RU2668981C1 - Выходной каскад bijfet операционного усилителя - Google Patents
Выходной каскад bijfet операционного усилителя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2668981C1 RU2668981C1 RU2017139037A RU2017139037A RU2668981C1 RU 2668981 C1 RU2668981 C1 RU 2668981C1 RU 2017139037 A RU2017139037 A RU 2017139037A RU 2017139037 A RU2017139037 A RU 2017139037A RU 2668981 C1 RU2668981 C1 RU 2668981C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- field
- output
- input
- bipolar
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области аналоговой микросхемотехники и может быть использовано в качестве биполярно-полевых (BiJFet) буферных усилителей. Техническим результатом является обеспечение двухтактного преобразования входного напряжения при высокой линейности проходной характеристики, малом входном токе, высоком входном дифференциальном сопротивлении. Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя содержит входной полевой транзистор (1) и выходной биполярный транзистор (2), эмиттер которого соединен с выходом устройства (3) и нагрузкой (4), а коллектор подключен к первой (5) шине источника питания, токостабилизирующий двухполюсник (6), включенный между базой выходного биполярного транзистора (2) и первой (5) шиной источника питания, причем исток входного полевого транзистора (1) связан с базой выходного биполярного транзистора (2), затвор входного полевого транзистора (1) подключен к входу устройства (7), а сток входного полевого транзистора (1) связан со второй (8) шиной источника питания. В схему введен дополнительный полевой транзистор (9), затвор которого соединен с входом устройства (7), исток подключен к выходу устройства (3), а сток соединен со второй (8) шиной источника питания. 4 з.п. ф-лы, 12 ил.
Description
Изобретение относится к области аналоговой микросхемотехники и может быть использовано в качестве BiJFet (биполярно-полевых) буферных усилителей, допускающих работу в условиях низких температур и воздействия проникающей радиации.
Известно значительное количество схем буферных усилителей (БУ), которые реализуются на биполярных (BJT) и полевых (BiJFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-25]. Во многих случаях схема БУ адаптируется под конкретные технологические процессы и внешние воздействующие факторы, например влияние низких температур и радиации, т.к. только в этом случае обеспечивается реализация предельных параметров БУ.
Для работы в тяжелых условиях эксплуатации (воздействие низких, в т.ч. криогенных температур, потока нейтронов, накопленной дозы радиации, гамма-квантов и т.д.) хорошо зарекомендовали себя микросхемы на основе BiJFet технологического процесса [26]. Однако данный технологический процесс не обеспечивает удовлетворительную работу аналоговых микросхем с использованием в их сигнальных цепях p-n-р транзисторов [26]. В этой связи в BiJFet ОУ рекомендуется преимущественно применять только полевые транзисторы с управляющим р-n переходом и биполярные n-р-n транзисторы [26]. Это накладывает существенные ограничения на применяемые схемотехнические решения выходных каскадов аналоговых микросхем данного класса.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение буферные усилители, реализованные в виде истоковых повторителей на BiJFet или КМОП транзисторах [1-20]. Известны также двухтактные выходные каскады только на КМОП транзисторах с р- или n-каналами [21-24]. В ряде случаев двухтактные выходные каскады выполняются на входных КМОП транзисторах и выходных биполярных транзисторах [25]. Благодаря простоте вышеназванные схемотехнические решения наиболее популярны как в зарубежных, так и в российских аналоговых микросхемах, реализуемых на основе базовых технологических процессов.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является выходной каскад по патенту US 4420726, fig. 1, fig. 2. Он содержит (фиг. 1) входной полевой транзистор 1 и выходной биполярный транзистор 2, эмиттер которого соединен с выходом устройства 3 и нагрузкой 4, а коллектор подключен к первой 5 шине источника питания, токостабилизирующий двухполюсник 6, включенный между базой выходного биполярного транзистора 2 и первой 5 шиной источника питания, причем исток входного полевого транзистора 1 связан с базой выходного биполярного транзистора 2, затвор входного полевого транзистора 1 подключен к входу устройства 7, а сток входного полевого транзистора 1 связан со второй 8 шиной источника питания.
Существенный недостаток известного буферного усилителя состоит в том, что из-за ограничений BiJFet технологического процесса, например, 3КБТ ОАО «Интеграл» (г. Минск), в нем не рекомендуется использовать р-n-р транзисторы и, как следствие, в БУ-прототипе не реализуется двухтактное усиление класса «АВ», что отрицательно сказывается на его энергетических параметрах, линейности амплитудной характеристики, уровне нелинейных искажений сигналов и др.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения БУ для BiJFet технологических процессов (например, для базовых матричных кристаллов АБМК-1.3, АБМК-1.7, АБМК-2.1 и др.), обеспечивающего двухтактное преобразование входного напряжения (режим класса АВ) при высокой линейности проходной характеристики, малом входном токе, высоком входном дифференциальном сопротивлении.
Поставленная задача достигается тем, что в выходном каскаде биполярно-полевого операционного усилителя фиг. 1, содержащем входной полевой транзистор 1 и выходной биполярный транзистор 2, эмиттер которого соединен с выходом устройства 3 и нагрузкой 4, а коллектор подключен к первой 5 шине источника питания, токостабилизирующий двухполюсник 6, включенный между базой выходного биполярного транзистора 2 и первой 5 шиной источника питания, причем исток входного полевого транзистора 1 связан с базой выходного биполярного транзистора 2, затвор входного полевого транзистора 1 подключен к входу устройства 7, а сток входного полевого транзистора 1 связан со второй 8 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введен дополнительный полевой транзистор 9, затвор которого соединен с входом устройства 7, исток подключен к выходу устройства 3, а сток соединен со второй 8 шиной источника питания.
На фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения. На фиг. 3 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2 и п. 3 формулы изобретения, а на фиг. 4 - п. 4 формулы изобретения. На фиг. 5 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п. 5 формулы изобретения.
На фиг. 6 приведена схема заявляемого выходного каскада (соответствующая фиг. 2 и фиг. 3) в среде LTSpice на радиационно-зависимых и низкотемпературных моделях транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1.7 [27].
На фиг. 7 представлена зависимость выходного напряжения заявляемого выходного каскада фиг. 6 от входного напряжения при разных температурах t=-190÷27°c, при токе I1=200 мкА (модели транзисторов PADJ сильноточные).
На фиг. 8 показана схема заявляемого выходного каскада, соответствующая фиг. 5, в среде LTSpice на радиационно-зависимых низкотемпературных моделях транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1.7 [27].
На фиг. 9 приведена зависимость выходного напряжения заявляемого выходного каскада, соответствующая фиг. 8, от входного напряжения при разных значениях сопротивления R2=100÷2000 Ом, при t=-190°C, R1=2 кOм (модели транзисторов PADJ сильноточные).
На фиг. 10 представлена схема заявляемого выходного каскада, соответствующая фиг. 5 и фиг. 3, в среде LTSpice на низкотемпературных моделях транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1.7 [27].
На фиг. 11 показана зависимость выходного напряжения заявляемого выходного каскада, соответствующая фиг. 10, от входного напряжения при разных значениях сопротивления R2=100÷2000 Ом, при низких температурах t=-190°C, R1=2 кOм (модели транзисторов PADJ сильноточные).
На фиг. 12 приведена зависимость выходного напряжения заявляемого выходного каскада, соответствующая фиг. 10, от входного напряжения при разных значениях сопротивления R2=100÷2000 Ом, при комнатной температуре t=27°C, R1=1 ГОм (модели транзисторов PADJ сильноточные).
Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя фиг. 2 содержит входной полевой транзистор 1 и выходной биполярный транзистор 2, эмиттер которого соединен с выходом устройства 3 и нагрузкой 4, а коллектор подключен к первой 5 шине источника питания, токостабилизирующий двухполюсник 6, включенный между базой выходного биполярного транзистора 2 и первой 5 шиной источника питания, причем исток входного полевого транзистора 1 связан с базой выходного биполярного транзистора 2, затвор входного полевого транзистора 1 подключен к входу устройства 7, а сток входного полевого транзистора 1 связан со второй 8 шиной источника питания. В схему введен дополнительный полевой транзистор 9, затвор которого соединен с входом устройства 7, исток подключен к выходу устройства 3, а сток соединен со второй 8 шиной источника питания. В частном случае, выходной биполярный транзистор может быть реализован на основе составного транзистора Дарлингтона.
На фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, исток входного полевого транзистора 1 связан с базой выходного биполярного транзистора 2 через цепь согласования потенциалов 10.
На фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, выходной биполярный транзистор 2 выполнен по схеме классического составного транзистора Дарлингтона на транзисторах 11 и 12.
На фиг. 4, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, цепь согласования потенциалов 10 содержит дополнительный транзистор 13, эмиттер которого подключен к истоку входного полевого транзистора 1, коллектор связан с базой выходного биполярного транзистора 2, а база дополнительного транзистора 13 соединена с токостабилизирующим двухполюсником 6 и связана с коллектором данного дополнительного транзистора 13.
На фиг. 5, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, база дополнительного транзистора 13 подключена к токостабилизирующему двухполюснику 6 и связана с коллектором дополнительного транзистора 13 и базой выходного биполярного транзистора 2 через дополнительный резистор 14.
Рассмотрим работу предлагаемого БУ, фиг. 4.
В статическом режиме напряжение затвор-исток Uзи.9 дополнительного полевого транзистора 9 больше, чем напряжение затвор-исток Uзи.1 входного полевого транзистора 1, так как
где Uэб.13 - напряжение эмиттер-база транзистора 13; Uэб.2 - напряжение эмиттер база составного транзистора 2; Uэб.11 - напряжение эмиттер-база транзистора 11.
Как следствие статический ток истока дополнительного полевого транзистора 9 меньше, чем статический тока входного транзистора 1, что обеспечивает малое значение сквозного тока БУ (Iскв.).
При положительном входном напряжении БУ фиг. 4 ток в нагрузке Rн определяется приращением эмиттерного тока транзистора 2. При этом максимальное значение тока в нагрузке определяется формулой
где I6 - ток двухполюсника 6; β11, β12 - коэффициенты усиления по току базы транзисторов 11 и 12.
Если входное напряжение принимает отрицательные значения, то отрицательное приращение тока в нагрузке обеспечивается током стока дополнительного полевого транзистора 9. При этом максимальные значения определяются стокозатворной характеристикой дополнительного полевого транзистора 9. Во многих случаях может измеряться единицами-десятками милиампер (8÷15 мА). Этого достаточно для многих применений БУ.
Следует заметить, что в схеме фиг. 4 входное сопротивление БУ определяется входными сопротивлениями полевых транзисторов 1 и 9, что особенно важно для получения больших коэффициентов усиления по напряжению ОУ с динамическими нагрузками на основе токовых зеркал [26].
В схеме фиг. 5, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, вводится дополнительный резистор 14, влияющий на зону нечувствительности проходной характеристики БУ в области средних значений входных напряжений (фиг. 7). Так, при сопротивлении R14=0 зона нечувствительности будет минимальной.
В ряде случаев в эмиттер транзистора 13 (фиг. 10) может вводиться дополнительный р-n переход (Q4), что позволяет с помощью рационального выбора его сопротивления обеспечить линейную проходную характеристику фиг. 12 в широком диапазоне температур при различных вариантах построения составного транзистора 2 (одиночный вариант, схема Дарлингтона, схема Линна и т.д.).
Компьютерное моделирование (фиг. 7, фиг. 9, фиг. 11, фиг. 12) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации, имеет существенные достоинства в сравнении с известными вариантами построения БУ при их реализации в рамках BiJFet технологического процесса.
Источники информации
1. WO 2007135139.
2. US 4743862.
3. US 6433638, fig. 1a-2.
4. US 20050253653.
5. US 4825174, fig. 3, fig. 6.
6. RU 2099856, fig. 3.
7. US 4904953, fig. 2.
8. US 7896339, fig. 4.
9. US 6342814.
10. US 2010/0182086.
11. US 5387880, fig. 1.
12. US 4598253.
13. US 4667165, fig. 2.
14. US 4596958.
15. US 7116172, fig. 4, fig. 5.
16. US 5648743.
17. US 5367271, fig. 2.
18. US 2000/0112075, fig. 3.
19. US 5065043, fig. 1f.
20. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ. - Изд. 2-е. – М.: Издательство БИНОМ. 2014. - 704 с. Рис. 3.26, рис. 3.28, рис. 3.29.
21. US 2007/0115056, fig. 2.
22. US 7548117, fig. 5.
23. EP 0 293486 B1, fig. 5.
24. Patt Boonyaporn, Varakorn Kasemsuwan. A High Performance Class AB CMOS Rail to Rail Voltage Follower // ASIC, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Asia-Pacific Conference on, pp. 161-163.
25. US 4420726, fig. 1 - fig. 3.
26. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
27. O.V. Dvornikov, V.L. Dziatlau, N.N. Prokopenko, K.О. Petrosiants, N.V. Kozhukhov and V.A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, Kazakhstan, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507.
Claims (5)
1. Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя, содержащий входной полевой транзистор (1) и выходной биполярный транзистор (2), эмиттер которого соединен с выходом устройства (3) и нагрузкой (4), а коллектор подключен к первой (5) шине источника питания, токостабилизирующий двухполюсник (6), включенный между базой выходного биполярного транзистора (2) и первой (5) шиной источника питания, причем исток входного полевого транзистора (1) связан с базой выходного биполярного транзистора (2), затвор входного полевого транзистора (1) подключен к входу устройства (7), а сток входного полевого транзистора (1) связан со второй (8) шиной источника питания, отличающийся тем, что в схему введен дополнительный полевой транзистор (9), затвор которого соединен с входом устройства (7), исток подключен к выходу устройства (3), а сток соединен со второй (8) шиной источника питания.
2. Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя по п. 1, отличающийся тем, что исток входного полевого транзистора (1) связан с базой выходного биполярного транзистора (2) через цепь согласования потенциалов (10).
3. Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя по п. 1, отличающийся тем, что выходной биполярный транзистор (2) выполнен по схеме составного транзистора Дарлингтона.
4. Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя по п. 2, отличающийся тем, что цепь согласования потенциалов (10) содержит дополнительный транзистор (13), эмиттер которого подключен к истоку входного полевого транзистора (1), коллектор связан с базой выходного биполярного транзистора (2), а база дополнительного транзистора (13) соединена с токостабилизирующим двухполюсником (6) и связана с коллектором данного дополнительного транзистора (13).
5. Выходной каскад BiJFet (биполярно-полевого) операционного усилителя по п. 4, отличающийся тем, что база дополнительного транзистора (13) подключена к токостабилизирующему двухполюснику (6) и связана с коллектором дополнительного транзистора (13) и базой выходного биполярного транзистора (2) через дополнительный резистор (14).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017139037A RU2668981C1 (ru) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | Выходной каскад bijfet операционного усилителя |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017139037A RU2668981C1 (ru) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | Выходной каскад bijfet операционного усилителя |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2668981C1 true RU2668981C1 (ru) | 2018-10-05 |
Family
ID=63798216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017139037A RU2668981C1 (ru) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | Выходной каскад bijfet операционного усилителя |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2668981C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2767976C1 (ru) * | 2021-09-09 | 2022-03-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4A (en) * | 1836-08-10 | Stock | ||
US5A (en) * | 1836-08-10 | Thomas blancharjq | ||
US4420726A (en) * | 1981-06-04 | 1983-12-13 | Rca Corporation | Voltage-followers with low offset voltages |
US5065043A (en) * | 1990-03-09 | 1991-11-12 | Texas Instruments Incorporated | Biasing circuits for field effect transistors using GaAs FETS |
US20070115056A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Operational amplifier and scanning electron microscope using the same |
RU2615068C1 (ru) * | 2015-12-15 | 2017-04-03 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель |
-
2017
- 2017-11-09 RU RU2017139037A patent/RU2668981C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4A (en) * | 1836-08-10 | Stock | ||
US5A (en) * | 1836-08-10 | Thomas blancharjq | ||
US4420726A (en) * | 1981-06-04 | 1983-12-13 | Rca Corporation | Voltage-followers with low offset voltages |
US5065043A (en) * | 1990-03-09 | 1991-11-12 | Texas Instruments Incorporated | Biasing circuits for field effect transistors using GaAs FETS |
US20070115056A1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Operational amplifier and scanning electron microscope using the same |
RU2615068C1 (ru) * | 2015-12-15 | 2017-04-03 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2767976C1 (ru) * | 2021-09-09 | 2022-03-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2677401C1 (ru) | Биполярно-полевой буферный усилитель | |
RU2668981C1 (ru) | Выходной каскад bijfet операционного усилителя | |
RU2710917C1 (ru) | Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом | |
RU2710847C1 (ru) | Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур | |
RU2615066C1 (ru) | Операционный усилитель | |
RU2595927C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
RU2615070C1 (ru) | Прецизионный двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель | |
RU2640744C1 (ru) | Каскодный дифференциальный операционный усилитель | |
RU2712410C1 (ru) | Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
RU2687161C1 (ru) | Буферный усилитель для работы при низких температурах | |
RU2670777C1 (ru) | Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах | |
RU2615068C1 (ru) | Биполярно-полевой дифференциальный операционный усилитель | |
RU2595926C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
RU2595923C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода | |
RU2642337C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
RU2621286C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах | |
RU2589323C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
RU2710923C1 (ru) | Буферный усилитель на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
RU2439780C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель | |
RU2416149C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
RU2446555C2 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель | |
RU2740306C1 (ru) | Дифференциальный каскад класса ав с нелинейным параллельным каналом | |
RU2786191C1 (ru) | Двухтактный буферный усилитель на комплементарных биполярных транзисторах | |
RU2568318C1 (ru) | Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
RU2784047C1 (ru) | Быстродействующий двухтактный буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191110 |