RU2766861C1 - Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом - Google Patents

Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом Download PDF

Info

Publication number
RU2766861C1
RU2766861C1 RU2021126518A RU2021126518A RU2766861C1 RU 2766861 C1 RU2766861 C1 RU 2766861C1 RU 2021126518 A RU2021126518 A RU 2021126518A RU 2021126518 A RU2021126518 A RU 2021126518A RU 2766861 C1 RU2766861 C1 RU 2766861C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
additional
effect transistor
input
source
Prior art date
Application number
RU2021126518A
Other languages
English (en)
Inventor
Владислав Евгеньевич Чумаков
Алексей Арсеньевич Павлючик
Николай Николаевич Прокопенко
Илья Викторович Пахомов
Алексей Вадимович Кунц
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ)
Priority to RU2021126518A priority Critical patent/RU2766861C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2766861C1 publication Critical patent/RU2766861C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45376—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using junction FET transistors as the active amplifying circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах - активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п., в том числе работающих в условиях низких температур и воздействия радиации. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного ДУ и операционного усилителя на его основе, который за счет высокой самоустанавливающейся симметрии статического режима по токам стока и напряжениям затвор-сток применяемых полевых транзисторов обеспечивает малый уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению. Технический результат достигается за счет создания условий, при которых в цепи второго (4) токового выхода устройства обеспечивается полная взаимная компенсация статического тока цепи динамической нагрузки на третьем (18) дополнительном полевом транзисторе и тока стока второго (8) выходного полевого транзистора. Данное условие выполняется путем специального построения токостабилизирующего двухполюсника (9) общей истоковой цепи первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов, реализованного на первом (16) и втором (17) дополнительных полевых транзисторах, а также такого же построения источника опорного тока на пятом (25) дополнительном полевом транзисторе. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Предлагаемое изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах - активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п., в том числе работающих в условиях низких температур и воздействия радиации.
В современной микроэлектронике достаточно перспективны архитектуры операционных усилителей (ОУ), содержащие каскадный входной дифференциальный усилитель (ДУ) [1-19]. Это одно из перспективных направлений аналоговой схемотехники, позволяющее схемотехническим путем устранить ряд недостатков используемых транзисторов.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является схема ДУ-прототипа фиг. 1, которая одновременно присутствует в нескольких патентах: US 9.167.327, 2015 г., US 9.888.315, 2018 г., US 9.668.045, 2017 г. ДУ-прототип содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства, первый 5 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, первый 7 выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку первого 5 входного полевого транзистора, исток соединен со стоком первого 5 входного полевого транзистора, а сток подключен к первому 3 токовому выходу устройства, второй 8 выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку второго 6 входного полевого транзистора, исток соединен со стоком второго 6 входного полевого транзистора, а сток подключен ко второму 4 токовому выходу устройства, токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи 9 первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов, связанный с первой 10 шиной источника питания, первый 11, второй 12, третий 13, четвертый 14 вспомогательные резисторы, причем первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства согласованы со второй 15 шиной источника питания.
Существенный недостаток ДУ-прототипа состоит в том, что при его использовании в ОУ не обеспечиваются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм) и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению (К0).
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного ДУ и операционного усилителя на его основе, который за счет высокой самоустанавливающейся симметрии статического режима по токам стока и напряжениям затвор-сток применяемых полевых транзисторов обеспечивает малый уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению.
Поставленная задача достигается тем, что в ДУ фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства, первый 5 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, первый 7 выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку первого 5 входного полевого транзистора, исток соединен со стоком первого 5 входного полевого транзистора, а сток подключен к первому 3 токовому выходу устройства, второй 8 выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку второго 6 входного полевого транзистора, исток соединен со стоком второго 6 входного полевого транзистора, а сток подключен ко второму 4 токовому выходу устройства, токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи 9 первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов, связанный с первой 10 шиной источника питания, первый 11, второй 12, третий 13, четвертый 14 вспомогательные резисторы, причем первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства согласованы со второй 15 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи – токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи 9 первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов выполнен в виде первого 16 и второго 17 дополнительных полевых транзисторов, стоки которых соединены с объединенными истоками первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов, затвор первого 16 дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком через первый 11 вспомогательный резистор и связан с первой 10 шиной источника питания, затвор второго 17 дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком через второй 12 вспомогательный резистор и связан с первой 10 шиной источника питания, второй 4 токовый выход устройства соединен с затвором третьего 18 дополнительного полевого транзистора, сток которого согласован со второй 15 шиной источника питания, а исток соединен со вторым 4 токовым выходом устройства через третий 13 вспомогательный резистор, исток третьего 18 дополнительного полевого транзистора соединен с первым 19 управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника 20, второй управляющий вход которого 21 подключен к источнику напряжения смещения 22, а токовый выход 23 дополнительного усилительного трехполюсника 20 связан с дополнительным токовым выходом устройства 24, причем дополнительный токовый выход устройства 24 соединен со стоком пятого 25 дополнительного полевого транзистора, затвор которого соединен с первой 10 шиной источника питания и подключен к его истоку через четвертый 14 вспомогательный резистор.
На фиг. 1 представлена схема ДУ-прототипа, которая одновременно присутствует в нескольких патентах: US 9.167.327, 2015 г., US 9.888.315, 2018 г., US 9.668.045, 2017 г.
На фиг. 2 приведена схема заявляемого ДУ и операционного усилителя на его основе в соответствии с п.1, п. 2 и п.4 формулы изобретения.
На фиг. 3 приведена схема заявляемого ДУ и операционного усилителя на его основе в соответствии с п.3 формулы изобретения.
На фиг. 4 показана схема ДУ фиг.2 и операционного усилителя на его основе в среде LTspice на моделях GaAs полевых и GaAs биполярных транзисторов Минского научно-исследовательского института радиоматериалов при R1÷R4 = 19 кОм, V1= 5 В, C1=3пФ, Eп=±10 В.
На фиг. 5 приведена амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) ОУ фиг.4 в среде LTspice на моделях GaAs полевых и GaAs биполярных транзисторов при R1÷R4 = 19 кОм, V1= 5 В, C1=3пФ, Eп=±10 В.
Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства, первый 5 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, первый 7 выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку первого 5 входного полевого транзистора, исток соединен со стоком первого 5 входного полевого транзистора, а сток подключен к первому 3 токовому выходу устройства, второй 8 выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку второго 6 входного полевого транзистора, исток соединен со стоком второго 6 входного полевого транзистора, а сток подключен ко второму 4 токовому выходу устройства, токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи 9 первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов, связанный с первой 10 шиной источника питания, первый 11, второй 12, третий 13, четвертый 14 вспомогательные резисторы, причем первый 3 и второй 4 токовые выходы устройства согласованы со второй 15 шиной источника питания. Токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи 9 первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов выполнен в виде первого 16 и второго 17 дополнительных полевых транзисторов, стоки которых соединены с объединенными истоками первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов, затвор первого 16 дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком через первый 11 вспомогательный резистор и связан с первой 10 шиной источника питания, затвор второго 17 дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком через второй 12 вспомогательный резистор и связан с первой 10 шиной источника питания, второй 4 токовый выход устройства соединен с затвором третьего 18 дополнительного полевого транзистора, сток которого согласован со второй 15 шиной источника питания, а исток соединен со вторым 4 токовым выходом устройства через третий 13 вспомогательный резистор, исток третьего 18 дополнительного полевого транзистора соединен с первым 19 управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника 20, второй управляющий вход которого 21 подключен к источнику напряжения смещения 22, а токовый выход 23 дополнительного усилительного трехполюсника 20 связан с дополнительным токовым выходом устройства 24, причем дополнительный токовый выход устройства 24 соединен со стоком пятого 25 дополнительного полевого транзистора, затвор которого соединен с первой 10 шиной источника питания и подключен к его истоку через четвертый 14 вспомогательный резистор.
На фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, дополнительный усилительный трехполюсник 20 выполнен на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом 26, исток которого является первым 19 управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника 20, затвор соответствует второму управляющему входу 21 дополнительного усилительного трехполюсника 20, а сток является токовым выходом 23 дополнительного усилительного трехполюсника 20.
На фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, дополнительный усилительный трехполюсник 20 выполнен на биполярном транзисторе 27, эмиттер которого является первым 19 управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника 20, база соответствует второму управляющему входу 21 дополнительного усилительного трехполюсника 20, а коллектор является токовым выходом 23 дополнительного усилительного трехполюсника 20.
На фиг. 2 и фиг. 3, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, дополнительный токовый выход устройства 24 связан со входом дополнительного буферного усилителя 28, выход которого 29 является потенциальным выходом устройства.
Для обеспечения устойчивости ОУ фиг. 2 и фиг. 3 в ряде случаев необходимо включение корректирующего конденсатора 30. На фиг. 2 и фиг. 3 входной каскадный дифференциальный каскад, включающий первый 5, второй 6 входные, а также третий 7 и четвертый 8 выходные полевые транзисторы, обозначен как функциональный узел 31.
Рассмотрим работу ОУ фиг. 2.
Основная особенность схемы ОУ фиг. 2 состоит в создании условий, при которых в цепи второго 4 токового выхода устройства обеспечивается полная взаимная компенсация статического тока цепи динамической нагрузки на третьем 18 дополнительном полевом транзисторе и тока стока второго 8 выходного полевого транзистора. Данное условие выполняется путем специального построения токостабилизирующего двухполюсника 9 общей истоковой цепи первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов, реализованного на первом 16 и втором 17 дополнительных полевых транзисторах, а также такого же построения источника опорного тока на пятом 25 дополнительном полевом транзисторе.
При идентичных резисторах и одинаковых стоко-затворных характеристиках применяемых полевых транзисторов выходной ток ошибки в цепи дополнительного токового выхода устройства 24 равен нулю (ΔI24=0). Как следствие, систематическая составляющая напряжения смещения нуля ОУ на основе заявляемого дифференциального усилителя близка к нулю.
Разомкнутый коэффициент усиления по напряжению ОУ фиг. 2 определяется следующим уравнением
Figure 00000001
(1)
где Ri24 – эквивалентное выходное сопротивление в цепи дополнительного токового выхода 24.
Figure 00000002
– крутизна преобразования входного дифференциального напряжения ОУ фиг. 2 в ток дополнительного токового выхода 24.
Причем
Figure 00000003
(2)
где
Figure 00000004
– коэффициент внутренней обратной связи третьего 18 дополнительного полевого транзистора в схеме с общим затвором;
S5-6=S5=S6 – крутизна стоко-затворной характеристики первого 5 и второго 6 входных полевых транзисторов;
R13 - сопротивление третьего 13 вспомогательного резистора;
S18 – крутизна стоко-затворной характеристики третьего 18 дополнительного полевого транзистора в рабочей точке;
R19 – входное сопротивление дополнительного усилительного трехполюсника 20 по первому 19 управляющему входу.
Численные значения Ri24 определяются параллельным включением сопротивления R25 цепи динамической нагрузки на пятом 25 дополнительном полевом транзисторе и выходного сопротивления R20 дополнительного усилительного трехполюсника 20.
Таким образом, заявляемое устройство и его схема включения в операционном усилителе имеют высокие обобщенные показатели качества: улучшенные Uсм и К0. При использовании СJFET транзисторов обеспечивается высокая радиационная стойкость, криогенный диапазон температур и экстремально низкий уровень шумов.
Предлагаемый ДУ и операционный усилитель на его основе имеет существенные преимущества в сравнении с прототипом и может быть рекомендован для практического использования в космическом приборостроении и физике высоких энергий.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 9.167.327, 2015 г.
2. Патент US 9.888.315, 2018 г.
3. Патент US 9.668.045, 2017 г.
4. Патент RU 2710296, 2019 г.
5. Авт.св. СССР 537435, 1976 г.
6.Патентная заявка RU 2020134402, 2020 г.
7. Патент US 5.291.149, fig. 3, 1994 г.
8. Патент RU 2679970, fig. 2, 2019 г.
9. Патент RU 2624565, fig. 1, 2016 г.
10. Патент RU 2571399, fig. 2, 2014 г.
11. Авт.св. СССР 437193, 1972 г.
12. Патентная заявка US 2006/01255222, 2006 г.
13. Патент US 4.121.169, fig. 5, fig. 6, 1978 г.
14. Патент US 9.668.045, 2017 г.
15. Патент US 9.888.315, 2018 г.
16. Патент US 9.167.327, 2015 г.
17. Патент EP 0293488, fig. 1, 1988 г.
18. Патент US 5.166.553, fig. 14, 1992 г.
19. Shur, Michael S., “GaAs Devices and Circuits”, Springer Science+Business Media, New York, 1987, 677 p. DOI 10.1007/978-1-4899-1989-2.

Claims (4)

1. Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) токовые выходы устройства, первый (5) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, второй (6) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, первый (7) выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку первого (5) входного полевого транзистора, исток соединен со стоком первого (5) входного полевого транзистора, а сток подключен к первому (3) токовому выходу устройства, второй (8) выходной полевой транзистор, затвор которого подключен к истоку второго (6) входного полевого транзистора, исток соединен со стоком второго (6) входного полевого транзистора, а сток подключен ко второму (4) токовому выходу устройства, токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи (9) первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов, связанный с первой (10) шиной источника питания, первый (11), второй (12), третий (13), четвертый (14) вспомогательные резисторы, причем первый (3) и второй (4) токовые выходы устройства согласованы со второй (15) шиной источника питания, отличающийся тем, что токостабилизирующий двухполюсник общей истоковой цепи (9) первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов выполнен в виде первого (16) и второго (17) дополнительных полевых транзисторов, стоки которых соединены с объединенными истоками первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов, затвор первого (16) дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком через первый (11) вспомогательный резистор и связан с первой (10) шиной источника питания, затвор второго (17) дополнительного полевого транзистора соединен с его истоком через второй (12) вспомогательный резистор и связан с первой (10) шиной источника питания, второй (4) токовый выход устройства соединен с затвором третьего (18) дополнительного полевого транзистора, сток которого согласован со второй (15) шиной источника питания, а исток соединен со вторым (4) токовым выходом устройства через третий (13) вспомогательный резистор, исток третьего (18) дополнительного полевого транзистора соединен с первым (19) управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника (20), второй управляющий вход которого (21) подключен к источнику напряжения смещения (22), а токовый выход (23) дополнительного усилительного трехполюсника (20) связан с дополнительным токовым выходом устройства (24), причем дополнительный токовый выход устройства (24) соединен со стоком пятого (25) дополнительного полевого транзистора, затвор которого соединен с первой (10) шиной источника питания и подключен к его истоку через четвертый (14) вспомогательный резистор.
2. Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный усилительный трехполюсник (20) выполнен на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом (26), исток которого является первым (19) управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника (20), затвор соответствует второму управляющему входу (21) дополнительного усилительного трехполюсника (20), а сток является токовым выходом (23) дополнительного усилительного трехполюсника (20).
3. Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный усилительный трехполюсник (20) выполнен на биполярном транзисторе (27), эмиттер которого является первым (19) управляющим входом дополнительного усилительного трехполюсника (20), база соответствует второму управляющему входу (21) дополнительного усилительного трехполюсника (20), а коллектор является токовым выходом (23) дополнительного усилительного трехполюсника (20).
4. Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный токовый выход устройства (24) связан со входом дополнительного буферного усилителя (28), выход которого (29) является потенциальным выходом устройства.
RU2021126518A 2021-09-08 2021-09-08 Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом RU2766861C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021126518A RU2766861C1 (ru) 2021-09-08 2021-09-08 Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021126518A RU2766861C1 (ru) 2021-09-08 2021-09-08 Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2766861C1 true RU2766861C1 (ru) 2022-03-16

Family

ID=80736917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021126518A RU2766861C1 (ru) 2021-09-08 2021-09-08 Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2766861C1 (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4121169A (en) * 1976-01-19 1978-10-17 Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha Amplifier device
RU2421897C1 (ru) * 2010-03-24 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Управляемый комплементарный дифференциальный усилитель
RU2571399C1 (ru) * 2014-10-28 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Дифференциальный усилитель на основе радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса для работы при низких температурах
US9668045B1 (en) * 2009-10-09 2017-05-30 Rodger Cloud Integrated phantom-powered JFET circuit module in portable electronic device for creating hi-fidelity sound characteristics
RU2710296C1 (ru) * 2019-10-03 2019-12-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала
RU2710846C1 (ru) * 2019-08-21 2020-01-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4121169A (en) * 1976-01-19 1978-10-17 Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha Amplifier device
US9668045B1 (en) * 2009-10-09 2017-05-30 Rodger Cloud Integrated phantom-powered JFET circuit module in portable electronic device for creating hi-fidelity sound characteristics
RU2421897C1 (ru) * 2010-03-24 2011-06-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Управляемый комплементарный дифференциальный усилитель
RU2571399C1 (ru) * 2014-10-28 2015-12-20 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Дифференциальный усилитель на основе радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса для работы при низких температурах
RU2710846C1 (ru) * 2019-08-21 2020-01-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU2710296C1 (ru) * 2019-10-03 2019-12-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Garde Transconductance cancellation for operational amplifiers
RU2766861C1 (ru) Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
Rajendran et al. A research perspective on CMOS current mirror circuits: Configurations and techniques
RU2419196C1 (ru) Широкополосный дифференциальный усилитель
RU2595927C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2687161C1 (ru) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2792710C1 (ru) Многоканальный дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых и биполярных транзисторах
RU2766864C1 (ru) Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
RU2712411C1 (ru) Промежуточный каскад cjfet операционного усилителя с парафазным токовым выходом
RU2739577C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2784047C1 (ru) Быстродействующий двухтактный буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
RU2770915C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенной крутизной на полевых транзисторах
RU2767976C1 (ru) Арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности
RU2770912C1 (ru) Дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах
Prokopenko et al. Circuit Design of CJFET OPA Based on the Differential Stage with a Slope Multiplier
RU2766868C1 (ru) Арсенид-галлиевый буферный усилитель
RU2736085C1 (ru) Многоканальный преобразователь дифференциального напряжения в парафазные выходные токи на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2773907C1 (ru) Операционный усилитель на основе «перегнутого» каскода и комплементарных полевых транзисторов
RU2727704C1 (ru) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU2813140C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель
RU2784376C1 (ru) АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫЙ БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ОСНОВЕ n-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ И p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
RU2784666C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2814685C1 (ru) Арсенид-галлиевый операционный усилитель для работы в широком диапазоне температур
RU2786941C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах