DE69021435T2 - Ionen-Implantationsgerät. - Google Patents

Ionen-Implantationsgerät.

Info

Publication number
DE69021435T2
DE69021435T2 DE69021435T DE69021435T DE69021435T2 DE 69021435 T2 DE69021435 T2 DE 69021435T2 DE 69021435 T DE69021435 T DE 69021435T DE 69021435 T DE69021435 T DE 69021435T DE 69021435 T2 DE69021435 T2 DE 69021435T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
scanning
target
distribution
beam current
ion implantation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69021435T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69021435D1 (de
Inventor
Kazuhiro Nishikawa
Mamoru Nogami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Publication of DE69021435D1 publication Critical patent/DE69021435D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69021435T2 publication Critical patent/DE69021435T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation

Landscapes

  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Ionenimplantationsgerät des Hybridabtastungstyps, bei dem ein Ionenstrahl elektrostatisch zum Abtasten geführt (gescannt) und ein Target in der zu dem Ionenstrahl senkrechten Richtung mechanisch zum Abtasten geführt (gescannt) wird, wie es zum Beispiel in der PCT-Veröffentlichung WO 87/06391 (eingereicht am 8. April 1987) offenbart ist.
  • Fig. 1 zeit ein Ionenimplantationsgerät aus dem Stand der Technik.
  • Nachdem von einer Ionenquelle ein Ionenstrahl 2 abgegeben wurde, der, falls notwendig, einer Massenanalyse, einer Beschleunigung, einem Abgleich usw. unterzogen wird, wird bei diesem Ionenimplantationsgerät, der Ionenstrahl 2 elektrostatisch in der X- Richtung (zum Beispiel in der horizontalen Richtung) durch ein Paar von Scanelektroden 4 (oder Abtastelektroden) gescannt, an die eine Scanspannung (oder Abtastspannung) von einer Scanspannungsversorgung 12 (oder Abtastspannungsversorgung) angelegt wird, um so den Ionenstrahl 2 in der X-Richtung flach zu spreizen.
  • Die Scanspannungsversorgung 12 ist mit einem Generator 121 zur Erzeugung eines Dreieckwellensignals bei einer bestimmten Frequenz und Hochspannungsverstärkern 122 und 123 zur Anhebung der Spannung des Signals und zur Ausgabe von Spannungen VX und -VX jeweils umgekehrter Polarität versehen.
  • Andererseits wird ein Target 6 (zum Beispiel ein Wafer) von einer Halterung 8 in dem Strahlungsfeld des Ionenstrahls 2 gehalten. Das Target 6 wird durch eine Antriebseinheit 10 in der Y-Richtung senkrecht zu der X-Richtung (zum Beispiel in der vertikalen Richtung) mechanisch gescannt. Dieser mechanische Scanvorgang ist mit dem Scanvorgang des Ionenstrahls 2 verbunden, um so gleichmäßig Ionen in die gesamte Oberfläche des Targets 6 zu implantieren.
  • In dem oben beschriebenen Ionenimplantationsgerät wird der Weg des Ionenstrahls 2 unter den folgenden Bedingungen verändert.
  • (1) Die Eigenschaften des Ionenstrahls 2 selbst (zum Beispiel seine Energie, Divergenzwinkel, Emittanz, Dichte, Ionenart usw.),
  • (2) die mechanischen Eigenschaften der Scanelektroden 4 (zum Beispiel ihre Parallelität, Schrägungswinkel, Position gegenüber dem Ionenstrahl 2 usw.),
  • (3) die elektrischen Eigenschaften der Scanelektroden 4 (zum Beispiel die diesen zugeführte Abtastspannung, Frequenz usw.), und
  • (4) die Bedingungen in der Nähe des Weges des Ionenstrahls 2.
  • Die Bedingungen (2) und (4) der oben angegebenen Bedingungen sind für das Ionenimplantationsgerät spezifisch, wobei sie sich nicht in Abhängigkeit von den Implantationsbedingungen verändern. Die Bedingungen (1) und (3) verändert sich jedoch in Abhängigkeit von den Implantationsbedingungen. Darüber hinaus verändert sich der Weg des Ionenstrahls 2 eher durch eine Kombination von jeder Bedingung als durch eine einzelne Bedingung.
  • Wenn die Veränderung des Weges gleichzeitig im dem gesamten Bereich des Strahlweges auftritt, der auf die Oberfläche des Targets 6 gescannt wird, so entsteht kein Problem. Wenn jedoch ein Teil des Weges schwankt, so verändert sich die Scangeschwindigkeit des Ionenstrahls 2 nur in einem bestimmten Teilbereich, wobei die Gleichmäßigkeit der Ionenimplantation auf dem Target 6 nachteilig beeinflußt wird.
