RU2583760C1 - Биполярно-полевой операционный усилитель - Google Patents

Биполярно-полевой операционный усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2583760C1
RU2583760C1 RU2015124610/08A RU2015124610A RU2583760C1 RU 2583760 C1 RU2583760 C1 RU 2583760C1 RU 2015124610/08 A RU2015124610/08 A RU 2015124610/08A RU 2015124610 A RU2015124610 A RU 2015124610A RU 2583760 C1 RU2583760 C1 RU 2583760C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
input
differential stage
field
source
Prior art date
Application number
RU2015124610/08A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Олег Владимирович Дворников
Илья Викторович Пахомов
Анна Витальевна Бугакова
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2015124610/08A priority Critical patent/RU2583760C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2583760C1 publication Critical patent/RU2583760C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H03H11/1217Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using a plurality of operational amplifiers

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима операционного усилителя. Биполярно-полевой операционный усилитель содержит входной дифференциальный каскад (1), первый (6) токовый выход входного дифференциального каскада связан с истоком первого (7) выходного полевого транзистора и первым входом (8) выходного дифференциального каскада (9), второй (10) токовый выход входного дифференциального каскада (1) связан с истоком второго (11) выходного полевого транзистора и вторым (12) входом выходного дифференциального каскада (9). Общая эмиттерная цепь (14) выходного дифференциального каскада (9) подключена ко входу дополнительного инвертирующего усилителя (21), выход которого (22) соединен с объединенными затворами первого (7) и второго (11) выходных полевых транзисторов. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Description

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) на полевых и биполярных транзисторах, в которых выходными напряжениями входного каскодного дифференциального каскада являются напряжения не на стоках, а на истоках выходных транзисторов [1-5]. Они имеют ряд преимуществ (в сравнении с классическими ОУ) по диапазону рабочих частот, нелинейным искажениям, быстродействию и т.п. Заявляемый ОУ относится к данному подклассу устройств.
Для работы в условиях космического пространства, в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие ОУ с высокой стабильностью статического режима и малым напряжением смещения нуля (Uсм). Мировой опыт проектирования устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием биполярно-полевого технологического процесса [6], обеспечивающего формирование p-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2. Однако для таких ОУ необходима специальная схемотехника, учитывающая ограничения биполярно-полевой технологии [6].
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является операционный усилитель по патенту US 5.218.319, который также присутствует в патентах US 6.756.847, fig. 1, US 5.914.639. Он содержит (фиг. 1) входной дифференциальный каскад 1, общая истоковая цепь которого 2 связана с первой 3 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 входы входного дифференциального каскада 1, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с истоком первого 7 выходного полевого транзистора и первым входом 8 выходного дифференциального каскада 9, второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с истоком второго 11 выходного полевого транзистора и вторым 12 входом выходного дифференциального каскада 9, вторую 13 шину источника питания, которая связана с объединенными стоками первого 7 и второго 11 выходных полевых транзисторов, общую эмиттерную цепь 14 выходного дифференциального каскада 9, цепь динамической нагрузки 15, согласованную с первой 3 шиной источника питания, вход которой 16 соединен с первым 17 токовым выходом выходного дифференциального каскада 9, а выход 18 связан с выходом устройства 19 и вторым 20 токовым выходом выходного дифференциального каскада 9.
Существенный недостаток ОУ-прототипа состоит в том, что уровень выходного синфазного напряжения входного дифференциального каскада 1 (напряжения U6, U10 - на токовых выходах 6 и 10) существенно зависит от уровня статического тока первого 7 и второго 11 выходных полевых транзисторов (ПТ). Этот ток в зависимости от типа применяемых ПТ и решаемой задачи при заданной величине общего токопотребления может изменяться в широких пределах (например, 10 мкА-10 мА). Как следствие, напряжение U14 общей эмиттерной цепи 14, которая выделяет выходной синфазный сигнал входного дифференциального каскада 1 в узлах 6 и 10, будет также изменяться на несколько вольт. Значительные изменения U14 отрицательно сказываются на величине максимального отрицательного напряжения
Figure 00000001
на выходе 19 устройства.
Кроме того, при воздействии радиации и температуры выходное синфазное напряжение входного каскада 1, выделенное в общей эмиттерной цепи 14, также существенно изменяется, что изменяет величину
Figure 00000002
Таким образом, известная схема ОУ характеризуется повышенной нестабильностью статического режима, что отрицательно влияет на его важнейшие параметры (
Figure 00000003
и т.п.).
Кроме того, существенный недостаток известного ОУ состоит также в том, что в диапазоне рабочих, прежде всего низких температур, а также при воздействии потока нейтронов он имеет повышенные значения напряжения смещения нуля (Uсм) (единицы-десятки милливольт), что также обусловлено нестабильностью статического режима. В конечном итоге это снижает прецизионность известного ОУ.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении стабильности статического режима ОУ.
Поставленная задача достигается тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем входной дифференциальный каскад 1, общая истоковая цепь которого 2 связана с первой 3 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 входы входного дифференциального каскада 1, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с истоком первого 7 выходного полевого транзистора и первым входом 8 выходного дифференциального каскада 9, второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с истоком второго 11 выходного полевого транзистора и вторым 12 входом выходного дифференциального каскада 9, вторую 13 шину источника питания, которая связана с объединенными стоками первого 7 и второго 11 выходных полевых транзисторов, общую эмиттерную цепь 14 выходного дифференциального каскада 9, цепь динамической нагрузки 15, согласованную с первой 3 шиной источника питания, вход которой 16 соединен с первым 17 токовым выходом выходного дифференциального каскада 9, а выход 18 связан с выходом устройства 19 и вторым 20 токовым выходом выходного дифференциального каскада 9, предусмотрены новые элементы и связи - общая эмиттерная цепь 14 выходного дифференциального каскада 9 подключена ко входу дополнительного инвертирующего усилителя 21, выход которого 22 соединен с объединенными затворами первого 7 и второго 11 выходных полевых транзисторов.
На фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.
На фиг. 3 представлена схема ОУ в соответствии с п. 2 формулы изобретения.
На фиг. 4 приведена схема ОУ фиг. 3 с конкретным выполнением дополнительного инвертирующего усилителя 21.
На фиг. 5 представлена схема ОУ в соответствии с п. 3 формулы изобретения.
На фиг. 6 приведена схема заявляемого устройства фиг. 3 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г.Минск).
На фиг. 7 представлена амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению разомкнутого ОУ фиг. 6.
На фиг. 8 показана зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 6 от потока нейтронов в диапазоне Fn=1012÷1018 н/м2 (а) и температуры в диапазоне минус 60÷+80°С (б).
Биполярно-полевой операционный усилитель фиг. 2 содержит входной дифференциальный каскад 1, общая истоковая цепь которого 2 связана с первой 3 шиной источника питания, первый 4 и второй 5 входы входного дифференциального каскада 1, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с истоком первого 7 выходного полевого транзистора и первым входом 8 выходного дифференциального каскада 9, второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1, связанный с истоком второго 11 выходного полевого транзистора и вторым 12 входом выходного дифференциального каскада 9, вторую 13 шину источника питания, которая связана с объединенными стоками первого 7 и второго 11 выходных полевых транзисторов, общую эмиттерную цепь 14 выходного дифференциального каскада 9, цепь динамической нагрузки 15, согласованную с первой 3 шиной источника питания, вход которой 16 соединен с первым 17 токовым выходом выходного дифференциального каскада 9, а выход 18 связан с выходом устройства 19 и вторым 20 токовым выходом выходного дифференциального каскада 9. Общая эмиттерная цепь 14 выходного дифференциального каскада 9 подключена ко входу дополнительного инвертирующего усилителя 21, выход которого 22 соединен с объединенными затворами первого 7 и второго 11 выходных полевых транзисторов.
В схеме фиг. 2 входной дифференциальный каскад 1 реализован на входных полевых транзисторах 23 и 24, статический режим которых устанавливается источником опорного тока 25. Выходной дифференциальный каскад 9 выполнен в частном случае на транзисторах 26, 27, эмиттеры которых соединены с общей эмиттерной цепью 14 выходного дифференциального каскада 9.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, первый 6 токовый выход входного дифференциального каскада 1 связан с истоком первого 7 выходного полевого транзистора через первый 28 дополнительный резистор, а второй 10 токовый выход входного дифференциального каскада 1 связан с истоком второго 11 выходного полевого транзистора через второй 29 дополнительный резистор. Введение данных резисторов повышает коэффициент усиления по напряжению входного каскада.
На чертеже фиг. 4 дополнительный инвертирующий усилитель 21 реализован на основе согласующего резистора 30, классического токового зеркала 31 и вспомогательного источника опорного тока 32.
Особенностью заявляемой схемы ОУ фиг. 4, также как и ОУ-прототипа, является высокоимпедансный токовый выход 19. Однако для получения низких выходных сопротивлений в данной схеме возможно применение дополнительного буферного усилителя 33, вход которого связан с токовым выходом устройства 19. Потенциальным выходом буферного усилителя 33, обладающим малым выходным сопротивлением, является узел 34.
На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, в схему введен дополнительный входной дифференциальный каскад 35, общая истоковая цепь которого 36 подключена к первой 3 шине источника питания, первый 37 токовый выход соединен с первым 6 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, а второй 38 токовый выход подключен ко второму 10 токовому выходу входного дифференциального каскада 1. Дополнительный входной дифференциальный каскад 35 имеет входы 39 и 40 и, в частном случае, содержит транзисторы 41, 42 и источник опорного тока 43.
Кроме того, на чертеже фиг. 5 дополнительный инвертирующий усилитель 21 реализован на основе дифференциального входного каскада 43, на неинвертирующий вход которого 44 подается опорное напряжение U0.
Рассмотрим работу ОУ на примере анализа схемы фиг. 4.
Статический режим транзисторов схемы фиг. 4 устанавливается источником опорного тока 25, входящим в структуру входного дифференциального каскада 1. При этом в схеме с общей отрицательной обратной связью ОУ токи стока (Ici) и токи коллекторов (Iкi) транзисторов схемы определяются уравнениями:
Figure 00000004
где I25, I32 - токи двухполюсников 25 и 32.
Заданное статическое напряжение в общей эмиттерной цепи 14 входного дифференциального каскада 1 (U14) (при идеальном токовом зеркале 31) устанавливается за счет местной отрицательной обратной связи:
Figure 00000005
где Ki12 - коэффициент усиления по току токового зеркала 31;
R30 - сопротивление согласующего резистора 30.
Таким образом, напряжение U14 не зависит от статических токов стока транзисторов 23 и 24. Как следствие, максимальная амплитуда отрицательного напряжения в выходном узле 19
Figure 00000006
не будет существенно изменяться при изменении тока источника опорного тока 25, а также напряжении затвор-исток первого 7 и второго 11 выходных транзисторов при воздействии температуры и радиации
Figure 00000007
где
Figure 00000008
.
Схема фиг. 5 иллюстрирует применение заявляемого ОУ в структуре так называемых мультидифференциальных операционных усилителей, которые имеют ряд неоспоримых преимуществ в сравнении с классическими ОУ [7, 8, 9] и являются их дальнейшим развитием.
В данной схеме ОУ за счет построения усилителя 21 в виде дифференциального каскада 44 при глубокой отрицательной обратной связи статическое напряжение общей эмиттерной цепи 14:
Figure 00000009
где U0 - опорное напряжение на неинвертирующем входе 45 дифференциального каскада 44.
Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с ОУ-прототипом.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 5.218.319, fig. 1, fig. 3а.
2. Патент US 7.639.079, fig. 10.
3. Патент US 6.756.847, fig. 1.
4. Патент US 7.142.056, fig. 1.
5. Патент US 5.914.639.
6. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
7. Основные свойства, параметры и базовые схемы включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, П.С. Будяков // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 2 (233), 2014 г. С. 53-64.
8. Основные параметры и уравнения базовых схем включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом / Н.Н. Прокопенко, Н.В. Бутырлагин, И.В. Пахомов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов. Часть 3 /под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2014. - С. 111-116
9. The main connection circuits of the radiation-hardened differential difference amplifier based on the bipolar and field effect technological process / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, N.V. Butyrlagin, A.V. Bugakova // 2014 12th International conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE - 2014) proceedings in 7 Volumes; Novosibirsk, October 2-4, 2014. - Novosibirsk State Technical University. - Vol. 1. - P. 29-34 DOI: 10.1109/APEIE.2014.7040870.

Claims (3)

1. Биполярно-полевой операционный усилитель, содержащий входной дифференциальный каскад (1), общая истоковая цепь которого (2) связана с первой (3) шиной источника питания, первый (4) и второй (5) входы входного дифференциального каскада (1), первый (6) токовый выход входного дифференциального каскада (1), связанный с истоком первого (7) выходного полевого транзистора и первым входом (8) выходного дифференциального каскада (9), второй (10) токовый выход входного дифференциального каскада (1), связанный с истоком второго (11) выходного полевого транзистора и вторым (12) входом выходного дифференциального каскада (9), вторую (13) шину источника питания, которая связана с объединенными стоками первого (7) и второго (11) выходных полевых транзисторов, общую эмиттерную цепь (14) выходного дифференциального каскада (9), цепь динамической нагрузки (15), согласованную с первой (3) шиной источника питания, вход которой (16) соединен с первым (17) токовым выходом выходного дифференциального каскада (9), а выход (18) связан с выходом устройства (19) и вторым (20) токовым выходом выходного дифференциального каскада (9), отличающийся тем, что общая эмиттерная цепь (14) выходного дифференциального каскада (9) подключена ко входу дополнительного инвертирующего усилителя (21), выход которого (22) соединен с объединенными затворами первого (7) и второго (11) выходных полевых транзисторов.
2. Биполярно-полевой операционный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что первый (6) токовый выход входного дифференциального каскада (1) связан с истоком первого (7) выходного полевого транзистора через первый (28) дополнительный резистор, а второй (10) токовый выход входного дифференциального каскада (1) связан с истоком второго (11) выходного полевого транзистора через второй (29) дополнительный резистор.
3. Биполярно-полевой операционный усилитель по п. 1, отличающийся тем, что в схему введен дополнительный входной дифференциальный каскад (35), общая истоковая цепь которого (36) подключена к первой (3) шине источника питания, первый (37) токовый выход соединен с первым (6) токовым выходом входного дифференциального каскада (1), а второй (38) токовый выход подключен ко второму (10) токовому выходу входного дифференциального каскада (1).
RU2015124610/08A 2015-06-23 2015-06-23 Биполярно-полевой операционный усилитель RU2583760C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015124610/08A RU2583760C1 (ru) 2015-06-23 2015-06-23 Биполярно-полевой операционный усилитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015124610/08A RU2583760C1 (ru) 2015-06-23 2015-06-23 Биполярно-полевой операционный усилитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2583760C1 true RU2583760C1 (ru) 2016-05-10

Family

ID=55960158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015124610/08A RU2583760C1 (ru) 2015-06-23 2015-06-23 Биполярно-полевой операционный усилитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2583760C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2642337C1 (ru) * 2016-11-30 2018-01-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU185648U1 (ru) * 2018-09-25 2018-12-13 Акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон" Усилитель

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1446689A1 (ru) * 1986-11-28 1988-12-23 Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова Операционный усилитель
SU1539962A1 (ru) * 1988-02-03 1990-01-30 Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова Операционный усилитель
US5218319A (en) * 1991-05-24 1993-06-08 Fujitsu Limited Differential amplifier and active filter using the same
US5291149A (en) * 1992-03-30 1994-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Operational amplifier

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1446689A1 (ru) * 1986-11-28 1988-12-23 Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова Операционный усилитель
SU1539962A1 (ru) * 1988-02-03 1990-01-30 Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова Операционный усилитель
US5218319A (en) * 1991-05-24 1993-06-08 Fujitsu Limited Differential amplifier and active filter using the same
US5291149A (en) * 1992-03-30 1994-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Operational amplifier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2642337C1 (ru) * 2016-11-30 2018-01-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU185648U1 (ru) * 2018-09-25 2018-12-13 Акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон" Усилитель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2624565C1 (ru) Инструментальный усилитель для работы при низких температурах
RU2566963C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов
RU2583760C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2721942C1 (ru) Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
KR102415919B1 (ko) 공통 모드 피드백 제어 회로를 갖는 반전 의사 완전 차동 증폭기
RU2710917C1 (ru) Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом
RU2571578C1 (ru) Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса
RU2640744C1 (ru) Каскодный дифференциальный операционный усилитель
RU2712414C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом класса ав с изменяемым напряжением ограничения проходной характеристики
RU2710847C1 (ru) Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур
RU2624585C1 (ru) Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель
RU2615068C1 (ru) Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель
RU2642337C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2741055C1 (ru) Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2568384C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель на основе радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса
RU2621287C2 (ru) Мультидифференциальный операционный усилитель
RU2589323C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2712416C1 (ru) Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
RU2568318C1 (ru) Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2684473C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
RU2571569C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса
RU2652504C1 (ru) Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель
RU2571579C1 (ru) Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса
RU2595923C1 (ru) Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода
RU2452077C1 (ru) Операционный усилитель с парафазным выходом

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170624