DE69013631T2 - Einkristallsilizium. - Google Patents

Einkristallsilizium.

Info

Publication number
DE69013631T2
DE69013631T2 DE69013631T DE69013631T DE69013631T2 DE 69013631 T2 DE69013631 T2 DE 69013631T2 DE 69013631 T DE69013631 T DE 69013631T DE 69013631 T DE69013631 T DE 69013631T DE 69013631 T2 DE69013631 T2 DE 69013631T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
single crystal
crystal silicon
silicon
ppma
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69013631T
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE69013631D1 (de
Inventor
Hirotoshi Yamagishi
Shuji Yokota
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin-Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Publication of DE69013631D1 publication Critical patent/DE69013631D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69013631T2 publication Critical patent/DE69013631T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE69013631T 1989-08-23 1990-08-20 Einkristallsilizium. Expired - Fee Related DE69013631T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1216569A JPH0380193A (ja) 1989-08-23 1989-08-23 シリコン半導体単結晶

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69013631D1 DE69013631D1 (de) 1994-12-01
DE69013631T2 true DE69013631T2 (de) 1995-05-24

Family

ID=16690481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69013631T Expired - Fee Related DE69013631T2 (de) 1989-08-23 1990-08-20 Einkristallsilizium.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5067989A (enExample)
EP (1) EP0419044B1 (enExample)
JP (1) JPH0380193A (enExample)
DE (1) DE69013631T2 (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5288366A (en) * 1992-04-24 1994-02-22 Memc Electronic Materials, Inc. Method for growing multiple single crystals and apparatus for use therein
US5488924A (en) * 1993-12-06 1996-02-06 Memc Electronic Materials Hopper for use in charging semiconductor source material
EP0691423B1 (en) * 1994-07-06 1999-03-24 Shin-Etsu Handotai Company Limited Method for the preparation of silicon single crystal and fused silica glass crucible therefor
US6060021A (en) * 1997-05-07 2000-05-09 Tokuyama Corporation Method of storing trichlorosilane and silicon tetrachloride
DE19741465A1 (de) * 1997-09-19 1999-03-25 Wacker Chemie Gmbh Polykristallines Silicium
JP4096557B2 (ja) * 2000-04-25 2008-06-04 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶ウエーハの製造方法
US20020144642A1 (en) * 2000-12-26 2002-10-10 Hariprasad Sreedharamurthy Apparatus and process for the preparation of low-iron single crystal silicon substantially free of agglomerated intrinsic point defects
JP2003209114A (ja) * 2002-01-10 2003-07-25 Japan Science & Technology Corp シリコン結晶中の遷移金属不純物のゲッタリング方法
JP4908730B2 (ja) * 2003-04-21 2012-04-04 株式会社Ｓｕｍｃｏ 高抵抗シリコン単結晶の製造方法
EP1717355B1 (en) * 2004-02-02 2013-11-20 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Production apparatus and process for producing silicon single crystal and silicon wafer
JP4345585B2 (ja) * 2004-06-16 2009-10-14 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法、およびこれに用いる覗き窓ガラス、結晶観察用窓ガラス、シリコン単結晶製造装置
DE102007027110A1 (de) 2007-06-13 2008-12-18 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Verpacken von polykristallinem Siliciumbruch
JP5751748B2 (ja) * 2009-09-16 2015-07-22 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法
JP6439593B2 (ja) * 2015-06-02 2018-12-19 信越半導体株式会社 不純物分析方法及びシリコン結晶の評価方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3150539A1 (de) * 1981-12-21 1983-06-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer solarzellen, verwendbarem silizium
JPS6055629A (ja) * 1983-09-07 1985-03-30 Fujitsu Ltd ミラ−ウェハの製造方法
JPH0226031A (ja) * 1988-07-14 1990-01-29 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコンウェーハ

Also Published As

Publication number Publication date
DE69013631D1 (de) 1994-12-01
JPH0380193A (ja) 1991-04-04
EP0419044B1 (en) 1994-10-26
EP0419044A1 (en) 1991-03-27
US5067989A (en) 1991-11-26
JPH0515675B2 (enExample) 1993-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69902494T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Siliciumwafers und durch das Verfahren hergestellter einkristalliner Siliciumwafer
EP0829559B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte
DE69120032T2 (de) Verfahren zur Feststellung der elektrischen Eigenschaften eines Silizium-Monokristalles
DE69900210T2 (de) Einkristallines Siliziumwafer und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69900481T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Siliciumwafers und durch das Verfahren hergestellte einkristalline Siliciumwafer
EP0328048A2 (de) Herstellung von Halbleiterscheiben mit verbesserter Kontrolle der Innenstörstellen
EP3555348B1 (de) Halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium und verfahren zur herstellung einer halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium
DE60210264T2 (de) Verfahren zur herstellung von silizium einkristall mit verbesserter gate-oxid integrität
EP0962555A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
DE69508473T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium-Einkristall und Tiegel aus geschmolzenem Silika dafür
DE112017003644B4 (de) Verfahren zur Bewertung der Kohlenstoffkonzentration einer Siliciumprobe, Verfahren zur Bewertung eines Herstellungsprozesses für Siliciumwafer, Verfahren zur Herstellung von Siliciumwafern, Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristall-Ingots
DE112017003486B4 (de) Verfahren zum evaluieren und herstellen von siliziumwafern
DE112016002091B4 (de) Silicium-Epitaxie-Wafer und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0590508B1 (de) Entfernung von Verunreinigungen und Verbesserung der Minoritätsladungsträger-Lebensdauer bei Silicium
DE69020037T2 (de) Silizium-Einkristall mit sehr kleiner Empfindlichkeit gegen die Bildung oxidationsinduzierter Fehlstellen und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE112017003436T5 (de) Einkristalliner, plattenförmiger Siliziumkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112015002599B4 (de) Silicium-Wafer und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0419044B1 (en) Single crystal silicon
DE112012000607B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Siliziumsubstrats und Siliziumsubstrat
DE60205316T2 (de) Halbleitersubstrat aus Silizium und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112009000569T5 (de) Silizium-Einkristall-Wafer, Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls oder Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristall-Wafers, und Halbleiterbauelement
DE3827496C2 (enExample)
DE112006000816T5 (de) Produktionsverfahren für Siliziumeinkristall, getemperter Wafer und Produktionsverfahren für getemperten Wafer
EP4018019B1 (de) Verfahren zur bestimmung von spurenmetallen in silicium
DE102004023425B4 (de) Verfahren zur Feststellung der Cu-Konzentration eines Siliciumsubstrats

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee