DE2702022A1 - Verstaerkerschaltung - Google Patents
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Description
PATENTANWÄLTE 27Π2022
kuhnen&wackerschne9gstr**positach
Nippon Gakki Seizo 16 NG 0101 3
Kabushiki Kaisha
10-1, Nakazawa-cho, Hamamatsu-shi,
Shizuoka-ken, Japan 13. '·
Verstärkerschaltung
Die Erfindung betrifft ein. > Verstärkerschaltung gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
Eine solche Verstärkerschaltung weist beispielsweise ein paar von
kaskodenförmig verbundenen Transistoren auf, bei welchen die Basis
des ersten Transistors mit einem Eingangsanschluß verbunden ist. Der Emitter des Transistors ist über einen Widerstand geerdet und
der Kollektor ist mit dem Emitter des zweiten Widerstandes verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors ist mit einem Ausgangsanschluß
und mit einer Spannungsquelle über einen Widerstand verbunden. Die Basis des zweiten Transistors soll gemäß der Erfindung
Ober einen Vorspannungsschaltkreis mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden werden. Der Spannungsabfall zwischen dem Kollektor
und dem Emitter des ersten Transistors kann dann unabhängig von der Eingangssignalspannung konstantgehalten werden. Daher kann die
Verstärkerschaltung gemäß der Erfindung mit einer sehr geringen Deformation der Signalwellenform arbeiten. Dies wird nachfolgend
noch genauer beschrieben.
Eine Verstärkerschaltung, wie z. B. ein Kaskodeverstärker besteht
aus einem Paar kaskodenförmig verbundener Transistoren, bei wel-
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eher ein Transistor der zweiten Stufe eine geringe lJingangsimpedanz
aufweist und dessen Basiselektrode geerdet ist. Ein solcher Transistor wirkt als Last für einen Transistor der ersten
Stufe, welcher eine geerdete Emitterelektrode aufweist, so daß dadurch ein stabiler Verstärker geschaffen werden kann und eine
bessere Frequenzcharakteristik erhalten wird. Demgemäß werden Kaskodeverstärker weitverbreitet insbesondere bei Hochfrequenzverstärkern
in einem frequenzmodelierten Tuner oder dgl. verwendet.
In Fig. 1 ist dazu ein bekannter Kaskodeverstärker dargestellt, welcher einen für den Empfang von Eingangssignalen geeigneten
Eingangsanschluß 10, einen Ausgangsschluß 12, eine erste Transistorstufe
14 mit geerdeter Emitterelektrode, eine zweite Transistorstufe 15 mit geerdeter Basiselektrode und eine Vorspannungsquelle 16 aufweist, welche die Spannung E besitzt und zwischen
die Basiselektrode des Transistors 15 und die Erde geschaltet ist. Die Emitterelektrode des Transistors 14 ist über einen Emitterwiderstand
18 der Erde verbunden, während die Kollektorelektrode des Transistors 15 mit einem positiven Anschluß 21 einer Spannungs·
quelle mit der Spannung +V über einen Kollektorwiderstand 19 und mit dem Ausgangsanschluß 12 verbunden ist. Der Kollektorstrom I-,
des Transistors 15 ist durch einen Pfeil in Stromrichtung dargestellt. Die Vorspannungsquelle 16 weist eine Spannung in der Art
auf, daß die Basiselektrode der zweiten Transistorstufe 15 geerdet wird und daß ein genügend breiter, dynamischer Bereich zur Zeit
einer großen Amplitude geschaffen wird und zur Zeit der Änderung der Spannung von der Spannungsquelle.
Bei dem oben beschriebenen Kaskodeverstärker wird das an den Eingangsanschluß
10 angelegte Eingangssignal durch den ersten und zweiten Transistor 14 bzw. 15 verstärkt, um ein verstärktes Aus-
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gangssignal am Ausgangsanschluß 12 zu erhalten.
Dabei entsteht folgendes Verhältnis zwischen der Basis-Emitter-Spanrung
V . des Transistors 15, der Kollektor-Emitter-Spannung VCE1 ^es Trans^-Stors 14, dem Widerstand R„ des Emitterwiderstandes
18, des Kollektorstromes I_, und der Spannung der Spannungsquelle
E.
E - VBE2 + VCE1 + VE (1)
VCE1 = E - VBE2 - 1C1^E (2)
Da V_ 2 des Transistors 15 und die Spannung E der Vorspannungsquelle 16 als im wesentlichen als konstant betrachtet werden können,
kann die Änderung V__., der Kollektor-Emitter-Spannung V01,,
der ersten Transistorstufe 14, wenn der Kollektorstrom Ic in Abhängigkeit
von dem Eingangssignal variiert durch die Gleichung (2) wie folgt abgeleitet werden:
VCE1 = " V1Ss (3)
Aus dieser Gleichung ist zu erkennen, daß bei dem bekannten Kaskodetransistorverstärker
die durch den Emitterwiderstand 18 gelieferte Stromrückkopplungspannung direkt die Änderung der Kollektor-Emitter-Spannung
ν,,-,, der ersten Transistorstufe 14 bewirkt.
Dies bedeutet, daß der Lastwiderstand (der Emitterwiderstand 18 kann als Lastwiderstand betrachtet werden) der ersten Transistorstufe
vergrößert wird. Demgemäß ist die Deformation des Ausgangssignals bei dem bekannten Kaskodeverstärker groß. Weiterhin wird
bei einem mit einer großen Amplitude zu verstärkendem Signal notwendig, daß die Spannung der Quelle 16 aus den folgenden Gründen
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vergrößert werden muß. In Abhängigkeit vom Eingangssignal steigt
das Emitterpotential des Transistors 14 an und die Kollektorspannung des Transistors 14 muß dabei höher sein als die Emitterspannung. Demgemäß sollte die Spannung 16 höher als die Emitterspannung sein. Aus diesem Grund ist es notwendig die Quellenspannung E
für ein Eingangssignal mit einer großen Amplitude zu vergrößern. Wenn jedoch die Quellenspannung vergrößert wird, steigt die Kollektor-Emitter-Spannung V1 der ersten Transistorstufe 14 beim
Fehlen der Eingangsspannung an, woraus sich ergibt, daß der Verlust (VpEi * Ip) des Transistors 14 ansteigt.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Verstärkerschaltung der im
Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art so zu schaffen, daß eine stabile Arbeitsweise, verstärkte Signale mit einer geringen Wellendeformation, und ein geringer Verlust erreicht werden und daß es nicht
notwendig ist die Vorspannung unabhängig von der Eingangssignalspannung zu variieren.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale
gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen .
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung wird daher eine Verstärkerschaltung geschaffen, welche erste und zweite kaskodenförmig
miteinander verbundene Halbleiterelemente mit der Anschlüssen aufweist, wobei der erste Anschluß des ersten Elementes mit einem
Signaleingangsanschluß verbunden ist und der zweite Anschluß des ersten Elementes über einen Widerstand geerdet ist. Der dritte Anschluß des ersten Elementes wird mit dem zweiten Anschluß des zweiten Elementes und der dritte Anschluß des zweiten Elementes wird
mit einer Spannungsquelle über einen Widerstand und mit einem Ausgangsanschluß verbunden. Kennzeichnenderweise wird der erste Anschluß des zweiten Elementes mit dem zweiten Anschluß dee ersten
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Elementes über einen Vorspannungsschaltkreis verbunden.
Nach einem weiteren Aspekt dieser Erfindung ist ein Verstärkerpaar
vorgesehen, von denen jedes erste und zweite kaskodeförmig verbundene aktive Halbleiterelemente mit drei Anschlüssen aufweist.
Der erste Anschluß des ersten Elementes der ersten bzw. zweiten Verstärker ist jeweils mit einem anderen Signaleingangsanschluß
verbunden. Die zweiten Anschlüsse der ersten Elemente der ersten und zweiten Verstärker sind gemeinsam mit einer konstanten
Stromquelle verbunden. Die dritten Anschlüsse der ersten Elemente der ersten bzw. zweiten Verstärker sind mit den zweiten
Anschlüssen der zweiten Elemente der ersten und zweiten Verstärker
verbunden. Die ersten Anschlüsse der zweiten Elemente der ersten und zweiten Verstärker sind mit den zweiten Anschlüssen der
ersten Elemente über einen Vorspannungsschaltkreis verbunden. Die dritten Anschlüsse der zweiten Elemente der ersten bzw. zweiten
Verstärker sind über Widerstände mit einer Spannungsquelle verbunden.
Der dritte Anschluß des zweiten Elementes des zweiten Verstärkers ist mit einem Ausgangsanschluß verbunden. Durch obige Schaltung
wird aus dem Verstärkerpaar ein Differentialverstärker gebildet.
Nachfolgend sind weitere Vorteile der Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen
und den zugehörigen Zeichnungen näher beschrieben. Darin zeigt:
Fig. 1 die Schaltung eines bekannten Kaskodentransistorverstärkers;
Fig. 2 die Schaltung eines gemäß der Erfindung verbesserten Kaskodentransistorsverstärkers;
Fig. 3 und 4 andere Ausführungsformen der Erfindung;
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IO
Fig. 5 die Schaltung eines DiffGrenzverstärkers bei welchem
der Kaskodenverstärker gemäß der Erfindung verwendet wird; und
Fig. 6 und 7 die Schaltungen anders aufgebauter Differenzverstärker,
welche die Kaskodenverstärker gemäß der Erfindung verwenden.
Die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 2 dargestellt.
Eine Spannungsquelle 30 ist dabei mit der Emitterelektrode einer ersten Transistorstufe 31 und der Basiselektrode einer zweiten
Transistorstufe 32 verbunden. Die Kollektorelektrode der ersten Transistorstufe 31 ist mit der Emitterelektrode der zweiten Transistorstufe
32 verbunden. Die Emitterelektrode der ersten Transistorstufe 31 ist über einen Emitterwiderstand 34 geerdet und die Basiselektrode
der ersten Transistorstufe 31 ist mit einem Eingangsanschluß 35 verbunden. Die Kollektorelektrode der zweiten Transistorstufe
32 ist sowohl mit einem Ausgangsanschluß 36 als auch mit einem positiven Anschluß 31 einer Spannung +V verbunden. Die Kollektor-Emitter-Spannung
V-^1 der ersten Transistorstufe 31 unu die
Basis-Emitter-Spannung V2 der zweiten Transistorstufe 32 werden
durch eine Vorspannungsquelle 30 mit einer Spannung E* versorgt.
Bei dem so aufgebauten Kaskodenverstärker kann die Spannung E1 der
Vorspannungsquelle 30 durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:
E' = EBE2 + VCE1
V = E · - V
VCE1 Λ VBE2 '
VCE1 Λ VBE2 '
daraus ergibt sich, daß die Kollektor-Emitter-Spannung VCE1 der
ersten Transistorstufe 31 auch dann konstant ist, wenn der Kollektorstrom
I_ in Abhängigkeit vom Eingangssignal variiert. Mit anderen Worten bedeutet dies, daß die Betriebsweise der ersten Tran-
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- ψ - M
sistorstufe 31 nicht durch eine Änderung des Spannungsabfalls
über dem Emitterwiderstand beeinflußt wird, wobei die Änderung des Spannungsabfalls durch eine Veränderung des Kollektorstroms I_ verursacht wird. Weiterhin wird die Lastimpedanz der ersten Transistorstufe 31 durch die V2 "1C- Charakteristik und die Charakteristik der konstanten Spannungsquelle bestimmt und nur ein wenig durch die Veränderung des Kollektorstroms I_ beeinflußt, wobei eine stabile Verstärkungsfunktion aufrechterhalten bleibt. Desweiteren ist möglich, den Spannungsabfall der ersten Transistorstufe 31 durch eine richtige Spannungsbemessung zu vermindern. Dies kann z. B. durch folgende Spannungswahl erreicht werden: ν__. » 0,6 Volt, V__o = 0,6 Volt und E1 =1,2 Volt.
über dem Emitterwiderstand beeinflußt wird, wobei die Änderung des Spannungsabfalls durch eine Veränderung des Kollektorstroms I_ verursacht wird. Weiterhin wird die Lastimpedanz der ersten Transistorstufe 31 durch die V2 "1C- Charakteristik und die Charakteristik der konstanten Spannungsquelle bestimmt und nur ein wenig durch die Veränderung des Kollektorstroms I_ beeinflußt, wobei eine stabile Verstärkungsfunktion aufrechterhalten bleibt. Desweiteren ist möglich, den Spannungsabfall der ersten Transistorstufe 31 durch eine richtige Spannungsbemessung zu vermindern. Dies kann z. B. durch folgende Spannungswahl erreicht werden: ν__. » 0,6 Volt, V__o = 0,6 Volt und E1 =1,2 Volt.
In den Fig. 3 und 4 sind andere Ausführungsformen der Erfindung dargestellt. In Fig. 3 ist das Beispiel eines Schaltkreises dargestellt,
bei welchem der Spannungsabfall in Durchlaßrichtung von Dioden 41 und 42 als Vorspannungsquelle 30 gemäß Fig. 3 verwendet
wird. Die übrigen Elemente die der Schaltung gemäß Fig. 2 entsprechen, sind mit den gleichen Bezugszeichen beziffert. Die Basiselektrode
der zweiten Transistorstufe 32 ist dabei mit dem positiven Anschluß 39 der Spannungsquelle +V über einen Basiswiderstand
43 verbunden. Ferner ist die Basiselektrode der zweiten Transistorstufe 32 mit der Emitterelektrode der ersten Transistorstufe
31 über die seriell miteinander verbundenen Dioden 41 und 42 verbunden,
wobei sich die polrichtige Verbindung aus Fig. 3 ergibt.
In Fig. 4 wird der Spannungsabfall über einen Widerstand 46 als
Spannungsquelle 30 gemäß Fig. 2 verwendet, wobei der Widerstand in Serie mit einer konstanten Stromquelle 45 liegt. Die übrigen
Elemente, welche der Schaltung gemäß Fig. 2 entsprechen, sind wiederum mit den gleichen Bezugszeichen versehen. In der Schaltung
gemäß Fig. 4 ist die Basiselektrode der zweiten Transistorstufe 32 mit dem positiven Anschluß 39 der Spannungsquelle +V
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über die konstante Stromquelle 45 verbunden. Ferner ist die Basiselektrode der zweiten Transistorstufe 32 mit der Emitterelektrode
der ersten Transistorstufe 31 über den Widerstand 46 verbunden.
Die Kaskodenverstärker gemäß Fig. 3 und 4 arbeiten in der gleichen Weise wie der in Fig. 2 dargestellte Kaskodenverstärker. Daher wird die Funktion der ersten und zweiten Transistorstufe 31
bzw. 32 nicht durch den Spannungsabfall über den Emitterwiderstand
34 beeinflußt, welcher durch die Veränderung des Kollektorstrome I-bewirkt wird. Darüberhinaus wird die Lastimpedanz in der ersten
Transistorstufe durch die konstante Spannungscharakteristik der zweiten Transistorstufe 32 derart bestimmt, daß es möglich ist,
nicht nur die durch die Veränderung des Kollektorstroms I„ verursachte Wirkung zu vermindern, sondern auch daß der Verlust in der
ersten Transistorstufe 31 vermindert wird.
Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen der Kaskodenverstärker sind NPN -bipolare Transistoren verwendet und dargestellt worden. Es ist jedoch auch möglich PNP-bipolare Transistoren oder
Feldeffekttransistoren (FET) zu verwenden. Gewünschtenfalls können auch Transistoren verschiedener Typen bei der Bildung eines
Kaskodenverstärkers kombiniert werden. In jedem Fall sind die Funktionen der Verstärker ähnlich jener dargestellten Verstärker.
Gemäß der obigen Beschreibung der Kaskodenverstärker ist es möglich, eine stabile Verstärkung mit einer einfachen Konstruktion
zu schaffen. Darüberhinaus wird die Funktion des Verstärkers nicht durch die Änderung des Spannungsabfalls über dem Emitterwiderstand
beeinflußt, welche durch eine Änderung des KollektorStroms bewirkt
wird, wodurch eine sichere, stabile und genaue Funktion erreicht wird.
In den Fig. 5 bis 7 sind Beispiele von Differenzverstärkern dargestellt, welche Kaskodenverstärker gemäß der Erfindung verwenden.
