DE69030427T2 - Elektronische Komparatorschaltung - Google Patents

Elektronische Komparatorschaltung

Info

Publication number
DE69030427T2
DE69030427T2 DE69030427T DE69030427T DE69030427T2 DE 69030427 T2 DE69030427 T2 DE 69030427T2 DE 69030427 T DE69030427 T DE 69030427T DE 69030427 T DE69030427 T DE 69030427T DE 69030427 T2 DE69030427 T2 DE 69030427T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
terminals
whose
pair
transistors
comparator circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69030427T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69030427D1 (de
Inventor
Angelo Alzati
Alberto Gola
Aldo Novelli
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Thomson Microelectronics SRL filed Critical SGS Thomson Microelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69030427D1 publication Critical patent/DE69030427D1/de
Publication of DE69030427T2 publication Critical patent/DE69030427T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45278—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using BiFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45282—Long tailed pairs
    • H03F3/45286—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45278—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using BiFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45282—Long tailed pairs
    • H03F3/45291—Folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/45—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of non-linear magnetic or dielectric devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H03K5/2436—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors
    • H03K5/2445—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors with at least one differential stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45028—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier amplifying transistors are folded cascode coupled transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45144—At least one follower being added at the input of a dif amp
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45188—Indexing scheme relating to differential amplifiers the differential amplifier contains one or more current sources in the load
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45304—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a BIFET cascode dif amp being implemented fully by FETs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45612—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more input source followers as input stages in the IC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Komparatorschaltung eines Typs, der zu denen ähnlich ist, die in der EP-A-0 284 092 offenbart sind, mit einer Eingangsdifferenzstufe, einer Kaskoden-Anordnung und einem Stromspiegel, um das Komparatorausgangssignal zu schaffen. Weitere schaltungen mit einer Kaskodenstufe sind aus der EP-A-0 333 864 und aus der EP-A- 332 499 bekannt.
  • Wie es bekannt ist, werden Komparatorbauelemente häufig in einer Vielzahl von elektronischen Überwachungs- und Steuerschaltungen verwendet, um den Moment einzustellen, zu dem ein Signal mit einer beliebigen signalform einen gegebenen Referenzpegel erreichen wird.
  • Ein weiterer bekannter Typ eines Komparators kann einen operationsverstärker an dem nicht-invertierenden Eingang desselben umfassen, an dem eine zu vergleichende Signalform angelegt wird, wobei ein vorbestimmter Referenz- oder Schwellenspannungswert Vs an dem invertierenden Eingang beibehalten wird.
  • Bekannt sind Komparatorschaltungen, die beispielsweise in bipolarer Technologie implementiert sind. Diese sind durch eine hohe Genauigkeit, eine hohe Spannungsverstärkung und einen sogenannten "Offset"-Spannungsabfall gekennzeichnet (Offset = Versatz), welcher speziell niedrig ist.
  • Solche Schaltungen bieten sich dazu an, daß ihre Ausgänge schnittstellenmäßig mit entweder Logikschaltungen in der bipolaren Technologie oder Logikschaltungen vom CMOS-Typ schnittstellenmäßig verbunden werden.
  • Obwohl ein Komparator unter bestimmten Aspekten günstig ist, erfährt diese Komparatorart eine beträchtliche Verzögerung der Signalausbreitung zwischen dem Eingang und dem Ausgang aufgrund der Anwesenheit von sogenannten "sättigenden" Schaltungsstrukturen.
