RU2770916C1 - Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах - Google Patents
Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2770916C1 RU2770916C1 RU2021129224A RU2021129224A RU2770916C1 RU 2770916 C1 RU2770916 C1 RU 2770916C1 RU 2021129224 A RU2021129224 A RU 2021129224A RU 2021129224 A RU2021129224 A RU 2021129224A RU 2770916 C1 RU2770916 C1 RU 2770916C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- effect transistors
- current
- stabilizing
- input
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 99
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя, который обеспечивает малый уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению. Для этого в известный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах между объединенными истоками первого (4) и третьего (6) входных полевых транзисторов и второй (14) шиной источника питания включен третий (16) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, между объединенными истоками второго (5) и четвертого (7) входных полевых транзисторов и первой (10) шиной источника питания включен четвертый (17) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, причем выходные статические токи первого (11), второго (15), третьего (16) и четвертого (17) токостабилизирующих двухполюсников одинаковы в широком диапазоне внешних воздействий и изменении напряжений питания. 5 з.п. ф-лы, 7 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах (активных RC-фильтрах, нормирующих преобразователях и т.п.), работающих в условиях низких температур и воздействия радиации.
В современной микроэлектронике достаточно перспективны архитектуры операционных усилителей (ОУ) на основе полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (JFET) и КМОП транзисторов [1-12].
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является операционный усилитель [1] на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, представленный в статье фирмы Linear Integrated System (микросхемы LSK489/LSJ689; Dimitri Danyuk "Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board", Linear Integrated Systems, p. 1-17, США). Он содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, токовый выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с первым 1 входом устройства, третий 6 и четвертый 7 входные полевые транзисторы, затворы которых подключены ко второму 2 входу устройства, первый 8 выходной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 9 источником напряжения смещения, сток связан с токовым выходом 3 устройства, а исток подключён к первой 10 шине источника питания через первый 11 токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком третьего 6 входного полевого транзистора, второй 12 выходной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 13 источником напряжения смещения, сток подключен к токовому выходу 3 устройства, а исток связан со второй 14 шиной источника питания через второй 15 токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком четвертого 7 входного полевого транзистора, причем сток первого 4 входного полевого транзистора связан с первой 10 шиной источника питания, а сток второго 5 входного полевого транзистора связан со второй 14 шиной источника питания.
Существенный недостаток ОУ-прототипа состоит в том, что в нем не обеспечиваются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), а также повышенные значения коэффициента усиления по напряжению (К0).
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя, который обеспечивает малый уровень систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенные значения коэффициента усиления по напряжению, а также КМОП ОУ.
Поставленная задача достигается тем, что в ОУ фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, токовый выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с первым 1 входом устройства, третий 6 и четвертый 7 входные полевые транзисторы, затворы которых подключены ко второму 2 входу устройства, первый 8 выходной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 9 источником напряжения смещения, сток связан с токовым выходом 3 устройства, а исток подключён к первой 10 шине источника питания через первый 11 токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком третьего 6 входного полевого транзистора, второй 12 выходной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 13 источником напряжения смещения, сток подключен к токовому выходу 3 устройства, а исток связан со второй 14 шиной источника питания через второй 15 токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком четвертого 7 входного полевого транзистора, причем сток первого 4 входного полевого транзистора связан с первой 10 шиной источника питания, а сток второго 5 входного полевого транзистора связан со второй 14 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи – между объединенными истоками первого 4 и третьего 6 входных полевых транзисторов и второй 14 шиной источника питания включен третий 16 токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, между объединенными истоками второго 5 и четвертого 7 входных полевых транзисторов и первой 10 шиной источника питания включен четвертый 17 токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, причем выходные статические токи первого 11, второго 15, третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников одинаковы в широком диапазоне внешних воздействий и изменении напряжений питания.
На чертеже фиг. 1 представлена схема ОУ-прототипа, опубликованного в [1], а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого ОУ в соответствии с пп. 1, 2, 3, 4 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 показана схема заявляемого ОУ фиг. 2 в соответствии с пп. 5 и 6 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 4 показан пример построения заявляемого операционного усилителя фиг. 2 для случая, когда первый 8 и второй 12 выходные полевые транзисторы, первый 4, третий 6, второй 5 и четвертый 7 входные полевые транзисторы, а также полевые транзисторы в структуре третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников реализованы как каскодные составные транзисторы. При этом в данной схеме возможны и другие (разные) сочетания каскодных и некаскодных полевых транзисторов.
