DE642792C - Vorrichtung zum Herstellen von grossen Kristallen aus Schmelzen von Halogensalzen und anderen Salzen, wie z. B. Natriumnitrat - Google Patents

Vorrichtung zum Herstellen von grossen Kristallen aus Schmelzen von Halogensalzen und anderen Salzen, wie z. B. Natriumnitrat

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DE642792C
DE642792C DEF76486D DEF0076486D DE642792C DE 642792 C DE642792 C DE 642792C DE F76486 D DEF76486 D DE F76486D DE F0076486 D DEF0076486 D DE F0076486D DE 642792 C DE642792 C DE 642792C
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/32Seed holders, e.g. chucks

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Description

  • Vorrichtung zum Herstellen von großen Kristallen aus Schmelzen von Halogensalzen und anderen Salzen, wie z. B. Natriumnitrat Die Hcrstcllung großer einzelner Halogensalzkristalle aus dem Schmelzfluß wurde erstmalig von K y r o p o u 1 o s (Z. f. anorg. Chem. 154, 308, 1926) beschrieben. Das dort dargestellte Verfahren ist zeitraubend, da nach der Impfung der Schmelze vor dem Beginn des eigentlichen Ziehens des Kristalls aus der Schmelze eine Anwachsperiode von 3 bis .4 Stunden abgewartet werden muß (vgl. K. K o r t h, Z. f. Phys. 84., 678, t933. Auch ist die von K y r o p o u -1 o s angegebene Apparatur nicht einfach, da die Ziehstange, -die den Impfkristall trägt, mit einer Wasserkühlung versehen sein muß.
  • Cberraschenderweise hat sich leerausgestellt, daß eine wesentlich höhere Herstellungsgeschwindigkeit erreicht und durch den Fortfall der Anwachsperiode eine wesentlich einfachere Apparatur angewandt werden kann, wenn der Impfkristall gegenüber dem Ofen oder umgekehrt der Ofen gegenüber dem Impfkristall drehbar angeordnet ist und wenn der Impfkristall gegenüber der Schmelze elastisch aufgehängt ist. Eine Vorrichtung der beschriebenen Art ist in der Zeichnung wiedergegeben in schematischer Darstellung. Die Ziehstange Z kann in einem Lager, z. B. Kugellager, mit Hilfe einer SchnurscheibeS gedreht werden. Die Ziehstange ist init dein Ziehmotor z. B. durch einen Faden verbunden, in den ein elastisches Glied 6b', z. B. eine Feder, eingebaut ist. Die Fassung F am unteren Ende des Ziehstabes trägt den Impfkristall.
  • Die Drehung der Ziehstange gegenüber der Schmelze bezweckt einen Ausgleich der unvermeidlichen azentrizität des Wärmefeldes, wodurch mühelos gleichmäßig geformte Kristalle entstehen. Die Anbringung des elastischen Gliedes gestattet dem Kristall von Hand von Zeit zu Zeit, etwa jede Minute, um einige Millimeter in die Schmelze zu tauchen und ihn nach .einigen Sekunden wieder auftauchen zu lassen. Während dieses ganzen Vorganges verlängert sich der Kristall jeweils um ein beträchtliches Stück.
  • Bei der Gewinnung von Kristallen aus Lösungen ist zwar die Anwendung von drehbaren Kristallisierbehältern allgemein bekannt. doch hat diese bekannte Malinahme mit dem Gegenstand vorlic-ender Erfindung nichts zu tun, weil es sich hier um die Gewinnung eines Kristalls aus einer Schmelze hatidclt.

Claims (1)

1'.wrwr:wt't;cc't@ Vorrichtung zum Herstellen von gro-1'en Kristallen aus Schmelzen von Halogensalzen und anderen Salzen, wie z. B. \atriumnitrat, unter Verwendung einer Ziehstatige, dadurch gekennzeichnet, daß die Zechstange mit dem Impfkristall oder Impfkörper elastisch aufgehängt und der Ofen oder die Ziehstange drehbar angeordnet ist.
DEF76486D Vorrichtung zum Herstellen von grossen Kristallen aus Schmelzen von Halogensalzen und anderen Salzen, wie z. B. Natriumnitrat Expired DE642792C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1280820B (de) * 1956-10-16 1968-10-24 Itt Ind G M B H Deutsche Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines einkristallinen Halbleiterstabes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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