RU2670777C1 - Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах - Google Patents
Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2670777C1 RU2670777C1 RU2018108566A RU2018108566A RU2670777C1 RU 2670777 C1 RU2670777 C1 RU 2670777C1 RU 2018108566 A RU2018108566 A RU 2018108566A RU 2018108566 A RU2018108566 A RU 2018108566A RU 2670777 C1 RU2670777 C1 RU 2670777C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- field
- voltage follower
- output
- bipolar
- power supply
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима и низком уровне шумов при работе устройства в диапазоне низких температур с высокой линейностью амплитудной характеристики. Биполярно-полевой буферный усилитель содержит вход (1) и выход (2) устройства, первый (3) повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства (2), второй (4) повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства (2), первый (5) и второй (6) полевые транзисторы, первый (7) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой (8) шиной источника питания и истоком первого (5) полевого транзистора, источник опорного тока (9), причем коллекторная цепь первого (3) повторителя напряжения связана с первой (8) шиной источника питания, а стоковая цепь второго (4) повторителя напряжения связана со второй (10) шиной источника питания. 6 з.п. ф-лы, 10 ил.
Description
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве BiJFet (биполярно-полевых) буферных усилителей различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации и низких температур.
Известно значительное количество схем буферных усилителей (БУ), которые реализуются на биполярных (BJT) и полевых (BiJFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-27]. Во многих случаях схема БУ адаптируется под конкретные технологические процессы и внешние воздействующие факторы, например, влияние низких температур и радиации, т.к. только в этом случае обеспечивается реализациях предельных параметров БУ.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение буферные усилители, реализованные в виде истоковых повторителей на BiJFet или КМОП транзисторах [1-27]. Известны также двухтактные выходные каскады только на КМОП транзисторах с p- или n-каналами
[22-25]. В ряде случаев двухтактные выходные каскады выполняются на входных КМОП транзисторах и выходных биполярных транзисторах [26]. Благодаря простоте вышеназванные схемотехнические решения наиболее популярны как в зарубежных, так и в российских аналоговых микросхемах, реализуемых на основе типовых технологических процессов.
[22-25]. В ряде случаев двухтактные выходные каскады выполняются на входных КМОП транзисторах и выходных биполярных транзисторах [26]. Благодаря простоте вышеназванные схемотехнические решения наиболее популярны как в зарубежных, так и в российских аналоговых микросхемах, реализуемых на основе типовых технологических процессов.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является буферный усилитель, представленный в патенте США № 4.596.958. Он содержит вход 1 и выход 2 устройства, первый 3 повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства 2, второй 4 повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства 2, первый 5 и второй 6 полевые транзисторы, первый 7 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой 8 шиной источника питания и истоком первого 5 полевого транзистора, источник опорного тока 9, причем коллекторная цепь первого 3 повторителя напряжения связана с первой 8 шиной источника питания, а стоковая цепь второго 4 повторителя напряжения связана со второй 10 шиной источника питания.
Существенный недостаток известного буферного усилителя состоит в том, что в рамках данной архитектуры его схема не может быть реализована только на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, для которых подтверждены работоспособность [28] в условиях проникающей радиации и низких, в т.ч. криогенных, температур, а также низкий уровень шумов. Формальная замена n-p-n биполярных транзисторов в схеме БУ-прототипа фиг. 1 на полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и n-каналом невозможна, т.к. в этом случае в известной схеме возникает неуправляемый сквозной ток первого 3 и второго 4 повторителей напряжения. Это не позволяет установить стабильный статический режим известного БУ. Таким образом, схема БУ-прототипа имеет ограниченное применение.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения БУ, в т.ч. на комплементарных полевых транзисторах, обеспечивающего при высокой линейности амплитудной характеристики повышенную стабильность статического режима и низкий уровень шумов при работе в диапазоне низких температур.
Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг. 1, содержащем вход 1 и выход 2 устройства, первый 3 повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства 2, второй 4 повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства 2, первый 5 и второй 6 полевые транзисторы, первый 7 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой 8 шиной источника питания и истоком первого 5 полевого транзистора, источник опорного тока 9, причем коллекторная цепь первого 3 повторителя напряжения связана с первой 8 шиной источника питания, а стоковая цепь второго 4 повторителя напряжения связана со второй 10 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи – коллекторная цепь первого 3 повторителя напряжения связана с первой 8 шиной источника питания через первый 11 дополнительный резистор, затвор второго 6 полевого транзистора подключен к коллекторной цепи первого 3 повторителя напряжения, сток второго 6 полевого транзистора связан со второй 10 шиной источника питания через источник опорного тока 9 и соединен со входом второго 4 повторителя напряжения, истоки первого 5 и второго 6 полевых транзисторов объединены, причем затвор первого 5 полевого транзистора связан с первой 8 шиной источника питания.
На чертеже фиг. 1 представлена схема БУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 – схема заявляемого буферного усилителя в соответствии с п.1, п.2, п.3, п.4, а также п.6 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 показана схема заявляемого буферного усилителя в соответствии с п.5 и п.6 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого буферного усилителя по п. 7 формулы изобретения, соответствующая также п.2, п.3, п.4, п.6 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 5 показана схема заявляемого буферного усилителя, соответствующая п.1, п.2, п.3, п.5, п.6 и п.7 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 6 представлен BiJFet буферный усилитель фиг. 3 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1.4 (ОАО «Интеграл», г.Минск).
На чертеже фиг. 7 приведена амплитудная характеристика БУ фиг. 6 при статическом токе I1=100 мкА и разных сопротивлениях Rн нагрузки 14 (0.5 кОм, 2 кОм, 10 кОм, 100 кОм).
На чертеже фиг. 8 показана амплитудная характеристика БУ фиг. 6 при статическом токе I1=10 мкА и разных сопротивлениях Rн нагрузки 14 (0.5 кОм, 2 кОм, 100 кОм).
На чертеже фиг. 9 представлена схема схема BiJFet БУ фиг. 4 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов базового матричного кристалла АБМК_1.4 (ОАО «Интеграл», г.Минск).
На чертеже фиг. 10 приведена амплитудная характеристика БУ фиг. 9 при коэффициенте передачи управляемого источника опорного тока 9 Кi=-1 и разных сопротивлениях нагрузки Rн (0.5 кОм, 2 кОм, 10 кОм, 100 кОм).
Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах фиг. 2 содержит вход 1 и выход 2 устройства, первый 3 повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства 2, второй 4 повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства 2, первый 5 и второй 6 полевые транзисторы, первый 7 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой 8 шиной источника питания и истоком первого 5 полевого транзистора, источник опорного тока 9, причем коллекторная цепь первого 3 повторителя напряжения связана с первой 8 шиной источника питания, а стоковая цепь второго 4 повторителя напряжения связана со второй 10 шиной источника питания, отличающийся тем, что коллекторная цепь первого 3 повторителя напряжения связана с первой 8 шиной источника питания через первый 11 дополнительный резистор, затвор второго 6 полевого транзистора подключен к коллекторной цепи первого 3 повторителя напряжения, сток второго 6 полевого транзистора связан со второй 10 шиной источника питания через источник опорного тока 9 и соединен со входом второго 4 повторителя напряжения, истоки первого 5 и второго 6 полевых транзисторов объединены, причем затвор первого 5 полевого транзистора связан с первой 8 шиной источника питания.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, затвор первого 5 полевого транзистора связан с первой 8 шиной источника питания через второй 12 дополнительный резистор.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, параллельно первому 11 дополнительному резистору включен дополнительный прямосмещённый p-n переход 13. В качестве нагрузки используется двухполюсник 14, подключенный к выходу 2 устройства.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, в качестве первого 3 повторителя напряжения используется эмиттерный повторитель напряжения на биполярном транзисторе, база которого соединена со входом 1 устройства, а эмиттер подключен к выходу 2 устройства.
Кроме этого, на чертеже фиг. 2 представлен частный вариант выполнения второго 4 повторителя напряжения - на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом (п. 6 формулы изобретения).
Пример построения заявляемого буферного усилителя в соответствии с п. 5 и п. 6 формулы изобретения представлен на чертеже фиг.3.
На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого буферного усилителя по п. 7 формулы изобретения, соответствующая также п.2, п.3, п.4, п.6 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, в качестве первого 3 повторителя напряжения используется истоковый повторитель напряжения на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со входом 1 устройства, а исток подключен к выходу 2 устройства.
На чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, в качестве второго 4 повторителя напряжения используется истоковый повторитель напряжения на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со стоком второго 6 полевого транзистора, а исток подключен к выходу 2 устройства.
Кроме этого, на чертеже фиг. 5, в соответствии с п. 7 формулы изобретения, источник опорного тока 9 выполнен в виде управляемого источника опорного тока, управляющий вход которого связан со стоком первого 5 полевого транзистора.
Рассмотрим работу предлагаемого БУ фиг. 2.
В статическом режиме при R14=Rн=Rvar=∞, Uвх=0 в схеме фиг. 2 устанавливаются следующие токи
| (1) |
где Iu6=Ic6, Iu5=Ic5=I0 – токи истока и стока второго 6 и первого 5 полевого транзистора; I9 – ток источника опорного тока 9.
Сквозной статический ток первого 5 и второго 6 полевых транзисторов, протекающий между шинами питания БУ 8 и 10, определяется формулой
где 
- крутизна дифференциального каскада на первом 5 и втором 6 полевых транзисторах, R11 – сопротивление первого 11 дополнительного резистора, S5, S6 - крутизны стоко-затворной характеристики первого 5 и второго 6 полевых транзисторов.
Таким образом, в предлагаемом БУ сквозной ток Iскв контролируется отрицательной обратной связью и может быть установлен на заданном уровне путем изменения тока источника опорного тока 9 или сопротивления первого 11 дополнительного резистора.
Если на вход БУ подается положительное входное напряжение 
, то в нагрузке 14 образуется выходной ток 
и приращение выходного напряжения, которое определяется формулой
| , | (2) |
где rэ3 – дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода биполярного транзистора в структуре первого 3 повторителя напряжения, R14 – сопротивление нагрузки 14.
Приращение тока передается в первый 11 дополнительный резистор, параллельно которому включен дополнительный прямосмещенный p-n переход 13. Как следствие, ток стока второго 6 полевого транзистора увеличивается, что приводит к запиранию второго 4 повторителя напряжения. При больших изменениях наблюдается равенство 
, где i13 – приращение тока через дополнительный прямосмещенный p-n переход 13.
При отрицательном приращении 
входного напряжения БУ фиг. 2 ток в нагрузке 14 
обеспечивается вторым 4 повторителем напряжения, который реализован на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом в соответствии с п. 6 формулы изобретения. При этом ток через первый 11 дополнительный резистор уменьшается, что приводит к уменьшению тока стока второго 6 полевого транзистора. В результате отрицательное приращение тока в нагрузке 14 обеспечивается вторым 4 повторителем напряжения по истоковой цепи полевого транзистора с управляющим p-n переходом, который используется в данном функциональном узле. При этом за счет общей отрицательной обратной связи, петля которой включает второй 6 полевой транзистор, второй 4 и первый 3 повторители напряжения, во всем диапазоне изменения отрицательного входного напряжения эмиттерный ток биполярного транзистора, образующего первый 3 повторитель напряжения, практически не изменяется Iэ=Iскв≈const. Как следствие, отрицательное приращение входного напряжения 
практически с единичным коэффициентом передачи поступает на выход устройства 2. Поэтому
Второй 12 дополнительный резистор обеспечивает симметрирование статического режима первого 5 и второго 6 полевых транзисторов по цепи затвора. В ряде случаев данный резистор может отсутствовать.
При больших значениях тока нагрузки положительной полярности дополнительный прямосмещённый p-n переход 13 ограничивает диапазон изменения напряжения на первом 11 дополнительном резисторе на уровне 0,7-0,8 В.
Особенность схемы фиг.3 состоит в том, что она реализована только на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, что благоприятно сказывается на ее работе при низких температурах, а также при низком уровне шумов.
В схеме фиг. 4 источник опорного тока 9 реализован в виде управляемого источника опорного тока на основе классического токового зеркала 9 [21]. В конечном итоге, это позволяет получить высокую линейность амплитудной характеристики БУ (см. фиг. 10) без применения в схеме каких-либо источников опорного тока.
Схема фиг. 5, также как и схема фиг. 3, выполнена только на полевых транзисторах, что позволяет обеспечить ее работоспособность в диапазоне низких температур при малом уровне шумов [28].
Результаты компьютерного моделирования схемы фиг. 6, представленные на фиг. 7 и фиг. 8, показывают, что заявляемый БУ характеризуется достаточно высокой линейностью амплитудной характеристики при малом энергопотреблении в статическом режиме. Это является одной из замечательных особенностей предлагаемого БУ.
Аналогичными параметрами характеризуется и БУ фиг. 5 (фиг. 9), результаты компьютерного моделирования которого приведены на чертеже фиг. 10.
Таким образом, компьютерное моделирование (фиг. 7, фиг. 8, фиг. 10) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [28], имеет существенные достоинства в сравнении с известными вариантами построения БУ при их реализации в рамках BiJFet технологического процесса.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент США № 4.596.958 (прототип)
2. WO 2007135139
3. US 4743862
4. US 6433638, fig. 1a-2
5. US 20050253653
6. US 4825174, fig. 3, fig. 6
7. RU 2099856, fig. 3
8. US 4904953, fig. 2
9. US 7896339, fig. 4
10. US 6342814
11. US 2010/0182086
12. US 5387880, fig. 1
13. US 4598253
14. US 4667165, fig. 2
15. US 4596958
16. US 7116172, fig. 4, fig. 5
17. US 5648743
18. US 5367271, fig. 2
19. US 2000/0112075, fig. 3
20. US 5065043, fig. 1f
21. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ.— Изд. 2-е. — М.: Издательство БИНОМ. 2014. - 704 с. Рис. 3.26, рис. 3.28, рис. 3.29
22. US 2007/0115056, fig. 2
23. US 7548117, fig. 5
24. EP 0 293486 B1, fig. 5
25. Patt Boonyaporn, Varakorn Kasemsuwan. A High Performance Class AB CMOS Rail to Rail Voltage Follower // ASIC, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Asia-Pacific Conference on, pp. 161-163
26. US 4420726, fig. 1 – fig. 3
27. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.
28. O. V. Dvornikov, V. L. Dziatlau, N. N. Prokopenko, K. O. Petrosiants, N. V. Kozhukhov and V. A. Tchekhovski, "The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors," 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, Kazakhstan, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507.
Claims (7)
1. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах, содержащий вход (1) и выход (2) устройства, первый (3) повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства (2), второй (4) повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства (2), первый (5) и второй (6) полевые транзисторы, первый (7) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой (8) шиной источника питания и истоком первого (5) полевого транзистора, источник опорного тока (9), причем коллекторная цепь первого (3) повторителя напряжения связана с первой (8) шиной источника питания, а стоковая цепь второго (4) повторителя напряжения связана со второй (10) шиной источника питания, отличающийся тем, что коллекторная цепь первого (3) повторителя напряжения связана с первой (8) шиной источника питания через первый (11) дополнительный резистор, затвор второго (6) полевого транзистора подключен к коллекторной цепи первого (3) повторителя напряжения, сток второго (6) полевого транзистора связан со второй (10) шиной источника питания через источник опорного тока (9) и соединен со входом второго (4) повторителя напряжения, истоки первого (5) и второго (6) полевых транзисторов объединены, причем затвор первого (5) полевого транзистора связан с первой (8) шиной источника питания.
2. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах по п.1, отличающийся тем, что затвор первого (5) полевого транзистора связан с первой (8) шиной источника питания через второй (12) дополнительный резистор.
3. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах по п.1, отличающийся тем, что параллельно первому (11) дополнительному резистору включен дополнительный прямосмещённый p-n переход (13).
4. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого (3) повторителя напряжения используется эмиттерный повторитель напряжения на биполярном транзисторе, база которого соединена со входом (1) устройства, а эмиттер подключен к выходу (2) устройства.
5. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого (3) повторителя напряжения используется истоковый повторитель напряжения на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со входом (1) устройства, а исток подключен к выходу (2) устройства.
6. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах по п.1, отличающийся тем, что в качестве второго (4) повторителя напряжения используется истоковый повторитель напряжения на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со стоком второго (6) полевого транзистора, а исток подключен к выходу (2) устройства.
7. Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах по п.1, отличающийся тем, что источник опорного тока (9) выполнен в виде управляемого источника опорного тока, управляющий вход которого связан со стоком первого (5) полевого транзистора.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018108566A RU2670777C9 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018108566A RU2670777C9 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2670777C1 true RU2670777C1 (ru) | 2018-10-25 |
| RU2670777C9 RU2670777C9 (ru) | 2018-12-19 |
Family
ID=63923482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018108566A RU2670777C9 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2670777C9 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2771316C1 (ru) * | 2021-12-09 | 2022-04-29 | Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" | Арсенид-галлиевый буферный усилитель |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4596958A (en) * | 1984-09-26 | 1986-06-24 | Burr-Brown Corporation | Differential common base amplifier with feed forward circuit |
| RU2467471C1 (ru) * | 2011-10-18 | 2012-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
| RU2479108C1 (ru) * | 2012-02-22 | 2013-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
| RU2595927C1 (ru) * | 2015-07-23 | 2016-08-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Биполярно-полевой операционный усилитель |
-
2018
- 2018-03-12 RU RU2018108566A patent/RU2670777C9/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4596958A (en) * | 1984-09-26 | 1986-06-24 | Burr-Brown Corporation | Differential common base amplifier with feed forward circuit |
| RU2467471C1 (ru) * | 2011-10-18 | 2012-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
| RU2479108C1 (ru) * | 2012-02-22 | 2013-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Избирательный усилитель |
| RU2595927C1 (ru) * | 2015-07-23 | 2016-08-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Биполярно-полевой операционный усилитель |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2670777C9 (ru) | 2018-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2624565C1 (ru) | Инструментальный усилитель для работы при низких температурах | |
| US4987379A (en) | Operational amplifier circuit | |
| CN105892548A (zh) | 一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路 | |
| RU2677401C1 (ru) | Биполярно-полевой буферный усилитель | |
| RU2710917C1 (ru) | Выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом | |
| RU2684489C1 (ru) | Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
| RU2670777C1 (ru) | Биполярно-полевой буферный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2710847C1 (ru) | Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур | |
| RU2712414C1 (ru) | Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом класса ав с изменяемым напряжением ограничения проходной характеристики | |
| JPH02110717A (ja) | トランジスタのベース電流補償回路 | |
| RU2346388C1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
| RU2687161C1 (ru) | Буферный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2721940C1 (ru) | Буферный усилитель класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
| RU2710846C1 (ru) | Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом | |
| RU2711725C1 (ru) | Быстродействующий выходной каскад аналоговых микросхем на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
| RU2615066C1 (ru) | Операционный усилитель | |
| RU2712410C1 (ru) | Буферный усилитель с малым напряжением смещения нуля на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом | |
| RU2684473C1 (ru) | Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах | |
| RU2784047C1 (ru) | Быстродействующий двухтактный буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах | |
| WO1996019865A2 (en) | An amplifying circuit | |
| RU2413356C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с повышенным входным сопротивлением | |
| RU2723673C1 (ru) | Низкотемпературный и радиационно-стойкий повторитель напряжения на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом для задач проектирования активных rc-фильтров | |
| RU2621289C1 (ru) | Двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления | |
| RU2812914C1 (ru) | Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
| RU2710923C1 (ru) | Буферный усилитель на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TH4A | Reissue of patent specification |