  • Meistens sind lange Verzögerungen der Signalausbreitung unakzeptabel, da sie weitere Verzögerungen von Logikschaltungen stromflußmäßig hinter dem Komparator, die bereits mit demselben verwandt sind, hinzufügen würden.
  • Um diese Nachteile zu umgehen könnten Komparatoren verwendet werden, welche sogenannte "nicht-sättigende" Schaltungsstrukturen umfassen, wobei solche Strukturen beispielsweise Schottky-Dioden zwischen den Basen und den Kollektoren bestimmter Transistoren verwenden würden. Ebenfalls würden hohe Vorspannungsströme erforderlich sein.
  • Um solche Strukturen zu schaffen, würden jedoch die herkömmlichen Herstellungsverfahren für integrierte Schaltungen in bipolarer Technologie durch zusätzliche komplexe und kostenintensive Verarbeitungsschritte (z. B. eine Dreifachmetallisierung) beschwert werden.
  • Das technische Problem, das dieser Erfindung zugrunde liegt, besteht darin, eine elektronische Komparatorschaltung zu schaffen, welche in ihrer Schaltphase speziell schnell ist, und welche solche strukturellen und funktionellen Charakteristika aufweist, um mit Logikschaltungen des CMOS-Typs koppelbar zu sein, während ein niedriges Stromziehen sichergestellt wird, und während die Nachteile überwunden werden, mit denen der Stand der Technik zu tun hatte.
  • Dieses Problem wird durch eine Komparatorschaltung, wie sie in Anspruch 1 definiert ist, gelöst.
  • Die Merkmale und Vorteile einer Schaltung gemäß der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung eines Ausführungsbeispiels derselben offensichtlich werden, das aus Darstellungsgründen und nicht als Begrenzung bezugnehmend auf die beigefügte Zeichnung gegeben wird.
  • Die Zeichnung zeigt als Fig. 1 derselben ein Verdrahtungsdiagramm einer elektronischen Komparatorschaltung gemäß der Erfindung.
  • Bezugnehmend auf die Zeichnung ist bei 1 allgemein und schematisch der Schaltungsaufbau des erfindungsgemäßen Komparators gezeigt.
  • Der Komparator 1 umfaßt einen ersten Differenzstufenschaltungsabschnitt 2, der aus einem Differenztransistorenpaar T2 und T3 des pnp-Typs besteht, deren jeweilige Emitter miteinander und mit einem positiven Versorgungspol Vc über eine Vorspannungsstromquelle I2 verbunden sind.
  • Die jeweiligen Basen B2 und B3 der Transistoren T2, T3 sind wiederum mit dem positiven Pol Vc über jeweilige Vorspannungsstromquellen I1 und I3 verbunden.
  • Die Kollektoren C2, C3 des Differenztransistorpaars T2 und T3 bilden jeweilige Ausgänge des Eingangsabschnitts 2.
  • Die Stufe 2 weist einen Signaleingang IN (IN = EIN) und einen Schwelleneingang S auf, wobei jedem ein entsprechender Transistor T1, T4 des pnp-Typs zugeordnet ist, wobei jeder Transistor in einer Emitterfolgerkonfiguration zwischen der Stufe 2 und der Masse geschaltet ist.
  • Diese Transistoren T1, T4 bilden sogenannte Puffer, um die Eingangsimpedanz der Stufe 2 zu erhöhen. Ihre jeweiligen Basen B1, B4 fallen mit den Eingängen IN und S zusammen. Die Emitter E1 und E4 sind jeweils mit der Basis B2 und mit der Basis B3 des Differenzpaars T2, T3 verbunden. Ihre jeweiligen Kollektoren C1, C4 sind mit Masse verbunden.
  • Auf vorteilhafte Weise ist der Ausgang der Zelle 2 des Komparators 1 mit einer Ausgangsstufe 3 verbunden, die in der CMOS-Technologie gebildet ist und ein Paar von n-Kanal-MOS- Transistoren M1 und M2 aufweist, deren jeweilige Gates G1, G2 miteinander verbunden sind.
  • Die MOS-Transistoren M1, M2 sind in einer sogenannten "Kaskoden"-Konfiguration mit der bipolaren Stufe 2 verbunden, wobei ihre jeweiligen Source-Elektroden S1, S2 mit den Kollektoren C2 bzw. C3 jedes entsprechenden Transistors T2, T3 verbunden sind.
  • Ferner ist eine stromspiegelschaltung 4 vorgesehen, die aus einem Paar von p-Kanal-MOS-Transistoren M3, M4 besteht und zwischen den Versorgungspol Vc und die Stufe 3 geschaltet ist. Insbesondere ist der Transistor M3 in einer Diodenkonfiguration, wobei die jeweiligen Source-Elektroden S3, S4 beider Transistoren M3 und M4 mit dem Pol Vc verbunden sind, während ihre jeweiligen Drain-Elektroden D3, D4 mit den entsprechenden Drain-Elektroden D1, D2 des ersten Transistorpaars M1, M2 in der Stufe 3 verbunden sind.