На чертеже фиг. 5 приведена схема заявляемого ОУ фиг. 2 спроектированного в программной среде LTSpice (Analog Device, США) на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом (CJFET, «Интеграл», г. Минск, Беларусь) при напряжении питания ± 5 В, температуре -197ºС и микроамперных статических токах JFET (28-65 мкА).
На чертеже фиг. 6 представлено компьютерное моделирование логарифмической амплитудно-частотной характеристики (ЛАЧХ) ОУ фиг. 5, где разомкнутый коэффициент усиления (К0) измерялся при t=0ºC; 27ºC; -197ºC.
На чертеже фиг. 7 приведена зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля ОУ рис. 5 от температуры в диапазоне от -197°C до 30°C.
Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, токовый выход 3 устройства, первый 4 и второй 5 входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с первым 1 входом устройства, третий 6 и четвертый 7 входные полевые транзисторы, затворы которых подключены ко второму 2 входу устройства, первый 8 выходной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 9 источником напряжения смещения, сток связан с токовым выходом 3 устройства, а исток подключён к первой 10 шине источника питания через первый 11 токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком третьего 6 входного полевого транзистора, второй 12 выходной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 13 источником напряжения смещения, сток подключен к токовому выходу 3 устройства, а исток связан со второй 14 шиной источника питания через второй 15 токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком четвертого 7 входного полевого транзистора, причем сток первого 4 входного полевого транзистора связан с первой 10 шиной источника питания, а сток второго 5 входного полевого транзистора связан со второй 14 шиной источника питания. Между объединенными истоками первого 4 и третьего 6 входных полевых транзисторов и второй 14 шиной источника питания включен третий 16 токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, между объединенными истоками второго 5 и четвертого 7 входных полевых транзисторов и первой 10 шиной источника питания включен четвертый 17 токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, причем выходные статические токи первого 11, второго 15, третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников одинаковы в широком диапазоне внешних воздействий и изменении напряжений питания.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, тип канала полевых транзисторов в структуре первого 11, второго 15, третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников соответствует типу канала второго 5 и четвертого 7 входных полевых транзисторов, а также первого 8 выходного полевого транзистора.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, первый 11, второй 15, третий 16 и четвертый 17 токостабилизирующие двухполюсники выполнены по идентичным схемам, каждая из которых содержит первый 18 вспомогательный полевой транзистор, между затвором и истоком которого включен первый 19 вспомогательный резистор.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, токовый выход устройства 3 связан со входом буферного усилителя 20, выход которого является потенциальным выходом устройства 21.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, тип канала полевых транзисторов в структуре первого 11, второго 15, третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников соответствует типу канала первого 4 и третьего 6 входных полевых транзисторов, а также второго 12 выходного полевого транзистора.
Кроме того, на чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, первый 11, второй 15, третий 16 и четвертый 17 токостабилизирующие двухполюсники выполнены по идентичным схемам, каждая из которых содержит второй 25 вспомогательный полевой транзистор, между затвором и истоком которого включен второй 26 вспомогательный резистор.
На чертеже фиг. 4, который характеризует направление дальнейшего совершенствования схемы заявляемого ОУ, первый 4 входной полевой транзистор является составным и содержит первый 4.1 и второй 4.2 дополнительные полевые транзисторы, второй 5 входной полевой транзистор является составным и содержит третий 5.1 и четвертый 5.2 дополнительные полевые транзисторы, третий 6 входной полевой транзистор является составным и содержит пятый 6.1 и шестой 6.2 дополнительные полевые транзисторы, четвертый 7 входной полевой транзистор является составным и содержит седьмой 7.1 и восьмой 7.2 дополнительные полевые транзисторы, второй 25 вспомогательный полевой транзистор третьего 16 токостабилизирующего двухполюсника является составным и содержит девятый 25.1 и десятый 25.2 дополнительные полевые транзисторы, второй 25 вспомогательный полевой транзистор четвертого 17 токостабилизирующего двухполюсника является составным и содержит девятый 25.1 и десятый 25.2 дополнительные полевые транзисторы, первый 8 выходной полевой транзистор является составным и содержит одиннадцатый 8.1 и двенадцатый 8.2 дополнительные полевые транзисторы, второй 12 выходной полевой транзистор является составным и содержит тринадцатый 12.1 и четырнадцатый 12.2 дополнительные полевые транзисторы. При этом возможно и другое сочетание каскодных и некаскодных транзисторов в схеме фиг. 4.