  • Normalerweise kann die Ungleichförmigkeit der Ionenimplantation bei 1% oder weniger gehalten werden. In jüngster Zeit werden jedoch auf der Oberfläche des Targets 6 Halbleiteranordnungen mit einer hohen Integration und einer hohen Leistungsfähigkeit ausgebildet. Daher ist eine wesentlich höhere Gleichmäßigkeit erforderlich als früher.
  • Aus WO-A-87 06 391 ist es an sich bekannt, die Wellenform der Scanspannung unter Verwendung eines Faraday-Detektors einzustellen, um ein Signal bereitzustellen, das die Ionenstrahlintensität als eine Funktion der Position darstellt.
  • Es besteht jedoch dann noch ein Problem, wenn der Faraday-Detektor und das Target voneinander getrennt werden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Ionenimplantationsgerät bereitzustellen, bei dem die Gleichmäßigkeit der Ionenimplantation auf dem Target verbessert wird.
  • Um die oben angegebene Aufgabe zu lösen, wird ein Ionenimplantationsgerät entsprechend Anspruch 1 bereitgestellt.
  • Es wird eine Steuereinheit zur Erlangung der Verteilung des Strahlstrombetrages, der in jeden Faraday-Becher eintritt, entsprechend dem von jedem Faraday-Becher des Mehrpunktmonitors gemessenen Strahlstrom zur Kompensation der Verteilung des Strahlstrombetrages, um so der Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target zu entsprechen, die auf einer vorher erhaltenen Korrelation zwischen den zwei Verteilungen basiert, zur Erzeugung der Wellenformdaten, so daß die Verteilung des kompensierten Strahlstrombetrags gleichmäßig wird, und zur Eingabe der sich ergebenden Daten an den Signalgenerator der Scanspannungsversorgung bereitgestellt.
  • Wenn ein Ionenstrahl gescannt wird, während der Mehrpunktmonitor in dem Strahlungsfeld des Ionenstrahls angeordnet ist, so wird der Strahlstrom durch jeden Faraday-Becher in dessen Position gemessen. Die Verteilung des Strahlstrombetrags (elektrische Ladungsmenge), die in jeden Faraday-Becher eingetreten ist, wird durch die Steuereinheit entsprechend dem gemessenen Strahlstrom erlangt. Die Steuereinheit erzeugt Wellenformdaten, so daß die Verteilung des Strahlstrombetrags gleichförmig wird.
  • Der Signalgenerator der Scanspannungsversorgung erzeugt ein Signal mit einer Wellenform, die den Wellenformdaten entspricht. Das Signal wird verstärkt und an die Scanelektroden als eine Scanspannung ausgegeben.
  • Somit ist die Gleichmäßigkeit der Ionenimplantation auf dem Target, die mit der vorliegenden Erfindung erzielt wird, besser als die Gleichmäßigkeit, die durch die herkömmliche Bauart unter Verwendung einer Dreieckwellenscanspannung erhalten wird.
  • Da eine Steuereinheit zur Kompensation der Verteilung des Strahlstrombetrages auf dem Mehrpunktmonitor verwendet wird, um so der Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target zu entsprechen, kann der Unterschied in den Bedingungen zwischen dem Mehrpunktmonitor und dem Target beseitigt werden.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Es zeigen:
  • Fig. 1 eine Ansicht eines Teils eines herkömmlichen Ionenimplantationsgeräts;
  • Fig. 2 eine Ansicht eines Teils eines Ionenimplantationsgeräts entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • Fig. 3 eine Ansicht eines Beispiels des Mehrpunktmonitors und der Steuereinheit in Fig. 2;
  • Fig. 4 eine Ansicht eines Beispiels einer Scansignalwellenform;
  • Fig. 5 eine Blockdarstellung eines weiteren Beispiels einer Scanspannungsversorgung;
  • Fig. 6 eine Ansicht eines Beispiels der Korrelation zwischen der Verteilung eines Strahlstrombetrags auf einem Mehrpunktmonitor und der Verteilung einer Ionenimplantationsmenge auf einem Target;
  • Fig. 7 eine Ansicht eines Beispiels einer Antriebseinheit für ein Target; und
  • Fig. 8 ein Beispiel eines elektrischen Scanmittels für einen Ionenstrahl.
  • Beschreibung der Erfindung im einzelnen
  • Fig. 2 ist eine Ansicht, die einen Teil eines Ionenimplantationsgeräts entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Teile, welche dieselben wie jene in Fig. 1 sind, sind mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Die gegenüber dem Stand der Technik sich unterscheidenden Punkte werden im folgenden beschrieben.
  • Bei dieser Ausführungsform ist eine Scanspannungsversorgung 22 zum Anlegen von Scanspannungen an die Scanelektroden 4 wie folgt aufgebaut.
  • Die Scanspannungsversorgung 22 ist mit einem Generator 221 beliebiger Wellenformen zur Erzeugung eines Scansignals VS mit einer Wellenform entsprechend den von außen erhaltenen Wellenformdaten (genauer: Wellenformdaten DS, welche von einer Steuereinheit 28 ausgegeben werden, die unten beschrieben wird) und mit Hochspannungsverstärkern 222 und 223 zur Anhebung der Spannung des Scansignals VS und zur Ausgabe von Scanspannungen VX und -VX jeweils umgekehrter Polarität versehen.
  • Der Generator 221 beliebiger Wellenformen ist von bekannter Bauart. Durch Programmierung des Generators beliebiger Wellenformen oder durch Eingabe von Wellenformdaten von außen, kann jedes Wellenformsignal erzeugt werden.
  • Außerdem ist das Ionenimplantationsgerät entsprechend dieser Ausführungsform mit einem Mehrpunktmonitor 24 zur Messung der Verteilung des Strahlstroms an jedem Punkt des Ionenstrahls 2, einer Monitorantriebseinheit 26 zur Bewegung des Mehrpunktmonitors 24 zu dem Strahlungsfeld zur Messung und von dem Strahlungsfeld für den Ionenimplantationsvorgang auf ein Target 6 und eine Steuereinheit 28 zur Erzeugung der oben beschriebenen Wellenformdaten DS und zur Ausgabe von diesen an die Scanspannungsversorgung 22 versehen.
  • Wie in Fig. 3 gezeigt, ist der Mehrpunktmonitor 24 zum Beispiel mit einer großen Anzahl von Faraday-Bechern 243, welche dieselbe Fläche einnehmen und in der X-Richtung zum Empfang des Ionenstrahls 2 und zur Messung des Ionenstrahlstromes ausgerichtet sind, Bremsgliedern 242 mit einem in der Position jedem Faraday- Becher entsprechenden Öffnungsausschnitt, die gegenüber von diesen angeordnet sind, Masken 241 mit einem in der Position jedem Faraday-Becher 243 entsprechenden Öffnungsausschnitt, die gegenüber von diesen angeordnet sind, und Trägerisolatoren 244 und 245 ausgestattet.
  • Wie in Fig. 3 gezeigt, ist die Steuereinheit 28 zum Beispiel mit einem Strom-Frequenz-Wandler 282 zur Umwandlung des Strahlstroms I, der von jedem Faraday-Becher des Mehrpunktmonitors 24 ausgegeben wird, in ein Frequenzsignal, einem Zähler 283 zur Zählung der Frequenz des Frequenzsignals, so daß der Strahlstrom I in ein Digitalsignal umgewandelt wird, das an eine Steuerschaltung 284 anzulegen ist, einer großen Anzahl von Schaltern 281 zum wahlweisen Schalten eines jeden Faraday- Bechers 243 des Mehrpunktmonitors 24, um so entsprechend einem Kommando von der Steuerschaltung 284 diesen mit dem Strom-Frequenz-Wandler 282 zu verbinden, und der Steuerschaltung 284 zur Erzielung der Verteilung des Strahlstrombetrages (elektrische Ladungsmenge), die in jeden Faraday-Becher 243 entsprechend den in der oben angegebenen Weise eingegebenen Daten eingetreten ist, und zur Erzeugung der Wellenformdaten DS versehen, so daß die Verteilung des Strahlstrombetrages gleichmäßig wird. Die Steuerschaltung enthält bei diesem Beispiel einen Mikrocomputer.
  • Ein Beispiel eines Verfahrensablaufs zur Kompensation einer Scanspannungswellenform wird im folgenden beschrieben.
  • (1) Der Mehrpunktmonitor 24 wird durch die Monitortreibereinheit 26 angetrieben, um sich in das strahlungsfeld des Ionenstrahls 2 zu bewegen.
  • (2) Dann wird zum Beispiel das Dreieckswellenscansignal VS, wie es durch die durchgezogene Linie in Fig. 4 gezeigt wird, von dem Generator 221 beliebiger Wellenformen ausgegeben, um so den Ionenstrahl 2 zu scannen. Der Strahlstrombetrag, der in jeden der Faraday-Becher 243 des Mehrpunktmonitors 24 eintritt, wird der Reihe nach in der Steuerschaltung 284 erhalten.
  • Es wird, mit anderen Worten, nur ein Schalter 281, der dem zu messenden Faraday-Becher 243 entspricht, eingeschaltet, um so den Strahlstrom I zu messen, der in den Faraday-Becher eingetreten ist. Entsprechend dem gemessenen Strahlstrom I wird der Strahlstrombetrag pro Einheit-Scanvorgang des Ionenstrahls 2 (zum Beispiel Einwegscanvorgang, Zweiwegscanvorgang usw.) summiert. Dieser Vorgang wird nacheinander für jeden Faraday-Becher 243 wiederholt.
  • (3) In der Steuerschaltung 284 werden die Verteilung des Strahlstrombetrages, der in jeden Faraday-Becher 243 eingetreten ist, entsprechend den gemessenen Daten in der oben beschriebenen Weise erhalten und die Wellenformdaten DS zum Ausgleich der Verteilung berechnet.
  • Weil in diesem Fall die Fläche eines jeden Faraday-Bechers 243 dieselbe ist, ist der gemessene Strahlstrombetrag eines jeden Faraday-Bechers 243 proportional zu der Ionenimplantationsmenge pro Einheitsfläche gegenüber dem Target 6. Somit werden in der Steuerschaltung 284 die Wellenformdaten DS in einer solchen Weise erzeugt, daß die Scangeschwindigkeit des Ionenstrahls 2 in einem Teilbereich hoch ist, wo der Strahlstrombetrag hoch ist, und die Scangeschwindigkeit in einem Teilbereich gering ist, wo der Strahlstrombetrag gering ist.
  • Es werde zum Beispiel angenommen, daß, wenn das Scansignal VS, wie mit der durchgezogenen Linie in Fig. 4 gezeigt, eine Dreieckwelle ist, nur der Strahlstrombetrag, der in den n-ten Faraday-Becher 243 eingetreten ist, geringer ist als andere. Weiterhin werden angenommen, daß zwischen den Punkten a und b der Ionenstrahl 2 in den n-ten Faraday-Becher eingetreten ist und daß der Zeitbereich Tn beträgt.
  • In der Steuerschaltung 284 wird der Zeitbereich Tn', indem der Strahlstrombetrag (= Strahlstrom x Zeitbereich), der in den Faraday-Becher 243 eingetreten ist, gleich zu dem der anderen wird (in diesem Fall: Tn' > Tn), unter Verwendung des Strahlstroms berechnet, der in den Faraday-Becher 243 fließt. Da die Verstärkung des Scansignals V nach dem Zeitbereich Tn dieselbe sein sollte, wie nach dem Zeitbereich Tn', wird zu der Zeit die Position des Punktes b' bestimmt. Wie es durch die gestrichelte Linie in Fig. 4 gezeigt ist, wird die Linie, die zwischen den Punkten a und b' verbunden, zu einer Wellenform, welche kompensiert worden ist. In der Wellenform, die dem Punkt b' folgt, ist keine Kompensation erforderlich. Somit ist es möglich, die vorherige Dreieckswelle parallel zu übersetzen.
  • Wenn der Strahlstrombetrag, der in den n-ten Faraday-Becher 243 eingetreten ist, höher als die anderen ist, so wird die Neigung zwischen den Punkten a und b' entgegengesetzt zu dem obigen Fall erhöht, so daß der Zeitbereich Tn' kürzer als Tn ist.
  • Die Steuerschaltung 284 erzeugt die Wellenformdaten DS, welche eine Quelle für die Wellenform des kompensierten Scansignals VS darstellen. Die Wellenformdaten DS werden in den Generator 221 beliebiger Wellenformen der Scanspannungsversorgung 222 eingegeben. Der Generator 221 beliebiger Wellenformen speichert die Wellenformendaten DS und gibt das Scansignal VS aus, dessen Wellenform den Daten DS entspricht.
  • (4) Die Verteilung des Strahlstrombetrags, der in jeden Faraday- Becher 243 eingetreten ist, wird in derselben Weise, wie oben beschrieben, erhalten. Wenn die bestimmte Gleichmäßigkeit erzielt worden ist, ist die Wellenformkompensation abgeschlossen. Wenn die bestimmte Gleichmäßigkeit nicht erzielt worden ist, wird die Wellenformkompensation, wie oben beschrieben, erneut ausgeführt.
  • (5) Nachdem die bestimmte Gleichmäßigkeit erzielt worden ist, wird der Mehrpunktmonitor 24 aus dem Strahlungsfeld des Ionenstrahls 2 bewegt. Danach werden Ionen in das Target 6 implantiert.
  • Da die Gleichmäßigkeit des Strahlstrombetrages, der in jeden Faraday-Becher 243 des Mehrpunktmonitors 24 eingetreten ist, höher ist als der bestimmte Wert, wird in der oben beschriebenen Weise die Gleichmäßigkeit der Ionenimplantation gegenüber dem Target 6 im Vergleich zu der des Standes der Technik verbessert.
  • Weil die Bedingungen des Mehrpunktmonitors 24 und des Targets 6 wie der Positionsunterschied zwischen beiden verschieden sind, muß jedoch, selbst wenn die Verteilung des Strahlstrombetrages auf dem Target 6, wie durch die Kurve A in Fig. 6 gezeigt, ausgeglichen ist, die Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target 6 nicht notwendigerweise ausgeglichen sein, wie es durch die Kurve B in Fig. 6 gezeigt ist.
  • Um diese Unzulänglichkeit zu beseitigen, muß die Steuereinheit weiter modifiziert werden. D.h. die Korrelation zwischen der Verteilung des Strahlstrombetrages auf dem Mehrpunktmonitor 24 und die Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target 6, zum Beispiel die in Fig. 6 gezeigte Korrelation, in der die Verteilung des Strahlstrombetrages auf dem Mehrpunktmonitor 24, wie Kurve A zeigt, verläuft und die Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target 6, wie durch Kurve B gezeigt, verläuft (die Korrelation ist für die Ionenimplantationsgerät spezifisch), wird vorher erhalten, wobei die Daten, die die Korrelation darstellen, in der Steuerschaltung 284 der Steuereinheit 28 gespeichert werden. Auf der Grundlage der Daten kompensiert die Steuerschaltung 284 die Verteilung des Strahlstrombetrages, der auf dem Mehrpunktmonitor 24 gemessen wurde, um mit der Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target 6 in Beziehung zu stehen (zum Beispiel: übereinzustimmen). Dann werden die Wellenformdaten DS, um die Verteilung des kompensierten Strahlstrombetrages auszugleichen, in derselben Weise wie oben beschrieben berechnet, wobei diese der Scanspannungsquelle 22 zugeführt werden. In dieser Weise werden die Unterschiede in den Bedingungen zwischen dem Mehrpunktmonitor 24 und dem Target 6 beseitigt, so daß die Gleichmäßigkeit der Implantation auf das Target 6 verbessert wird.
  • Wie in Fig. 5 gezeigt, ist es auch möglich, die Scanspannungsversorgung 22 zum Beispiel mit zwei Generatoren 221 und 224 beliebiger Wellenformen zur Aufnahme von Wellenformdaten DS1 und DS2 von einer Steuereinheit 28 und zur Erzeugung von Scansignalen VS und -VS umgekehrter Polarität und mit zwei Hochspannungsverstärkern 222 und 225 zur Anhebung der Spannungen der Signale und zur Ausgabe von Scanspannungen umgekehrter Polarität VX und -VX aufgebaut sein. Die Wellenformdaten DS1 und DS2, die von der Steuereinheit 28 in derselben Weise wie oben beschrieben berechnet werden, werden jeweils an die Generatoren 221 und 224 beliebiger Wellenformen ausgegeben. Bei diesem Aufbau kann die Kompensation genauer ausgeführt werden, weil die Wellenformen der Scanspannungen, die an die Scanelektroden 4 angelegt werden, unabhängig auf der VX-Seite und der -VX-Seite verändert werden können.
  • Um den Strahlstrom I von jedem Faraday-Becher 243 des Mehrpunktmonitors 24 der Steuerschaltung 284 zuzuführen, ist es außerdem nicht immer notwendig, den Strom-Frequenz-Wandler 282 und den Zähler 283, wie sie oben beschrieben wurden, zu verwenden. Es können vielmehr andere Mittel benutzt werden.
  • Weiterhin kann anstelle der oben beschriebenen linearen Bewegung eine Schwingdrehung für den mechanischen Antrieb des Targets 6 in der Y-Richtung im wesentlichen senkrecht zu der x-Richtung der Scanrichtung des Ionenstrahls 2 verwendet werden.
  • Die in Fig. 7 gezeigte Antriebseinheit 320 ist ein Beispiel für ein solches Antriebsmittel.
  • Die Antriebseinheit 320 umfaßt einen Arm 324 zum Tragen einer Halterung 8 und einen umkehrbar drehbaren Motor 322 (zum Beispiel einen Direktantriebsmotor) zur Drehung des Armes 324 wie es mit dem in Fig. 7 gezeigten Pfeil dargestellt ist. Die Umkehrbewegung des Motors 322 veranlaßt das Target 6, das durch die Halterung 8 gehalten wird, mechanisch in der Y-Richtung im wesentlichen senkrecht zu der X-Richtung in einer Bogenform gescannt zu werden, während das Target zu dem Ionenstrahl 2 weist.
  • In diesem Fall können Mittel zur Drehung der Halterung 8 entsprechend der Drehung des Armes 324 vorgesehen sein, um die Lage des Targets 6 (zum Beispiel die Richtung der 0rientierungsabflachung 6a) beim Abscannen des Targets 6 beizubehalten. Zum Beispiel ist wie bei diesem Beispiel ein umkehrbarer drehbarer Motor (zum Beispiel ein Direktantriebsmotor) 326 an dem Arm 324 und die Halterung 8 an der Ausgangswelle des Motors 326 befestigt, wobei die Halterung 8 durch den Motor 326 unter demselben Winkel in der umgekehrten Richtung zu der Drehrichtung des Armes 324 gedreht wird. Somit kann die Lage des Targets 6 beibehalten werden.
  • Außerdem kann der Ionenstrahl 2, der durch elektrostatisches Scannen des Strahles zu der X-Richtung in einen Parallelstrahl umgewandelt worden ist, auf das Target 6 gestrahlt werden.
  • Fig. 8 zeigt ein Beispiel eines solchen Scanmittels des Ionenstrahls 2. Der Ionenstrahl 2, der von einer Ionenquelle 410 abgegeben wird und, falls notwendig, einer Massenanalyse, einer Beschleunigung und dergleichen unterzogen wird, wird in der X- Richtung durch Zusammenwirkung des Paares von Scanelektroden 412 und eines Paares von Kollimatorelektroden 414 gescannt, an die von derselben Scanspannungsquelle 22 Scanspannungen (Dreieckwellenspannungen umgekehrter Polarität) angelegt werden, so daß der aus der Kollimatorelektrode 414 austretende Strahl in einen Parallelstrahl umgewandelt ist. Der Ionenstrahl 2 kann eher unter Verwendung eines Magnetfeldes als des elektrischen Feldes von diesem Beispiel in den Parallelstrahl umgewandelt werden.
  • Darüber hinaus beziehen sich bei dieser Beschreibung die X-Richtung und die Y-Richtung nur auf zwei Richtungen, von denen eine senkrecht zu der anderen ist. Somit ist es möglich, die X-Richtung als die horizontale Richtung, die vertikale Richtung oder irgendeine dazu geneigte Richtung zu betrachten.
  • Da eine Steuereinheit zur Kompensation der Verteilung des Strahlstrombetrages auf dem Nehrpunktmonitor verwendet wird, um der Verteilung der Ionenimplantationsmenge auf dem Target zu entsprechen, kann der Unterschied der Zustände zwischen dem Mehrpunktmonitor und dem Target beseitigt werden.

Claims (3)

1. Ionenimplantationsgerät, das umfaßt
ein Paar Scanelektroden (4) zum elektrostatischen, abtastungsartigen Führen eines Ionenstrahles in einer X-Richtung;
eine Antriebseinheit (10) zum mechanischen, abtastungsartigen Führen eines Targets (6) in einer im wesentlichen zu der X- Richtung senkrechten Y-Richtung;
eine Scanspannungsversorgung (22), die einen Signalgenerator zur Erzeugung eines Signals mit einer Wellenform entsprechend zu Wellenformeingangsdaten und einen Verstärker (222, 223) zur Verstärkung des Signals und zur Ausgabe des verstärkten Signals an das Paar von Scanelektroden enthält;
einen Faraday-Detektionsmonitor zum Empfang des Ionenstrahls und zur Messung des Strahlstromes;
eine Monitorantriebseinheit (26) zum Bewegen des Faraday-Detektionsmonitors in und aus einem Strahlungsfeld des abtastungsartig geführten Ionenstrahls; und
eine Steuereinheit (28) zur Erzielung der Strahlstromsumme, die in den Faraday-Detektionsmonitor eingetreten ist, zur Erzeugung der Wellenformdaten, so daß die Verteilung der Strahlstromsumme flach wird, und zur Eingabe der sich ergebenden Daten an den Signalgenerator der Scanspannungsversorgung,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Faraday-Detektionsmonitor (24) vom Mehrpunktmonitortyp ist, welcher eine Vielzahl von Faraday-Bechern umfaßt, die in der X- Richtung angeordnet sind, wobei die Steuereinheit (28) eine Verteilung der Strahlstromsumme erhält, welche in jeden der Faraday-Becher eingetreten ist und von jedem gemessen wurde, und die Steuereinheit (28) die Verteilung der Strahlstromsumme, um der Verteilung einer Ionenimplantationssumme auf dem Target zu entsprechen, auf der Grundlage einer vorher erhaltenen Korrelation zwischen der Verteilung der Strahlstromsumme und der Verteilung der Ionenimplantationssumme kompensiert.
2. Ionenimplantationsgerät gemäß Anspruch 1, bei dem die Antriebseinheit (10) einen Arm (324) zum Tragen einer Halterung (8) zum Halten des Targets und einen umkehrbar drehbaren Motor (322) zur Drehung des Armes umfaßt, so daß das Target in einer Bogenform abtastungsartig geführt wird, während das Target zu dem Ionenstrahl weist.
3. Ionenimplantationsgerät gemäß Anspruch 1, welches zwei Paare von Scanelektroden (412, 414) zur Umwandlung des Ionenstrahls in einen Parallelstrahl umfaßt, wobei die Paare von Scanelektroden mit umgekehrten Scanspannungen derselben Scanspannungsversorgung (22) versorgt werden.
DE69021435T 1989-05-15 1990-05-15 Ionen-Implantationsgerät. Expired - Fee Related DE69021435T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12245089 1989-05-15
JP14091289 1989-06-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69021435D1 DE69021435D1 (de) 1995-09-14
DE69021435T2 true DE69021435T2 (de) 1996-01-25

Family

ID=26459573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69021435T Expired - Fee Related DE69021435T2 (de) 1989-05-15 1990-05-15 Ionen-Implantationsgerät.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5068539A (de)
EP (1) EP0398269B1 (de)
JP (1) JPH0770296B2 (de)
KR (1) KR930005735B1 (de)
DE (1) DE69021435T2 (de)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2969788B2 (ja) * 1990-05-17 1999-11-02 日新電機株式会社 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
US5198676A (en) * 1991-09-27 1993-03-30 Eaton Corporation Ion beam profiling method and apparatus
JP3125384B2 (ja) * 1991-11-14 2001-01-15 日本電気株式会社 イオン注入装置
US5451784A (en) * 1994-10-31 1995-09-19 Applied Materials, Inc. Composite diagnostic wafer for semiconductor wafer processing systems
US5801386A (en) * 1995-12-11 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for measuring plasma characteristics within a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating and using same
US6271529B1 (en) 1997-12-01 2001-08-07 Ebara Corporation Ion implantation with charge neutralization
US6480278B1 (en) 1997-12-16 2002-11-12 Stephen Douglas Fuerstenau Method and apparatus for detection of charge on ions and particles
TW423018B (en) * 1998-06-11 2001-02-21 Axcelis Tech Inc Ion dosage measurement apparatus for an ion beam implanter and method
KR20010010825A (ko) * 1999-07-23 2001-02-15 윤종용 이온주입기의 이온빔 균일도 제어시스템
JP3414337B2 (ja) * 1999-11-12 2003-06-09 日新電機株式会社 電磁界レンズの制御方法およびイオン注入装置
US6409896B2 (en) 1999-12-01 2002-06-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor wafer process monitoring
EP1285456A2 (de) 2000-05-15 2003-02-26 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Abrasterung hoher effizienz in ionenimplantierungsgeräten
US7547460B2 (en) 2000-09-15 2009-06-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implanter optimizer scan waveform retention and recovery
JP4070602B2 (ja) 2000-11-22 2008-04-02 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド イオン注入用のハイブリッド走査システム及び方法
US6710359B2 (en) 2001-03-23 2004-03-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for scanned beam uniformity adjustment in ion implanters
US20020175297A1 (en) * 2001-05-25 2002-11-28 Scheuer Jay T. Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines
FR2826730B1 (fr) * 2001-06-29 2003-09-05 Commissariat Energie Atomique Procede de charge d'une structure comportant un corps isolant
DE10210270A1 (de) * 2002-03-08 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Ionen-Implantierungsvorrichtung
KR100444201B1 (ko) * 2002-04-18 2004-08-16 삼성전자주식회사 이온빔 경사각 측정방법 및 장치
DE10329383B4 (de) * 2003-06-30 2006-07-27 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Ionenstrahldetektor für Ionenimplantationsanlagen, Faraday-Behälter dafür und Verfahren zur Steuerung der Eigenschaften eines Ionenstrahls mittels des Ionenstrahldetektors
US7109499B2 (en) * 2004-11-05 2006-09-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and methods for two-dimensional ion beam profiling
JP2006196385A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Seiko Epson Corp イオン注入装置及び半導体装置の製造方法
JP5015464B2 (ja) * 2006-01-30 2012-08-29 株式会社アルバック イオン注入方法およびイオン注入装置
KR100835487B1 (ko) * 2006-10-18 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 이온주입장치의 인터락 방법
JP4285547B2 (ja) * 2007-01-22 2009-06-24 日新イオン機器株式会社 ビーム電流波形の測定方法および測定装置
JP2008235044A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Ihi Corp ビームプロファイルモニター
JP5863153B2 (ja) * 2012-10-29 2016-02-16 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
US9111719B1 (en) * 2014-01-30 2015-08-18 Axcelis Technologies, Inc. Method for enhancing beam utilization in a scanned beam ion implanter
JP6195538B2 (ja) * 2014-04-25 2017-09-13 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入方法及びイオン注入装置
GB201413422D0 (en) * 2014-07-29 2014-09-10 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd A method for measuring the mass thickness of a target sample for electron microscopy
US10222400B2 (en) 2016-09-21 2019-03-05 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. Beam current measuring device and charged particle beam irradiation apparatus
CN112635280B (zh) * 2020-12-12 2024-02-23 北京烁科中科信电子装备有限公司 一种离子注入机束流与剂量测控装置及方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56126918A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Hitachi Ltd Injecting device for ion
DE3588237T2 (de) * 1984-09-19 2002-11-14 Applied Materials, Inc. Vorrichtung zum Abtasten von Wafern durch einen Ionenstrahl
US4922106A (en) * 1986-04-09 1990-05-01 Varian Associates, Inc. Ion beam scanning method and apparatus
ATE227884T1 (de) * 1986-04-09 2002-11-15 Varian Semiconductor Equipment Ionenstrahlabtastverfahren und vorrichtung
JPS63128540A (ja) * 1986-11-17 1988-06-01 Shimadzu Corp イオン注入装置
US4724324A (en) * 1986-11-24 1988-02-09 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for ion beam centroid location
GB2216714B (en) * 1988-03-11 1992-10-14 Ulvac Corp Ion implanter system
JP2660005B2 (ja) * 1988-07-26 1997-10-08 富士通株式会社 半導体基板へのイオン注入装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03114127A (ja) 1991-05-15
KR900019123A (ko) 1990-12-24
DE69021435D1 (de) 1995-09-14
US5068539A (en) 1991-11-26
EP0398269A2 (de) 1990-11-22
KR930005735B1 (ko) 1993-06-24
EP0398269A3 (de) 1991-05-15
JPH0770296B2 (ja) 1995-07-31
EP0398269B1 (de) 1995-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69021435T2 (de) Ionen-Implantationsgerät.
DE69124136T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Bündelung eines Ionenstrahls zur Formung und Kontrolle der Ablenkung desselben
DE3105359C2 (de)
DE3752358T2 (de) Ionenstrahlabtastverfahren und vorrichtung
DE1589950A1 (de) Strahlungsabtastvorrichtung
DE2918446C2 (de) Vorrichtung zum Implantieren von Ionen in eine Auftreffplatte
DE2056620B2 (de) Justiervorrichtung fuer eine vorrichtung zum bestrahlen eines werkstueckes in der form eines musters
EP1042689A1 (de) Anordnung zur digitalen subtraktions-angiographie
DE4312640C2 (de) Rotationstomographie-Röntgenvorrichtung mit Planigraphiefunktion
DE69017075T2 (de) Ionen-Implantationsgerät.
DE2335304A1 (de) Abtastelektronenmikroskop
EP0048857B1 (de) Anordnung für stroboskopische Potentialmessungen mit einem Elektronenstrahl-Messgerät und Verfahren zum Betrieb einer solchen Anordnung
DE2702009A1 (de) Radiographisches geraet
DE2520539A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum betrieb eines radiologischen geraetes
DE2625312A1 (de) Radiographisches geraet
DE2745390C2 (de) Röntgensichtgerät für die Herstellung von Transversalschichtbildern
DE3503465A1 (de) Zahnaerztliche panoramaroentgenaufnahmeeinrichtung
DE4229275C2 (de) Steuerung für die Position einer Probe in einem System mit fokussiertem Ionenstrahl
DE2918390C2 (de) Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen
DE2716818C2 (de)
DE596771C (de)
DE2440120A1 (de) Vorrichtung zur wiedergabe der energieverteilung eines aus geladenen teilchen bestehenden strahles
DE69123708T2 (de) Verfahren und Gerät zur Reduzierung der Neigungswinkelschwankungen in einer Ionenimplantierungsmaschine
DE1573745C3 (de) Vorrichtung zur Ultraschall-Untersuchung von nicht-ebenen Körpern
DE922183C (de) Kennlinienschreiber

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD., KYOTO, JP

8339 Ceased/non-payment of the annual fee