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/J
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 sind zwei Satz von Kaskodenverstärkern durch vier miteinander verbundenen N-Kanal Feldeffekttransistoren 50, 51 und 52, 53 gebildet und die Kaskodenverstärker
sind zu einem Differenzverstärker zusammengeschaltet. Die Source-Elektroden der Transistoren 50 und 52 sind gemeinsam mit den negativen Anschlüssen 55 einer Spannungsquelle -V über einen, einen
konstanten Strom liefernden Schaltkreis 54 verbunden, während die Gate-Elektroden dieser Transistoren über die Widerstände 57 bzw.
geerdet sind. Ferner führen die Gate-Elektroden zu Eingangsanschlüssen 59 und 60. An den Eingangsanschluß 59 wird ein Eingangssignal
angelegt, während an den Eingangsanschluß 60 ein negatives Rückkopplungssignal angelegt, welches z. B. von einer nachfolgenden
Verstärkerstufe kommt (wobei der in Fig. 5 dargestellte Schaltkreis als Tonfrequenzverstärker verwendet wird). Ein Widerstand 62 liegt
zwischen den gemeinsam miteinander verbundenen Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren 51 und 53 und den gemeinsam miteinander verbundenen Source-Elektroden der Feldeffekttransistoren 50 und 52.
Die Drain-Elektrode des FeldfCransistors 51 ist mit dem positiven
Anschluß 64 einer Spannungsquelle +V über einen Widerstand 63 verbunden, während die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors 53
mit demselben Anschluß über einen Widerstand 65 verbunden ist. Ein
Ausgangsanschluß 67 liegt an der Verbindung zwischen dem Widerstand
65 und der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors 53.
Der bei diesem Schaltkreis verwendete Widerstand 62 entspricht in
seiner Funktion der Spannungsquelle 30 gemäß Fig. 2, so daß das Gate-Potential des Feldeffekttransistors 51 und 53 dem Eingangssignal folgt. Als eine Folge daraus wird vermieden, daß die Potentialdifferenz zwischen den Source-Elektroden der Feldeffekttransistoren 50 und 52 und den Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren 50 und 53 durch die Amplitude des Eingangssignals
variiert. Mit anderen Horten wird erreicht, daß jede Drain-Source-Spannung der Feldeffekttransistoren 50 und 52 konstant ist.
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In der Ausführungsform gemäß Fig. 6 sind die Feldeffekttransistoren
51 und 53 gemäß Fig. 5 durch NPN-bipolare Transistoren
70 und 71 ersetzt worden. Ein konstanter Strom fließt durch einen Widerstand 62 von dem positiven Anschluß 64 der Spannungsquelle +V über eine konstante Stromquelle 73, wodurch eine konstante
Spannung erzeugt wird, welche bewirkt, daß die Drain-Source-Spannung
der Feldeffekttransistoren 50 und 52 und die Basis-Emitter-Vorspannung
der Transistoren 70 und 71 gleichbleibt. Daher ist es möglich, die Feldeffekttransistoren 50 und 52 auf
optimale Arbeitspunkte einzustellen und dadurch wird der Freiheitsgrad zum Wählen der Arbeitspunkte der Transistoren 70 und
71 vergrößert.
In der Ausführungsform gemäß Fig. 7 sind in Fig. 5 dargestellten
Feldeffekttransistoren 50 und 52 durch NPN-bipolare Transistoren 74 und 75 ersetzt worden. Bei dieser Schaltung ist ein Ausgangssignal
zwischen den Anschlüssen 67 und 77 abnehmbar. Der Ausgangsanschluß 77 ist mit der Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors
51 verbunden. In gleicher Weise wie in Fig. 6 fließt für die Aufrechterhaltung der Kollektor-Emitter-Spannung an den Transistoren
74 und 75 und der Gate-Source-Spannung der Feldeffekttransistoren
bei optimalen Arbeitspunkten ein konstanter Strom durch den Widerstand 62 von dem positiven Anschluß 64 der Spannungsquelle +V über
eine konstante Stromquelle 76, wobei ständig ein konstanter Spannungsabfall über dem Widerstand 62 erzeugt wird. Die übrigen Funktionen
sind ähnlich wie bei der Schaltung gemäß Fig. 5.
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Claims (14)
1. Verstärkerschaltung mit zwei kaskodenförmig verbundenen Halbleiterelement
en, welche drei Anschlüsse aufweisen, bei welcher der erste Anschluß des ersten Elementes mit einem Signaleingangsanschluß
verbunden ist, bei welcher der zweite Anschluß des ersten Elementes über einen Widerstand geerdet ist, bei welcher
der dritte Anschluß des ersten Elementes mit Jem zweiten Anschluß deο zweiten Elementes verbunden ist, bei welcher der
erste Anschluß des zweiten Elementes mit einer Vorspannung verbunden
ist und bei welcher der dritte Anschluß des zweiten Elementes mit einem Ausgangsanschluß über einen Widerstand mit einer
Spannungsquelle verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsquelle (30) mit dem ersten Anschluß (Basis)
des zweiten Elementes (32) und mit dem zweiten Anschluß (Emitter) des ersten Elementes (31) in einem Vorspannungsschaltkreis verbunden
ist.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der drei Anschlüsse aufweisenden Halbleiterelemente
jeweils aus einem bipolaren Transistor besteht.
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3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, d.. ' jedes der drei Anschlüsse aufweisenden Halbleiterelemente
jc.eils aus einem Feldeffekttransistor besteht.
4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eines der drei Anschlüsse aufweisenden Halbleiterelementes aus einem bipolaren Transistor und das andere Element aus einem
Feldeffekttransistor besteht.
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anschluß des bipolaren Transistors mit einem Eingangsanschluß (59) und ein Anschluß des Feldeffekttransistors (51)
mit einem Ausgangsanschluß (77) verbunden ist.
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anschluß des Feldeffekttransistors (50) mit dem Eingangsanschluß
(59) verbunden ist und daß ein Anschluß des bipolaren Transistors (71) mit dem Ausgangsanschluß (67) verbunden
ist.
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorspannungsschaltkreis Dioden (41, 42) aufweist, welche
durch die Spannungsquelle gespeist sind.
8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorspannungsschaltkreis einen Widerstand (46) aufweist,
welcher mit der Spannungsquelle über eine konstante Stromquelle (45) verbunden ist.
9. Verstärkerschaltung, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verstärkerpaar
(50, 51; 52, 53) jeweils aus ersten und zweiten kaskodenförmig verbundenen, aktiven Halbleiterelementen mit drei
Anschlüssen besteht, bei welchen die ersten Anschlüsse der er-
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27Π2Π22
sten bzw. zweiten Verstärker an verschiedenen Signaleingangsanschlüssen
anliegen und daß die zweiten Anschlüsse der ersten Elemente des ersten und zweiten Verstärkers gemeinsam mit einer
konstanten Si-annungsquelle verbunden sind und da:1, die dritten
Anschlüsse der ersten Elemente mit den ersten bzw. zweiten Verstärkern mit den zweiten Anschlüssen der zweiten Elemente der
ersten bzw. zweicen Verstärker verbunden sind und daß die ersten Anschlüsse der zweiten Elemente der ersten und zweiten Verstärker
mit den zweiten Anschlüssen der ersten Elemente über einen Vorspannungsschaltkreis verbunden und daß die dritten Anschlüsse
der zweiten Elemente der ersten bzw. zweiten Verstärker mit einer Spannungsquelle über Widerstände verbunden sind und daß
der dritte Anschluß des zweiten Elements des zweiten Verstärkers mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist, so daß das Verstärkerpaar
einen Differenzverstärker bildet.
10. Verstärkerschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Anschlüsse aufweisenden aktiven Halbleiterelemente
bipolare Transistoren sind.
11. Verstärkerschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Anschlüsse aufweisenden, aktiven Halbleiterelemente
Feldeffekttransistoren sind.
12. Verstärkerschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eines der drei Anschlüsse aufweisenden Halbleiterelementes
eines jeden Verstärkers einen bipolaren Transistor und das andere einen Feldeffekttransistor aufweist.
13. Verstärkerschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorspannungsschaltkreis einen Widerstand aufweist.
- 4 709829/0956
14. Verstärkerschaltung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß ein zusätzlicher konstanter Stromschaltkreis vorgesehen ist, welcher zwischen die Spannungsquelle und die ersten Anschlüsse
der zweiten Elemente der ersten und zweiten Verstärker geschaltet ist.
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|---|---|---|---|
| JP1976003373U JPS5297046U (de) | 1976-01-19 | 1976-01-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8230 | Patent withdrawn |