RU2571578C1 - Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса - Google Patents
Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса Download PDFInfo
- Publication number
- RU2571578C1 RU2571578C1 RU2014145370/08A RU2014145370A RU2571578C1 RU 2571578 C1 RU2571578 C1 RU 2571578C1 RU 2014145370/08 A RU2014145370/08 A RU 2014145370/08A RU 2014145370 A RU2014145370 A RU 2014145370A RU 2571578 C1 RU2571578 C1 RU 2571578C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- effect transistors
- input
- bus
- auxiliary
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники и измерительной техники и может быть использовано в качестве устройства усиления сигналов различных датчиков, например, в мульдифференциальных операционных усилителях (МОУ), в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, работающих в условиях воздействия радиации. Технический результат - создание радиационно-стойкого входного каскада мультидифференциального операционного усилителя для биполярно-полевого технологического процесса. Входной каскад МОУ содержит два входных полевых транзистора, масштабный резистор, два вспомогательных полевых транзистора, две шины источника питания, вспомогательный двухполюсник и цепь нагрузки. Истоки вспомогательных полевых транзисторов через дополнительный резистор связаны с первой шиной источника питания и объединены с базой дополнительного транзистора. Коллектор дополнительного транзистора связан с объединенными затворами вспомогательных полевых транзисторов, а его эмиттер соединен с источником опорного напряжения. 8 ил.
Description
Изобретение относится к области электроники и измерительной техники и может быть использовано в качестве устройства усиления сигналов различных датчиков, например, в мульдифференциальных операционных усилителях (МОУ), в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, работающих в условиях воздействия радиации.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение мультидифференциальные операционные усилители (МОУ) [1-12]. На их основе реализуется новый класс устройств преобразования и усиления сигналов [13-18].
Для работы в условиях космического пространства, в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие МОУ, допускающие одновременное воздействие на них низких температур, потока нейтронов и т.п. Мировое проектирование устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием полевых транзисторов с управляющим p-n переходом.
Известны входные каскады (ВК) операционных усилителей на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом [19-26].
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является ВК по патенту US №6407537 fig. 1. Он содержит первый 1 и второй 2 входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с соответствующими первым 3 и вторым 4 входами устройства, масштабный резистор 5, включенный между истоками первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов, первый 6 и второй 7 вспомогательные полевые транзисторы, стоки которых соединены с истоками соответствующих первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов, затворы объединены и связаны с первой 8 шиной источника питания через первый 9 вспомогательный двухполюсник, истоки первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой 8 шиной источника питания, вторую 10 шину источника питания, первый 11 выход устройства, связанный со стоком первого 1 входного полевого транзистора и первым 12 входом цепи нагрузки 13, согласованной со второй 10 шиной источника питания, второй 14 выход устройства, связанный со стоком второго 2 входного полевого транзистора и вторым 15 входом цепи нагрузки 13.
Существенный недостаток известной схемы ВК состоит в том, что она может быть выполнена в составе однокристальной микросхемы только на основе достаточно редких, как правило, не радиационно-стойких технологических процессов, реализующих одновременно полевые BiFET транзисторы с двумя типами каналов (p, n). Это не позволяет применять известную схему ВК при построении радиационно-стойких микросхем МОУ на основе хорошо зарекомендовавшего себя радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса [27], который обеспечивает формирование p-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого входного каскада мультидифференциального операционного усилителя для биполярно-полевого технологического процесса, реализуемого на p-канальных полевых и высокачественных n-p-n биполярных транзисторах с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 1013 н/см2 (НПО «Интеграл» (г. Минск)) [27].
Дополнительная задача - уменьшение (на 1-2 порядка) коэффициента передачи синфазного сигнала с входов ВК на первый 11 и второй 14 выходы устройства.
Поставленная задача достигается тем, что в дифференциальном усилителе (фиг.1), содержащем первый 1 и второй 2 входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с соответствующими первым 3 и вторым 4 входами устройства, масштабный резистор 5, включенный между истоками первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов, первый 6 и второй 7 вспомогательные полевые транзисторы, стоки которых соединены с истоками соответствующих первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов, затворы объединены и связаны с первой 8 шиной источника питания через первый 9 вспомогательный двухполюсник, истоки первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой 8 шиной источника питания, вторую 10 шину источника питания, первый 11 выход устройства, связанный со стоком первого 1 входного полевого транзистора и первым 12 входом цепи нагрузки 13, согласованной со второй 10 шиной источника питания, второй 14 выход устройства, связанный со стоком второго 2 входного полевого транзистора и вторым 15 входом цепи нагрузки 13, предусмотрены новые элементы и связи - истоки первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой 8 шиной источника питания через дополнительный резистор 16 и объединены с базой дополнительного транзистора 17, причем коллектор дополнительного транзистора 17 связан с объединенными затворами первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов, а эмиттер дополнительного транзистора 17 соединен с источником опорного напряжения 18.
На фиг. 1 показана схема ВК-прототипа, а на чертеже фиг.2 -схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения для случая, когда цепь нагрузки 13 реализована в виде симметричной активной нагрузки с местной отрицательной обратной связью по синфазному сигналу.
На фиг. 3 показана схема заявляемого устройства для случая, когда симметричная цепь нагрузки 13 выполнена в виде резистивных двухполюсников 28, 29.
На фиг. 4 показана функциональная схема мультидифференциального ОУ на базе заявляемого входного каскада.
На фиг. 5 показана схема заявляемого устройства фиг. 3 в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов АБМК_1_3 НПО «Интеграл» (г. Минск).
На фиг. 6 представлена частотная зависимость коэффициента передачи синфазного сигнала схемы ВК фиг.5 для первого 11 выхода устройства.
На фиг. 7 показана схема ВК-прототипа фиг. 1 в среде PSpice на моделях интегральных транзисторов АБМК13 НПО «Интеграл» (г. Минск).
На фиг. 8 представлена частотная зависимость коэффициента передачи синфазного сигнала схемы ВК фиг. 7 для первого 11 выхода устройства. Сравнение графиков фиг. 6 и фиг. 8 показывают что завляемое устройство обеспечивает более высокое ослабление синфазного сигнала (в 100 раз лучшее по сравнению со схемой ВК-прототипа).
Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с соответствующими первым 3 и вторым 4 входами устройства, масштабный резистор 5, включенный между истоками первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов, первый 6 и второй 7 вспомогательные полевые транзисторы, стоки которых соединены с истоками соответствующих первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов, затворы объединены и связаны с первой 8 шиной источника питания через первый 9 вспомогательный двухполюсник, истоки первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой 8 шиной источника питания, вторую 10 шину источника питания, первый 11 выход устройства, связанный со стоком первого 1 входного полевого транзистора и первым 12 входом цепи нагрузки 13, согласованной со второй 10 шиной источника питания, второй 14 выход устройства, связанный со стоком второго 2 входного полевого транзистора и вторым 15 входом цепи нагрузки 13. Истоки первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой 8 шиной источника питания через дополнительный резистор 16 и объединены с базой дополнительного транзистора 17, причем коллектор дополнительного транзистора 17 связан с объединенными затворами первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов, а эмиттер дополнительного транзистора 17 соединен с источником опорного напряжения 18.
В схеме фиг. 2 симметричная цепь нагрузки 13 с отрицательной обратной связью по синфазному сигналу содержит биполярные транзисторы 19, 20, 21, 22, вспомогательные резисторы 23-26 и источник тока 27.
На чертеже фиг. 3 цепь нагрузки 13 реализована на резисторах 28 и 29.
При построении МОУ (abu/ 4) на основе заявляемого ВК предусматривается параллельное соединение нескольких входных каскадов МОУ (в частном случае - двух идентичных ВК фиг. 2-30 и 31) в соответствии с чертежом фиг. 4.
Рассмотрим работу заявляемого ВК фиг. 3.
Статический режим первого 1 и второго 2 входных полевых транзисторов ВК определяется током стока вспомогательных полевых транзисторов 6 и 7, т.е. зависит от их геометрии, а также сопротивления дополнительного резистора 16. В тех случаях, когда необходимо получить малое значение токов стока первого 1 и второго 2 входных транзисторов в истоковую цепь первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов следует включать дополнительные резисторы.
При изменении входного синфазного напряжения ВК фиг. 3 (uc=u1=u2) изменяется напряжение на базе дополнительного транзистора 17 на величину
где µ6-7=10-2-10-3 - коэффициент внутренней обратной связи вспомогательных транзисторов 6 и 7.
Это напряжение передается в коллекторную цепь дополнительного транзистора 17 и далее в цепь затворов первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов. В результате в заявляемой схеме минимизируется влияние внутренней обратной связи первого 6 и второго 7 вспомогательных полевых транзисторов на выходное сопротивление в цепи стока вспомогательных транзисторов 6 и 7. Как следствие, коэффициент передачи синфазного сигнала в схеме фиг. 3 существенно уменьшается (см. фиг. 6 и фиг. 8). Аналогичными свойствами обладает и схема фиг 2.
Замечательная особенность схемы фиг. 3 (фиг. 2) состоит также в том, что в отличие от схемы ВК-прототипа, она реализуется на основе радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса НПО «Интеграл» (г. Минск) [25].
Таким образом, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с прототипом.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патентная заявка US 2008/0186091 fig.4.
2. Патент US №5.148.721.
3. Патент US №5.237.526.
4. Патент US №5.729.161 fig. 2.
5. Патентная заявка US 2008/0032648 fig. 3.
6. Патент US №5.045.804 fig. 5.
7. Патент WO 03/043281 fig. 6.
8. Патентная заявка US 2003/0184377.
9. Авт. св. СССР 543946.
10. Патент US №3.916.215.
11. Патент US №4.599.572 fig. 2.
12. Патент RU 2513489.
13. Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., Хорунжий А.В. Нелинейные режимы в мультидифференциальных операционных усилителях // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2008. Сборник научных трудов / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2008. С. 340-343.
14. Прокопенко Н.Н., Манжула В.Г., Белич С.С. Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля в условиях температурных и радиационных воздействий // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика, Телекоммуникации. Управление. СПб: Изд-во СПбГПУ, 2010. №3 (101). - С. 204-206.
15. Крутчинский С.Г., Старченко Е.И. Мультидифференциальные усилители и прецизионная схемотехника // Электроника и связь, №21, том 9, 2004, Киев. - С. 101-107.
16. Прокопенко Н.Н., Бутырлагин Н.В., Пахомов И.В. Основные параметры и уравнения базовых схем включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов. Часть 3 / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2014. - С. 111-116.
17. Prokopenko N.N., Dvornikov O.V., Butyrlagin N.V., Bugakova A.V. The main connection circuits of the radiation-hardened differential difference amplifier based on the bipolar and field effect technological process // 2014 12th International conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE - 2014) proceedings in 7 Volumes; Novosibirsk, October 2-4, 2014. - Novosibirsk State Technical University. - Vol. 1. - P. 29-34.
18. Прокопенко H.H., Будяков П.С., Бутырлагин H.B. Сверхвысокочастотные мультидифференциальные операционные усилители и основные схемы их включения (Circuit and connection design of microwave differential difference amplifiers) // 11-я Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы электронного приборостроения»: Саратов, 25-26 сентября 2014 г.: материалы конф. в 2 т. - Саратов: Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., 2014. - Т. 2. - С. 100-107.
19. Патент US 4.667.165 fig. 3.
20. Патент US 3.851.270 fig. 1.
21. Патент US 6.433.638.
22. Патент US 4.709.216 fig. 1.
23. Патентная заявка US 2010/0117735 fig. 2.
24. Патент US 5.563.598 fig. 6.
25. Патентная заявка US 2005/0285677.
26. Патент US 4.618.832 fig. 3.
27.Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под. общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО ЮРГУЭС, 2011. - 208 с.
Claims (1)
- Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса, содержащий первый (1) и второй (2) входные полевые транзисторы, затворы которых соединены с соответствующими первым (3) и вторым (4) входами устройства, масштабный резистор (5), включенный между истоками первого (1) и второго (2) входных полевых транзисторов, первый (6) и второй (7) вспомогательные полевые транзисторы, стоки которых соединены с истоками соответствующих первого (1) и второго (2) входных полевых транзисторов, затворы объединены и связаны с первой (8) шиной источника питания через первый (9) вспомогательный двухполюсник, истоки первого (6) и второго (7) вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой (8) шиной источника питания, вторую (10) шину источника питания, первый (2) выход устройства, связанный со стоком первого (1) входного полевого транзистора и первым (12) входом цепи нагрузки (13), согласованной со второй (10) шиной источника питания, второй (14) выход устройства, связанный со стоком второго (2) входного полевого транзистора и вторым (15) входом цепи нагрузки (13), отличающийся тем, что истоки первого (6) и второго (7) вспомогательных полевых транзисторов связаны с первой (8) шиной источника питания через дополнительный резистор (16) и объединены с базой дополнительного транзистора (17), причем коллектор дополнительного транзистора (17) связан с объединенными затворами первого (6) и второго (7) вспомогательных полевых транзисторов, а эмиттер дополнительного транзистора (17) соединен с источником опорного напряжения (18).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014145370/08A RU2571578C1 (ru) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014145370/08A RU2571578C1 (ru) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2571578C1 true RU2571578C1 (ru) | 2015-12-20 |
Family
ID=54871411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014145370/08A RU2571578C1 (ru) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2571578C1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2616570C1 (ru) * | 2016-02-09 | 2017-04-17 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Инструментальный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала |
| RU2624565C1 (ru) * | 2016-02-11 | 2017-07-04 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Инструментальный усилитель для работы при низких температурах |
| RU2628131C1 (ru) * | 2016-03-09 | 2017-08-15 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
| RU2732950C1 (ru) * | 2020-04-29 | 2020-09-24 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4074205A (en) * | 1977-03-09 | 1978-02-14 | Rca Corporation | Input stage for fast-slewing amplifier |
| RU2319290C1 (ru) * | 2006-07-26 | 2008-03-10 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя |
| RU2331964C1 (ru) * | 2007-05-21 | 2008-08-20 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Преобразователь "напряжение-ток" |
| RU2509406C1 (ru) * | 2012-08-10 | 2014-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Входной каскад быстродействующего операционного усилителя |
-
2014
- 2014-11-11 RU RU2014145370/08A patent/RU2571578C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4074205A (en) * | 1977-03-09 | 1978-02-14 | Rca Corporation | Input stage for fast-slewing amplifier |
| RU2319290C1 (ru) * | 2006-07-26 | 2008-03-10 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя |
| RU2331964C1 (ru) * | 2007-05-21 | 2008-08-20 | ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) | Преобразователь "напряжение-ток" |
| RU2509406C1 (ru) * | 2012-08-10 | 2014-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Входной каскад быстродействующего операционного усилителя |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2616570C1 (ru) * | 2016-02-09 | 2017-04-17 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Инструментальный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала |
| RU2624565C1 (ru) * | 2016-02-11 | 2017-07-04 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Инструментальный усилитель для работы при низких температурах |
| RU2628131C1 (ru) * | 2016-03-09 | 2017-08-15 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
| RU2732950C1 (ru) * | 2020-04-29 | 2020-09-24 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Низкотемпературный и радиационно-стойкий компенсационный стабилизатор напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2624565C1 (ru) | Инструментальный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2571578C1 (ru) | Входной каскад мультидифференциального операционного усилителя для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса | |
| CN103412605B (zh) | 高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源 | |
| RU2566963C1 (ru) | Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов | |
| Dvornikov et al. | The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC | |
| RU2710917C1 (ru) | Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом | |
| RU2741056C1 (ru) | Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах | |
| RU2710847C1 (ru) | Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур | |
| RU2640744C1 (ru) | Каскодный дифференциальный операционный усилитель | |
| RU2615070C1 (ru) | Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель | |
| RU2615066C1 (ru) | Операционный усилитель | |
| RU2615068C1 (ru) | Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель | |
| RU2595927C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
| RU2566964C1 (ru) | Мультидифференциальный усилитель для радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса | |
| RU2568318C1 (ru) | Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
| RU2571569C1 (ru) | Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса | |
| RU2721940C1 (ru) | Буферный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
| RU2711725C1 (ru) | Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
| RU2571399C1 (ru) | Дифференциальный усилитель на основе радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса для работы при низких температурах | |
| RU2571579C1 (ru) | Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса | |
| RU2439780C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель | |
| RU2452077C1 (ru) | Операционный усилитель с парафазным выходом | |
| RU2595923C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода | |
| RU2589323C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
| RU2684473C1 (ru) | Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161112 |