RU2721942C1 - Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом - Google Patents
Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2721942C1 RU2721942C1 RU2020104006A RU2020104006A RU2721942C1 RU 2721942 C1 RU2721942 C1 RU 2721942C1 RU 2020104006 A RU2020104006 A RU 2020104006A RU 2020104006 A RU2020104006 A RU 2020104006A RU 2721942 C1 RU2721942 C1 RU 2721942C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- source
- output
- bus
- effect transistors
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 54
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой. Технический результат заключается в обеспечении работоспособности ОУ в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации, а также в получении в этих условиях повышенных значений дифференциального коэффициента усиления. Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель содержит шину источника питания, источник опорного тока, выходные полевые транзисторы, причем в качестве всех вышеупомянутых полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 5 ил.
Description
Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков, работающих в условиях низких температур и воздействия радиации.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение дифференциальные операционные усилители (ОУ) с существенными различными параметрами. Особое место занимают ОУ с парафазным выходом [1-51], которые обеспечивают более широкий динамический диапазон выходного напряжения, что важно при низковольтном питании, а также эффективное подавление синфазных сигналов и помех.
Одним из важных динамических параметров современных операционных усилителей, работающих в условиях низких температур и проникающей радиации, является дифференциальный коэффициент усиления разомкнутого ОУ (К0), оказывающий существенное влияние на предельные точностные параметры многих вариантов построения аналоговых интерфейсов. Как правило, данный параметр ОУ с традиционной схемотехникой существенно деградирует в тяжелых условиях эксплуатации.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является ОУ по патентной заявке фирмы Broadcom Corporation (США) US № 8.169.263, fig. 5, 2012г. Он содержит первый 1 и второй 2 входы входного дифференциального каскада 3, общая истоковая цепь которого согласовано с первой 4 шиной источника питания, первый 5 и второй 6 токовые выходы входного дифференциального каскада 3, первый 7 источник опорного тока, включенный между первым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 3 и второй 8 шиной источника питания, второй 9 источник опорного тока, включенный между вторым 6 токовым выходом входного дифференциального каскада 3 и второй 8 шиной источника питания, первый 10 и второй 11 выходные полевые транзисторы, затворы которых связаны соответственно с первым 5 и вторым 6 токовыми выходами входного дифференциального каскада 3, третий 12 и четвертый 13 выходные полевые транзисторы, стоки которых соединены с соответствующими первым 14 и вторым 15 токовыми выходами промежуточного каскада, которые связаны со первым 16 и вторым 17 входами выходного буферного усилителя 18, имеющего противофазные потенциальные выходы 19 и 20, вспомогательный двухполюсник 21, связанный со второй 8 шиной источника питания.
Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что при его практической реализации на основе комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом он не обеспечивает повышенные значения К0 в диапазоне низких температур и флюенса электронов. Это не позволяет использовать преимущества JFet в аналоговых устройствах рассматриваемого класса в данных условиях эксплуатации.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в обеспечении работоспособности ОУ в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации, а также в получении в этих условиях повышенных значений дифференциального коэффициента усиления (K0).
Поставленная задача решается тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы входного дифференциального каскада 3, общая истоковая цепь которого согласовано с первой 4 шиной источника питания, первый 5 и второй 6 токовые выходы входного дифференциального каскада 3, первый 7 источник опорного тока, включенный между первым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 3 и второй 8 шиной источника питания, второй 9 источник опорного тока, включенный между вторым 6 токовым выходом входного дифференциального каскада 3 и второй 8 шиной источника питания, первый 10 и второй 11 выходные полевые транзисторы, затворы которых связаны соответственно с первым 5 и вторым 6 токовыми выходами входного дифференциального каскада 3, третий 12 и четвертый 13 выходные полевые транзисторы, стоки которых соединены с соответствующими первым 14 и вторым 15 токовыми выходами промежуточного каскада, которые связаны со первым 16 и вторым 17 входами выходного буферного усилителя 18, имеющего противофазные потенциальные выходы 19 и 20, вспомогательный двухполюсник 21, связанный со второй 8 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи – первый 7 источник опорного тока реализован на первом 22 дополнительном полевом транзисторе, затвор которого подключен ко второй 8 шине источника питания, а сток соединен с затвором первого 10 выходного полевого транзистора, второй 9 источник опорного тока выполнен на втором 23 дополнительном полевом транзисторе, затвор которого соединён со второй 8 шиной источника, а сток подключен к затвору второго 11 выходного полевого транзистора, исток первого 10 выходного полевого транзистора соединен с истоком третьего 12 выходного полевого транзистора, исток второго 11 выходного полевого транзистора соединен с истоком четвертого 13 выходного полевого транзистора, затвор третьего 12 выходного полевого транзистора согласован со второй 8 шиной источника питания, затвор четвертого 13 выходного полевого транзистора согласован со второй 8 шиной источника питания, стоки первого 10 и второго 11 выходных полевых транзисторов соединены с истоками первого 22 и второго 23 дополнительных полевых транзисторов и через вспомогательный двухполюсник 21 подключены ко второй 8 шине источника питания, причем в качестве всех вышеупомянутых полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
На чертеже фиг. 1 представлена схема ОУ-прототипа.
На чертеже фиг. 2 показана схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.
На чертеже фиг. 3 приведен статический режим ОУ Фиг.2 в среде LTSpice на CJFet транзисторах ОАО «Интеграл» (г. Минск), при -197°С и источнике опорного тока I1=200мкА.
На чертеже фиг. 4 показана амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) коэффициента усиления по напряжению ОУ фиг. 3 с отрицательной обратной связью и без отрицательной обратной связи при температуре 27°С.
На чертеже фиг. 5 представлена АЧХ коэффициента усиления по напряжению ОУ фиг. 3 с отрицательной обратной связью и без отрицательной обратной связи при низких температурах (-197°С).
Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы входного дифференциального каскада 3, общая истоковая цепь которого согласовано с первой 4 шиной источника питания, первый 5 и второй 6 токовые выходы входного дифференциального каскада 3, первый 7 источник опорного тока, включенный между первым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 3 и второй 8 шиной источника питания, второй 9 источник опорного тока, включенный между вторым 6 токовым выходом входного дифференциального каскада 3 и второй 8 шиной источника питания, первый 10 и второй 11 выходные полевые транзисторы, затворы которых связаны соответственно с первым 5 и вторым 6 токовыми выходами входного дифференциального каскада 3, третий 12 и четвертый 13 выходные полевые транзисторы, стоки которых соединены с соответствующими первым 14 и вторым 15 токовыми выходами промежуточного каскада, которые связаны со первым 16 и вторым 17 входами выходного буферного усилителя 18, имеющего противофазные потенциальные выходы 19 и 20, вспомогательный двухполюсник 21, связанный со второй 8 шиной источника питания. Первый 7 источник опорного тока реализован на первом 22 дополнительном полевом транзисторе, затвор которого подключен ко второй 8 шине источника питания, а сток соединен с затвором первого 10 выходного полевого транзистора, второй 9 источник опорного тока выполнен на втором 23 дополнительном полевом транзисторе, затвор которого соединён со второй 8 шиной источника, а сток подключен к затвору второго 11 выходного полевого транзистора, исток первого 10 выходного полевого транзистора соединен с истоком третьего 12 выходного полевого транзистора, исток второго 11 выходного полевого транзистора соединен с истоком четвертого 13 выходного полевого транзистора, затвор третьего 12 выходного полевого транзистора согласован со второй 8 шиной источника питания, затвор четвертого 13 выходного полевого транзистора согласован со второй 8 шиной источника питания, стоки первого 10 и второго 11 выходных полевых транзисторов соединены с истоками первого 22 и второго 23 дополнительных полевых транзисторов и через вспомогательный двухполюсник 21 подключены ко второй 8 шине источника питания, причем в качестве всех вышеупомянутых полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
Рассмотрим работу заявляемого устройства фиг. 2.
Представленные на чертежах фиг. 3, фиг. 4, фиг. 5 результаты компьютерного моделирования на соответствующих моделях CJFet транзисторов [52] показывают, что предлагаемое устройство обеспечивает разомкнутый коэффициент усиления на уровне 80 дБ, что достаточно для многих применений.
Таким образом, предлагаемый ОУ имеет ряд преимуществ в сравнении с ОУ-прототипом и может быть рекомендован для практического использования в космическом приборостроении и физике высоких энергий.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US 6.937.100, 2005 г.
2. Патент US 6.956.434, fig.1, 2005 г.
3. Патент US 7.894.727, fig.3, 2011 г.
4. Патент US 5.880.634, fig.4,fig.7B, 1999 г.
5. Патент US 5.146.179, fig.2, 1992 г.
6. Патент US 6.924.701, fig.1B, fig.3, fig.1a, 2005 г.
7. Патент US 6.624.697, fig.1, 2003 г.
8. Патент US 6.356.152, fig.4, 2002 г.
9. Патент US 6.329.849, fig.8, 2001 г.
10. Патент US 5.376.899, fig.1, 1994 г.
11. Патент11. Патент US | 6.750.715, fig.4, 2004 г. |
12. Патент US 5.604.464, fig.2, 1997 г.
13. Патент US 5.847.607, fig.8, 1998 г.
14. Патент US 5.406.220, fig.2, 1995 г.
15. Заявка на патент US 2005/0258907, 2005 г.
16. Патент US 6.628.168, fig.2, 2003 г.
17. Патент US 4.714.895, fig.1, 1997 г.
18. Патент EP 0 632 581, fig.3, 1995 г.
19. Патент US 4.697.152, fig.2,1987 г.
20. Патент US 5.212.455, 1993 г.
21. Патент US 6.804.305, fig.1, 2004 г.
22. Патент US 4.600.893, fig. 4, 1986 г.
23. Патент US 3.979.689, fig. 2, 1976 г.
24. Патент US RE 30.587, 1981 г.
25. Патент US 4.151.483, fig. 4, 1979 г.
26. Патент US 4.151.484, fig. 4, 1979 г.
27. Патент US 4.406.990, fig. 3, 1983 г.
28. Патент US 4.463.319, 1984 г.
29. Патент US 7.791.414, fig. 6, 2010 г.
30. Патент US 5.455.535, 1995 г.
31. Патент US 6.788.143, fig. 2, 2004 г.
32. Патент US 5.153.529, 1995 г.
33. Патентная заявка US 2003/0090321, fig. 8, 2007 г.
34. Патентная заявка US 2007/0069815, fig. 1, 2007 г.
35. Патент US 6.696.894, 2004 г.
36. Патент US 5.963.085, 1999 г.
37. Патент US 5.966.050, fig. 4, 1999 г.
38. Патент US 5.166.637, fig. 3, 1992 г.
39. Патент US 6.529.076, 2003 г.
40. Патент US 6.483.382, fig.2, fig.1, 2002 г.
41. Патент US 5.627.495, fig. 2, 1997 г.
42. Патент US 5.327.100, fig. 1, 1994 г.
43. Патент US 4.390.850, fig. 1, 1983 г.
44. Патент US 5.610.557, fig. 2A, 1997 г.
45. Патент US 8.350.622, 2013 г.
46. Патент US 5.418.491, fig.1, 1995 г.
47. Патент US 4.783.637, fig. 2, 1988 г.
48. Патент US 5.091.701, fig. 1, 1992 г.
49. Патент US 5.140.280, 1992 г.
50. Патент US 5.786.729, 1998 г.
51. I.M. Filanovsky, V.V. Ivanov, “Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement: Analog Circuit Design with Structural Methodology,” Kluwer Academic Publishers, New York, Boston, Dordrecht, London, 2004, 194 p.
52. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507.
Claims (1)
- Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах, содержащий первый (1) и второй (2) входы входного дифференциального каскада (3), общая истоковая цепь которого согласована с первой (4) шиной источника питания, первый (5) и второй (6) токовые выходы входного дифференциального каскада (3), первый (7) источник опорного тока, включенный между первым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (3) и второй (8) шиной источника питания, второй (9) источник опорного тока, включенный между вторым (6) токовым выходом входного дифференциального каскада (3) и второй (8) шиной источника питания, первый (10) и второй (11) выходные полевые транзисторы, затворы которых связаны соответственно с первым (5) и вторым (6) токовыми выходами входного дифференциального каскада (3), третий (12) и четвертый (13) выходные полевые транзисторы, стоки которых соединены с соответствующими первым (14) и вторым (15) токовыми выходами промежуточного каскада, которые связаны с первым (16) и вторым (17) входами выходного буферного усилителя (18), имеющего противофазные потенциальные выходы (19) и (20), вспомогательный двухполюсник (21), связанный со второй (8) шиной источника питания, отличающийся тем, что первый (7) источник опорного тока реализован на первом (22) дополнительном полевом транзисторе, затвор которого подключен ко второй (8) шине источника питания, а сток соединен с затвором первого (10) выходного полевого транзистора, второй (9) источник опорного тока выполнен на втором (23) дополнительном полевом транзисторе, затвор которого соединён со второй (8) шиной источника, а сток подключен к затвору второго (11) выходного полевого транзистора, исток первого (10) выходного полевого транзистора соединен с истоком третьего (12) выходного полевого транзистора, исток второго (11) выходного полевого транзистора соединен с истоком четвертого (13) выходного полевого транзистора, затвор третьего (12) выходного полевого транзистора согласован со второй (8) шиной источника питания, затвор четвертого (13) выходного полевого транзистора согласован со второй (8) шиной источника питания, стоки первого (10) и второго (11) выходных полевых транзисторов соединены с истоками первого (22) и второго (23) дополнительных полевых транзисторов и через вспомогательный двухполюсник (21) подключены ко второй (8) шине источника питания, причем в качестве всех вышеупомянутых полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020104006A RU2721942C1 (ru) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020104006A RU2721942C1 (ru) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2721942C1 true RU2721942C1 (ru) | 2020-05-25 |
Family
ID=70803322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020104006A RU2721942C1 (ru) | 2020-01-30 | 2020-01-30 | Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2721942C1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2741056C1 (ru) * | 2020-09-01 | 2021-01-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
RU2766864C1 (ru) * | 2021-09-08 | 2022-03-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
RU2771316C1 (ru) * | 2021-12-09 | 2022-04-29 | Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" | Арсенид-галлиевый буферный усилитель |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1529410A1 (ru) * | 1987-10-26 | 1989-12-15 | Предприятие П/Я В-8624 | Повторитель тока |
US7463013B2 (en) * | 2004-11-22 | 2008-12-09 | Ami Semiconductor Belgium Bvba | Regulated current mirror |
RU2365969C1 (ru) * | 2008-01-09 | 2009-08-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Токовое зеркало |
US20110140782A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Bofill-Petit Adria | Differential Gm-Boosting Circuit and Applications |
-
2020
- 2020-01-30 RU RU2020104006A patent/RU2721942C1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1529410A1 (ru) * | 1987-10-26 | 1989-12-15 | Предприятие П/Я В-8624 | Повторитель тока |
US7463013B2 (en) * | 2004-11-22 | 2008-12-09 | Ami Semiconductor Belgium Bvba | Regulated current mirror |
RU2365969C1 (ru) * | 2008-01-09 | 2009-08-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Токовое зеркало |
US20110140782A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Bofill-Petit Adria | Differential Gm-Boosting Circuit and Applications |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2741056C1 (ru) * | 2020-09-01 | 2021-01-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
RU2766864C1 (ru) * | 2021-09-08 | 2022-03-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
RU2771316C1 (ru) * | 2021-12-09 | 2022-04-29 | Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" | Арсенид-галлиевый буферный усилитель |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2721942C1 (ru) | Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
JP3875392B2 (ja) | 演算増幅器 | |
KR101333421B1 (ko) | 저전압 저전력 a/b급 출력단 | |
Nagulapalli et al. | A bio-medical compatible self bias opamp in 45nm CMOS technology | |
EP1279223A2 (en) | Boosted high gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier | |
RU2710917C1 (ru) | Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом | |
Beloso-Legarra et al. | Two-stage OTA with all subthreshold MOSFETs and optimum GBW to DC-current ratio | |
RU2684489C1 (ru) | Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
RU2741056C1 (ru) | Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах | |
RU2710847C1 (ru) | Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур | |
RU2721945C1 (ru) | Входной каскад дифференциального операционного усилителя с парафазным выходом на комплементарных полевых транзисторах | |
RU2640744C1 (ru) | Каскодный дифференциальный операционный усилитель | |
Zhao et al. | Low-voltage process-insensitive frequency compensation method for two-stage OTA with enhanced DC gain | |
Prokopenko et al. | The radiation-hardened differential difference operational amplifiers for operation in the low-temperature analog interfaces of sensors | |
RU2712416C1 (ru) | Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах | |
RU2710846C1 (ru) | Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом | |
RU2615066C1 (ru) | Операционный усилитель | |
Padilla-Cantoya et al. | Class AB op-amp with accurate static current control for low and high supply voltages | |
RU2741055C1 (ru) | Операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
RU2310268C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель с низковольтным питанием | |
RU2711725C1 (ru) | Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
RU2710298C1 (ru) | Неинвертирующий усилитель с токовым выходом для работы при низких температурах | |
RU2724921C1 (ru) | Операционный усилитель с парафазным выходом для активных rc-фильтров, работающих в условиях воздействия потока нейтронов и низких температур | |
RU2668981C1 (ru) | Выходной каскад bijfet операционного усилителя | |
RU2739577C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом |