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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Bildung eines feinen Resistmusters. Insbesondere betrifft
sie ein Verfahren zur Bildung eines feinen Resistmusters von
Submikrometer-Größenordnung, welches verwendbar ist zur
Herstellung elektronischer Schaltkreiselemente mit einem
feinen Muster, wie einem Halbleiterelement, einem
Magnetblasen-Speicherelement, usw.
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Zur Herstellung elektronischer Schaltkreiselemente mit einem
feinen Muster, wie einem Halbleiterelement, einem
Magnetblasen-Speicherelement, usw. ist ein Verfahren
bekannt, welches das Aufbringen eines lichtempfindlichen
Films auf eine Oberfläche eines zu bearbeitenden Substrats
mittels eines Spinnbeschichtungsverfahrens usw. und
Belichten des lichtempfindlichen Films mit einem aktiven
Lichtstrahl durch ein Maskenmuster unter Ausbildung eines
Resistmusters umfaßt, bei dem ein Löslichkeitsunterschied
eines belichteten Teils in einem Entwickler ausgenützt wird.
Es wurde jedoch auch untersucht, eine Trockenentwicklung
mit einem anisotropen Sauerstoffplasma anzuwenden, welches
zur Bildung eines feinen Musters in dem
Entwicklungsverfahren eines feinen Musters geeignet ist. Um
ein Resistmuster mit guter Auflösung durch die Behandlung,
welche die Trockenentwicklung verwendet, zu erhalten, ist es
wichtig, ein lichtempfindliches Material zu wählen, welches
einen großen Unterschied zwischen der
Trockenentwicklungs-Widerstandsfähigkeit eines nach dem
Entwickeln zurückbleibenden Teils und der Brüchigkeit eines
während der Entwicklung zu entfernenden Teils zeigt.
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Zum Beispiel wird in der Japanischen offengelegten
Patentveröffentlichung Nr. 2-127645 ein Verfahren
beschrieben, welches den Ersatz eines aktiven Wasserstoffs
eines Novolakharzes durch eine funktionelle Gruppe umfaßt,
die ein Siliciumatom als ein verhältnismäßig großes Atom
enthält (z. B.-Si-(CH&sub3;)&sub3;), um ein Resistmuster zu erhalten,
das gute Trockenentwicklungs-Widerstandsfähigkeit durch ein
selektives Silylierungsverfahren aufweist. Konkret kann ein
feines Muster erhalten werden durch Auftragen eines
lichtempfindlichen Harzes, das eine aromatische Ringstruktur
mit einer phenolischen Hydroxylgruppe in einem Molekül
enthält, auf ein Substrat, Belichten mit aktiven
Lichtstrahlen verschiedener Wellenlänge in zwei Stufen unter
Ausbildung eines Überzugs, welcher einen Kontrast zwischen
Trockenentwicklungs-Widerstandsfähigkeit und Brüchigkeit
aufgrund einer Silylierung der lichtempfindlichen Oberfläche
mit Hexamethyldisilazandampf aufweist, gefolgt von einer
Trockenentwicklung.
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In der Japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr.
63-231330 ist auch ein Verfahren beschrieben, mit dem ein
feines Muster unter Verwendung einer
Zweilagen-Resiststruktur vom positiven Typ, die eine hohe
Empfindlichkeit und ausgezeichnete Trockenentwicklungs-
Widerstandsfähigkeit aufweist, hergestellt werden kann. In
der Japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr.
63-231330 wird eine lichtempfindliche Resistplatte
hergestellt durch Auftragen eines organischen Harzes für die
erste Schicht auf ein Substrat, und dann Auftragen eines
Resists vom positiven Typ, der ein alkalilösliches
silikonmodifiziertes Harz, ein partiell leiterförmiges
Silikonharz und eine Chinondiazidverbindung für die zweite
Schicht auf der ersteren umfaßt. Unter Verwendung der
Resistplatte wird ein feines Muster erhalten durch Belichten
der Resistplatte mit einem aktiven Lichtstrahl durch einen
positiven Film und Entwickeln des Resists der zweiten
Schicht mit einem alkalischen Entwickler, gefolgt von der
Trockenentwicklung des organischen Harzes der ersten
Schicht.
