류는 구동 증폭기 및 보조 편향 코일, 즉 SVM 코일로 제한되는 것이 점차 중요하다.

제2도는 대칭적인 브리지로서 회로(200)를 위상적으로 나타내기 위해 재작성된 제1도의 SVM 증폭기를 도시하고 있다. 브리지는 제1도에 도시된 동일한 노드에대응하는 노드 S 및 T와, 노드 R 및 Q로써 나타나는데, 노드 S 및 T는 135 V 전원과 접지 사이에 각각 접속된다. 트랜지스터(Q5)의 에미터, 즉 노드 S는 저항 R22 및 R20을 통하여 전원에 접속되며 커패시터 C6에 의하여 접지로 분리된다. 노드 T, 즉 트랜지스터(Q6)의 에미터는 저항 R21을 통하여 접지에 접속된다. 트랜지스터(Q5, Q6)의 콜렉터는 결합되어 브리지의 구동 노드 R을 형성하며 보조 편향, 즉 SVM 코일을 브리지의 중앙을 가로질러 노드 Q에 접속된다. SVM 코일 L과 병렬 접속된 동조 및 댐핑 소자는 도시를 간략하게 하기 위해 생략되었다. 노드 Q는 커패시터 C8에 의해 접지로 분리되며 직렬 저항 R11, R12, R13 및 R14에 의해 형성된 저항성 디바이더에 의해 공급 전압의 약 ½ 인 67 V로 DC 바이어스된다. 트랜지스터(Q5)의 에미터 회로에서 노드 Q에 접속된 커패시터 C7 및 저항 R17이 직렬 접속된다. 저항 R19 및 커패시터 C9에 의해 형성된 동일한 직렬 접속된 회로망이 트랜지스터(Q6)의 에미터로부터 노드 Q에 접속된다. 이와 같이 트랜지스터(Q5, Q6)는 다른 부분을 형성하는 직렬 접속된 커패시터 및 저항 회로망을 갖는 브리지의 한 부분을 형성한다.

통상적으로 브리지로 구성된 회로에서, 전류는 S 및 T와 같은 다른 대향 노드간에 흐르는 전류와의 큰 상호 작용 없이 R 및 Q와 같은 대향 노드 사이를 흐를수 있다. 이와 같이, 노드 R 및 T 간의 SVM 코일의 전류 흐름은 브리지 회로내의 대부분을 순환하도록 제한되며 전원 및 접지에는 흐름이 거의 없다. 따라서, 고주파 임펄스성 SVM 전류는 전원 또는 리턴 회로를 통한 가능성 있는 간섭 전도로부터 보호된다.

처리 및 증폭된 SVM 신호는 커패시터 C2 및 C3을 통하여 브리지로 구성된 구동 트랜지스터(Q5, Q6)에 각각 접속된 AC 이다. 트랜지스터(Q5, Q6)는 저항성 디바이더 R11, R12, R13 및 R14에 의해 컷 오프에서 바이어스된 베이스를 갖는 B 급 증폭기로서 동작한다. 트랜지스터(Q5, Q6)는 추가의 신호 코어링이 요구된다면 저항 값의 적절한 조작에 의해 그 이상의 컷 오프로 바이어스될 수 있다. 점 N에서 음의 SVM 신호 임펄스는 트랜지스터(Q5)를 전도시키고 임펄스성 전류 I1을 노드 Q 로의 SVM 코일과 커패시터 C7, C8, C9 및 CS를 통하여 순환시킨다. 전류 I1은 본래 I1 = I2 + I3인 두 부분으로 구성되는데, I2는 브리지내를 순환하고 전류 I3는 커패시터 CS 및 C8을 통하여 코일로 전도되어 커패시터 C6 및 저항 R22을 통해 리턴한다. 트랜지스터(Q5)가 턴온되면, 저임피던스 회로로 인하여 C7에 의해 생성된 전류는 SVM 코일 L과 직렬 접속된 저항 R17을 통하여 순환하게 된다. 저항 R17의 값(3.3 Ω)은 저항 R22의 값(51 Ω)보다 작으므로, 전류 I2는 전류 I3 보다 크다. 예컨대, 제1도에 도시된 바와 같이 I3는 전류 I2의 약 1/15 이다. 트랜지스터(Q5)의 전도의 지속 시간은 SVM 펄스 폭에 의해 결정되며, 에컨대 150 나노세컨드가 될 수 있다. 이와같이, 트랜지스터(Q5)가 전도되는 경우 방전 경로는 트랜지스터(Q5)의 포화 저항을 무시하면시 저항 R17 및 커패시터 C7에 의한 약 75 마이크로세컨드의 방전 시상수를 가지며 형성된다. 따라서, 커패시터 C7은 단지 약 150 나노세컨드동안 SVM 전류를 생성시키므로 커패시터에 걸리는 전압은 그다지 크게 충전 또는 방전되지 않는다. 또한, 커패시터 C8은 전류 I3 로서 직렬로 형성된 것처럼 나타나는 SVM 코일, 트랜지스티(Q5), 저항 R22 및 커패시터 C6을 통하여 150 나노세컨드의 전류 펄스를생성시킨다. 표유 커패시터 CS는 접지와 커패시터 C6 및 C8를 통해 전류 경로로 방전된다. 그러나, 표유 커패시턴스 값은 커패시터 C6, C7, C8 및 C9에 비해 매우 작은 25 피코패러드(picofarad)이므로, 표유 전도된 SVM 전류도 브리지내를 순환하는 전류에 비해 매우 작다. 통상 전류 I1은 600 mA의 피크값을 가지며 I3는 통상 40 mA이다.

