DE605294C - Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Widerstaende - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger WiderstaendeInfo
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- DE605294C DE605294C DER73576D DER0073576D DE605294C DE 605294 C DE605294 C DE 605294C DE R73576 D DER73576 D DE R73576D DE R0073576 D DER0073576 D DE R0073576D DE 605294 C DE605294 C DE 605294C
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlußstellen hochohmiger Widerstände Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlußstellen solcher hochohmiger Widerstände, bei denen Kohlenstoff- und gegebenenfalls auch Metallteilchen auf einen -porösen Isolierträger in einer Schicht aufgetragen sind.
- Die Verwendung poröser Körper als isolierende Träger für-Schichtwiderstände bietet den Vorteil, daß auf ihnen die Schicht besser haftet als bei Verwendung von Glas oder ähnlich glatten Trägerkörpern, und bietet außerdem die Möglichkeit, daß man die Kohlenstoff- bzw. Metallteilchen außer auf dem Isolierträger auch in diesem einlagern kann.
- Bei dem bisherigen Verfahren zur Herstellung hochohmiger Widerstände, wie sie in der Hauptsache für die Funk- und Verstärkertechnik Verwendung finden, ergaben sich besondere Schwierigkeiten, fehlerfreie Endkontakte zu erhalten.
- Man hat bereits vorgeschlagen, zur Verminderung dieser Kontaktschwierigkeiten an den Kontaktstellen gutleitende Kupferniederschläge herzustellen. Dabei entstehen jedöch neue Kontaktschwierigkeiten, unter anderem durch Kontaktpotentiale, die sich an der Berührungsstelle des Kupfers mit dem weniger gut leitfähigen Widerstandsmaterial bilden.
- Durch die Erfindung werden diese Übelstände dadurch vermieden, daß die Kontakt- und Anschlußstellen des Widerstands vor dem Anbringen von Armaturen mit einem leitfähigen Überzug versehen werden, zu dem im wesentlichen ein Material gleicher Zusammensetzung Verwendung findet wie das Widerstandsmaterial. Auf diese Weise wird die Entstehung von Kontaktpotential,en vermieden.', Dies ,Material wird jedoch in einer solchen- Weise verwendet, in der es höhere spezifische Leitfähigkeit besitzt. Auf diese Weise.. wird trotz der Vermeidung von Kontaktpotentialen die Erzielung eines durch gute Leitfähigkeit des Kontaktmaterials hervorgerufenen einwandfreien Kontaktes sichergestellt.
- Kohlenstoff kommt in. kristallisierter Form außer dem gut isolierenden Diamant als Graphit, das gerade für hochohmige Schichtwiderstände große Bedeutung besitzt, vor. Daneben bezeichnet man vielfach Ruß als eine besondere amorphe Modifikation des Kohlenstoffs. Die spezifische Leitfähigkeit von Graphit ist sehr verschieden, je nach seiner Herkunft: bei natürlichem Graphit je nach dem Fundort und den damit schwankenden natürlichen beigemengten Verunreinigungen, bei künstlich hergestelltem Graphit je nach dem Herstellungsverfahren, durch das sich beispielsweise bei Erzeugung aus Siliciumcarbid Beimengungen von Siliciumspuren ergeben können. Auch verschiedene Aufbereitungsverfahren zum Zweck der technischen Weiterverwendung des Graphits (z. B. Überführung in kolloidale Formen unter Verwendung von Spuren verschiedener Schutzkolloide o. dgl.) beeinflussen seine spezifische Leitfähigkeit. Entsprechendes gilt von Ruß, bei dem schon gewöhnlicher Flammenruß verschiedene Leitfähigkeiten aufweist, je nach der Art des zur Verrußung gelangenden Brennmaterials.
- Die Herstellung des Gegenstandes der Erfindung kann dadurch erfolgen, daß als Isolierkörper ein keram@sches'Material verwendet wird, das in seinem Inneren eingelagerte Kohlenstoffteilchen enthält. Diese Einlagerung von Kohlenstoffteilchen kann beispielsweise in an sich bekannter Weise dadurch erfolgen, daß man einen keramischen Stab aus porösem Material in eine Flüssigkeit taucht, in der Kohlenstoffteilchen suspendiert sind. Wird dann der keramische Stab getrocknet bzw. erhitzt und hierauf die äußere Schicht des keramischen Stabes abgeschliffen, so bleiben in dem Inneren des Stabes doch noch zahlreiche Kohlenstoffteilchen haften, welche bei dem Trocknungsprozeß bzw. beim Glühen in das Innere des Stabes gewandert sind.
- Auf den so hergestellten keramischen Isolierkörper wird dann die erforderliche Widerstandsschicht beispielsweise durch Eintauchen in eine Flüssigkeit aufgetragen, die Kohlenstoffteilchen und gegebenenfalls auch noch 'Metallteilchen enthält. Nachdem man dann die Flüssigkeit, in der der Kohlenstoff bzw. die Metallteilchen enthalten sind, durch mehr oder weniger starkes Erhitzen entfernt hat, werden die- Enden des Widerstands mit einer Schicht überzogen, die die gleiche Zusammensetzung besitzt wie die Widerstandsmasse, aber eine spezifisch höhere Leitfähigkeit. Man kann erfindungsgemäß die Leitfähigkeit dieser kontaktvermittelnden Schicht durch einen erhöhten Zusatz oder Wahl von Kohlenstoffteilchen einer anderen der obengenannten Formen bzw. Modifikationen oder mittels größerer Anreicherung dieser Schicht an Metallteilchen weiterhin vergrößern. Man kann ferner von einem weniger verdünnten, also dickflüssigeren Zustand der Flüssigkeit, in der der Kohlenstoff enthalten ist, ausgehen. auch nach erfolgter Verdunstung der Flüssigkeit kann in solchen Fällen die spezifische Leitfähigkeit eine andere sein, beispielsweise mit Rücksicht auf den Einfluß der Verdünnungs. flüssigkeit. -Durch den Zusammenziehungsdruck infolge desTrocknungs-bzw. Abkühlungsvorgangeswird eine so innige Verbindung zwischen dem Widerstandsstoff und den Kontaktenden erzielt, daß eine Lockerung oder ein ungewolltes Lösen der Schicht nicht mehr möglich ist, weil ja der Kontakt und die Widerstandsmasse zu einem einzigen Körper zusammengeschlossen sind. Im Gegensatz zur Verwendung von einzelnen Schichten verschiedenen 'Materials, die leicht abblättern, daneben zu einem schlechten Kontakt Anlaß geben und dort, wo der Kontakt doch genügend gut ist, Kontaktpotentiale hervorrufen, werden bei den erfindungsgemäß hergestellten Kontakten diese Nachteile durch die Einheitlichkeit der Widerstands- und Kontaktmasse vermieden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Kontakt-und Anschlußstellen hochohmiger Widerstände, bei denen Kohlenstoff- und gegebenenfalls auch Metallteilchen auf einem porösen Isolierträger in einer Schicht aufgetragen und in diesem eingelagert sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakt- und Anschlußstellen des Widerstands vor dem Anbringen von Armaturen mit einer Verstärkung unter Benutzung derselben Materialien in einer Verwendung mit höherer spezifischer Leitfähigkeit versehen- sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DER73576D DE605294C (de) | 1928-02-03 | 1928-02-03 | Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Widerstaende |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DER73576D DE605294C (de) | 1928-02-03 | 1928-02-03 | Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Widerstaende |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE605294C true DE605294C (de) | 1934-11-08 |
Family
ID=7414624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DER73576D Expired DE605294C (de) | 1928-02-03 | 1928-02-03 | Verfahren zur Herstellung von Kontakt- und Anschlussstellen hochohmiger Widerstaende |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE605294C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE972365C (de) * | 1948-10-02 | 1959-07-09 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Hochohmwiderstaenden |
DE1253345B (de) * | 1963-06-27 | 1967-11-02 | Corning Glass Works | Elektrischer Schichtwiderstand |
DE3125730A1 (de) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum metallisieren elektrischer bauelemente |
-
1928
- 1928-02-03 DE DER73576D patent/DE605294C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE972365C (de) * | 1948-10-02 | 1959-07-09 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Hochohmwiderstaenden |
DE1253345B (de) * | 1963-06-27 | 1967-11-02 | Corning Glass Works | Elektrischer Schichtwiderstand |
DE3125730A1 (de) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum metallisieren elektrischer bauelemente |
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