DE649691C - Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-Photozellen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-PhotozellenInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-Photozellen Die Kupferoxydul-Sperrschicht-Photozellen werden bisher so hergestellt, daß eine metallische Kupferplatte in einem Ofen bei Gegenwart von Sauerstoff auf etwa 1020°C einige Zeit erhitzt wird.
- Diese bekannte Kupferoxydul-Sperrschicht-Phlobazelle ist in Abb. 1 schematisch im Schnitt dargestellt.
- Die aus dem Ofen genommene Zelle zeigt an ihrer Oberfläche Kupferoxyd, das durch geeignete Verfahren beseitigt wird, so daß, die darunterliegende Kupferoxydulschicht 3 zutage tritt, die auf dem Mutterkupfer 1 aufgewachsen ist. Zwischen der Kupferoxydulschicht 3 und der metallischen Kupferunterlage (Mutterkupfer) 1 befindet sich dann noch eine sehr dünne Sperrschicht 2, welche für die Elektronen nur in einer Richtung durchlässig ist. Als die eine Elektrode der fertigen Sperrschichtzelle dient die Mutterkupferplatte 1, während im allgemeinen als zweite Elektrode (Gegenelektrode) eine auf die Kupferoxydulscliicht 3 durch bekannte Verfahren, beispielsweise Kathodenzerstäubung, aufgebrachte dünne Metallschicht 4 dient.
- Es hat sich nun gezeigt, daß bei sonst gleichen Herstellungsverfahren die photoelektrische Wirkung solcher Oxydul-Spierrschicht-Phobozellen ganz wesentlich gesteigert werden kann, wenn die metallische Kupferplatte, bevor sie auf hohe Temperatur gebracht wild, mit einer Goldschicht gemäß Abb. z überzogen wird. Der Überzug 5 kann durch Kathiodenzerstäubung, Elektrolyse, durch ein Spritzverfahren oder durch ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren auf die Mutberkupferplatte 1 aufgebracht werden. Nach Erhitzung der Zelle bleibt die Goldschicht 5 auch nach Fertigstellung der Zelle auf dem Kupfer erhalten, und über der Goldschicht 5 bildet sich eine KupfeDoxydulschicht 3. Es befindet sich also über - dem Mutterkupfer 1 außer der bekannten dünnen Sperrschicht 2 noch die Goldschicht 5 und darüber erst die Kupferoxydulschicht. Eine solche Oxydul-Sperrschicht-Photozelle zeigt gegenüber einer gleichen Zelle, jedoch ohne die vorher auf das Kupfer 1 aufgebrachte Goldschicht 5, einen etwa um das Dreifache gesteigerten photoelektrischen -Effekt bziv. eine dreifache Energieausbeute. unter sonst gleichen Verhältnissen.
- Die auf das metallische Kupfer 1 vorher aufgebrachte Schicht aus Goldoder seinem anderen Edelmetall, wie Silberoder Platin, oder Halbedelmetalle, unter denen Metalle, wie Chrom, Nickel, Zinn @o. d"-I., zu verstehen sind, muß dabei sG dünn sein, daß sie- lichtdurchlässig ist und bei nachfolgender Erhitzung auf Oxydationstemperatur des Mutbermetalles sich die Oxydulschicht durch das überzugsmetall hindurch auf diesem bildet. Eine solche Zelle zeigt gegenüber den bekannten Zellen bei der Herstellung außerdem noch den Vorteil, daß das Kupferoxydul 3 die ganze Zellenoberfläche sehr gleichmäßig bedeckt.
- Die zwischen Muttermetall und Oxydulit: schicht befindliche Fremdmetallschicht be-@ wirkt außerdem einen Ausgleich zwischen den sehr verschiedenen Ausdehnungskoeffizienten des Mutterinetalles und der Oxydulschicht. Die Kupferplatte i kann auch, bevor sie auf hohe Temperatur gebracht wird, mit nvei oder mehreren dünnen, übereinanderliegenden Metallschichten bedeckt werden, von welchen vorzugsweise die eine aus Nichtedelmetall besteht. Bei dem beschriebenen Beispiel diffundiert das unter der aufgebrachten Goldschicht 5 liegende Kupfer i durch die dünn Goldschicht bei der Herstellungstemperatur der Zelle hindurch und bildet dann auf der Goldschicht 5 die Sauerstoffverbindungen des Kupfers. Das beschriebene Verfahren läßt sich deshalb auch bei anderen Muttermetallen. ,oder Legierungen außer Kupfer -anwenden, die wegen ihres gleichartigen chemischen. Verhaltens ebenfalls Oxydul bilden und somit als Äquivalent zu betrachten sind. Das aufgeführte Kupfer ist nur als Beispiel zu b-,.trachten.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-Photozellen, dadurch gekennzeichnet, daß das Muttermetall, wie z. B. Kupfer, mit einem Überzug eines Edel- oder Halhedelmetalles von derartiger Stärke versehen wird, daß bei nachfolgender Erhitzung auf die Oxvdationstemperatur des Muttermetalles die Oxydulschicht sich durch das Überzugsmetall hindurch auf diesem bildet.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Muttermetall mit mehreren Metallüberzügen versehen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Überzug ein Nichtedelmetall ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DER85358D DE649691C (de) | 1932-07-08 | 1932-07-09 | Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-Photozellen |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DER0085358 | 1932-07-08 | ||
| DER85358D DE649691C (de) | 1932-07-08 | 1932-07-09 | Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-Photozellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE649691C true DE649691C (de) | 1937-08-31 |
Family
ID=25992423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DER85358D Expired DE649691C (de) | 1932-07-08 | 1932-07-09 | Verfahren zur Herstellung von Oxydul-Sperrschicht-Photozellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE649691C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1052590B (de) * | 1953-09-04 | 1959-03-12 | Deutsche Bundespost | Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften Fotoelementes oder Fototransistors |
-
1932
- 1932-07-09 DE DER85358D patent/DE649691C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1052590B (de) * | 1953-09-04 | 1959-03-12 | Deutsche Bundespost | Verfahren zur Herstellung eines flaechenhaften Fotoelementes oder Fototransistors |
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