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Neuerdings wird in der Japanischen offengelegten
Patentveröffentlichung Nr. 4-69662 ein Verfahren
beschrieben, welches das Verdampfen einer Silyloxygruppe
oder einer Silylaminogruppe, die mit einer Säure durch eine
Hitzebehandlung abgespalten wurde, umfaßt, gefolgt von der
Trockenentwicklung mit einem Sauerstoffplasma, um ein feines
Muster zu erhalten. Konkret kann ein gewünschtes
Resistmuster erhalten werden durch Bestrahlen eines Resists
mit aktivem Licht, der eine Silyloxyverbindung und/oder eine
Silylaminoverbindung und einen Photosäureerzeuger enthält,
durch Einwirken einer Hitzebehandlung auf denselben und
Entfernen des Resists in dem Teil, der mit aktivem Licht
bestrahlt wurde, durch Sauerstoffplasma.
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Jedoch ist in dem selektiven Silylierungsverfahren die
Silylierungsreaktion in dem Bereich, der silyliert werden
soll, nicht ausreichend, so daß die Silylierungsselektivität
in den belichteten und nichtbelichteten Teilen nicht
ausreichend ist. Deshalb ist die Trockenentwicklungs-
Widerstandsfähigkeit in dem nichtbelichteten Teil nicht
ausreichend, und es ist nachteilig, daß kein feines Muster
erhalten wird.
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Des weiteren ist, sogar wenn ein Kontrast der Silylierung
durch eine zweistufige Belichtung mit aktivem Licht
verschiedener Wellenlänge aufgebracht wird, die Silylierung
selbst nicht ausreichend und das Belichtungsverfahren, das
die zweistufige Belichtung erfordert, ist kompliziert. In
einem Verfahren, bei dem eine Zweilagen-Resiststruktur vom
positiven Typ verwendet wird, ist das Verfahren nicht
ausreichend im Hinblick auf die Komplexität der
Zweilagenauftragung des Resists und der Trockenentwicklungs-
Widerstandsfähigkeit.
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In einem Verfahren, das das Verdampfen einer Silyloxygruppe
oder einer Silylaminogruppe durch eine Hitzebehandlung
umfaßt, um ein Resistmuster zu erhalten, wird die
Hitzebedingung der Art des Resists entsprechend ausgewählt.
Die Hitzebedingung ist beschränkt durch einen Wechsel der
Eigenschaften der aufgetragenen lichtempfindlichen Membran
aufgrund der Hitze, d. h. der Zersetzung der Silyloxygruppe,
der Zersetzung des Photosäureerzeugers und dergl. Die
Hitzebedingung ist auch beschränkt, damit ein Wechsel in der
Form des Musters aufgrund eines Schmelzens nach der
Belichtung des Musters verhindert wird. Deshalb ist es nicht
ausreichend, die Silyloxygruppe und die Silylaminogruppe
vollständig zu verdampfen, und es ist auch nicht ausreichend
im Hinblick auf die Trockenentwicklungsbehandlung.
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Unter diesen Umständen haben die Erfinder der vorliegenden
Erfindung verschiedene Materialien intensiv untersucht, um
einen Resistüberzug zu bilden, der in der Trockenentwicklung
überlegen ist. Als ein Ergebnis wurde gefunden, daß, wenn
eine Harzzusammensetzung, die eine Verbindung, welche bei
Bestrahlung mit einem aktiven Lichtstrahl eine Säure zu
bilden vermag, und eine Silyloxyverbindung enthält, auf ein
Substrat aufgetragen und die resultierende lichtempfindliche
Membran durch ein Maskenmuster mit dem aktiven Lichtstrahl
belichtet wird, die Silyloxygruppe durch die in dem
belichteten Teil gebildete Säure dissoziiert wird. Dann
wird, durch Verwendung eines Lösungsmitteldampfes in Kontakt
mit der lichtempfindlichen Membran, die Dissoziation
beschleunigt, und die Silyloxygruppe kann verdampft und als
Alkylsilanol durch die Reaktion mit Wasser in der
Harzzusammensetzung entfernt werden.
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Wie oben beschrieben, verschwindet die Silyloxygruppe in dem
bestrahlten Teil der Harzzusammensetzung, und sie kann
leicht durch die Trockenentwicklungsbehandlung unter
Verwendung eines Sauerstoffplasmas entfernt werden.
Andererseits ist die Silyloxygruppe in dem nichtbelichteten
Teil der Harzzusammensetzung vorhanden, woraus ein
Resistmuster resultiert, das eine hohe Trockenentwicklungs-
Widerstandsfähigkeit hat. Deshalb kann ein feines
Resistmuster erhalten werden.
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Das bedeutet, daß die Hauptaufgabe der vorliegenden
Erfindung ist, ein Verfahren zur Bildung eines
Resistüberzuges bereitzustellen, der in der
Trockenentwicklungsbehandlung überlegen ist, wodurch ein
feines Muster in einem einfachen Verfahren gebildet werden
kann.
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Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Bildung
eines Resistmusters bereit, welches umfaßt:
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(i) Beschichten eines Substrats mit einem
lichtempfindlichen Harz, das eine Verbindung, die bei
Bestrahlung eine Säure zu bilden vermag, eine gegen
Säure unbeständige silyloxygruppenhaltige Verbindung
und ein Bindemittel enthält, wobei besagte
Silyloxyverbindung durch die Säure, die in den
belichteten Teilen des Resists gebildet wird, unter
Ausbildung einer Silanolverbindung zersetzt wird,
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(ii) Belichten durch ein Maskenmuster,
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(iii) Entfernen der Silanolverbindung aus dem Harz und
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(iv) Entfernen der belichteten Teile des Resists durch ein
Sauerstoffplasma,
wobei die Entfernung besagter Silanolverbindung ausgeführt
wird, indem der Film nach Bestrahlung mit dem aktiven
Lichtstrahl mit dem Dampf eines flüchtigen organischen
Lösungsmittels, das einen Siedepunkt von nicht mehr als 150
ºC hat, in Kontakt gebracht wird.
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Als Verbindung, welche in der vorliegenden Erfindung
aufgrund der Bestrahlung mit dem aktiven Lichtstrahl die
Säure bildet, können verschiedene Verbindungen verwendet
werden. Beispiele derselben schließen lichtempfindliche
Harzzusammensetzungen, welche eine Iminosulfonatgruppe
haben, die von den Erfindern der Erfindung in der
Japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr.
1-163736 beschrieben sind, verschiedene Tosylatverbindungen,
welche eine o-Nitrobenzylgruppe haben und von F. M.
Houlihan, A. Shugard, R. Gooden und E. Reichmanis in
Macromolecules 21, (1988), 2001 beschrieben sind, oder
Oniumsalze, die als ein kationischer
Photopolymerisationsinitiator verwendet werden, oder einen
Säureerzeuger vom chemischen Verstärkungstyp ein.
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Das lichtempfindliche Acrylharz, das in der Japanischen
offengelegten Patentveröffentlichung Nr. 1-163736
beschrieben ist, ist ein Acrylharz, welches wenigstens eine
Iminosulfonatgruppe, die durch folgende Formel dargestellt
ist:
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(in der R&sub1; und R&sub2; gleich oder verschieden sind und jeweils
ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine Acylgruppe, eine
Phenylgruppe, eine Naphthylgruppe, eine Anthrylgruppe oder
eine Benzylgruppe darstellen, oder R&sub1; und R&sub2; miteinander
mit dem Kohlenstoffatorn, an dem sie befestigt sind, unter
Ausbildung eines alicyclischen Rings verbunden sind)
in einer Seitenkette oder als Endgruppe der Hauptkette
hat. In einer alternativen Ausführungsform wird eine
Aminosulfonatverbindung anstelle der Acrylsäure verwendet,
wie z. B. Fluorenonoxim-p-toluolsulfonat, Tetralonoxim-p-
toluolsulfonat, usw.
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Beispiele für die Tosylverbindung schließen
2-Nitrobenzyltosylat, 2,4-Dinitrobenzyltosylat,
2,6-Dinitrobenzyltosylat und dergl. ein. Beispiele für das
Oniumsalz schließen Diazonium-, Phosphonium-, Sulfonium- und
Iodoniumsalze von BF&sub4;&supmin;, PF&sub6;&supmin;, SbF&sub6;&supmin;, AsF&sub6;&supmin; usw.,
(3-Nitrophenyl)phenyliodoniumtetrafluoroborat, dargestellt
durch
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Di(4-methylphenyl)iodonium-tetrafluoroborat, dargestellt
durch
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1-(Benzoylmethyl)pyridinium-tetrafluoroborat, dargestellt
durch
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(4-Phenylthiophenyl)diphenylsulfonium-hexafluorophosphat,
dargestellt durch
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Benzoylmethyltriphenylphosphonium-hexafluorophosphat,
dargestellt durch
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Di(4-chlorphenyl)iodonium-hexafluorophosphat, dargestellt
durch
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4-Chlorbenzoldiazonium-hexafluorophosphat, dargestellt durch
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(4-Methoxyphenyl)phenyliodonium-hexafluoroantimonat,
dargestellt durch
-
(3-Benzoylphenyl)phenyliodonium-hexafluoroantimonat,
dargestellt durch
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Triphenylsulfonium-hexafluoroarsenat, dargestellt durch
-
Diphenyliodonium-hexafluoroarsenat, dargestellt durch
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und dergl. ein.
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Das obenerwähnte Acrylharz, welches die Iminosulfonatgruppe
hat, kann so wie es ist als die Harzzusammensetzung
verwendet werden. Des weiteren wird, wenn das Acrylharz als
die Verbindung betrachtet wird, die aufgrund von Bestrahlung
mit dem aktiven Lichtstrahl Säure zu erzeugen vermag, dieses
in einem geeigneten Bindemittelharz angesetzt, ähnlich wie
die anderen Tosylat- oder Oniumsalze, um eine
lichtempfindliche Zusammensetzung herzustellen, die dann
mittels eines normalen Verfahrens auf ein Substrat
aufgetragen wird. Beispiele für das Bindemittelharz
schließen Acrylharz, Epoxidharz, Polybutadienharz,
Polyesterharz und dergl. ein.
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Als die Verbindung, welche aufgrund der Bestrahlung mit dem
aktiven Lichtstrahl Säure zu bilden vermag, wird im Hinblick
auf den Zweck der Erfindung eine Verbindung bevorzugt, die
nach der Belichtung eine starke Säure erzeugt. Eine
gleichmäßige Harzlösung kann aus der obengenannten
Verbindung hergestellt werden, damit die Harzlösung leicht
auf das Substrat aufgetragen werden kann, und die Verbindung
enthält kein toxisches Metall. Zum Beispiel wird eine
Verbindung, die eine Iminosulfonatgruppe enthält, besonders
bevorzugt.
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Beispiele für die Silyloxyverbindung, die in der
vorliegenden Erfindung verwendet werden, schließen Polymere
oder Copolymere mit wenigstens einer Sorte einer
wiederkehrenden Einheit ein, die durch die folgende Formel
dargestellt wird:
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(in der R&sub1;, R&sub2; und R jeweils ein Wasserstoffatom, eine
Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen und eine
Phenylgruppe bedeuten; R&sub4; ist eine Phenylengruppe, eine
Carbonylgruppe und eine Gruppe der Formel -C(=O)OR&sub6;-, in der R&sub6;
eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen ist; und R&sub5;
ist ein Wasserstoffatom und eine Methylgruppe); welche eine
Silyloxygruppe hat, die durch die Formel: -O-SiR&sub1;R&sub2;R&sub3;
dargestellt wird (in der R&sub1;, R&sub2; und R&sub3; jeweils ein
Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 4
Kohlenstoffatomen und eine Phenylgruppe bedeuten).
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Solch eine Verbindung ist in der Japanischen offengelegten
Patentveröffentlichung Nr. 4-69662 offenbart und ist auch
beschrieben von T. Yamaoka, N. Nishiki, K. Koseki, M.
Koshiba in Polym. Eng. Sci., 29, 856 (1981) und T. Aoai, T.
Aotani, A. Umehara, T. Kokubo in J. Photopolym. Sci.
Technol. , 3, Nr. 3, 389 (1990).
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Die Silyloxyverbindung, die die obenerwähnte wiederkehrende
Einheit einschließt, kann andere wiederkehrende Einheiten
polymerisierbarer Monomerer enthalten, z. B. Acrylmonomere
wie Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Methacrylsäure
usw.; Styrolmonomere wie Styrol, α-Methylstyrol usw.
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Zusätzliche Beispiele der Silyloxyverbindung schließen
Verbindungen, die eine oder mehrere wiederkehrende
Einheiten, dargestellt durch die folgenden Formeln, haben,
ein:
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Als der Lösungsmitteldampf kann ein Dampf verschiedener
organischer Lösungsmittel verwendet werden. Beispiele
derselben schließen Dämpfe von Lösungsmitteln, z. B. von
Alkoholen wie Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol,
n-Butanol, t-Butanol, Ethoxyethanol,
Diethylenglykolmonoethylether usw.; Ester wie Ethylacetat, Butylacetat,
Cellosolveacetat usw.; Ketone wie Aceton, Methylethylketon,
Methylisobutylketon, Cyclohexanon usw.; Ether wie
Ethylether, Isopropylether, Tetrahydrofuran, Dioxan usw.;
aliphatische Kohlenwasserstoffe wie n-Pentan, n-Hexan,
Cyclohexan usw. ein.
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Um die Silyloxygruppe, die mit der Säure abgespalten wird,
aus der Harzzusammensetzung zu entfernen, werden
niedrigmolekulare Lösungsmittel mit hoher Flüchtigkeit
besonders bevorzugt. Konkreter gesprochen werden
Lösungsmittel mit einem Siedepunkt von nicht mehr als 150
ºC, z. B. Aceton, Methanol, Ethanol, n-Propanol,
Methylethylketon, n-Hexan und dergl. verwendet.
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Die Behandlung mit dem Dampf des obengenannten
Lösungsmittels kann ausgeführt werden, indem der Film nach
der Bestrahlung mit dem Lichtstrahl mit besagtem Dampf in
Kontakt gebracht wird, und eine besondere Ausrüstung ist
nicht erforderlich. Sie kann zum Beispiel in vorteilhafter
Weise ausgeführt werden, indem der Resist in einer
geschlossenen Kammer gehalten und das Lösungsmittel in den
oberen Teil der Kammer in Form eines Tropfens unter
vermindertem Druck eingeführt wird, oder indem der
Lösungsmltteldampf zusammen mit einem Luftstrom in die
Kammer eingeführt wird. Die Kontaktzeit zwischen
Lösungsmitteldampf und dem Resist wird in geeigneter Weise
entsprechend der Auswahl eines jeden Materials und dem Grad
der Lösungsmittelätzung ausgewählt, und sie ist für etwa
einige Minuten ausreichend.
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Wie oben beschrieben, wird in der vorliegenden Erfindung die
Silanolverbindung effektiv durch den Lösungsmitteldampf
entfernt, dann wird die Trockenentwicklungsbehandlung
aufgrund des Sauerstoffplasmas ausgeführt. Im Vergleich mit
einer Entfernung der Silanolverbindung aufgrund einer
konventionellen Hitzebehandlung ist es möglich, den Resist
in der vorliegenden Erfindung bei Zimmertemperatur zu
behandeln. Deshalb werden nicht nur verschiedene
konventionelle Nachteile, die mit dem Erhitzen verbunden
sind, gelöst, sondern es kann auch eine getreue Wiedergabe
eines feinen Musters erhalten werden, was industriell eine
sehr wichtige Erfindung ist.
BEISPIELE
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Die folgenden Synthesebeispiele und Beispiele erläutern die
vorliegende Erfindung weiter im Detail, sollen aber nicht
als Beschränkung derselben ausgelegt werden. In den
Synthesebeispielen und den Beispielen sind "Teile" und "%",
wenn nicht anders angegeben, Gew.teile und Gew.prozent.
Synthesebeispiel 1
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Dioxan (150 Teile) wurde in einen trennbaren 1 Literkolben
gegeben und auf 70 ºC erhitzt. Eine gemischte Lösung von
Styrol (100 Teile), Trimethylsilylmethacrylat (160 Teile)
und Azobisisobutyronitril (5 Teile) wurde tropfenweise über
8 Stunden zugegeben. Nach 30 Minuten wurde eine gemischte
Lösung von Dioxan (50 Teile) und Azobisisobutyronitril (1
Teil) tropfenweise über 30 Minuten zugegeben, und die
Reaktion wurde bei der gleichen Temperatur eine Stunde lang
durchgeführt unter Erhalt einer Silyloxyverbindung (A), die
einen Feststoffgehalt von 55,8 % enthielt.
Synthesebeispiel 2
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Dioxan (150 Teile) wurde in einen trennbaren 1 Literkolben
gegeben und auf 90 ºC erhitzt. Eine gemischte Lösung von
Methylmethacrylat (150 Teile), p-Trimethylsilyloxystyrol
(100 Teile) und Azobisisobutyronitril (8 Teile) wurde
tropfenweise über 6 Stunden zugegeben. Nach 30 Minuten wurde
eine gemischte Lösung von Dioxan (50 Teile) und
Azobisisobutyronitril (1 Teil) tropfenweise über 30 Minuten
zugegeben, und die Reaktion wurde bei der gleichen
Temperatur eine Stunde lang durchgeführt unter Erhalt einer
Silyloxyverbindung (B), die einen Festoffgehalt von 54,5 %
enthielt.
Synthesebeispiel 3
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Dioxan (150 Teile) wurde in einen trennbaren 1 Literkolben
gegeben und auf 90 ºC erhitzt. Eine gemischte Lösung von
Methylmethacrylat (100 Teile), p-Dimethylbutylsilyloxystyrol
(150 Teile) und Azobisisobutyronitril (5 Teile) wurde
tropfenweise über 5 Stunden zugegeben. Nach 30 Minuten wurde
eine gemischte Lösung von Dioxan (50 Teile) und
Azobisisobutyronitril (1 Teil) tropfenweise über 30 Minuten
zugegeben, und die Reaktion wurde bei der gleichen
Temperatur eine Stunde lang durchgeführt unter Erhalt einer
Silyloxyverbindung (C), die einen Feststoffgehalt von 54,8 %
enthielt.
Synthesebeispiel 4
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Dioxan (200 Teile) wurde in einen trennbaren 1 Literkolben
gegeben und auf 80 ºC erhitzt. Eine gemischte Lösung von
Styrol (50 Teile), Dimethylbutylsilylmethacrylat (250 Teile)
und Azobisisobutyronitril (5 Teile) wurde tropfenweise über
8 Stunden zugegeben. Nach 30 Minuten wurde eine gemischte
Lösung von Dioxan (50 Teile) und Azobisisobutyronitril (1
Teil) tropfenweise über 30 Minuten zugegeben, und die
Reaktion wurde bei der gleichen Temperatur eine Stunde lang
durchgeführt unter Erhalt einer Silyloxyverbindung (D), die
einen Feststoffgehalt von 54,0 % enthielt.
Synthesebeispiel 5
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Ethylenglykolmonobutylether (100 Teile) wurde in einen
trennbaren 1 Literkolben gegeben und auf 120 ºC erhitzt.
Eine gemischte Lösung von Methylmethacrylat (150 Teile),
Fluorenonoxim-p-styrolsulfonat (60 Teile) und
Azobisisobutyronitril (8 Teile) wurde tropfenweise über 4
Stunden zugegeben. Nach 30 Minuten wurde eine gemischte
Lösung von Ethylenglykolmonobutylether (100 Teile) und
Azobisisobutyronitril (1 Teil) tropfenweise über 30 Minuten
zugegen, und die Reaktion wurde bei der gleichen Temperatur
eine Stunde lang durchgeführt unter Erhalt einer Verbindung
(E) mit einer Iminosulfonylgruppe, die einen Feststoffgehalt
von 50,1 % enthielt.
Beispiel 1
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Die Silyloxyverbindung (A) (50 Teile), die in
Synthesebeispiel 1 erhalten wurde und Tetralonoxim-p-
toluolsulfonat (8 Teile) wurden in Methylethylketon (180
Teile) gelöst, und die resultierende Lösung wurde durch ein
Milliporenfilter (Porendurchmesser: 0,2 µm) gefiltert, um
die lichtempfindliche Lösung herzustellen. Die so
hergestellte lichtempfindliche Lösung wurde auf ein Substrat
unter Verwendung einer Spinnvorrichtung aufgetragen und in
einem Ofen bei 100 ºC 10 Minuten lang getrocknet unter
Erhalt einer lichtempfindlichen Membran mit einer Dicke von
1,0 µm.
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Dann wurde die Membran mit einer Niederdruck-
Quecksilberdampflampe, deren Lichtintensität 10 mW/cm² bei
254 nm ist, durch ein Maskenmuster etwa 50 Sekunden lang
belichtet. Danach wurde die gesamte Oberfläche des Substrats
etwa 5 Minuten lang mit Methanoldampf in Kontakt gebracht
und einer Trockenentwicklung aufgrund eines
Sauerstoffplasmas bei einem Sauerstoffdruck von 66,7 Pa (0,5
Torr), bei einem Plasmaoutput von 140 W 5 Minuten lang
unterworfen unter Erhalt eines feinen Resistmusters von 0,8 µm.
Beispiel 2
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Die Silyloxyverbindung (B) (50 Teile), die in
Synthesebeispiel 2 erhalten wurde und eine
Iminosulfonatverbindung (E) (20 Teile), die in
Synthesebeispiel 5 erhalten wurde, wurden in
Methylethylketon (180 Teile) gelöst, und die resultierende
Lösung wurde durch ein Milliporenfilter (Porendurchmesser:
0,2 µm) futriert, um eine lichtempfindliche Lösung
herzustellen. Die so hergestellte lichtempfindliche Lösung
wurde auf ein Substrat unter Verwendung einer
Spinnvorrichtung aufgetragen und in einem Ofen bei 100 ºC 10
Minuten lang getrocknet unter Erhalt einer
lichtempfindlichen Membran mit einer Dicke von 1,1 µm.
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Dann wurde die Membran mit einer Hochdruck-
Quecksilberdampflampe, deren Lichtintensität 5 mW/cm² bei
365 nm ist, durch ein Maskenmuster 60 Sekunden lang
belichtet. Danach wurde die gesamte Oberfläche des Substrats
etwa 5 Minuten lang mit Acetondampf in Kontakt gebracht
und einer Trockenentwicklung aufgrund eines
Sauerstoffplasmas bei einem Sauerstoffdruck von 66,7 Pa (0,5
Torr), bei einem Plasmaoutput von 140 W 5 Minuten lang
unterworfen unter Erhalt eines feinen Resistmusters von 0,7 µm.
Beispiel 3
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Die Silyloxyverbindung (C) (50 Teile), die in
Synthesebeispiel 3 erhalten wurde und
Triphenylsulfoniumhexafluoroarsenat (10 Teile) wurden in Methylethylketon (180
Teile) gelöst, und die resultierende Lösung wurde durch ein
Milliporenfilter (Porendurchmesser: 0,2 µm) gefiltert, um
eine lichtempfindliche Lösung herzustellen. Die so
hergestellte lichtempfindliche Lösung wurde auf ein Substrat
unter Verwendung einer Spinnvorrichtung aufgetragen und in
einem Ofen bei 100 ºC 10 Minuten lang getrocknet unter
Erhalt einer lichtempfindlichen Membran mit einer Dicke von
1,0 µm.
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Dann wurde die Membran mit einer Niederdruck-
Quecksilberdampflampe, deren Lichtintensität 10 mW/cm² bei
254 nm ist, durch ein Maskenmuster etwa 50 Sekunden lang
belichtet. Danach wurde die gesamte Oberfläche des Substrats
etwa 5 Minuten lang mit n-Hexandampf in Kontakt gebracht und
einer Trockenentwicklung aufgrund eines Sauerstoffplasmas
bei einem Sauerstoffdruck von 66,7 Pa (0,5 Torr), bei einem
Plasmaoutput von 140 W 5 Minuten lang unterworfen unter
Erhalt eines feinen Resistmusters von 0,9 µm.
Beispiel 4
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Die Silyloxyverbindung (D) (50 Teile), die in
Synthesebeispiel 4 erhalten wurde und 2-Nitrobenzyltosylat
(5 Teile) wurden in Methylethylketon (160 Teile) gelöst, und
die resultierende Lösung wurde durch ein Milliporenfilter
(Porendurchmesser: 0,2 µm) gefiltert, um eine
lichtempfindliche Lösung herzustellen. Die so hergestellte
lichtempfindliche Lösung wurde auf ein Substrat unter
Verwendung einer Spinnvorrichtung aufgetragen und in einem
Ofen bei 100 ºC 10 Minuten lang getrocknet unter Erhalt
einer lichtempfindlichen Membran mit einer Dicke von 1,0 µm.
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Dann wurde die Membran mit einer Niederdruck-
Quecksilberdampflarnpe, deren Lichtintensität 10 mW/cm² bei
254 nm ist, durch ein Maskenmuster etwa 50 Sekunden lang
belichtet. Danach wurde die gesamte Oberfläche des Substrats
etwa 5 Minuten lang mit Ethanoldampf in Kontakt gebracht und
einer Trockenentwicklung aufgrund eines Sauerstoffplasmas
bei einem Sauerstoffdruck von 66,7 Pa (0,5 Torr), bei einem
Plasmaoutput von 140 W 5 Minuten lang unterworfen unter
Erhalt eines feinen Resistmusters von 0,9 µm.