  • Das Drain D2 des Transistors M2 bildet ferner einen Ausgangsanschluß OUT (OUT = AUS) für den Komparator 1. Eine Vorspannungsstromquelle oder ein Generator 14 ist ferner vorgesehen, welcher zwischen den Pol Vc und die Gates G1 und G2 der Stufe 3 geschaltet ist.
  • Der Schaltungsaufbau des Komparators 1 und der Ausgangsstufe 3 wird durch ein zweites Paar von Transistoren M5, M6 des MOS-Typs vervollständigt, wobei jeder als eine Stromquelle zwischen einen entsprechenden Kollektor C2, C3 der Stufe 2 und Masse eingefügt ist. Insbesondere sind die jeweiligen Gates G5, G6 der Transistoren M5, M6 miteinander verbunden. Die Source-Elektroden sind mit Masse verbunden, und die Drain-Elektroden sind mit dem Kollektor C2 bzw. mit dem Kollektor C3 verbunden.
  • Ferner ist ein weiterer Transistor M7 vom MOS-Typ vorgesehen, welcher in einer Diodenkonfiguration geschaltet ist, wobei das Gate G7 mit dem Drain D7 zwischen dem Gate G2 des Transistors M2 und Masse über einen Widerstand R verbunden ist.
  • Ferner ist das Gate G7 des zuletzt erwähnten Transistors M7 direkt mit den Gates G5, G6 des zweiten Paars von Transistoren M5, M6 verbunden.
  • Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Wert der Stromquelle 14 ausgewählt, um einem entsprechenden Stromwert I zu entsprechen. Zusätzlich hat die Stromquelle 12 einen Wert von 21, wobei der Strom ID durch jeden der Transistoren M5 und M6 einen Wert von 3 I hat.
  • Die Vorspannungsstromquellen 11, 12 haben den gleichen Wert.
  • Bezugnehmend auf einen Startzustand unter stationären Bedingungen, d. h. wobei die jeweiligen Spannungswerte Vin und Vs auf den Eingangsanschlüssen 1 und 5 gleich sind, wird der Strom, der durch jeden der Transistoren T2, T3 in der Stufe 2 fließt, dem Wert I entsprechen. Folglich fließt durch jeden der Transistoren M1 und M2 in der Ausgangsstufe 3 ein Strom von 2 I.
  • Es kann gezeigt werden, daß der Arbeitspunkt der Schaltung allein von dem Wert des Stroms 1 und dem Widerstand R zusätzlich zu dem Dimensionsverhältnis W/L der Breite zu der Länge der MOS-Transistorkanäle abhängt.
  • Die Schwellenspannung der Transistoren M1 und M2 der Stufe 3 entspricht der des Transistors M7.
  • Wenn andererseits die Spannungspegel auf den Eingängen der Differenzstufe 2 voneinander unterschiedlich sind, und wenn die Stufe selbst vollständig unsymmetrisch ist, kann angenommen werden, daß der Transistor T3 vollstndig leitet, wohingegen der Transistor T2 im Cut-Off-Bereich ist.
  • In dieser Situation würde der Strom, der durch den Transistor T3 fließt, gleich 2 I sein, und der höchste erreichbare Spannungswert auf dem Kollektor C3 würde durch das Produkt von R x I gegeben sein.
  • Durch Anordnen, daß dieser Spannungswert beispielsweise gleich 0,4 Volt ist, und durch Auswählen der Werte von I und R kann somit verhindert werden, daß die Transistoren T2 und T3 gesättigt werden, wodurch der Komparator 1 während der Schaltphase einzigartig schnell gemacht wird.
  • Um Variationen des Basis-Emitter-Spannungsabfalls der Transistoren T2, T3 mit der Temperatur zuzulassen, kann der Wert des Stroms 1 proportional zu diesem Spannungsabfall gemacht werden.
  • Durch eine geeignete Auswahl des Werts des Stroms I und des Verhältnisses W/L können die Transistoren in der Stufe 3 dimensioniert werden, um eine niedrigste Spannung zwischen dem Kollektor C3 des Transistors T3 und der Masse gleich Null zu haben.
  • In diesem Fall würde der Minimalwert der Spannung auf dem Ausgangsanschluß OUT (OUT = AUS) ebenfalls Null sein.
  • Wo dagegen der Strom, der durch den Transistor M1 fließt, viel höher als der durch den Transistor M2 ist, wird der Spannungswert an dem Ausgang OUT praktisch der gleiche wie der der Versorgungsspannung Vc sein.
  • Es folgt, daß der breite Bereich der Ausgangsspannung den Komparator 1 dafür geeignet macht, sowohl Bipolarschaltungen als auch Schaltungen des MOS-Typs zu treiben.
  • Die Komparatorschaltung 1 dieser Erfindung kombiniert die Vorteile, die durch Schaltungen geliefert werden, die in bipolarer und der MOS-Technologie implementiert sind.
  • Die Schaltung zeigte eine gute Verstärkung und einen niedrigen Eingangs-Offset-Spannungsabfall. Ferner stellte sie sich als sehr schnell während der Schaltphase aufgrund der Abwesenheit von bipolaren Transistoren, die in Sättigung betrieben werden, heraus, wodurch ein gleichzeitiger niedriger Stromzug erreicht wird.

Claims (2)

1. Elektronische Komparatorschaltung mit einer Eingangsstufe (2), die mit einem Differenzpaar von Bipolartransistoren (T2, T3) versehen ist, deren Emitter-Anschlüsse mit einem ersten Leistungsversorgungspol (VC) über eine Stromquelle (I&sub2;) verbunden sind, deren Basis-Anschlüsse (B2, B3) mit jeweiligen Eingängen (IN, S) der Komparatorschaltung verbunden sind, und deren Kollektor-Anschlüsse mit einem zweiten Versorgungspol (Masse) über jeweils einen eines Paars von MOS-Transistoren (M5, M6) verbunden sind, deren Gate-Anschlüsse (G5, G6) gemeinsam sind, deren Source-Anschlüsse mit dem zweiten Leistungsversorgungspol (Masse) verbunden sind, und deren Drain-Anschlüsse jeweils mit einem jeweiligen der Kollektor-Anschlüsse (C2, C3) verbunden sind,
mit einem zusätzlichen Paar von MOS-Transistoren (M1, M2), die mit dem Differenzpaar (T2, T3) in einer Kaskodenkonfiguration verbunden sind, deren Source-Anschlüsse (S1, S2) mit jeweiligen Kollektor-Anschlüssen (C2, C3) der Bipolartransistoren (T2, T3) verbunden sind, deren Gate-Anschlüsse (G1, G2) gemeinsam sind, und deren Drain-Anschlüsse (D1, D4) mit dem ersten Versorgungspol (VC) über eine Stromspiegelschaltung (M3, M4) verbunden sind, wobei einer (D2) der Drain- Anschlüsse des zusätzlichen Paars (M1, M2) mit einem Ausgangsanschluß (OUT) des Komparators verbunden ist;
mit einem weiteren MOS-Transistor (M7), der in einer Diodenkonfiguration verbunden ist, wobei sein Source- Anschluß mit dem zweiten Leistungsversorgungspol (Masse) verbunden ist, und sein Gate-Anschluß und sein Drain-Anschluß gemeinsam mit den gemeinsamen Gate-Anschlüssen des Paars von MOS-Transistoren (M5, M6) verbunden sind, und über einen Widerstand (R) mit den gemeinsamen Gate-Anschlüssen (G1, G2) des zusätzlichen Paars von MOS-Transistoren (M1, M2) und mit einem Ende einer Vorspannungsstromquelle (14) verbunden sind, welche ein anderes Ende umfaßt, das mit dem ersten Leistungsversorgungspol (VC) verbunden ist,
wobei die Werte der Stromquelle (I&sub2;), der Vorspannungsstromquelle (14), des Widerstands (R) und die Dimensionsverhältnisse (W/L) der MOS-Transistoren ausgewählt sind, um zu verhindern, daß die Bipolartransistoren (T2, T3) in Sättigung geraten.
2. Elektronische Komparatorschaltung gemäß Anspruch 1, welche ein weiteres Paar von Bipolartransistoren (T1, T4) aufweist, die in einer Emitterfolger-Konfiguration mit dem Paar von Bipolartransistoren (T2, T3) verbunden sind, wobei ihre Basis-Anschlüsse die Eingänge (IN, S) der Komparatorschaltung sind.
DE69030427T 1989-11-22 1990-10-17 Elektronische Komparatorschaltung Expired - Fee Related DE69030427T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT02247489A IT1236879B (it) 1989-11-22 1989-11-22 Circuito elettronico comparatore

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69030427D1 DE69030427D1 (de) 1997-05-15
DE69030427T2 true DE69030427T2 (de) 1997-10-16

Family

ID=11196766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69030427T Expired - Fee Related DE69030427T2 (de) 1989-11-22 1990-10-17 Elektronische Komparatorschaltung

Country Status (6)

Country Link
US (2) US5077489A (de)
EP (1) EP0429829B1 (de)
JP (1) JP3105535B2 (de)
KR (1) KR0159092B1 (de)
DE (1) DE69030427T2 (de)
IT (1) IT1236879B (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3095229B2 (ja) * 1990-08-31 2000-10-03 株式会社日立製作所 マイクロプロセッサ及び複合論理回路
JPH052037A (ja) * 1991-06-25 1993-01-08 Mitsubishi Electric Corp ゼロクロス検出回路
US5488321A (en) * 1993-04-07 1996-01-30 Rambus, Inc. Static high speed comparator
AU1841895A (en) * 1994-02-15 1995-08-29 Rambus Inc. Delay-locked loop
US5600322A (en) * 1994-04-29 1997-02-04 Analog Devices, Inc. Low-voltage CMOS analog-to-digital converter
US5600275A (en) * 1994-04-29 1997-02-04 Analog Devices, Inc. Low-voltage CMOS comparator with offset cancellation
WO1995030279A1 (en) * 1994-04-29 1995-11-09 Analog Devices, Inc. Charge redistribution analog-to-digital converter with system calibration
US5525934A (en) * 1994-08-24 1996-06-11 National Semiconductor Corporation Output circuit with short circuit protection for a CMOS comparator
US5668551A (en) * 1995-01-18 1997-09-16 Analog Devices, Inc. Power-up calibration of charge redistribution analog-to-digital converter
US5621409A (en) * 1995-02-15 1997-04-15 Analog Devices, Inc. Analog-to-digital conversion with multiple charge balance conversions
US5990709A (en) * 1995-06-09 1999-11-23 Siemens Aktiengesellschaft Circuit for comparing two electrical quantities provided by a first neuron MOS field effect transistor and a reference source
US5621340A (en) * 1995-08-02 1997-04-15 Rambus Inc. Differential comparator for amplifying small swing signals to a full swing output
JP2897724B2 (ja) * 1996-05-22 1999-05-31 日本電気株式会社 差動増幅器
JPH1174742A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Denso Corp オペアンプ
DE19739960C2 (de) * 1997-09-11 2000-11-30 Siemens Ag Signalregenerierungsschaltung
US6259280B1 (en) * 1997-09-25 2001-07-10 Texas Instruments Incorporated Class AB amplifier for use in semiconductor memory devices
JPH11154835A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Seiko Instruments Inc 差動増幅器
US6362467B1 (en) 1999-10-21 2002-03-26 Infineon Technologies North America Corp. Fast-switching comparator with hysteresis
US6313667B1 (en) * 2000-11-01 2001-11-06 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for a turn around stage having reduced power consumption, Class AB behavior, low noise and low offset
DE10157962C1 (de) * 2001-11-26 2003-07-03 Texas Instruments Deutschland Komparator
US7986189B1 (en) * 2010-04-29 2011-07-26 Freescale Semiconductor, Inc. Amplifier with feedback
KR200487144Y1 (ko) 2017-09-28 2018-09-10 이승준 소방 배관 연결구조