На чертежах фиг. 1 - фиг. 4 конденсатор Ск обеспечивает коррекцию амплитудно-частотной характеристики ОУ.
Рассмотрим работу предлагаемого ОУ фиг. 2 в сравнении с ОУ-прототипом фиг. 1.
Для достижения заявляемого эффекта в схеме фиг. 2 предусмотрено применение специальных элементов стабилизации статического режима – третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников, выполненных по идентичным схемам, каждая из которых содержит первый 18 вспомогательный полевой транзистор, между затвором и истоком котором включен первый 19 вспомогательный резистор. Таким образом, в заявляемой схеме фиг. 2 реализуется высокая идентичность токов в элементах стабилизации статического режима - третьего 16 и четвертого 17 токостабилизирующих двухполюсников, а также токов первого 11 и второго 15 токостабилизирующих двухполюсников. Это является важным условием получения малых значений систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм) ОУ. Данный вывод подтверждается результатами компьютерного моделирования на чертеже фиг. 7, который показывает, что Uсм в заявляемой модификации ОУ лежит в диапазоне десятков микровольт, что недостижимо в ОУ-прототипе фиг. 1 без технологической или внешней балансировки Uсм.
Кроме этого, реализация первого 11 и второго 15 токостабилизирующих двухполюсников по идентичным схемам на первом 18 вспомогательном полевом транзисторе существенно повышает коэффициент усиления (К0) по напряжению ОУ фиг.2, так как
где RΣ1 – эквивалентное сопротивление высокоимпедансного узла Σ1, – эквивалентная крутизна преобразования входного дифференциального напряжения uвх ОУ фиг.2 в выходной ток iΣ1 высокоимпендасного узла Σ1:
Причем проводимость, обратная выходному сопротивлению RΣ1, определяется формулами:
В формулах (4)÷(8) принято, что параметр μi – это коэффициент внутренней обратной связи полевых транзисторов, характеризующий влияние изменений напряжения сток-затвор на напряжение затвор-исток (эффект модуляции длинны канала) при постоянном токе истока.
Из последних уравнений (3)÷(8) следует, что в предлагаемой схеме ОУ коэффициент К0 существенно возрастает за счет увеличения второго сомножителя в формуле (1) – эквивалентного сопротивления RΣ1. Данный вывод подтверждается результатами моделирования на чертеже фиг. 6, который показывает, что заявляемый ОУ в микромощном исполнении и имеющий один высокоимпедансный узел Σ1, характеризуется высокими значениями К0=60÷75 дБ. Это достаточно для многих применений ОУ в аналоговых интерфейсах.
Дальнейшая минимизация основных составляющих Uсм ОУ фиг.2 связана с введением первой 23 и второй 24 цепей согласования потенциалов, которые предназначены для симметрирования статических напряжений затвор-исток первого 4 и третьего 6 входных полевых транзисторов, а так же соответственно второго 5 и четвертого 7 входных полевых транзисторов. Данное схемотехническое решение позволяет уменьшить влияние эффекта модуляции длины канала первого 4 и третьего 6 входных полевых транзисторов (второго 5 и четвертого 7 входных полевых транзисторов) на смещение их стоко-затворных характеристик и, в конечном итоге, уменьшает вторую составляющую Uсм, обусловленную влиянием коэффициента внутренней обратной связи μ. Причем, в предлагаемых схемах ОУ, из-за разных напряжений затвор-исток JFet с p-каналом (первый 8 выходной полевой транзистор) и n-каналом (второй 12 выходной полевой транзистор) должно соблюдаться неравенство Eс1≠ Eс2.
Представленный на чертеже фиг. 4 схемотехнический прием (выполнение первого 4, второго 5, третьего 6 и четвертого 7 входных полевых транзисторов в виде составных транзисторов) обеспечивает «автоматическое» симметрирование статических режимов первого 4 и третьего 6 входных полевых транзисторов, а также второго 5 и четвертого 7 входных полевых транзисторов по напряжению затвор-сток в широком диапазоне температур и радиационных воздействий. Поэтому данную схему следует использовать для получения экстремально малых значений Uсм в тяжелых условиях эксплуатации ОУ.
Каскодное построение первого 8 и второго 12 выходных полевых транзисторов положительно сказывается на величине разомкнутого коэффициента усиления по напряжению в ОУ фиг. 4.
Рассмотренные схемы ОУ работоспособны на КМОП транзисторах со встроенным каналом. Для этого необходимо вместо JFET транзисторов схемы фиг. 2 (фиг. 3) использовать соответствующие КМОП транзисторы. При этом основные свойства ОУ в данном элементом базисе сохраняются.
Таким образом, заявляемое устройство имеет (в сравнении с ОУ-прототипом [1] на известных серийных микросхемах LSJ689, LSK489 фирмы Linear Integrated Systems, США [13,14]) более высокие обобщенные показатели качества: улучшенные Uсм, К0, а также малый ток потребления в статическом режиме. За счет использования JFet обеспечивается высокая радиационная стойкость, криогенный диапазон температур и экстремально низкий уровень шумов.
Предлагаемый ОУ может быть рекомендован для практического использования в космическом приборостроении и физике высоких энергий.БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Dimitri Danyuk "Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board", Linear Integrated Systems, p. 1-17. URL: http://www.linearsystems.com/lsdata/others/Headphone_Amplifier_Evaluation_Board.pdf
2. V. Chumakov, et al. “Basic Modifications of “Floating” Differential Stages Based on Complementary Field-Effect Transistors with a Control p-n Junction,” Preprints 2021, 2021040276, DOI: 10.20944/preprints202104.0276.v1.
3. Патент US № 6600363, 2003 г.
4. Патент US № 7821333, 2010 г.
5. RU 2523124, 2013 г.
6. RU 2615066, 2015 г.
7. RU 2517699, 2012 г.
8. RU 2621287, 2017 г.
9. RU 2627094, 2017 г.
10. RU 2684473, 2019 г.
11. RU 2679970, 2019 г.
12. RU 2712414, 2019 г.
13. Bob Cordell, "Linear Systems LSJ689 Application Note", URL: http://www.linearsystems.com/lsdata/appnotes/LSJ689_P-Channel%20Dual%20JFETs.pdf
14. Bob Cordell, "LSK489 Application Note", URL: http://www.linearsystems.com/lsdata/others/LSK489_Application_Note.pdf.
Claims (6)
1. Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, токовый выход (3) устройства, первый (4) и второй (5) входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с первым (1) входом устройства, третий (6) и четвертый (7) входные полевые транзисторы, затворы которых подключены ко второму (2) входу устройства, первый (8) выходной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (9) источником напряжения смещения, сток связан с токовым выходом (3) устройства, а исток подключён к первой (10) шине источника питания через первый (11) токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком третьего (6) входного полевого транзистора, второй (12) выходной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (13) источником напряжения смещения, сток подключен к токовому выходу (3) устройства, а исток связан со второй (14) шиной источника питания через второй (15) токостабилизирующий двухполюсник и соединен со стоком четвертого (7) входного полевого транзистора, причем сток первого (4) входного полевого транзистора связан с первой (10) шиной источника питания, а сток второго (5) входного полевого транзистора связан со второй (14) шиной источника питания, отличающийся тем, что между объединенными истоками первого (4) и третьего (6) входных полевых транзисторов и второй (14) шиной источника питания включен третий (16) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, между объединенными истоками второго (5) и четвертого (7) входных полевых транзисторов и первой (10) шиной источника питания включен четвертый (17) токостабилизирующий двухполюсник на полевом транзисторе, причем выходные статические токи первого (11), второго (15), третьего (16) и четвертого (17) токостабилизирующих двухполюсников одинаковы в широком диапазоне внешних воздействий и изменении напряжений питания.
2. Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах по п. 1, отличающийся тем, что тип канала полевых транзисторов в структуре первого (11), второго (15), третьего (16) и четвертого (17) токостабилизирующих двухполюсников соответствует типу канала второго (5) и четвертого (7) входных полевых транзисторов, а также первого (8) выходного полевого транзистора.
3. Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах по п. 2, отличающийся тем, что первый (11), второй (15), третий (16) и четвертый (17) токостабилизирующие двухполюсники выполнены по идентичным схемам, каждая из которых содержит первый (18) вспомогательный полевой транзистор, между затвором и истоком которого включен первый (19) вспомогательный резистор.
4. Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах по п. 1, отличающийся тем, что токовый выход устройства (3) связан со входом буферного усилителя (20), выход которого является потенциальным выходом устройства (21).
5. Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах по п. 1, отличающийся тем, что тип канала полевых транзисторов в структуре первого (11), второго (15), третьего (16) и четвертого (17) токостабилизирующих двухполюсников соответствует типу канала первого (4) и третьего (6) входных полевых транзисторов, а также второго (12) выходного полевого транзистора.
6. Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах по п. 5, отличающийся тем, что первый (11), второй (15), третий (16) и четвертый (17) токостабилизирующие двухполюсники выполнены по идентичным схемам, каждая из которых содержит второй (25) вспомогательный полевой транзистор, между затвором и истоком которого включен второй (26) вспомогательный резистор.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021129224A RU2770916C1 (ru) | 2021-10-07 | 2021-10-07 | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021129224A RU2770916C1 (ru) | 2021-10-07 | 2021-10-07 | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2770916C1 true RU2770916C1 (ru) | 2022-04-25 |
Family
ID=81306416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021129224A RU2770916C1 (ru) | 2021-10-07 | 2021-10-07 | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2770916C1 (ru) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5512857A (en) * | 1994-11-22 | 1996-04-30 | Resound Corporation | Class AB amplifier allowing quiescent current and gain to be set independently |
RU2412540C1 (ru) * | 2009-09-08 | 2011-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Дифференциальный операционный усилитель |
RU2439778C1 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом |
-
2021
- 2021-10-07 RU RU2021129224A patent/RU2770916C1/ru active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5512857A (en) * | 1994-11-22 | 1996-04-30 | Resound Corporation | Class AB amplifier allowing quiescent current and gain to be set independently |
RU2412540C1 (ru) * | 2009-09-08 | 2011-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Дифференциальный операционный усилитель |
RU2439778C1 (ru) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
DIMITRI DANYUK "Linear Integrated Systems Headphone Amplifier Evaluation Board", Linear Integrated Systems, http://www.linearsystems.com/lsdata/others/Headphone_Amplifier_Evaluation_Board.pdf опубл. 2016 на 17 страницах, микросхемы LSK489/LSJ689. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3295273A1 (en) | Reference voltages | |
RU2741056C1 (ru) | Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах | |
RU2741055C1 (ru) | Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
Nagar et al. | Single OTRA based two quadrant analog voltage divider | |
RU2770916C1 (ru) | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах | |
RU2736548C1 (ru) | Компенсационный стабилизатор напряжения на полевых транзисторах для работы при низких температурах | |
Rajendran et al. | A research perspective on CMOS current mirror circuits: Configurations and techniques | |
RU2712411C1 (ru) | Промежуточный каскад cjfet операционного усилителя с парафазным токовым выходом | |
RU2710846C1 (ru) | Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом | |
RU2766864C1 (ru) | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах | |
RU2615066C1 (ru) | Операционный усилитель | |
RU2624585C1 (ru) | Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель | |
RU2583760C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
Prokopenko et al. | CJFET Op-Amp without Current Mirrors for Low Temperature Applications | |
Priya et al. | A low voltage very high impedance current mirror circuit and its application | |
RU2739577C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
RU2727704C1 (ru) | Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом | |
RU2616573C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель | |
RU2727965C1 (ru) | Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров | |
RU2720554C1 (ru) | Неинвертирующее токовое зеркало на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для работы при низких температурах | |
RU2621289C1 (ru) | Двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления | |
RU2720555C1 (ru) | Промежуточный каскад операционного усилителя с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
RU2411634C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
RU2770915C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с повышенной крутизной на полевых транзисторах | |
Prokopenko et al. | Op-Amps without current mirrors based on depletion-mode p-and n-channel MOS and JFET |