DE69119946T2 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen Materialien - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen MaterialienInfo
- Publication number
- DE69119946T2 DE69119946T2 DE69119946T DE69119946T DE69119946T2 DE 69119946 T2 DE69119946 T2 DE 69119946T2 DE 69119946 T DE69119946 T DE 69119946T DE 69119946 T DE69119946 T DE 69119946T DE 69119946 T2 DE69119946 T2 DE 69119946T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- bonding
- power
- wire
- bonding wires
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H10W70/481—
-
- H10W72/00—
-
- H10W72/07533—
-
- H10W72/07552—
-
- H10W72/07553—
-
- H10W72/07555—
-
- H10W72/527—
-
- H10W72/5363—
-
- H10W72/537—
-
- H10W72/5449—
-
- H10W72/5473—
-
- H10W72/5475—
-
- H10W72/552—
-
- H10W72/5522—
-
- H10W72/5524—
-
- H10W72/5525—
-
- H10W72/557—
-
- H10W72/59—
-
- H10W72/926—
-
- H10W72/932—
-
- H10W72/952—
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2062789A JPH0760839B2 (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69119946D1 DE69119946D1 (de) | 1996-07-11 |
| DE69119946T2 true DE69119946T2 (de) | 1996-11-28 |
Family
ID=13210467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69119946T Expired - Lifetime DE69119946T2 (de) | 1990-03-15 | 1991-03-15 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen Materialien |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5173762A (enExample) |
| EP (1) | EP0446937B1 (enExample) |
| JP (1) | JPH0760839B2 (enExample) |
| KR (2) | KR910017604A (enExample) |
| DE (1) | DE69119946T2 (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE29924183U1 (de) | 1998-05-05 | 2002-03-28 | International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. | Gehäuse und Leitungsrahmen für ein Halbleiterbauelement hoher Stromleitfähigkeit, mit großflächigen Verbindungsschlüssen und veränderter Form |
| US6667547B2 (en) | 1998-05-05 | 2003-12-23 | International Rectifier Corporation | High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3459291B2 (ja) * | 1993-09-21 | 2003-10-20 | ローム株式会社 | 半導体チップを備えた電子部品 |
| US5644281A (en) * | 1992-04-07 | 1997-07-01 | Rohm Co., Ltd. | Electronic component incorporating solder fuse wire |
| JPH06216307A (ja) * | 1993-01-13 | 1994-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2807396B2 (ja) * | 1993-05-25 | 1998-10-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US5530284A (en) * | 1995-03-06 | 1996-06-25 | Motorola, Inc. | Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials |
| WO1998021751A2 (de) * | 1996-11-11 | 1998-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Optimierung der leistungsverbindung zwischen chip und leiterrahmen für leistungsschalter |
| CN1937223A (zh) * | 2002-02-21 | 2007-03-28 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
| TW586203B (en) * | 2002-11-04 | 2004-05-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same |
| JP2004281887A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Himeji Toshiba Ep Corp | リードフレーム及びそれを用いた電子部品 |
| DE102005016830A1 (de) * | 2004-04-14 | 2005-11-03 | Denso Corp., Kariya | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US8125060B2 (en) * | 2006-12-08 | 2012-02-28 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with layered frame |
| JP4830877B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2011-12-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8237268B2 (en) * | 2007-03-20 | 2012-08-07 | Infineon Technologies Ag | Module comprising a semiconductor chip |
| JP5192163B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-05-08 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置 |
| US8546904B2 (en) * | 2011-07-11 | 2013-10-01 | Transcend Information, Inc. | Integrated circuit with temperature increasing element and electronic system having the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5716375Y2 (enExample) * | 1975-04-02 | 1982-04-06 | ||
| GB1478393A (en) * | 1975-08-12 | 1977-06-29 | Ferranti Ltd | Methods of manufacturing semiconductor devices |
| JPS5821351A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4845543A (en) * | 1983-09-28 | 1989-07-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JPS6396947A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| EP0288776A3 (en) * | 1987-04-28 | 1989-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Gold alloy wire connection to copper doped aluminum semiconductor circuit interconnection bonding pad |
| JPS6459947A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| MY104152A (en) * | 1988-08-12 | 1994-02-28 | Mitsui Chemicals Inc | Processes for producing semiconductor devices. |
| IT1233008B (it) * | 1989-09-21 | 1992-03-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo integrato con connessioni perfezionate fra i terminali e la piastrina di materiale semiconduttore integrante componenti elettronici |
| JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP2062789A patent/JPH0760839B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-12 US US07/668,024 patent/US5173762A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-14 KR KR1019910004027A patent/KR910017604A/ko not_active Withdrawn
- 1991-03-15 EP EP91104006A patent/EP0446937B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-15 DE DE69119946T patent/DE69119946T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-08-21 KR KR2019950021529U patent/KR960000464Y1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE29924183U1 (de) | 1998-05-05 | 2002-03-28 | International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. | Gehäuse und Leitungsrahmen für ein Halbleiterbauelement hoher Stromleitfähigkeit, mit großflächigen Verbindungsschlüssen und veränderter Form |
| US6667547B2 (en) | 1998-05-05 | 2003-12-23 | International Rectifier Corporation | High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0446937A2 (en) | 1991-09-18 |
| DE69119946D1 (de) | 1996-07-11 |
| US5173762A (en) | 1992-12-22 |
| JPH0760839B2 (ja) | 1995-06-28 |
| JPH03265149A (ja) | 1991-11-26 |
| KR960000464Y1 (ko) | 1996-01-10 |
| EP0446937B1 (en) | 1996-06-05 |
| KR910017604A (ko) | 1991-11-05 |
| EP0446937A3 (enExample) | 1994-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69119946T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen Materialien | |
| DE69705222T2 (de) | Gitteranordnung und verfahren zu deren herstellung | |
| DE4238646B4 (de) | Halbleiter-Bauelement mit spezieller Anschlusskonfiguration | |
| DE69526895T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Anordnung und einer Halbleiterscheibe | |
| DE69127587T2 (de) | In Kunststoff eingeformte Halbleiteranordnung | |
| DE10295972T5 (de) | Nicht in einer Form hergestellte Packung für eine Halbleiteranordnung | |
| DE102007016061B4 (de) | Modul mit Halbleiterchip und Verfahren | |
| DE69119938T2 (de) | Mit mindestens zwei Trägerteilen versehener Leiterrahmen und Anwendung zu einer im Harz eingebetteten Halbleiter-Einrichtung | |
| DE2815776A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte | |
| DE69126115T2 (de) | Direkte Entkupplung einer Mikroschaltung | |
| DE10236689A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE69628964T2 (de) | Harzvergossenes Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren | |
| DE4207198A1 (de) | Zufuehrungsrahmen und halbleitervorrichtung, welche den zufuehrungsrahmen verwendet | |
| DE69004581T2 (de) | Plastikumhüllte Hybrid-Halbleiteranordnung. | |
| DE19808193A1 (de) | Leadframevorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
| DE102017207192A1 (de) | Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren und leitfähiges Säulenelement | |
| DE10238781A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE69305633T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung, um Drähte zwischen einem Halbleiterchip und dem zugehörigen Leiterrahmen anzuschliessen | |
| EP0867932A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Bonddrahtverbindungen | |
| DE69419881T2 (de) | Verpackte Halbeiteranordnung und deren Herstellungsverfahren | |
| DE112018005048T5 (de) | Chip mit integrierter schaltung (ic), der zwischen einem offset-leiterrahmen-chip-befestigungspad und einem diskreten chip-befestigungspad befestigt ist | |
| DE10302022B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines verkleinerten Chippakets | |
| DE69031963T2 (de) | Bondapparat und Verfahren | |
| DE102008001671A1 (de) | Elektrische Bondverbindungsanordnung | |
| DE60217059T2 (de) | Montagekonstruktion für eine elektronische integrierte Leistungsschaltung, die auf einem Halbleiterchip gebildet ist, sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) |