DE69323144T2

DE69323144T2 - Radiofrequenz-Schalter für ein Videokassetten-Aufzeichnungsgerät (VCR)

Info

Publication number: DE69323144T2
Application number: DE69323144T
Authority: DE
Inventors: Kyoung Soo Suweon-Si Kyongki-Do Kwon
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 1992-09-30
Filing date: 1993-09-30
Publication date: 1999-06-02
Anticipated expiration: 2013-10-01
Also published as: EP0590976A1; JP2825426B2; KR960008728B1; EP0590976B1; JPH0799622A; DE69323144D1; KR940007809A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Schaltkreis zum Schalten von Radiofrequenzen für einen VCR (Videokassettenrekorder), welcher RF-modulierte A/V-Signale eines VCR und RF-Signale einer Antenne schaltet. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen Schaltkreis zum Umschalten von Radiofrequenzen für einen VCR, bei welchem im Falle der Auswahl des Videokanals (des Kanals für den Empfang von RF-modulierten A/V- Signalen in dem VCR) eines VCRs die Einführung der RF-Signale von Rundfunkkanälen vollständig blockiert werden kann, so daß die Anzahl der Videokanäle für den VCR erhöht werden kann.
Es wird Bezug genommen auf die EP-A-0.304.611, die eine Schaltkreisanordnung offenbart für das Verteilen eines Antennensignals auf Eingangsanschlüsse von zwei Anwendungen. Eine dieser Anwendungen hat eine Verbindung zu einem Modulator für variable Frequenz. Eine Abschwächungsfilterstufe ist zwischen einen Vorverstärker und den Eingang der Anwendung geschaltet, die mit dem Modulator verbunden ist. Der Vorverstärker empfängt und verstärkt das Antennensignal. Die Abschwächungsfilterstufe ist eine Frequenzfalle, die eine Einfangfrequenz hat, die mit der Modulatorfrequenz identisch ist und die mit dem Abstimmen der Modulatorfrequenz synchronisiert wird. Die Abschwächungsfilterstufe soll exakt auf die Frequenz des Modulators abgestimmt sein und sie soll eine abgestimmte Frequenz haben, die immer parallel zu der Frequenz eines Oszillators in dem Modulator ausgerichtet bzw. abgestimmt ist, so daß keine Modulation vorliegt.
Außerdem wird Bezug genommen auf die US-A-4,894,720, die einen Schaltkreis für das wahlweise Ausgeben von Hochfrequenzsignalen beschreibt. Wenn erste Hochfrequenzsignale aus einem Antenneneingangsanschluß für die Ausgabe ausgewählt werden, werden alle Transistoren, die erste und zweite Schalteinrichtungen bilden, ausgeschaltet und ein RF- Modulator wird ebenfalls ausgeschaltet. Daher werden erste Hochfrequenzsignale an einen TV-Ausgangsanschluß über eine erste Übertragungsleitung übertragen. Wenn zweite Hochfrequenzsignale von dem RF-Modulator dafür ausgewählt werden, ausgegeben zu werden, so wird der RF-Modulator eingeschaltet und die Transistoren, die die ersten und zweiten Schalteinrichtungen bilden, werden eingeschaltet. Dementsprechend werden zweite Hochfrequenzsignale an den TV-Ausgangsanschluß über eine zweite Übertragungsleitung übermittelt. Bei dieser Gelegenheit verbinden die Transistoren, welche den ersten Schalter bilden, die erste Leitung mit Masse und bilden einen Parallelresonanzschaltkreis in der ersten Übertragungsleitung. Daher wird der Durchgang der ersten Hochfrequenzsignale von dem Antennenein gangsanschluß abgeschnitten und der umgekehrte Durchtritt von den zweiten Hochfrequenzsignalen und einer harmonischen Komponente derselben aus der zweiten Übertragungsleitung wird verhindert.
Ein Beispiel eines konventionellen Schaltkreises von einem VCR ist nun in Fig. 1 dargestellt.
Gemäß Fig. 1 werden Rundfunksignale (über die Luft oder als Kabel-TV - CATV), die über einen Antenneneingangsanschluß ANTin eines VCR 30 eingegeben werden, anfänglich durch einen RF-Verstärker 31 verstärkt. Dann werden die Signale über einen Verteiler 32 an einen VCR-Tuner 33 und an einen Pufferverstärker 37 eines Verstärkungs- und Umschaltabschnittes 39 als erste und zweite RF-Signale RF1 und RF2 zugeführt. Die ersten RF-Signale RF1, die durch den Pufferverstärker 37 verstärkt werden, werden an einen RF-Schalter 38 zugeführt. In der Zwischenzeit werden Basisbandsignale des relevanten, ausgewählten Kanals, die von dem VCR-Tuner 33 ausgegeben werden, einem Aufzeichnungs-/Wiedergabe- und A/V-Signaleingangs-/Ausgangssteuerabschnitt 34 zugeführt, der einen Aufzeichnungs-/Wiedergabemechanismus 36 steuert und der auch die A/V-Eingabe und -Ausgabe eines externen Audio- /Video-Eingangs-/Ausgangsanschlusses A/Vin und A/Vout steuert.
A/V-Signale AV1, d. h. die Wiedergabesignale des Videobandes, die von dem Aufzeichnungs- /Wiedergabe und A/V-Signaleingangs-/Ausgangssteuerabschnitt 34 ausgegeben werden, werden an einen RF-Modulator 35 zugeführt, der durch eine Modulationsspannung M&spplus; betrieben wird. Die Modulationsspannung M&spplus; wird während der Auswahl des Videowiedergabebetriebszustandes erzeugt und treibt den RF-Modulator 35. Mit Hilfe dieser Modulationsspannung M&spplus; moduliert der RF-Modulator die eingehenden A/V-Signale AV1 in dritte RF-Signale RF3, die eine bestimmte TV-Kanalfrequenz haben.
Die dritten RF-Signale, die von dem RF-Modulator 35 ausgegeben werden, werden an den RF- Schalter 38 überführt, der Umschaltungen gemäß der Modulationsspannung M&spplus; vornimmt.
Dementsprechend erscheinen, wenn die Modulationsspannung M&spplus; erzeugt wird, die dritten RF-Signale RF3, welche die Wiedergabesignale des Videobandes sind, auf einem RF-Ausgangsanschluß RFout des VCR 30. Wenn andererseits die Modulationsspannung M&spplus; nicht erzeugt wird, so erscheinen die ersten RF-Signale RF1, welche die Antennensignale über die Luft oder CATV-Rundfunksignale sind, an dem RF-Ausgangsanschluß RFout des VCR 30.
Ein solcher RF-Ausgang des VCR 30 wird einem Antennenanschluß RFin eines Fernsehgerätes 40 zugeführt.
Fig. 2 zeigt den Schaltkreis des konventionellen RF-Schalters 38 und die Peripherieabschnitte.
Gemäß Fig. 2 werden die ersten RF-Signale RF1, die von dem ersten Verteiler 32 ausgegeben werden, über einen Kopplungskondensator C5 an den Pufferverstärker 37 eingegeben.
Der Pufferverstärker 37 beinhaltet: einen Verstärkungstransistor Q2, der mit einem Emitterwiderstand R12 und einem Kollektorausgangswiderstand R11 verbunden ist, und einen Basiswiderstand R10 für das Anlegen einer Vorspannung an der Basis des Verstärkungstransistors Q2. Eine Schaltkreisspannung B&spplus; wird an dem Kollektorwiderstand R11 und an dem Basisvorspannwiderstand R10 angelegt.
Die ersten RF-Signale RF1, die von dem Pufferverstärker 37 verstärkt werden, werden über einen Kopplungskondensator C1 dem RF-Schalter 38 zugeführt. In dem Fall, in welchem die Modulationsspannung M&spplus; nicht erzeugt wird, werden die ersten RF-Signale RF1, die in den RF-Schalter 38 eingegeben werden, durch den Ausgangsanschluß des RF-Schalters 38 durch Vorspannen erster und dritter PIN-Dioden D2 und D3 geleitet, an welchen die Schaltkreisspannung B&spplus; und Massepotential angelegt sind, und zwar über Widerstände R5 und R2, und die Widerstände R5 bzw. R9, so daß die zweiten und dritten PIN-Dioden D2 und D3 einen niedrigen Widerstandswert haben. Die Signale laufen durch die Anode-Kathode der dritten PIN-Diode D3, die einen niedrigen Widerstandswert von einigen Ohm hat, und erscheinen schließlich an dem Ausgangsanschluß des RF-Schalters 38. D. h., in diesem Fall wird das System in einen Antennen- bzw. Kabelfernsehempfangszustand versetzt.
Wenn jedoch die Modulationsspannung M&spplus; durch Auswahl des VCR-Wiedergabezustandes erzeugt wird, so läuft die Modulationsspannung M&spplus; durch den Widerstand R3 und eine PIN- Diode D1, die dann in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, um dann schließlich an der Kathode der zweiten PIN-Diode D2 angelegt zu werden. Daher wird die zweite PIN-Diode D2 einer umgekehrten Vorspannung ausgesetzt und sie hat daher einen Widerstandswert von einigen kΩ. Dementsprechend können die ersten RF-Signale nicht durch die zweite PIN-Diode D2 hindurchlaufen, während die erste PIN-Diode D1 in die Situation kommt, daß sie einen niedrigen Widerstandswert von einigen Ω hat, indem sie einer Vorwärtsvorspannung ausgesetzt wird durch die Funktion der Modulationsspannung M&spplus; und der Widerstände R2 und R3. Daher werden die ersten RF-Signale RF1 über die Kathode-Anode der ersten PIN-Diode D1, einen Kondensator C2 und einen Widerstand R4 auf Masse gezogen.
Außerdem wird die Modulationsspannung M&spplus; über einen Widerstand R6 an die Basis eines Schalttransistors Q1 angelegt, um diesen einzuschalten und daher verläuft ein Strom, der durch die Schaltkreisspannung B&spplus; getrieben wird, durch den Widerstand R5, eine Spule L1 und den Schalttransistor Q1 hindurch.
Dementsprechend werden die ersten RF-Signale RF1, die als Lecksignale durch die zweite PIN- Diode D2 hindurchtreten, über den Kondensator D3 und den Kollektor-Emitter des Schalttransistors Q1 auf Masse gelegt.
In der Zwischenzeit läuft die Modulationsspannung M&spplus; auch durch einen Widerstand R7 und eine vierte PIN-Diode D4, die dann in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, zu der Kathode der dritten PIN-Diode D3, die dann in Gegenrichtung vorgespannt ist, während die Modulationsspannung die vierte PIN-Diode D4 auf eine Vorspannung in Vorwärtsrichtung bringt, nachdem sie durch den Widerstand R7 hindurchgelaufen ist.
Dementsprechend laufen die dritten RF-Signale RF3, die durch den RF-Modulator 35 durch die Funktion der Modulationsspannung M&spplus; erzeugt werden, durch den niederohmigen Weg der vierten PIN-Diode D4 an den Ausgangsanschluß des RF-Schalters 38, d. h., an den RF-Ausgangsanschluß Rfout des VCR 30. Dementsprechend wird das System in diesem Fall auf einen Videokanalempfangszustand eingestellt.
Bei dem konventionellen Schaltkreis zum RF-Schalten, der in der oben beschriebenen Weise arbeitet, wird jedoch ein vollständiges Dämpfen der über die Antenne empfangenen RF- Sendesignale durch die PIN-Dioden nicht erreicht, wenn man sich in dem Videokanalempfangszustand befindet, und Interferenzen bzw. Störungen von nahegelegenen, über Antenne empfangenen Rundfunksendesignalen können erzeugt werden.
Um daher den Einfluß von nahegelegenen Rundfunkkanälen zu vermeiden, wenn unter Verwendung des RF-Modulators des VCR die Videokanalauswahl angezeigt wird, sind ein oder zwei leere Kanäle zwischen den Rundfunksendekanälen vorgesehen, die über Antenne empfangen werden. Dieses bringt jedoch eine unerwünschte Einschränkung in der Auslegung des Schaltkreises mit sich.
Insbesondere in Anbetracht des drastischen Anstiegs in der Anzahl von Rundfunkstationen wäre es wünschenswert, eine perfekte Auslegung des Videokanals für einen VCR bereitzustellen, d. h. man möchte einen RF-Schalter haben, der durch nahegelegene bzw. benachbarte Kanäle nicht beeinflußt wird.
Gemäß der Erfindung wird ein Schaltkreis für das Schalten von Radiofrequenzen für einen VCR bereitgestellt, mit:
einem RF-Verstärker für das Verstärken von Antennensignalen,
einem Verteiler für das Verteilen des Antennenausgangssignals aus dem RF-Verstärker an einen Verstärkungs- und Umschaltabschnitt und an einen VCR-Tuner als erste und zweite RF- Signale,
einen Aufzeichnungs-/Wiedergabe- und A/V-Signaleingangs-/ausgangs-Steuerabschnitt für das Ausgeben von Bandwiedergabesignalen und Basisbandsignalen aus dem VCR-Tuner und zum Steuern eines Aufzeichnungs-/Wiedergabemechanismus,
einem RF-Modulator, der auf eine Modulationssteuerspannung (M&spplus;) anspricht, um das A/V- Signal von dem Aufzeichnungs-/Wiedergabe- und A/V-Signaleingangs-/Ausgangs-Abschnitt zu modulieren, um dritte RF-Signale (RF3) zu erzeugen, wenn die Modulationssteuerspannung angelegt ist, und
einem Verstärkungs- und Umschaltabschnitt für das Auswählen des RF-Ausgangszustandes des VCR durch Umschalten zwischen den ersten und dritten RF-Signalen, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärkungs- und Umschaltabschnitt aufweist:
einen Umschaltsteuerabschnitt für das Erzeugen eines Ausgangsstromes (10), wenn die Modulationssteuerspannung (M&spplus;) daran angelegt bzw. zugeführt wird, und
einen umschaltbaren Verstärker, der durch den Ausgangsstrom (10) von dem umschaltbaren Steuerabschnitt gesteuert wird, und der so betreibbar ist, daß er wahlweise die ersten RF- Signale oder die dritten RF-Signale ohne wechselseitige Interferenz ausgibt, wobei der umschaltbare Verstärker aufweist:
einen Verstärkungstransistor, der mit einem Kollektorwiderstand, einem Emitterwiderstand und Teilerwiderständen für die Basisvorspannung verbunden ist, wobei die Basis des Verstärkungstransistors so angeordnet ist, daß sie die ersten RF-Signale empfängt, der Emitter des Verstärkungstransistors mit dem Ausgang des Umschaltsteuerabschnittes für die Ein- /Aus-Steuerung durch den Ausgangsstrom (10) verbunden ist, eine Schaltkreisspannung an den Kollektorwiderstand und über die Spannungsteilerwiderstände der Basis angelegt ist, wobei die dritten RF-Signale von dem RF-Modulator über den Kollektorausgangswiderstand zugeführt werden, wobei der Kollektor des Verstärkungstransistors und der Kollektorausgang des Verstärkungstransistors mit einem RF-Ausgangsanschluß (RFOUT) des VCR verbunden sind.
Mit anderen Worten, die Ausführungsformen des Schaltkreises gemäß der vorliegenden Erfindung sind derart, daß erste RF-Eingangssignale, welche durch einen Verteiler gelaufen sind, durch den Kollektorausgangsanschluß eines umschaltbaren Verstärkers verstärkt werden, welcher einen Verstärkungstransistor beinhaltet, so daß sie schließlich durch einen RF-Ausgangsanschluß ausgegeben werden, wobei dritte RF-Eingangssignale des VCRs durch einen Ausgangswiderstand des Verstärkungstransistors an den RF-Ausgangsanschluß ausgegeben werden, wenn der Verstärkungstransistor des umschaltbaren Verstärkers durch den Umschaltsteuerstrom abgeschaltet wird, der aus der Modulationsspannung abgeleitet wird.
Es ist damit in vorteilhafter Weise ein Schaltkreis für das Umschalten von Radiofrequenzen für einen VCR bereitgestellt worden, bei welchem die Zunahme in der Anzahl von Videokanälen sichergestellt wird, indem die Interferenz von nahegelegenen bzw. benachbarten Kanälen beseitigt wird, wodurch eine Bereitschaft für einen drastischen Anstieg in der Anzahl von Sendern geleistet wird.
Es wird also in vorteilhafter Weise ein Schaltkreis für das Schalten von Radiofrequenzen für einen VCR bereitgestellt, bei welchem der Aufbau bzw. Zustand des Schaltkreises vereinfacht ist, um Herstellungskosten zu ersparen.
Es folgt nunmehr eine Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand eines Beispiels, wobei auf die zugehörigen Zeichnungen Bezug genommen wird, von denen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm ist, welches den Aufbau eines konventionellen VCR zeigt,
Fig. 2 den Schaltkreis des konventionellen Verstärkungs- und Umschaltabschnittes nach Fig. 1 zeigt, und
Fig. 3 im Detail den Schaltkreis des Verstärkungs- und Umschaltabschnittes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 3 zeigt den Schaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung und in dieser Figur sind dieselben Elemente, wie diejenigen der Fig. 1 mit denselben Bezugszeichen gekennzeichnet.
Zunächst werden über Antenne oder Kabel empfangene RF-Sendesignale, d. h. erste RF- Signale RF1, die durch einen RF-Verstärker 31 und einen Verteiler 32 gelaufen sind, über einen Kopplungskondensator C5 an einen umschaltbaren Verstärker 10 geleitet.
Der umschaltbare Verstärker 10 beinhaltet einen Verstärkungstransistor Q11, der mit einem Emitterwiderstand R21 und einem Kollektorwiderstand R20 verbunden ist, und der Verstärker 10 beinhaltet auch Spannungsteilerwiderstände R18 und R19, die an die Basis des Transistors Q11 angeschlossen sind. Eine Schaltkreisspannung B&spplus; wird über CR-Filterschaltkreise zur Rauschunterdrückung (die aus einer Induktivität L3 und einem Kondensator C4 sowie aus einer Induktivität L2 und dem Kondensator C4 bestehen) jeweils an den Kollektorausgangswiderstand R20 und an die Spannungsteilerwiderstände R18 und R19 angelegt.
Der Emitter des Verstärkungstransistors Q11 des umschaltbaren Verstärkers 10 empfängt einen Ausgangsstrom 10 eines Umschaltsteuerabschnittes 20, der durch eine Modulationsspannung M&spplus; gesteuert wird. Der Ausgang des Kollektors des Verstärkungstransistors Q11 wird an einen Ausgangsanschluß RFout eines VCR 30 geführt bzw. angelegt. Ein RF-Modulator 35 wandelt eingehende A/V-Signale AV1 in dritte RF-Signale RF3 um, indem er durch die Modulationsspannung M&spplus; getrieben wird. Der RF-modulierte Ausgang des RF-Modulators 35 wird über den Kollektorausgangswiderstand R20 des umschaltbaren Verstärker 10 an den RF- Ausgangsanschluß RFout des VCR 30 angelegt.
Der umschaltbare Steuerabschnitt 20 weist auf: einen ersten Schafttransistor Q12 vom PNP- Typ, dessen Emitter mit einer Stromquelle Is verbunden ist und dessen Basis über Spannungsteilerwiderstände R13 und R14 mit der Stromquelle Is verbunden sind, und einen zweiten Umschalttransistor Q13 vom PNP-Typ, dessen Emitter mit der Stromquelle Is verbunden ist und dessen Basis über Spannungsteilerwiderstände R15 und R16 mit der Stromquelle Is verbunden ist. Ein Kollektorausgangsstrom Io des ersten Umschalttransistors Q12 wird an den Emitter des Verstärkungstransistors Q11 des umschaltbaren Verstärkers 10 angelegt, während der Kollektorausgangsstrom des zweiten Umschalttransistors Q13 über einen Bypass auf Masse gelegt wird.
Weiterhin empfängt die Basis des zweiten Umschalttransistors Q13 auch die Modulationsspannung M&spplus; über einen Strombegrenzungswiderstand R17.
Der Schaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung, der wie oben beschrieben aufgebaut ist, wird nun bezüglich seiner Arbeitsweise und Wirkung beschrieben.
Wiederum gemäß Fig. 3 wird, wenn eine Spannung VA eines Knotens (bzw. Knotenpunktes) A, der durch die Stromquelle Is des umschaltbaren Steuerabschnittes 20 gebildet wird, um 0,7 Volt größer ist als eine Spannung VB eines Knotens B, der erste Umschalttransistor Q12 eingeschaltet. Auf dieselbe Weise wird, wenn die Spannung VA des Knotens A um 0,7 Volt größer ist als eine Spannung VC eines Knotens C, der zweite Umschalttransistor Q13 eingeschaltet. (Es wird angenommen, daß die Einschaltspannung für die ersten und zweiten Schalttransistoren Q13 und Q12 0,7 Volt beträgt.)
Dementsprechend wird in einem Zustand, in welchem die Modulationsspannung M&spplus; dem Umschaltsteuerabschnitt 20 nicht zugeführt wird, falls das Verhältnis des Stromes Is durch die Widerstände R13, R14, R15 und R16 so eingestellt ist, daß die folgenden Bedingungen erfüllt sind,
VA < 0,7 Volt + VB
VA ≥ 0,7 Volt + VC,
der zweite Umschalttransistor Q13 eingeschaltet, während der erste Umschalttransistor Q12 abgeschaltet wird.
Unter dieser Bedingung erfüllt der Potentialunterschied VBEZ zwischen der Basis und dem Emitter des zweiten Umschalttransistors Q13 mehr als die Einschaltbedingung (etwa 0,7 Volt) für diesen Transistor.
Daher wird der Verstärkungstransistor Q11 des umschaltbaren Verstärkers 10 durch die Schaltkreisspannung B&spplus; vorgespannt, welche durch die Spannungsteilerwiderstände R18 und R19 geteilt worden ist, so daß die ersten RF-Signale RF1, die seiner Basis zugeführt werden, verstärkt werden. Dann werden die ersten RF-Signale RF1, die an seinem Kollektor erscheinen, dem RF-Ausgangsanschluß RFout des VCR 30 zugeführt, um schließlich dem RF-Eingangsanschluß RFin des Fernsehgerätes 40 zugeführt zu werden.
In der Zwischenzeit, wenn die Modulationsspannung M&spplus; durch Auswahl des Videowiedergabebetriebszustandes des VCR erzeugt wird, so läuft diese Modulationsspannung M&spplus; durch die Widerstände R16 und R17 des Umschaltsteuerabschnittes 20 auf Masse.
Die Spannung, die an den entgegengesetzten Enden des Widerstandes R16 auftritt, ist die Spannung VC, die an der Basis des zweiten Schalttransistors Q13 angelegt ist, wobei diese Spannung VC von der Modulationsspannung M&spplus; abhängt.
Unter dieser Bedingung steigt, wenn M&spplus; erzeugt wird, der Potentialunterschied VBE2 zwi schen der Basis und dem Emitter des zweiten Schalttransistors Q13 auf die Einschaltspannung desselben Transistors an.
D. h., die Bedingungen
VA < 0,7 Volt + VC
VA ≥ 0,7 Volt + VB
sind erfüllt und daher wird zu diesem Zeitpunkt der zweite Schalttransistor Q13 des Umschaltsteuerabschnittes 20 abgeschaltet, während der erste Schalttransistor Q12 eingeschaltet wird bzw. ist.
Durch den Umschaltsteuerabschnitt wird daher der Ausgangsstrom 10 den Emittern des Verstärkungstransistors Q11 des schaltbaren Verstärkers 10 zusätzlich zugeführt. Daher wird in diesem Zustand die Emitterspannung VE des Verstärkertransistors Q11 VE = R&sub2;&sub1;IE + R&sub2;&sub1;Io.
In einem Videowiedergabezustand des VCR fällt also die Vorspannung VBE, die auf dem Unterschied zwischen der Emitterspannung VE und der Basisspannung VB des Verstärkungstransistors Q11 beruht, unter die Einschaltspannung und schaltet dadurch den Verstärkungstransistor Q11 ab. Unter dieser Bedingung erreicht der Widerstandswert zwischen dem Eingang und dem Ausgang des Verstärkungstransistors Q11 einige Mega Ω, und daher erscheinen die Antenneneingangssignale, d. h. die ersten RF-Signale RF1 auf der Basisseite, überhaupt nicht an dem Kollektor des Verstärkerstransistors Q11.
Unter dieser Bedingung werden die dritten RF-Signale des RF-Modulators 35, der die A/V- Eingangssignale AV zu den RF-Signalen eines bestimmten Kanals moduliert, durch den RF- Ausgangsanschluß RFout des VCR 30 gegeben, nachdem sie durch den Kollektorwiderstand R20 des Verstärkungstransistors Q11 des schaltbaren Verstärkers 10 hidurchgetreten sind. Eine solche RF-Ausgabe einer VCR-Videowiedergabe wird dem RF-Eingangsanschluß RFin des Fernsehgerätes 40 zugeführt.
Gemäß der vorstehend beschriebenen, vorliegenden Erfindung wird der RF-Umschaltschaltkreis für den VCR vereinfacht und macht es dadurch möglich, Herstellungskosten zu ersparen.
Weiterhin wird während der Wahl des Videokanals des VCR die Einführung von Antennen- oder Kabelfernseh-RF-Signalen vollständig blockiert und daher ist eine Berücksichtigung der Bereitstellung von leeren Kanälen zwischen den effektiven Kanälen nicht erforderlich. Die Einschränkungen in der Auslegung sind damit beseitigt und die Anzahl der Videokanäle kann vergrößert werden.

Claims

1. Schaltkreis zum Schalten von Radiofrequenzen für einen VGR (Videokassettenrekorder), mit:

einem RF-Verstärker (31) für das Verstärken von Antennensignalen, einem Verteiler (32) für das Verteilen des Antennenausgangssignals aus dem RF- Verstärker an einen Verstärkungs- und Umschaltabschnitt (39) und an einen VCR- Tuner (33) als erste und zweite RF-Signale (RF1, RF2),

einem Aufzeichnungs-/Wiedergabe- und einen A/V-Signaleingangs-/Ausgangs-Steuerabschnitt (34), um Bandwiedergabesignale und Basisbandsignale aus dem VCR-Tuner auszugeben, und um einen Aufzeichnungs-/Wiedergabemechanismus zu steuern,

einem RF-Modulator (35), der auf eine Modulationssteuerspannung (M&spplus;) zum Modulieren des A/V-Signals aus dem Aufzeichnungs-/Wiedergabe- und A/V-Signaleingangs- /Ausgangsabschnitt (34) anspricht, um dritte RF-Signale (RF3) zu erzeugen, wenn die Modulationssteuerspannung angelegt ist, und

einem Verstärkungs- und Umschaltabschnitt (39), um den RF-Ausgangsbetrieb des VCR auszuwählen, indem zwischen den ersten und dritten RF-Signalen (RF1, RF3) umgeschaltet wird,

dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärkungs- und Umschaltabschnitt (39) aufweist:

einen Umschaltsteuerabschnitt (20), um einen Ausgangsstrom (10) zu erzeugen, wenn die Modulationssteuerspannung (M&spplus;) daran angelegt wird, und

einen schaltbaren Verstärker (10), der durch den Ausgangsstrom (10) aus dem umschaltbaren Steuerabschnitt (20) gesteuert wird und der so betreibbar ist, daß er gezielt die ersten RF-Signale (RF1) oder die dritten RF-Signale (RF3) ohne wechselseitige Interferenz ausgibt, wobei der umschaltbare Verstärker (10) aufweist:

einen Verstärkungstransistor (Q11), der mit einem Kollektorwiderstand (R20), einem Emitterwiderstand (R21) und mit Teilerwiderständen (R18, R19) für eine Basisvorspannung verbunden ist, wobei die Basis des Verstärkungstransistors (Q11) so angeordnet ist, daß sie die ersten RF-Signale (RF1) empfängt, der Emitter des Verstärkungstransistors (Q11) mit dem Ausgang des Umschaltsteuerabschnittes (20) über die Ein-/Aus-Steuerung des Ausgangsstromes (10) verbunden ist, eine Schaltkreisspannung B&spplus; an den Kollektorwiderstand (R20) und über die Tellerwiderstände (R18, R19) für die Basisspannung angelegt ist, die dritten RF-Signale (RF3) aus dem RF-Modulator (35) über den Kollektorausgangswiderstand (R20) dem Kollektor des Verstärkungstransistors (Q11) zugeführt werden, und der Kollektorausgang des Verstärkungstransistors (Q11) mit einem RF-Ausgangsanschluß (RFOUT) des VCR verbunden ist.

2. Schaltkreis zum Umschalten von Radiofrequenzen nach Anspruch 1, wobei der Umschaltsteuerabschnitt (20) aufweist:

erste und zweite Schalttransistoren (Q12, Q13),

erste und zweite Spannungsteilerwiderstände (R13, R14), die mit der Basis des ersten Schalttransistors (Q12) verbunden sind,

dritte und vierte Spannungsteilerwiderstände (R15, R16), die mit der Basis des zweiten Schalttransistors (Q13) verbunden sind,

eine Stromquelle (Is), deren erster Anschluß mit den Emittern der ersten und zweiten Schalttransistoren (Q12, Q13) verbunden ist und deren zweiter Anschluß mit den ersten und dritten Spannungsteilerwiderständen (R13, R15) verbunden ist,

wobei der Kollektorstrom des ersten Schalttransistors (Q12) den Ausgangsstrom (10) liefert, der Kollektor des zweiten Schalttransistors (Q13) mit Masse verbunden ist und die Modulationssteuerspannung (M&spplus;) über einen Strombegrenzungswiderstand (R17) der Basis des zweiten Schalttransistors (Q13) zugeführt wird.

3. Schaltkreis für das Schalten von Radiofrequenzen nach Anspruch 2, wobei der Umschaltsteuerabschnitt (20) so ausgestaltet ist, daß dann, wenn die Modulationssteuerspannung (M&spplus;) nicht angelegt wird, der Potentialunterschied (VBE2) zwischen der Basis und dem Emitter des zweiten Schalttransistors (Q13) die Einschaltspannung für diesen Transistor übersteigt und damit den ersten Schalttransistor (Q12) abschaltet, und

daß dann, wenn die Modulationssteuerspannung (M&spplus;) angelegt wird, der Potentialunterschied (VBE2) zwischen der Basis und dem Emitter des zweiten Schalttransistors (Q13) nicht ausreicht, um den zweiten Schalttransistor einzuschalten, und daß unter diesem Zustand der Potentialunterschied zwischen der Basis und dem Emitter des ersten Schalttransistors (Q12) die Einschaltspannung desselben übersteigt.

4. VCR, welcher einen Schaltkreis für das Schalten von Radiofrequenzen nach einem der vorstehenden Ansprüche aufweist.