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147940A (en) * 1977-01-24 1979-04-03 Westinghouse Electric Corp. MOS Interface circuit
US4342004A (en) * 1979-05-15 1982-07-27 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Voltage comparator circuit
JPS5840918A (ja) * 1981-09-03 1983-03-10 Nec Corp 電圧比較回路
JPH0648595B2 (ja) * 1982-08-20 1994-06-22 株式会社東芝 半導体記憶装置のセンスアンプ
JPH0773205B2 (ja) * 1983-12-20 1995-08-02 株式会社日立製作所 レベル変換回路
JPH0767075B2 (ja) * 1983-12-26 1995-07-19 株式会社日立製作所 レベル変換回路
JPS6157118A (ja) * 1984-08-29 1986-03-24 Toshiba Corp レベル変換回路
JPH07118642B2 (ja) * 1986-01-08 1995-12-18 株式会社東芝 レベル変換回路
US4710724A (en) * 1986-04-02 1987-12-01 Motorola, Inc. Differential CMOS comparator for switched capacitor applications
JPS63240109A (ja) * 1987-03-27 1988-10-05 Toshiba Corp 差動増幅器
JPS6474823A (en) * 1987-09-17 1989-03-20 Fujitsu Ltd Emitter follower circuit
FR2628228B1 (de) * 1988-03-04 1990-09-14 Thomson Composants Milit Spaci
US5089789A (en) * 1990-05-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Differential amplifier
US5304869A (en) * 1992-04-17 1994-04-19 Intel Corporation BiCMOS digital amplifier
US5315179A (en) * 1992-09-28 1994-05-24 Motorola, Inc. BICMOS level converter circuit

Also Published As

Publication number Publication date
IT8922474A0 (it) 1989-11-22
US5077489A (en) 1991-12-31
EP0429829A3 (en) 1992-05-06
JP3105535B2 (ja) 2000-11-06
EP0429829B1 (de) 1997-04-09
EP0429829A2 (de) 1991-06-05
JPH03226003A (ja) 1991-10-07
IT1236879B (it) 1993-04-26
USRE35434E (en) 1997-01-28
KR0159092B1 (ko) 1999-03-20
DE69030427D1 (de) 1997-05-15
KR910010872A (ko) 1991-06-29
IT8922474A1 (it) 1991-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69030427T2 (de) Elektronische Komparatorschaltung
DE2901727C2 (de)
DE3751661T2 (de) Operationelle Verstärkerschaltung mit breitem Betriebsbereich
DE2555297C2 (de) Digitalschaltung mit Feldeffekttransistoren
EP0353508B1 (de) ECL-CMOS-Wandler
DE2751881A1 (de) Monolithische digitale halbleiterschaltung mit mehreren bipolartransistoren
DE1948850A1 (de) Differenzverstaerker
DE2430126A1 (de) Hybride transistorschaltung
DE3686431T2 (de) Schaltung zur detektion eines automatischen verstaerkungsregelungssignals.
DE10154170A1 (de) Differentialverstärker konstanter Transkonduktanz
DE69114079T2 (de) Konstantstromquellenschaltung vom Stromspiegeltyp mit geringer Abhängigkeit von der Versorgungsspannung.
DE3236334C2 (de) Verstärkungsschaltung
DE2207233B2 (de) Elektronischer Signal verstärker
DE69114408T2 (de) Konstantspannungserzeugungsschaltung.
DE2311453A1 (de) Stabiler strombezugsschaltkreis
DE2702022A1 (de) Verstaerkerschaltung
DE2416534A1 (de) Komplementaer-symmetrische verstoerkerschaltung
DE1939804B2 (de) Verstaerker mit zei transistoren
DE4308518C2 (de) BiMOS-Verstärker
DE3486360T2 (de) Differentialschalter.
DE19620839C2 (de) Operationsverstärker
EP1523703B1 (de) Bandabstands-referenzschaltung
DE3407200A1 (de) Anordnung zum liefern von differenzausgangssignalen in abhaengigkeit von einem ausgewaehlten differenzeingangssignal
DE3210661A1 (de) Verstaerker
EP0237086B1 (de) Stromspiegelschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee