RU2621286C1 - Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах - Google Patents
Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2621286C1 RU2621286C1 RU2016106455A RU2016106455A RU2621286C1 RU 2621286 C1 RU2621286 C1 RU 2621286C1 RU 2016106455 A RU2016106455 A RU 2016106455A RU 2016106455 A RU2016106455 A RU 2016106455A RU 2621286 C1 RU2621286 C1 RU 2621286C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- output
- emitter
- input
- auxiliary
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45085—Long tailed pairs
- H03F3/45094—Folded cascode stages
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники. Технический результат - повышение коэффициента ослабления входного синфазного сигнала. Для этого предложен дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах, который содержит первый (1) входной полевой транзистор, первый (2) вход устройства, первый (3) вспомогательный транзистор, первый (4) токостабилизирующий двухполюсник, первую (5) шину источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, второй (7) вход устройства, второй (8) вспомогательный транзистор, второй (9) токостабилизирующий двухполюсник, первый (10) выход устройства, вторую (11) шину источника питания, первый (12) резистор отрицательной обратной связи, первый (13) выходной транзистор, второй (14) выходной транзистор, первую (15) цепь смещения потенциалов, первый (16) дополнительный транзистор, второй (17) дополнительный транзистор, вторую (18) цепь смещения потенциалов, первый (19) и второй (20) входы выходного дифференциального каскада (21). 3 з.п. ф-лы, 9 ил.
Description
Изобретение относится к области электроники, измерительной техники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления сигналов различных датчиков.
В современной информационно-измерительной технике, приборостроении, датчиковых системах, различных аналого-цифровых интерфейсах находят широкое применение дифференциальные (ДУ) и операционные (ОУ) усилители на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом [11-13], которые обеспечивают усиление дифференциального сигнала (ud) и повышенное ослабление синфазной составляющей входных напряжений (uc) в диапазоне низких температур [14-16]. При этом для повышения линейности ДУ в его схему вводится резистор местной отрицательной обратной связи (R0=1-10 кОм), что существенно ухудшает один из важнейших параметров ДУ - коэффициент ослабления входного синфазного сигнала (Кос.сф).
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель по патенту RU 25713299 (рис. 1, рис. 2). Он содержит (фиг. 1) первый 1 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 2 входом устройства, исток подключен к стоку первого 3 вспомогательного транзистора, а сток через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 7 входом устройства, исток подключен к стоку второго 8 вспомогательного транзистора, а сток через второй 9 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания, первый 10 выход устройства, вторую 11 шину источника питания, первый 12 резистор отрицательной обратной связи, включенный между истоками первого 1 и второго 6 входных полевых транзисторов.
Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что в связи с применением JFet полевых транзисторов, удовлетворительно работающих при криогенных температурах, он имеет невысокий коэффициент ослабления входного синфазного сигнала.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении коэффициента ослабления входного синфазного сигнала.
Поставленная задача достигается тем, что в усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 2 входом устройства, исток подключен к стоку первого 3 вспомогательного транзистора, а сток через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 7 входом устройства, исток подключен к стоку второго 8 вспомогательного транзистора, а сток через второй 9 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания, первый 10 выход устройства, вторую 11 шину источника питания, первый 12 резистор отрицательной обратной связи, включенный между истоками первого 1 и второго 6 входных полевых транзисторов, предусмотрены новые элементы и связи - затвор первого 3 вспомогательного транзистора подключен к эмиттеру первого 13 выходного транзистора, затвор второго 8 вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго 14 выходного транзистора, исток первого 3 вспомогательного транзистора связан с эмиттером первого 13 выходного транзистора, исток второго 8 вспомогательного транзистора связан с эмиттером второго 14 выходного транзистора, база которого соединена с базой первого 13 выходного транзистора и подключена к первой 15 цепи смещения потенциалов, сток первого 1 входного транзистора соединен с эмиттером первого 16 дополнительного транзистора, сток второго 6 входного транзистора соединен с эмиттером второго 17 дополнительного транзистора, база которого подключена к базе первого 16 дополнительного транзистора и соединена со второй 18 цепью смещения потенциалов, коллектор первого 16 дополнительного транзистора связан с эмиттером первого 13 выходного транзистора, коллектор второго 17 дополнительного транзистора соединен с эмиттером второго 14 выходного транзистора, причем коллекторы первого 13 и второго 14 выходных транзисторов связаны с соответствующими первым 19 и вторым 20 входами выходного дифференциального каскада 21, согласованного со второй 11 шиной источника питания, выход которого соединен с выходом устройства 10.
На фиг. 1 показана схема усилителя-прототипа, а на фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.
На фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 2, а на фиг. 4 в соответствии с п. 3 формулы изобретения.
На фиг. 5 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 4 формулы изобретения.
На фиг. 6 представлена схема усилителя-прототипа фиг. 1 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г.Минск) для определения его коэффициента передачи входного синфазного сигнала от объединенных входов (V3) на выход (out).
На фиг. 7 представлена схема заявляемого устройства фиг. 3 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г. Минск) для определения его коэффициента передачи входного синфазного сигнала от объединенных входов (V3) на выход (out).
На фиг. 8 показана частотная зависимость коэффициента передачи входного синфазного сигнала в сравниваемых усилителях (фиг. 6 и фиг. 7).
На фиг. 9 показана частотная зависимость коэффициента ослабления входного синфазного сигнала известного (фиг.6) и заявляемого устройств (фиг. 7).
Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах фиг. 2 содержит первый 1 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 2 входом устройства, исток подключен к стоку первого 3 вспомогательного транзистора, а сток через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 7 входом устройства, исток подключен к стоку второго 8 вспомогательного транзистора, а сток через второй 9 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания, первый 10 выход устройства, вторую 11 шину источника питания, первый 12 резистор отрицательной обратной связи, включенный между истоками первого 1 и второго 6 входных полевых транзисторов. В схему введены новые элементы и связи между ними - затвор первого 3 вспомогательного транзистора подключен к эмиттеру первого 13 выходного транзистора, затвор второго 8 вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго 14 выходного транзистора, исток первого 3 вспомогательного транзистора связан с эмиттером первого 13 выходного транзистора, исток второго 8 вспомогательного транзистора связан с эмиттером второго 14 выходного транзистора, база которого соединена с базой первого 13 выходного транзистора и подключена к первой 15 цепи смещения потенциалов, сток первого 1 входного транзистора соединен с эмиттером первого 16 дополнительного транзистора, сток второго 6 входного транзистора соединен с эмиттером второго 17 дополнительного транзистора, база которого подключена к базе первого 16 дополнительного транзистора и соединена со второй 18 цепью смещения потенциалов, коллектор первого 16 дополнительного транзистора связан с эмиттером первого 13 выходного транзистора, коллектор второго 17 дополнительного транзистора соединен с эмиттером второго 14 выходного транзистора, причем коллекторы первого 13 и второго 14 выходных транзисторов связаны с соответствующими первым 19 и вторым 20 входами выходного дифференциального каскада 21, согласованного со второй 11 шиной источника питания, выход которого соединен с выходом устройства 10.
На фиг. 2 выходной дифференциальный каскад 21 содержит (в частном случае) токовое зеркало 22 и буферный усилитель 23, согласованные со второй 11 шиной источника питания. Причем выход буферного усилителя 23 подключен к выходу устройства 10.
В соответствии с п. 2 формулы изобретения на фиг. 3 исток первого 3 вспомогательного транзистора связан с эмиттером первого 13 выходного транзистора через первый 24 дополнительный резистор, а исток второго 8 вспомогательного транзистора связан с эмиттером второго 14 выходного транзистора через второй 25 дополнительный резистор.
В соответствии с п. 3 формулы изобретения, в схему фиг. 4 введены третий 26 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с третьим 27 входом устройства, сток подключен к эмиттеру второго 17 дополнительного транзистора, исток соединен со стоком третьего 28 вспомогательного транзистора, затвор введенного в схему четвертого 29 входного полевого транзистора соединен с четвертым 30 входом устройства, сток подключен к первому 16 дополнительному транзистору, исток соединен со стоком четвертого 31 вспомогательного транзистора, между истоками третьего 26 входного полевого транзистора и стоком четвертого 29 входного полевого транзистора включен второй 32 резистор отрицательной обратной связи, затвор третьего 28 вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго 14 выходного транзистора, затвор четвертого 31 вспомогательного транзистора соединен с эмиттером первого 13 выходного транзистора, исток третьего 28 вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго 14 выходного транзистора через третий 33 дополнительный резистор, а исток четвертого 31 вспомогательного транзистора соединен с эмиттером первого 13 выходного транзистора через четвертый 34 дополнительный резистор.
В соответствии с п. 4 формулы изобретения на фиг. 5 в качестве первого 13 выходного транзистора, второго 14 выходного транзистора, первого 16 дополнительного транзистора, второго 17 дополнительного транзистора используются соответствующие полевые транзисторы, затвор каждого из которых соответствует базе биполярного транзистора, исток - эмиттеру биполярного транзистора, а сток - коллектору биполярного транзистора.
Рассмотрим работу ОУ фиг. 2.
При изменении входного синфазного сигнала на первом 2 и втором 7 входах устройства uc=uc1=uc2 изменяются токи стоков первого 3 (ic3) и второго 8 (ic8) вспомогательных транзисторов:
где S=S3=S8 - крутизна стокозатворной характеристики первого 3 и второго 8 вспомогательных транзисторов;
μ3, μ8=10-2÷10-3 - коэффициент внутренней обратной связи первого 3 и второго 8 вспомогательных транзисторов в схеме с общим затвором.
Приращения токов ic3, ic8 передаются через первый 1 и второй 6 входные полевые транзисторы в эмиттерные, а затем в коллекторные цепи первого 16 и второго 17 дополнительных транзисторов:
В результате, изменения токов в эмиттерах первого 13 и второго 14 выходных транзисторов определяются формулами
где 
- коэффициент усиления по току базы первого 16 и второго 17 дополнительных транзисторов.
Как следствие, токи ошибки первого 19 и второго 20 входов дифференциального каскада 21 в заявляемом усилителе существенно (в β раз) уменьшаются. При прочих равных условиях (например, при асимметрии входов выходного каскада 21 или применении в его структуре неидентичных резисторов нагрузки) это улучшает К ос.сф. Данный вывод подтверждается графиками фиг. 8, фиг. 9, которые показывают, что предлагаемое устройство обеспечивает более глубокое ослабление входных синфазных сигналов.
Таким образом, в сравнении с прототипом заявляемое устройство является более прецизионным при работе с синфазными сигналами.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Patent US 5.648.743, fig. 3.
2. Patent US 4.538.155, fig. 2.
Схемы с входными ПТ
3. Patent US 4.596.958, fig. 2.
4. Patent US 4.537.578, fig. 1.
5. Patent US 8.169.263, fig. 5.
6. Patent US 7.2020.738, fig. 7, fig. 11.
7. Patent US 4.198.610, fig. 4.
8. Patent US 6.407.537, fig. 1.
9. Patent US 5.367.271, fig. 2.
10. Патент РФ 2070768, фиг. 1.
11. Патент РФ 2571399, фиг. 2.
12. Патент РФ 2571578, фиг. 3.
13. Патент US 2008/0088374.
14. Дворников О.В. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 1 / О.В. Дворников, В.А. Чеховский Н.Н., В.Л. Дятлов, Н.Н. Прокопенко. Современная электроника №4. 2015. С. 44-49.
15. Дворников О.В. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О.В. Дворников, В.А. Чеховский Н.Н., В.Л. Дятлов, Н.Н. Прокопенко. Современная электроника №5. 2015. С. 24-28.
16. Дворников О.В. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 3/ О.В. Дворников, В.А. Чеховский Н.Н., В.Л. Дятлов, Н.Н. Прокопенко. Современная электроника №6. 2015. С. 34-39.
Claims (4)
1. Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах, содержащий первый (1) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (2) входом устройства, исток подключен к стоку первого (3) вспомогательного транзистора, а сток через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой (5) шиной источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (7) входом устройства, исток подключен к стоку второго (8) вспомогательного транзистора, а сток через второй (9) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой (5) шиной источника питания, первый (10) выход устройства, вторую (11) шину источника питания, первый (12) резистор отрицательной обратной связи, включенный между истоками первого (1) и второго (6) входных полевых транзисторов, отличающийся тем, что затвор первого (3) вспомогательного транзистора подключен к эмиттеру первого (13) выходного транзистора, затвор второго (8) вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго (14) выходного транзистора, исток первого (3) вспомогательного транзистора связан с эмиттером первого (13) выходного транзистора, исток второго 8 вспомогательного транзистора связан с эмиттером второго (14) выходного транзистора, база которого соединена с базой первого (13) выходного транзистора и подключена к первой (15) цепи смещения потенциалов, сток первого (1) входного транзистора соединен с эмиттером первого (16) дополнительного транзистора, сток второго (6) входного транзистора соединен с эмиттером второго (17) дополнительного транзистора, база которого подключена к базе первого (16) дополнительного транзистора и соединена со второй (18) цепью смещения потенциалов, коллектор первого (16) дополнительного транзистора связан с эмиттером первого (13) выходного транзистора, коллектор второго (17) дополнительного транзистора соединен с эмиттером второго (14) выходного транзистора, причем коллекторы первого (13) и второго (14) выходных транзисторов связаны с соответствующими первым (19) и вторым (20) входами выходного дифференциального каскада (21), согласованного со второй (11) шиной источника питания, выход которого соединен с выходом устройства (10).
2. Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 1, отличающийся тем, что исток первого (3) вспомогательного транзистора связан с эмиттером первого (13) выходного транзистора через первый (24) дополнительный резистор, а исток второго (8) вспомогательного транзистора связан с эмиттером второго (14) выходного транзистора через второй (25) дополнительный резистор.
3. Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 2, отличающийся тем, что в схему введены третий (26) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с третьим (27) входом устройства, сток подключен к эмиттеру второго (17) дополнительного транзистора, исток соединен со стоком третьего (28) вспомогательного транзистора, затвор введенного в схему четвертого (29) входного полевого транзистора соединен с четвертым (30) входом устройства, сток подключен к первому (16) дополнительному транзистору, исток соединен со стоком четвертого (31) вспомогательного транзистора, между истоками третьего (26) входного полевого транзистора и стоком четвертого (29) входного полевого транзистора включен второй (32) резистор отрицательной обратной связи, затвор третьего (28) вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго (14) выходного транзистора, затвор четвертого (31) вспомогательного транзистора соединен с эмиттером первого (13) выходного транзистора, исток третьего (28) вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго (14) выходного транзистора через третий (33) дополнительный резистор, а исток четвертого (31) вспомогательного транзистора соединен с эмиттером первого (13) выходного транзистора через четвертый (34) дополнительный резистор.
4. Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 3, отличающийся тем, что в качестве первого (13) выходного транзистора, второго (14) выходного транзистора, первого (16) дополнительного транзистора, второго (17) дополнительного транзистора используются соответствующие полевые транзисторы, затвор каждого из которых соответствует базе биполярного транзистора, исток - эмиттеру биполярного транзистора, а сток - коллектору биполярного транзистора.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016106455A RU2621286C1 (ru) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016106455A RU2621286C1 (ru) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2621286C1 true RU2621286C1 (ru) | 2017-06-01 |
Family
ID=59032192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016106455A RU2621286C1 (ru) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2621286C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2684489C1 (ru) * | 2018-06-08 | 2019-04-09 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1059664A1 (ru) * | 1981-06-26 | 1983-12-07 | Предприятие П/Я В-2119 | Дифференциальный усилитель |
| US5898341A (en) * | 1995-04-10 | 1999-04-27 | Fujitsu Limited | Differential amplification circuit and method of noise removal |
| RU2384936C1 (ru) * | 2008-08-04 | 2010-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Управляемый двухкаскадный дифференциальный усилитель с отрицательной обратной связью по синфазному сигналу |
| RU2571399C1 (ru) * | 2014-10-28 | 2015-12-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Дифференциальный усилитель на основе радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса для работы при низких температурах |
-
2016
- 2016-02-24 RU RU2016106455A patent/RU2621286C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1059664A1 (ru) * | 1981-06-26 | 1983-12-07 | Предприятие П/Я В-2119 | Дифференциальный усилитель |
| US5898341A (en) * | 1995-04-10 | 1999-04-27 | Fujitsu Limited | Differential amplification circuit and method of noise removal |
| RU2384936C1 (ru) * | 2008-08-04 | 2010-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Управляемый двухкаскадный дифференциальный усилитель с отрицательной обратной связью по синфазному сигналу |
| RU2571399C1 (ru) * | 2014-10-28 | 2015-12-20 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Дифференциальный усилитель на основе радиационно-стойкого биполярно-полевого технологического процесса для работы при низких температурах |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2684489C1 (ru) * | 2018-06-08 | 2019-04-09 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2624565C1 (ru) | Инструментальный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2566963C1 (ru) | Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов | |
| RU2684489C1 (ru) | Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах | |
| RU2677401C1 (ru) | Биполярно-полевой буферный усилитель | |
| RU2621286C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2292636C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением синфазного сигнала | |
| RU2687161C1 (ru) | Буферный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2615066C1 (ru) | Операционный усилитель | |
| RU2568384C1 (ru) | Прецизионный операционный усилитель на основе радиационно стойкого биполярно-полевого технологического процесса | |
| RU2441316C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с малым напряжением питания | |
| RU2433523C1 (ru) | Прецизионный дифференциальный операционный усилитель | |
| RU2684473C1 (ru) | Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах | |
| RU2568318C1 (ru) | Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
| RU2421893C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель | |
| RU2411634C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля | |
| RU2412530C1 (ru) | Комплементарный дифференциальный усилитель | |
| RU2589323C1 (ru) | Биполярно-полевой операционный усилитель | |
| RU2621289C1 (ru) | Двухкаскадный дифференциальный операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления | |
| RU2284647C1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
| RU2394362C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель | |
| RU2770912C1 (ru) | Дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых транзисторах | |
| RU2815912C1 (ru) | Безрезистивный арсенид-галлиевый дифференциальный каскад и операционный усилитель на его основе с малым напряжением смещения нуля | |
| RU2571579C1 (ru) | Прецизионный операционный усилитель для радиационно-стойкого биполярно-полевого техпроцесса | |
| RU2402151C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель | |
| RU2791274C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель с мостовым входным дифференциальным каскадом |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180225 |