DE69205938T2 - Verfahren zur Bildung einer Nitridschicht mit Benutzung von vorgewärmtem Ammoniak. - Google Patents

Verfahren zur Bildung einer Nitridschicht mit Benutzung von vorgewärmtem Ammoniak.

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Description

    Fachgebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer Nitridschicht, und insbesondere einer Titannitrid-Trennschicht in einem Halbleiter-Bauelement, mit Benutzung von vorgewärmtem Ammoniak.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Titannitrid (TiN)-Schichten finden verschiedene Anwendungen einschließlich des Einsalzes als eine Sperrschicht oder eine örtlichen Zwischenverbindung in Halbleitergeräten. Beispielsweise wird oft eine Titannitridschicht in einem Halbleiter- Bauelement zwischen einer Schicht aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung und einem Siliziumsubstrat ausgebildet, um ein als "Spicken" bekanntes Problem zu verhindern. Spicken tritt in einem Halbleiter-Bauelement bei erhöhten Temperaturen (z.B. bei uber 400ºC) in Abschnitten des Bauelements auf, in denen Aluminium mit Silizium in Berührung steht oder die Möglichkeit besitzt, durch andere Schichten mittels Diffusion mit dem Silizium in Berührung zu kommen. Die Löslichkeit von Silizium in Aluminium ist bei erhöhten Temperaturen ziemlich hoch, so daß Aluminium das Silizium in Lösung nimmt. Als ein Ergebnis dieses "Verbrauches" des Siliziums durch das Aluminium können Leerräume oder Gruben in dem Siliziumsubstrat ausgebildet werden. Diese Gruben sind von sehr regelmäßiger Form und sehen oftmals wie kopfstehende Pyramiden aus, die in dem Siliziumsubstrat ausgebildet werden, da das Siliziumsubstrat üblicherweise ein Silizium-Einkristall ist und deswegen eine bestimmte kristallographische Ausrichtung besitzt. Wenn die Grübchenbildung in Abschnitten des Siliziumsubstrates auftritt, in denen Übergangs-(Sperr-)Schichten ausgebildet sind, werden die elektrischen Eigenschaften der Sperrschichten bedeutsam und unerwünschterweise geändert, was oft zu einem Sperrschicht- Durchbruch führt. Da das Spicken einen Sperrschicht-Durchbruch verursachen kann, ist das Phänomen auch als "Sperrschicht- Spicken" bekannt. Dadurch, daß eine Trennschicht oder Barriere zwischen dem Siliziumsubstrat und dem Aluminium geschaffen wird, kann das Problem des Spickens verringert werden. Die Anwesenheit einer Trennschicht dient dazu, die Diffusion von Silizium und Aluminium aufzuhalten, so daß die beiden Materialien eine verringerte Chance haben, einander zu treffen und in Lösung zu gehen.
  • Titannitrid ist eines der wenigen Materialien, die üblicherweise als eine Trennschicht in Halbleitergeräten benutzt werden. Ein weithin ausgeführtes Verfahren zur Ausbildung einer TiN- Trennschicht zwischen Silizium und Aluminium besteht darin, daß zuerst eine Titanschicht auf einem Siliziumsubstrat abgeschieden wird. Das Siliziumsubstrat mit der Titanschicht wird dann angelassen, indem das Substrat in eine Reaktionskammer eingesetzt und beispielsweise auf eine Temperatur in der Nähe von 600ºC oder höher erwärmt wird. Bei Raumtemperatur befindliches Ammoniakgas (NH&sub3;) wird in die Reaktionskammer eingepumpt und reagiert mit der Titanschicht zur Ausbildung einer dünnen Titannitrid-(TiN)Schicht auf der Oberfläche der Titanschicht. Die Reaktion verläuft entsprechend der Gleichung
  • 2Ti + 4NH&sub3; 2TiN + N&sub2; + 6H&sub2;.
  • Die Dicke der entstehenden TiN-Schicht wird bestimmt durch die Zeitlänge, in der die Titanschicht dem Ammoniak ausgesetzt ist, die Temperatur des Substrates und andere Bearbeitungsvariable. Viele Halbleiter-Hersteller verwenden ein rasches thermisches Anlassen (rapid thermal anneal RTA) in der Größenordnung von 10 s bis 2 min zur Ausbildung einer TiN-Trennschicht. Die Dicke einer typischen TiN-Trennschicht, die durch den eben erwähnten RTA-Vorgang gebildet wird, kann in der Größenordnung von 5-40 nm (50-400 Å) liegen.
  • Jedoch kann auch mit einer Trennschicht Spicken auftreten, wenn das Halbleiter-Bauelement erhöhten Temperaturen ausgesetzt wird, insbesondere wenn es während eines längeren Zeitraumes so behandelt wird. Silizium- und Aluminiumatome werden mit ansteigender Temperatur beweglicher, so daß Silizium in eine überdeckende Titanschicht eindiffundieren kann. Gleichzeitig diffundiert Aluminium durch eine dünne, auf der Titanschicht ausgebildeten TiN-Trennschicht und daraufhin in die Titanschicht. Gelegentlich diffundieren Aluminium und Silizium in solchem Maße, daß Aluminium- und Siliziumatome einander nahe genug kommen, um eine Lösung zu bilden. Als Ergebnis wird Silizium durch Aluminium "verbraucht", so daß Leerräume oder Grübchen zurückbleiben. Deswegen verhindert der Einsatz einer Trennschicht das Sperrschicht-"Spicken" bei erhöhten Temperaturen nicht vollständig. Stattdessen dient die Anwesenheit der Trennschicht mehr oder weniger dazu, das Problem aufzuschieben oder zu verzögern. Bei der Verwendung von Trennschichten in Halbleiter-Bauelementen hoffen die Hersteller, das "Spicken" ausreichend soweit zu verzögern, daß die Ausbildung von Grübchen bei Temperaturen vermieden wird, die das Halbleiter- Bauelement erfahren kann. Jedoch sind die bestehenden Trennschichten und die Verfahren zum Ausbilden dieser Trennschichten oft unzureichend, den Verbrauch von Silizium durch Aluminium wesentlich zu verhindern.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Das vorstehend erwähnte Problem, daß auch Nitridschichten für Spicken empfänglich sind, wird im wesentlichen durch die vorliegende Erfindung überwunden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Ausbilden einer Nitridschicht geschaffen, das die Schritte enthält: Schaffen eines Substrates mit einer daran ausgebildeten überdeckenden Schicht aus einem Material, das ausgewählt ist aus der aus Titan, Hafnium, Zircon, Vanadium, Niob und Tantal bestehenden Gruppe;
  • Einsetzen des Substrates in eine Reaktions-Kammer;
  • Aufheizen des Substrates in der Reaktionskammer auf eine vorgegebene Temperatur;
  • Einleiten von Ammoniakgas in die Reaktionskammer, das auf eine Temperatur nicht unter 600ºC vorgewärmt ist; und Reagieren des vorgewärmten Ammoniakgases mit der Material-Schicht zur Bildung eines Nitrids.
  • Diese und andere Merkmale sowie Vorteile werden leichter verstanden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung, im Zusammenhang mit den beigefügten Mikrophotographien genommen.
    • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 bis 4 sind Mikrophotographien eines Reinsilizium- Substrates. Eine Titanschicht wurde an dem Substrat abgeschieden und in einer Ammoniakgas-Umgebung angelassen, um eine Titannitrid-(TiN-)Trennschicht zu bilden. Die Anlaßbedingungen bei den jeweiligen Mikrophotographien sind nachstehend angeführt:
  • Substrattemperatur 650ºC
  • Anlaßzeit 15 s
  • Reaktionsgas Ammoniak (NH&sub3;)
  • Gasströmung 3 l/min
  • Gastemperatur 20ºC (Fig. 1)
  • 610ºC (Fig. 2)
  • 750ºC (Fig. 3)
  • 770ºC (Fig. 4)
  • Eine Aluminiumschicht von 600 nm (6 000 Å) wurde an jedem Substrat abgeschieden. Die Siliziumsubstrate wurden dann einem Anlaßvorgang von 30 min bei 515ºC in einer N&sub2;-Umgebung unterworfen, um das vorher beschriebene "Spicken"-Phänomen einzuleiten und dadurch die Ausbildung von Grübchen in den jeweiligen Substraten herbeizuführen, wie in den Mikrophotographien zu sehen. Das Aluminium, TiN und das Titan wurden von den Substraten unter Benutzung einer HF-Ätzung entfernt, so daß die unbedeckten Siliziumsubstrate zurückblieben, wie in den Fig. 1-4 gezeigt.
    • Detaillierte Beschreibung einer bevorzugten Ausführung
  • Wie vorher besprochen, beseitigen zwischen einer Aluminiumschicht und einem Siliziumsubstrat verwendete Trennschichten das Spicken nicht, sondern verzögern stattdessen das Problem so, daß der dem Siliziumsubstrat zugefügten Schaden verringert wird. Unter gewissen Bedingungen reduzieren manche bekannten Trennschichten das Spicken nicht angemessen. So versagen in Halbleiter-Bauelementen aufgebaute Titannitrid-Trennschichten oft, wenn ein Bauelement während der Bearbeitung erhöhten Temperaturen ausgesetzt wird, und insbesondere während Einbauund Verpackungsvorgängen. Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Ausbilden einer verbesserten Nitridschicht, die zum Einsatz bei Halbleiter-Bauelementen zur wesentlichen Verringerung des Ausmaßes des Spickens geeignet ist. Durch Ausbilden von z. B. einer Titannitrid-Trennschicht unter Benutzung eines vorgewärmten Ammoniakgases wird die Integrität und Festigkeit der TiN-Schicht gegenüber anderen, üblicherweise in der Halbleiter-Industrie eingesetzten TiN-Schichten verbessert. Es ist wichtig zu bemerken, daß, die restliche Diskussion zwar auf den Einsatz der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die Herstellung von Titannitrid-Schichten bei einem Halbleiter- Bauelement gerichtet ist, die vorliegende Erfindung jedoch für jede Art von Einsatz von Nitridschichten anwendbar ist.
  • Gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung wird eine Titannitrid-Schicht gebildet, indem zuerst eine Titanschicht über einem Substrat, beispielsweise einem Siliziumwafer, abgeschieden wird. Die Titanschicht kann unter Benutzung von bekannten Abscheidungsverfahren abgeschieden werden, einschließlich der chemischen Dampfabscheidung (chemical vapor deposition CVD), Sprühabscheidung und dergleichen. Das Siliziumwafer mit der überdeckenden Titanschicht wird dann in eine Reaktionskammer eingesetzt, die fähig ist, das Substrat auf beispielsweise eine Temperatur von über 600ºC aufzuheizen. Ein bekanntes Aufheizverfahren für das Substrat in der Reaktionskammer auf den erwünschten Temperaturbereich geschieht durch Verwendung von Bogenlampen, die durch ein Thermoelement geregelt werden.
  • Sobald das Substrat erhitzt ist, wird ein vorgewärmtes Ammoniakgas (NH&sub3;) in die Reaktionskammer eingeführt. Erfindungsgemäß wird das Ammoniakgas auf eine Temperatur von über 600 ºC aufgeheizt, vorzugsweise auf eine Temperatur von mehr als 700ºC. Das Ammoniakgas kann auf verschiedene Weise vorgewärmt werden, z.B. mit Durchleiten des Gases durch einen Rohrofen, bevor das Gas in die Reaktionskammer eingeführt wird. In Abhängigkeit von der Größe des Ofens und der Strömungsrate des Gases kann es notwendig sein, das Gas in den Ofen unter Benutzung von Prallplatten, Glasschichten oder dergleichen einzuleiten, um das Gas lang genug in dem Ofen verweilen zu lassen, daß es die gewünschte Temperatur erreicht. Alle zum Richten des Gasstromes benutzten Geräte und der Ofen selbst sollten aus Materialien gefertigt sein, die mit dem Ammoniakgas nicht reagieren oder es sonst verunreinigen.
  • Das vorgewärmte Ammoniakgas wird dann in die Reaktionskammer eingeführt, die das erhitzte Substrat mit der überdeckenden Titanschicht enthält. Das Ammoniakgas reagiert mit dem Titan zur Ausbildung einer Schicht aus Titannitrid (TiN) an einer oberen Fläche der Titanschicht nach der Gleichung
  • 2Ti + 4NH&sub3; 2TiN + N&sub2; + 6H&sub2;.
  • Die Reaktion wird während eines Zeitraumes von 10 s bis 2 min aufrechterhalten. Andere Gase können ebenfalls in die Reaktionskammer eingeführt werden. Z.B. kann Stickstoff oder ein anderes inertes Gas benutzt werden, um die Kammer zu reinigen oder zu spülen, bevor die Reaktion stattfindet, bzw. nachdem sie stattgefunden hat. Sobald die Reaktion beendet ist, wird das Substrat aus der Reaktionskammer entnommen und den etwaigen weiteren Fertigungsschritten unterzogen, die zur Fertigstellung des Halbleiter-Bauelements nötig sind.
    • Ausführungsbeispiel
  • Vier Gruppen von Siliziumwafern (Gruppen A, B, C und D) wurden mit einem aufgesprühten Titanfilm versehen, dessen Nenndicke 100 nm (1.000 Å) betrug. Jedes Wafer wurde einzeln in eine aus Quarz bestehende RTA-Kammer (rapid thermal anneal = rasches thermisches Anlassen) eingesetzt und unter Benutzung von Lampen mit einer Leistung von 1200 W auf eine Temperatur von 650ºC aufgeheizt. Die Wafertemperatur wurde mit einem K-Thermoelement gemessen, das die Waferoberfläche berührte.
  • Ammoniakgas von Raumtemperatur wurde durch einen Edelstahlrohrofen mit einer Rate von 3 l/min zum Strömen gebracht. Der Rohrofen besaß einen Durchmesser von 5,1 cm (2 inch) und eine Länge von 61 cm (2 ft ). Statt Prallplatten wurden Muttern und Schrauben aus Edelstahl innerhalb eines zentralen Abschnitts von 30,5 cm (1 ft) eingesetzt, um das Ammoniakgas innerhalb des Ofens abzulenken und es eine hohe Temperatur erreichen zu lassen. Die Ofentemperatur wurde bei jeder Gruppe von Wafern verändert. Beim Bearbeiten von Wafern aus Gruppe A wurde der zum Anwärmen des Ammoniakgases benutzte Ofen auf Zimmertemperatur (ca. 20ºC) gehalten. Beim Bearbeiten der Wafer aus Gruppe B wurde der Ofen auf ca. 800ºC gehalten. Wafer von den Gruppen C und D wurden jeweils mit einer Ofentemperatur von ca. 1.000ºC bzw. 1.100ºC bearbeitet. Die Ammoniakgas-Temperaturen beim Austreten des Gases aus dem Ofen wurden ebenfalls aufgezeichnet, Die Temperaturen sind nachstehend aufgeführt: Ofentemderatur Gastemperatur
  • Nach dem Erwärmen wurde das Ammoniakgas mit einer Strömungsrate von 3 l/min in die Reaktionskammer eingeführt. Die Reaktionskammer wurde auf Umgebungsdruck von 105 Pa (760 Torr) oder in der Nähe davon gehalten. Die Reaktion zwischen dem vorgewärmten Ammoniakgas und der Titanschicht an dem erhitzten Substrat wurde während einer Zeit von 15 s aufrecht erhalten zur Ausbildung einer Titannitridschicht. Jedes Substrat wurde dann aus der Reaktionskammer entfernt und eine Aluminiumschicht von 600 nm (6000 Å) wurde auf dem Substrat unter Benutzung eines üblichen Aufsprüh-Abscheideverfahrens abgeschieden. Jedes Wafer wurde dann einem Hochtemperaturanlassen (etwa 515ºC) in einer Stickstoff-(N&sub2;-)Umgebung während 30 omin unterworfen, um Aluminium-Spicken und die Ausbildung von Grübchen in dem Silizium- Substrat herbeizuführen. Die Ergebnisse sind in den Mikrophotographien der Fig. 1 - 4 gezeigt.
  • Fig. 1 ist eine Mikrophotographie mit einer 500-fachen Vergrößerung eines repräsentativen Fehlerbereiches in einem Wafer aus Gruppe A. Fig. 2 ist eine Mikrophotographie mit der gleichen Vergrößerung eines gleichartigen Bereiches eines Wafers von Gruppe B und Fig. 3 und 4 entsprechen jeweils Wafern der Gruppen C bzw. D. Wie aus den Mikrophotographien zu ersehen ist, wird das Ausmaß der Silizium-Grübchenbildung mit ansteigender Temperatur des vorgewärmten Ammoniakgases wesentlich verringert. Die Fehlerdichte eines Wafers von Gruppe A und Gruppe B wurde grob mit 4 400 Fehlern/cm² bzw. 420 Fehlern/cm² geschätzt. Ein Wafer aus Gruppe C und ein Wafer aus Gruppe D hatten jeweils Fehlerdichten in der Größenordnung von 80 Fehlern/cm². Auger-Analysen, die an Wafern ausgeführt wurden, welche gleichartigen Verfahrensbedingungen, wie vorstehend beschrieben, unterzogen wurden, zeigen an, daß die Dicke des Titannitrids tatsächlich abnimmt, wenn die Temperatur des Ammoniakgases sich erhöht. Schichtwiderstands-Messungen bestätigen die Tatsache, daß die Titannitridschicht-Dicke mit zunehmender Ammoniakgas-Temperatur abnimmt. Jedoch ergibt sich aus den Mikrophotographien in Fig. 1-4, daß eine Abnahme der TiN-Dicke als Ergebnis eines Einsatzes eines vorgewärmten Ammoniakgases keinen negativen Einfluß auf die Wirksamkeit der Schichten bei der Geringhaltung von Spicken hat. Tatsächlich verbessert sich die Wirksamkeit der TiN-Trennschichten wesentlich mit ansteigender Ammoniakgas-Temperatur, auch wenn die TiN-Dicke verringert wird. Vorhandene Verfahren zum Ausbilden von TiN-Filmen zeigen eine Verschlechterung der Wirksamkeit der TiN-Sperrschichten mit abnehmender Filmdicke.
  • Die voranstehende Beschreibung und die beigefügten Mikrophotographien zeigen viele der mit der vorliegenden Erfindung verbundenen Vorteile. Insbesondere ist es gezeigt worden, daß die Verwendung eines vorgewärmten Ammoniakgases eine bedeutsame Verbesserung bei der Fähigkeit der Titannitridschicht zum Verhindern von Spicken einführt im Vergleich zur Verwendung eines Ammoniakgases von Raumtemperatur. Darüberhinaus ergibt sich, daß, je höher die Temperatur des Ammoniakgases ist, umso besser die sich ergebende Titannitridschicht das Spicken verhindert. Ein anderer Vorteil besteht darin, daß die vorliegende Erfindung leicht mit bestehender Ausrüstung ausgeführt werden kann, die bei Halbleiter-Herstellern verfügbar ist. Weiter fügt die vorliegende Erfindung, wenn überhaupt, der Herstellung der Halbleiter-Bauelemente einen vernachlässigbaren Kosten- und Zeitaufwand hinzu. Es ist auch wichtig, festzustellen, daß infolge der Ähnlichkeiten der chemischen und physikalischen Eigenschaften der Elemente der Gruppe IVB und VB des periodischen Systems der Elemente die vorliegende Erfindung auch bei der Ausbildung von Filmen auf Hafnium-, Zirkon-, Vanadium-, Niob- und Tantal-Nitrid eingesetzt werden kann.
  • So zeigt sich, daß durch diese Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden eines Nitridfilmes unter Verwendung von vorgewärmtem Ammoniak geschaffen wurde, das die vorher angegebenen Vorteile vollständig erreicht. Obwohl die Erfindung mit Bezug auf besondere Ausführungen derselben beschrieben wurde, ist nicht beabsichtigt, die Erfindung auf diese Ausführung zu begrenzen. Beispielsweise ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Ausbildung von Titannitrid beschränkt, sondern kann auch zur Ausbildung von Nitriden von allen Elementen der Gruppe IVB oder VB des periodischen Systems der Elemente eingesetzt werden, einschließlich Hafnium, Zirkon, Vanadium, Niob und Tantal. Weiter ist bei der Ausbildung einer Titannitridschicht der Einsatz der TiN-Schicht nicht auf Einfügen zwischen Silizium- und Aluminium-Schichten bei einem Halbleiter-Bauelement beschränkt. Jede Anwendung, welche Titannitridschichten oder andere Schichten aus Nitriden der Elemente der Gruppe IVB oder VB benutzt, kann Vorteile aus der vorliegenden Erfindung ziehen. Zusätzlich ist die Erfindung nicht auf irgendeine bestimmte Temperatur des Ammoniakgases beschränkt, sondern kann durch Erwärmen des Gases auf irgendeine andere Temperatur nicht unter 600ºC ausgeführt werden. Weiter ist die Erfindung nicht auf irgendeine bestimmte Reaktionszeit beschränkt, wenn auch rasches thermisches Anlassen (in der Größenordnung von unter 2 min) bevorzugt wird. Es ist auch wichtig zu bemerken, daß die vorliegende Erfindung in keiner Weise auf die Art und Weise begrenzt ist, mit der das in Reaktion zu bringende Eintragmaterial (z.B. Titan, Hafnium, Zirkon, Vanadium, Niob oder Tantal) an dem Substrat vor den Nitrierungsschritten ausgebildet wird. Deswegen ist beabsichtigt, daß diese Erfindung alle derartigen Änderungen und Abwandlungen umfassen soll, die innerhalb des Schutzbereiches der beigefügten Ansprüche fallen.

Claims (7)

1. Verfahren zum Ausbilden eines Nitrid-Filmes mit den Schritten:
Schaffen eines Substrates mit einer daran ausgebildeten überdeckenden Schicht aus einem Material, das ausgewählt ist aus der aus Titan, Hafnium, Zircon, Vanadium, Niob und Tantal bestehenden Gruppe;
Einsetzen des Substrates in eine Reaktions-Kammer;
Aufheizen des Substrates in der Reaktionskammer auf eine vorgegebene Temperatur;
Einleiten eines Ammoniakgases in die Reaktionskammer, das auf eine Temperatur nicht unter 600ºC vorgewärmt ist; und
Reagieren des vorgewärmten Ammoniakgases mit der Material- Schicht zur Bildung eines Nitrids.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Schaffens umfaßt das Schaffen eines Halbleiter-Substrates mit einer daran abgeschiedenen Titanschicht und bei dem der Schritt des Reagierens das Reagieren zur Ausbildung einer Titannitrid-Schicht umfaßt; und das Verfahren weiter den Schritt umfaßt:
des Abscheidens eines leitenden Materials über der Titannitrid-Schicht, welche Titannitrid-Schicht als eine Trennschicht zwischen dem leitenden Material und dem Halbleiter- Substrat dient.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Schritt des Einleitens eines Ammoniakgases das Einleiten eines auf eine Temperatur von nicht weniger als 700ºC vorgewärmten Ammoniakgases umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem der Schritt des Aufheizens des Substrates das Aufheizen des Substrates auf eine Temperatur von nicht weniger als 600ºC umfaßt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, bei dem der Schritt des Reagierens des vorgewärmten Ammoniakgases mit der Materialschicht das Reagieren des vorgewärmten Ammoniakgases mit der Matenaischicht während eines Zeitraumes von nicht mehr als 2 min umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Schaffens eines Substrates das Schaffen eines Silicium-Wafers umfaßt;
bei dem die überdeckende Materialschicht eine den Silicium- Wafer überdeckende Titanschicht ist;
bei dem der Schritt Aufheizens des Substrates das Aufheizen des Silicium-Wafers und der überdeckenden Titanschicht auf eine Temperatur von über 600ºC in der Reaktionskammer umfaßt;
bei dem der Schritt des Vorwärmens eines Ammoniakgases Anwärmen eines Ammoniakgases in einem zu der Reaktionskammer separaten Gefäß auf eine Temperatur von mehr als 700ºC umfaßt;
bei dem der Schritt des Reagierens das Reagieren des angewärmten Ammoniakgases mit der überdeckenden Titanschicht an dem Silicium-Wafer während eines Zeitraumes von nicht mehr als zwei min umfaßt zum Ausbilden einer Schicht aus Titannitrid an der überdeckenden Titanschicht; und
bei dem das Verfahren weiter den Schritt des Abscheidens einer Schicht eines aus der aus Aluminium und einer Aluminium-Legierung bestehenden Gruppe ausgewählten Materials über der Titannitridschicht umfaßt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt des Abscheidens einer Schicht eines aus der aus Aluminium und einer Aluminium-Legierung bestehenden Gruppe ausgewählten Materials das Abscheiden einer Schicht eines aus der aus Aluminium und einer Aluminium-Legierung bestehenden Gruppe ausgewählten Materials über und mindestens teilweise in Berührung mit der Titannitnd-Schicht umfaßt.
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