점 P에서의 양의 SVM 신호 임펄스로 인하여 트랜지스터(Q6)는 SVM 코일 L을 통하여 본래 커패시터 C9에 의해 생성된 노드 Q로부터의 임펄스 전류 I6을 전도시킨다. 트랜지스터(Q6)에 의해 SVM 코일 L 로 전도된 전류는 본래 두 부분 I6 = I7 + I8 로 구성되며, I7은 브리지내를 순환하고 전류 I8은 커패시터 CS 및 저항 R21을 통하여 코일로 전도되고 커패시터 C8을 통해 리턴한다. 저항 R19 값(3.3 Ω)은 저항 R22 값(51 Ω) 보다 작으므로, 전류 I7은 전류 I8 보다 크며, 따라서 I8은 I7의 약 1/15의 값을 갖는다. 표유 커패시턴스 CS를 통해 전도된 SVM 전류는 접지 및 C8을 통하여 순환한다. 포유 커패시턴스 CS에서의 어떠한 감소도 접지 전도된 전류 I3 및 I8의 크기를 직접적으로 감소시킨다. 저항 R19와 커패시턴스 C9에 의해 형성된 방전 시상수는 상기한 바와 같이 트랜지스터(Q5)에 대한 함수이다. 트랜지스터(Q6)는 방전 시상수의 약 1/500에 해당하는 약 150 나노세컨드로 전도하므로, 커패시터 C9에 걸리는 전압에는 인지가능한 변화가 없다.

제3A도는 하나의 TV 라인의 수평 주기 동안 발생하는 "펄스 및 바(bar)" 비디오 신호를 나타낸다. 제3B도는 에지, 즉 수평 전이를 포함하며, 제3A도에 도시된 신호로부터 구동되나 확대된 시간 눈금으로써 도시되는 제1도의 단자 A에서의 SVM신호를 도시하고 있다. 제3C도는 확대된 시간 눈금으로 시간 t1 및 t2에서 발생하는 전압 및 전류 펄스를 도시하고 있다. 파형 P는 트랜지스터(Q6)에서 SVM 전류 전도를 발생키도록 접속된 점 P에서 발생하는 SVM 전압 파형을 도시하고 있다, P에서 도시된 신호 파형은 제1도의 회로점 N에서 제공된 신호와 동일하며, 음의 신호 값에 대해 SVM 전류 전도된다. 전류 파형 I6은 브리지 소자, SVM 코일 L, 저항 R19 및 커패시터 C9 내를 순환하는 트랜지스터(Q6)의 콜렉터 전류를 도시하고 있다. 전류 파형 I8은 트랜지스터(Q6)의 전도중에 브리지 회로의 외부의 콜렉터 전류 I6의 약 1/15인 전류를 도시하고 있다.

제4도는 제2도의 브리지로 구성된 SVM 증폭기에 대한 본 발명의 변형예를 도시하고 있다. 제4도에서, 노드 S 및 T는 저항 R17 및 커패시터 C7과, 저항 R19 및 커패시터 C9를 각각 포함하는 직렬 피드백 회로망의 접합점으로 재배치된다. 회로 동작은 대부분 제2도에 대해 전술한 동작과 같다. 그러나, 제4도에 도시된 실시예에서 입력 신호의 적절한 극성에 응답하는 트랜지스터(Q5) 또는 Q6에서의 전도로 인하여 임펄스성 전류는 커패시터 C7 또는 C9에 의해 생성된다. 예컨대, 통상 150 나노세컨드의 지속 기간을 갖는 음의 지향 입력 펄스로 인하여 트랜지스터(Q5)는 저항 R17과 SVM 코일을 통해 커패시터 C7로부터의 전류를 전도시킨다. 임펄스성 전류 I1 및 I2는 본질적으로 동일하고 전류 I3는 실질적으로 감소되어 표유 용량 CS로 인한 전류를 포함한다. 커패시터 C7에 의해 생성된 임펄스 전류는 트랜지스터(Q5)가 전도되지 않을 경우에 저항 R22을 통하여 재충전된다. 이와 유사하게, 트랜지스터(Q6)에 대해 양의 입력 펄스로 인하여 트랜지스터(Q6)는 저항 R19와 SVM 코일을 통하여 커패시터 C9로부터 전류를 전도시킨다. 방전 전류 I6 및 I7은 본질적으로 동일하고 전류 I8은 표유 용량 CS로부터 기인한다. 커패시터 C9는 저항 R21을 통하여 트랜지스터(Q6)의 비전도 주기동안 재충전된다. 이와 같이, 제4도의 실시예는 임펄스 또는 브리지내를 순환하며 본질적으로 전원과 리턴 회로에는 없는 SVM 전류를 발생시킨다.

본 발명의 브리지 구조의 SVM 코일 구동 증폭기는 임펄스성 전류가 대부분 브리지 회로내를 순환하도록 제한함으로써, 고주파 SVM 전류가 전원 또는 전력 리턴을 통한 가능성 있는 간섭 전도로부터 상당히 보호된다.

제1도는 본 발명에 따른 빔 주사 속도 변조 구동 증폭기와 보조 편향 코일을 예시하는 도면.

제2도는 대칭적 브리지 구조로 도시된 제1도의 SVM 코일 구동기를 예시하는 도면.

제3A도 내지 제3C도는 SVM 신호와 이 신호에 의하여 생성되는 전류에 대한 도면.

제4도는 브리지 구조로 도시된 제1도의 회로에 대한 변형예를 나타낸 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100 : 증폭기 및 코어링 구역

200 : 보조 편향 코일 구동 증폭기

Claims

주사 전자 빔을 갖는 음극선관과;

상기 음극선관 상에 장착된 전자 빔 보조 편향 코일(L)과;

비디오 신호 에지 전이를 나타내는 신호를 포함하는 전자 빔 편향 장치에 있어서,

전원과 리턴 회로(return circuit) 사이에 접속되며, 상기 신호에 접속된 입력과 상기 코일(L)에 접속되는 출력을 가지며, 상기 신호에 응답하여 전자 빔 편향을 위한 펄스 전류(I1, I6)를 발생시키는 증폭기(Q5, Q6)를 포함하며,

상기 증폭기(Q5, Q6)와 상기 코일(L)은, 펄스 전류가 상기 전원과 상기 리턴 회로에 실질적으로 흐르지 않고, 상기 펄스 전류(I1, I6)가 주로 상기 코일(L)과 상기 증폭기(Q5, Q6)의 출력 내에서 순환하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 편향 장치.
제1항에 있어서,

상기 증폭기(Q5, Q6)와 상기 코일(L)은 대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 빔 편향 장치.
제2항에 있어서,

상기 대칭 구조는 브리지(R, S, Q, T)인 것을 특징으로 하는 전자 빔 편향장치.
제1항에 있어서,

상기 펄스 전류(I1, I6)는 제1 성분(I2, I7)과 제2 성분(I3, I8)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 편향 장치.
제4항에 있어서,

상기 제1 성분(I2, I7)과 상기 제2 성분(I3, I8)은 제1의 저항(R17, R19) 값과 제2 저항(R21, R22) 값에 의해 결정되며, 상기 저항 값은 미리 설정된 감도(sensitivity)와 상기 제2 성분을 최소화하기 위해 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 편향 장치.
제5항에 있어서,

상기 제1 펄스 전류 성분(I2, I7)은 상기 증폭기(Q5, Q6)와 상기 코일(L) 내에서 전도되고, 상기 제2 펄스 전류 성분(I3, I8)은 상기 증폭기(Q5, Q6), 상기 코일(L) 및 상기 전원 리턴(power supply return) 내에서 전도되는 것을 특징으로 하는 전파 빔 편향 장치.
증폭기에 전압을 공급하는 전원과;

상기 증폭기를 위한 전력 리턴(power return)을 포함하는 빔 주사 속도변조(SVM) 신호용 증폭기에 있어서,

제1 노드(S), 제2 노드(R), 제3 노드(T) 및 제4 노드(Q)를 갖는 브리지 구성과,

상기 제1 노드(S) 및 제2 노드(R)를 브리징하는 제1 SVM 입력 신호를 공급하는 제1 수단(Q2, Q3, Q4, Q5)과;

상기 제2 노드(R) 및 제3 노드(T)를 브리징하는 제2 SVM 입력 신호를 공급하는 제2 수단(Q6)과;

상기 제1 노드(S) 및 제4 노드(Q)를 브리징하는 제1 피드백 경로(C7, R17)와;

상기 제3 노드(T) 및 제4 노드(Q)를 브리징하는 제2 피드백 경로(C9, R19)와;

상기 제2 노드(R) 및 제4노드(Q)를 브리징하는 SVM 코일(L)을 포함하고,

SVM 임펄스 전류(I1, I6)에 대한 전도 경로는 실질적으로 상기 브리지 내에서 순환하도록 한정되며 실질적으로 상기 전원과 상기 전력 리턴으로 전달되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제7항에 있어서,

상기 제1 수단(Q2, Q3, Q4, Q5)은 상보적 에미터 폴로워로서 구성되는 증폭기(Q2, Q3, Q4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제7항에 있어서,

상기 제1 수단(Q2, Q3, Q4, Q5)은 코어링 증폭기(Q2, Q3, Q4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제7항에 있어서,

상기 브리지 구성을 공통 콜렉터 단자들(R)과, 실질적으로 동일한 에미터 단자 피드백 경로들(C7, R17, C9, R19)을 갖는 상보적 트랜지스터(Q5, Q6)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제7항에 있어서,

상기 제1 피드백 경로(C7, R17)의 상기 제2 피드백 경로(C9, R19)는 저항성 및 용량성(resistive-capacitive) 피드백 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
증폭기에 전압을 공급하는 전원과;

상기 증폭기를 위한 전력 리턴(power return)을 포함하는 빔 주사 속도 변조(SVM) 신호용 증폭기에 있어서

SVM 입력 신호에 접속되어 증폭 및 코어링하는 수단(Q1, Q2, Q3, Q4, Q5)과;

브리지 구성을 가지고, 상기 수단(Q1, Q2, Q3, Q4, Q5)으로부터 증폭되고 코어링된 신호를 수신하며, 이 신호에 응답하는 전류(I1, I6)를 발생시키는 구동 증폭기(Q5, Q6);,

상기 전류(I1, I6)에 응답하여 빔 주사 속도 변조를 위해 상기 브리지에 접속된 SVM 코일(L)을 포함하고,

상기 전류(I1, I6)는 실질적으로 상기 브리지와 상기 코일(L) 내를 순환하도록 제한되며, 상기 전류는 상기 전원과 상기 전력 리턴에 의한 극소의 전도를 갖는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제12항에 있어서,

상기 수단(Q1, Q2, Q3, Q4, Q5)은 에미터 폴로워 증폭기로서 구성된 상보적 트랜지스터 쌍(Q3, Q4)에 접속되며 코어링을 제공하기 위해 바이어스되는 트랜지스터 증폭기(Q1, Q2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제12항에 있어서,

상기 구동 증폭기는, 공통 콜렉터 단자를 갖는 공통 에미터 증폭기로 구성되며. 상기 증폭되고 코어링된 신호의 양의 익스커젼(excursion)이 트랜지스터 쌍 중의 하나의 트랜지스터(Q6)에서 제1 전도 방향을 갖는 상기 전류(I6)를 발생시키고 상기 증폭되고 코어링된 신호의 음의 익스커젼이 트랜지스터 쌍중의 다른 트랜지스터(Q5)에서 제2 전도 방향을 갖는 상기 전류(I1)를 발생시키도록 바이어스되는 상보적 트랜지스터 쌍(Q5, Q6)을 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제14항에 있어서,

상기 상보적 트랜지스터 쌍(Q5, Q6)은 상기 증폭되고 코어링된 신호가 추가로 코어링되도록 바이어스되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제14항에 있어서,

상기 SVM 코일(L)은 상기 공통 콜렉터 단자(R)와 영 신호 기준 전위(Q, VC)의 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제16항에 있어서,

상기 영 신호 기준 전위(Q, VC)는 전원 전위의 대략 ½ 에 해당하는 것을 특징으로 하는 증폭기.
제7항에 있어서,

상기 제1 피드백 경로 및 상기 제2 피드백 경로는 용량성 피드백 경로(C7, C9)를 포함하는 것을 특징으로 하는 증폭기.