RU2727965C1 - Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров - Google Patents

Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров Download PDF

Info

Publication number
RU2727965C1
RU2727965C1 RU2020104620A RU2020104620A RU2727965C1 RU 2727965 C1 RU2727965 C1 RU 2727965C1 RU 2020104620 A RU2020104620 A RU 2020104620A RU 2020104620 A RU2020104620 A RU 2020104620A RU 2727965 C1 RU2727965 C1 RU 2727965C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
inverting
current
effect transistor
junction
Prior art date
Application number
RU2020104620A
Other languages
English (en)
Inventor
Анна Витальевна Бугакова
Николай Николаевич Прокопенко
Алексей Евгеньевич Титов
Дмитрий Владимирович Клейменкин
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority to RU2020104620A priority Critical patent/RU2727965C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2727965C1 publication Critical patent/RU2727965C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание как инвертирующего, так и неинвертирующего широкополосного усилителя тока на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов инвертирующее и неинвертирующее преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы (Ki=1-5). Для этого предложен низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных RC-фильтров, в котором в качестве всех полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, объединенные истоки первого (4) и второго (5) полевых транзисторов соединены с истоком первого (10) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом, сток которого соединен с неинвертирующим токовым выходом устройства (11), а затвор связан с выходом (12) дополнительной цепи согласования потенциалов (13), причем вход (14) дополнительной цепи согласования потенциалов (13) связан с источником напряжения смещения (15). 3 з.п. ф-лы, 12 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве функционального узла активных RC-фильтров (ARCФ) ВЧ и СВЧ диапазонов, в т.ч. работающих при низких температурах и в условиях воздействия проникающей радиации.
Усилители тока (УТ) и так называемые токовые зеркала [1-21] начинают широко применяться в качестве активных элементов при построении СВЧ устройств частотной селекции [см., например, патент фирмы National Semiconductor (США) US 6606001, патентную заявку фирмы Qualcomm (США) US 2011/0090824 и др.]. Архитектуры ARCФ на усилителях тока оказываются более высокочастотными, чем традиционные ARCФ на усилителях напряжения. Это связано с тем, что такие структуры имеют при небольшом усилении по току (Ki=1-5) более широкий частотный диапазон.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является усилитель тока (токовое зеркало) в структуре СВЧ фильтра нижних частот по патентной заявке US 2011/0090824, fig.4a, 2011г. Он содержит токовый вход 1 устройства, согласованный с первой 2 шиной источника питания, инвертирующий токовый выход 3 устройства, согласованный с первой 2 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 полевые транзисторы, затворы которых соединены друг с другом, а истоки объединены и согласованы со второй 6 шиной источника питания, неинвертирующий повторитель напряжения 7, вход которого 8 соединен с первым 1 токовым входом устройства и стоком первого 4 полевого транзистора, а выход 9 подключен к объединенным затворам первого 4 и второго 5 полевых транзисторов, причем сток второго 5 полевого транзисторы связан с инвертирующим токовым выходом 3 устройства.
Существенный недостаток известного усилителя тока состоит в том, что он оказывается неработоспособным при реализации на JFet полевых транзисторах, обеспечивающих экстремально малый уровень шумов, высокую радиационную стойкость и стабильную работу в диапазоне криогенных температур [22]. Это связано с несовпадающей полярностью напряжений затвор-исток и сток-исток полевых транзисторов данного класса. Кроме этого, известные схемы УТ имеют только инвертирующий токовый выход. В тоже время для многих задач аналого-цифрового усиления и фильтрации сигналов крайне необходимы сверхширокополосные усилители тока, имеющие также неинвертирующий токовый выход, для которого коэффициент передачи по входному току (Ki) лежит в диапазоне 1-5 единиц. Такие функциональные узлы позволяют создавать высококачественные СВЧ активные RC-фильтры, положительная обратная связь в которых замыкается через используемый усилитель тока с Ki=1-5.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании как инвертирующего, так и неинвертирующего широкополосного усилителя тока на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов инвертирующее и неинвертирующее преобразования входного токового сигнала с коэффициентом передачи по току больше единицы (Ki=1-5).
Поставленная задача решается тем, что в усилителе тока фиг. 1, содержащем токовый вход 1 устройства, согласованный с первой 2 шиной источника питания, инвертирующий токовый выход 3 устройства, согласованный с первой 2 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 полевые транзисторы, затворы которых соединены друг с другом, а истоки объединены и согласованы со второй 6 шиной источника питания, неинвертирующий повторитель напряжения 7, вход которого 8 соединен с первым 1 токовым входом устройства и стоком первого 4 полевого транзистора, а выход 9 подключен к объединенным затворам первого 4 и второго 5 полевых транзисторов, причем сток второго 5 полевого транзисторы связан с инвертирующим токовым выходом 3 устройства, предусмотрены новые элементы и связи – в качестве всех вышеназванных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, объединенные истоки первого 4 и второго 5 полевых транзисторов соединены с истоком первого 10 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом, сток которого соединен с неинвертирующим токовым выходом устройства 11, а затвор связан с выходом 12 дополнительной цепи согласования потенциалов 13, причем вход 14 дополнительной цепи согласования потенциалов 13 связан с источником напряжения смещения 15.
На чертеже фиг. 1 представлена схема усилителя тока – прототипа в структуре СВЧ фильтра нижних частот.
На чертеже фиг. 2 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1и п.2 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п.3 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 4 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.4 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 5 показан статический режим схемы УТ фиг. 2 c при t=27°C, I3=100 мкА для случая, когда в качестве источника напряжения смещения 15 (E0) используется напряжение на первой 2 шине источника питания.
На чертеже фиг. 6 представлены зависимости выходных токов УТ фиг. 5 от входного тока I3 при t=27°C.
На чертеже фиг. 7 приведен статический режим схемы УТ фиг. 2 c при t=-197°C, I3=100 мкА для случая, когда в качестве источника напряжения смещения 15 (E0) используется напряжение на первой 2 шине источника питания.
На чертеже фиг. 8 показаны зависимости выходных токов УТ фиг. 7 от входного тока I3 при t=-197°C.
На чертеже фиг. 9 представлен статический режим схемы УТ фиг. 2 c при t=27°C, I3=100 мкА для случая, когда в качестве источника напряжения смещения 15 (E0) используется напряжение на общей шине источников питания.
На чертеже фиг. 10 приведены зависимости выходных токов УТ фиг. 9 от входного тока I3 при t=27°C.
На чертеже фиг. 11 показан статический режим схемы УТ фиг. 2 c при t=-197°C, I3=100 мкА для случая, когда в качестве источника напряжения смещения 15 (E0) используется напряжение на общей шине источников питания.
На чертеже фиг. 12 представлены зависимости выходных токов УТ фиг. 11 от входного тока I3 при t=-197°C.
Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных RC-фильтров фиг. 2 содержит токовый вход 1 устройства, согласованный с первой 2 шиной источника питания, инвертирующий токовый выход 3 устройства, согласованный с первой 2 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 полевые транзисторы, затворы которых соединены друг с другом, а истоки объединены и согласованы со второй 6 шиной источника питания, неинвертирующий повторитель напряжения 7, вход которого 8 соединен с первым 1 токовым входом устройства и стоком первого 4 полевого транзистора, а выход 9 подключен к объединенным затворам первого 4 и второго 5 полевых транзисторов, причем сток второго 5 полевого транзисторы связан с инвертирующим токовым выходом 3 устройства. В качестве всех вышеназванных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, объединенные истоки первого 4 и второго 5 полевых транзисторов соединены с истоком первого 10 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом, сток которого соединен с неинвертирующим токовым выходом устройства 11, а затвор связан с выходом 12 дополнительной цепи согласования потенциалов 13, причем вход 14 дополнительной цепи согласования потенциалов 13 связан с источником напряжения смещения 15.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, цепь согласования потенциалов 13 содержит первый 16 вспомогательный полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со входом 14 дополнительной цепи согласования потенциалов 13, сток подключен ко второй 6 шине источника питания, а исток соединен с выходом 12 дополнительной цепи согласования потенциалов 13 и через первый 17 вспомогательный двухполюсник связан с первой 2 шиной источника питания.
Кроме этого, в схеме фиг. 2 двухполюсники 18 и 19 моделируют свойства нагрузки, подключаемой к инвертирующему токовому выходу 3 и неинвертирующему токовому выходу 11.
В частном случае, на чертеже фиг. 2 неинвертирующий повторитель напряжения 7 реализован, так же как и в УТ-прототипе фиг. 1, на полевом транзисторе 20, статический режим которого устанавливается двухполюсником 21. Кроме этого, данный неинвертирующий повторитель напряжения 7 содержит частотозадающие элементы 22, 23 и 24, которые обеспечивают формирование на базе схемы фиг. 2 амплитудно-частотные характеристики фильтра нижних частот.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, в качестве второго 5 полевого транзистора с управляющим p-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий N элементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (5.1…5.N), включенных параллельно друг другу по цепям затвора, стока и истока.
На чертеже фиг. 4, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, в схему введен второй 20 дополнительный полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен с затвором первого 10 дополнительного полевого транзистора, исток соединен с истоком первого 10 дополнительного полевого транзистора, а сток подключен ко второй 6 шине источника питания. Такое схемотехническое решение рекомендуется для случая, когда необходимо получить предельно широкий диапазон рабочих частот УТ.
Рассмотрим работу заявляемого УТ на примере анализа схемы фиг. 3.
Приращение входного тока УТ на величину iвх приводит к изменению потенциала на входе 8 неинвертирующего повторителя напряжения 7, которое передается на затворы первого 4 и второго 5 полевых транзисторов. Как следствие, ток стока первого 4 полевого транзистора ic4=iвх. Учитывая, что первый 4 и второй 5 полевые транзисторы включены параллельно, и они имеют высокую идентичность стоко-затворных характеристик, это приводит к изменению тока стока второго 5 полевого транзистора на величину iвх. Так как в соответствии с п. 3 формулы изобретения, второй 5 полевой транзистор может выполняться в виде нескольких (N) параллельно включенных полевых транзисторов, ток по инвертирующему выходу 3 принимает значение N⋅iвх. Этой же величине будет равна и сумма токов истоков транзисторов 5.1 … 5.N. В результате ток истока первого 10 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и, следовательно, выходной ток УТ по неинвертирующему токовому выходу 11, принимает значение (1+N)iвх. Таким образом, коэффициент усиления по току Ki для неинвертирующего токового выхода 11 определяется числом N параллельно включенных элементарных транзисторов в структуре второго 5 полевого составного транзистора: Ki=(1+N).
Необходимый статический режим схемы УТ фиг. 3 по напряжениям в ее базовых узлах устанавливается цепью согласования потенциалов 13, а при необходимости - дополнительным источником напряжения 15. В частных случаях в качестве дополнительного источника Е0 может использоваться напряжение на первой 2 шине источника питания или напряжение на общей шине источников питания 2 и 6.
Таким образом, схема УТ фиг. 3 по неинвертирующему токовому выходу 11 обеспечивает широкополосное неинвертирующее усиление входного тока с Ki=(1+N). Это позволяет выполнять на ее основе разнообразные СВЧ устройства частотной селекции с цепью положительной обратной связи. Кроме этого, схема фиг. 3 имеет также инвертирующий токовый выход 3, по которому усиление по току равно Ki=N.
В ряде случаев непосредственное формирование селективных свойств рассматриваемого усилителя тока, например, как фильтра нижних частот, возможно за счет включения в структуру неинвертирующего повторителя напряжения 7 дополнительных частотозадающих реактивных элементов (как это сделано в патенте фирмы National Semiconductor (США) US 6606001 и патентной заявке фирмы Qualcomm (США) US 2011/0090824). На схемах фиг. 2 и фиг. 3 это дополнительные конденсаторы 22, 23 и резистор 24, а также второй 20 дополнительный полевой транзистор с управляющим
p-n переходом, статический режим которого устанавливается двухполюсником 21.
В тех случаях, когда по условиям применения заявляемого УТ необходимо иметь идентичные коэффициенты передачи по инвертирующему 3 и неинвертирующему 11 токовым выходам, следует применять схему УТ фиг. 4, в которой за счет второго 20 дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом обеспечивается равенство iвых.2=iвх.
Таким образом, заявляемый усилитель тока имеет существенные преимущества в сравнении с УТ-прототипом и может использоваться в СВЧ устройствах частотной селекции, в т.ч. работающих в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации , благодаря использованию JFET транзисторов [22].
Библиографический СПИСОК
1. Патент US № 6.630.818, fig. 4, 2003 г.
2. Патент EP № 2652872, fig. 2, 2015 г.
3. Патент US № 7.869.285, fig. 1, 2011 г.
4. Патент US № 7.312.651, 2007 г.
5. Патент RU № 2544780, fig. 2, 2013 г.
6. Патент US № 8.169.263, 2012 г.
7. Патент US № 7.915.948, 2011 г.
8. Патент US № 6.492.796, fig. 1, fig. 2, fig. 8, 2002 г.
9. Патент US № 7.541.871, fig. 1, 2009 г.
10. Патент US № 5.801.523, fig. 1, 1998 г.
11. Патент US № 6.617.915, 2003 г.
12. Заявка на патент US № 2007/0216484, fig. 15, 2007 г.
13. Патент US № 6.639.452, fig. 1, 2003 г.
14. Патент US № 5.515.010, 1996 г.
15. Заявка на патент US № 2006/0232340, 2006 г.
16. Патент EP № 1313211, fig. 3, 2001 г.
17. Патент US № 6.842.050, fig. 3, 2005 г.
18. Патент US № 6.980.054, fig. 7, 2005 г.
19. Авт. свид. SU 1529410, 1989 г.
20. Полезная модель RU 139042, 2014 г.
21. Токовые зеркала для проектирования КМОП аналоговых микросхем: основные модификации (ТЗ №1-№ 36) / Прокопенко Н.Н., Титов А.Е., Бутырлагин Н.В. // Библиотека схемотехнических решений. ИППМ РАН, 2019, С. 1-29. URL: http://www.ippm.ru/data/eljrnal/paper/J4.pdf (режим доступа свободный)
22. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507.

Claims (4)

1. Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных RC-фильтров, содержащий токовый вход (1) устройства, согласованный с первой (2) шиной источника питания, инвертирующий токовый выход (3) устройства, согласованный с первой (2) шиной источника питания, первый (4) и второй (5) полевые транзисторы, затворы которых соединены друг с другом, а истоки объединены и согласованы со второй (6) шиной источника питания, неинвертирующий повторитель напряжения (7), вход которого (8) соединен с первым (1) токовым входом устройства и стоком первого (4) полевого транзистора, а выход (9) подключен к объединенным затворам первого (4) и второго (5) полевых транзисторов, причем сток второго (5) полевого транзистора связан с инвертирующим токовым выходом (3) устройства, отличающийся тем, что в качестве всех вышеназванных полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, объединенные истоки первого (4) и второго (5) полевых транзисторов соединены с истоком первого (10) дополнительного полевого транзистора с управляющим p-n переходом, сток которого соединен с неинвертирующим токовым выходом устройства (11), а затвор связан с выходом (12) дополнительной цепи согласования потенциалов (13), причем вход (14) дополнительной цепи согласования потенциалов (13) связан с источником напряжения смещения (15).
2. Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных RC-фильтров по п. 1, отличающийся тем, что цепь согласования потенциалов (13) содержит первый (16) вспомогательный полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со входом (14) дополнительной цепи согласования потенциалов (13), сток подключен ко второй (6) шине источника питания, а исток соединен с выходом (12) дополнительной цепи согласования потенциалов (13) и через первый (17) вспомогательный двухполюсник связан с первой (2) шиной источника питания.
3. Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных RC-фильтров по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что в качестве второго (5) полевого транзистора с управляющим p-n переходом используется составной полевой транзистор, содержащий N элементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, включенных параллельно друг другу по цепям затвора, стока и истока.
4. Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных RC-фильтров по п. 1, отличающийся тем, что в схему введен второй (20) дополнительный полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен с затвором первого (10) дополнительного полевого транзистора, исток соединен с истоком первого (10) дополнительного полевого транзистора, а сток подключен ко второй (6) шине источника питания.
RU2020104620A 2020-02-03 2020-02-03 Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров RU2727965C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020104620A RU2727965C1 (ru) 2020-02-03 2020-02-03 Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020104620A RU2727965C1 (ru) 2020-02-03 2020-02-03 Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2727965C1 true RU2727965C1 (ru) 2020-07-28

Family

ID=72085211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020104620A RU2727965C1 (ru) 2020-02-03 2020-02-03 Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2727965C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4709217A (en) * 1985-02-05 1987-11-24 Thomson-Csf Differential current amplifier
RU2394364C1 (ru) * 2009-02-04 2010-07-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Двухканальный управляемый усилитель переменного тока
US20110090824A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-21 Qualcomm Incorporated Low-pass filter design
RU2467469C1 (ru) * 2011-11-21 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4709217A (en) * 1985-02-05 1987-11-24 Thomson-Csf Differential current amplifier
RU2394364C1 (ru) * 2009-02-04 2010-07-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") Двухканальный управляемый усилитель переменного тока
US20110090824A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-21 Qualcomm Incorporated Low-pass filter design
RU2467469C1 (ru) * 2011-11-21 2012-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Избирательный усилитель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Banu et al. Fully integrated active RC filters in MOS technology
Fiez et al. CMOS switched-current ladder filters
KR920013881A (ko) 부동 동작점을 가진 cmos 트랜스 콘덕턴스 증폭기
Kaewdang et al. On the realization of electronically current-tunable CMOS OTA
Linares-Barranco et al. A precise 90/spl deg/quadrature OTA-C oscillator tunable in the 50-130-MHz range
Nagar et al. Single OTRA based two quadrant analog voltage divider
RU2727965C1 (ru) Низкотемпературный усилитель тока для задач проектирования активных rc-фильтров
Kulej et al. Sub 0.5-V bulk-driven winner take all circuit based on a new voltage follower
Rajendran et al. A research perspective on CMOS current mirror circuits: Configurations and techniques
RU2741055C1 (ru) Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
Pesavento et al. A wide linear range four quadrant multiplier in subthreshold CMOS
RU2721943C1 (ru) Низкотемпературный входной каскад операционного усилителя с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2710846C1 (ru) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
JPH02166814A (ja) 線形利得増幅回路
RU2720554C1 (ru) Неинвертирующее токовое зеркало на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для работы при низких температурах
RU2770916C1 (ru) Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
CN107479620B (zh) 一种平方根项跨导电路
Kawatra et al. A reference generating voltage wide range low power current comparator
RU2720365C1 (ru) Токовое зеркало для работы при низких температурах
RU2736549C1 (ru) Дифференциальный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2727704C1 (ru) Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
Herencsar et al. Voltage-mode all-pass filter design using simple CMOS transconductor: Non-ideal case study
Huang et al. Programmable voltage-to-current converter with linear voltage control resistor
Saatlo High-precision CMOS analog computational circuits based on a new linearly tunable OTA
RU2766864C1 (ru) Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах