DE60224600T2 - Verfahren zur Herstellung einer Strangpressdüse für Wabenstruktur sowie dadurch erhaltene Strangpressdüse - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Strangpressdüse für Wabenstruktur sowie dadurch erhaltene Strangpressdüse Download PDF

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Description

  • (1) Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur-Strangpressdüse zum Strangpressen eines Keramikwabenstrukturkörpers und eine Wabenstruktur-Strangpressdüse.
  • (2) Beschreibung des Stands der Technik
  • Im Allgemeinen ist eine Düse für das Strangpressen eines Keramikwabenstrukturkörpers, eine Wabenstruktur-Strangpressdüse, bekannt, in der eine Vielzahl einander kreuzender Schlitze in einer vorderen Oberfläche eines Düsenbasismetalls angeordnet ist und eine Vielzahl an Rohmaterial-Zufuhrlöchern, die mit den Schlitzen in Kommunikation stehen, in einer hinteren Oberfläche des Düsenbasismetalls angeordnet ist. Um die Verschleißbeständigkeit der Schlitze in einer solchen Wabenstruktur-Strangpressdüse zu verbessern, ist in JP-A-60-145804 ein Verfahren offenbart, in dem zumindest ein Teil des Düsenbasismetalls, das die Schlitze definiert, durch das Aufbringen von Eisenborid, Chromcarbid, Aluminiumoxid, Titancarbid, Titannitrid oder Titannitridcarbid mittels CVD (chemischer Gasphasenabscheidung) ausgebildet wird.
  • Wenn jedoch eine TiN-Schicht und eine TiCN-Schicht aufeinander folgend mittels des CVD-Verfahrens auf dem Düsenbasismetall, das beispielsweise aus Martensitedelstahl besteht, ausgebildet werden sollen, ist bekannt, dass es, wenn die TiN-Schicht oder die TiCN-Schicht dicker werden, leicht zum Absplittern kommt (der Film löst sich nach dessen Ausbildung ab). Insbesondere an runden (R-)Abschnitten, die durch das Abrunden von Eckabschnitten des die Schlitze definierenden Düsenbasismaterials ausgebildet werden, kommt es leicht zum Absplittern. Wenn es zum Absplittern kommt, entsteht ein Beschichtungsschaden. Aus diesem Grund besteht ein Problem, das dazu führt, dass die Produktivität des Keramikwabenstrukturkörpers beeinträchtigt wird.
  • Im Gegensatz dazu offenbart der Anmelder in JP-A-10-309713 ein Verfahren, nicht um das Auftreten des Absplitterns zu verhindern, sondern um die Schlitzbreite des Düsenbasismetalls enger zu gestalten, so dass eine durch stromloses Plattieren erzeugte Schicht, beispielsweise aus Ni, auf dem Düsenbasismaterial ausgebildet wird und die TiCN-Schicht und eine W2C-Schicht mittels CVD auf der durch stromloses Plattieren erzeugten Schicht ausgebildet werden. Wenn dieses Verfahren jedoch eingesetzt wird, um das Auftreten des Absplitterns zu verhindern, entstehen folgende Probleme. P ist als Verunreinigung Teil der durch stromloses Plattieren ausgebildeten Schicht, die beispielsweise aus Ni besteht. Wenn die TiN-Schicht und die TiCN-Schicht mittels CVD auf der durch stromloses Plattieren ausgebildeten NiP-Schicht ausgebildet werden, werden die Plattierschicht und die CVD-Schicht aus diesem Grund zur Reaktion gebracht und es ist nicht möglich, normale TiCN-Teilchen zu erhalten.
  • DE-A-19810076 beschreibt eine Wabenstruktur-Strangpressdüse mit einer doppelten Beschichtungsschicht auf den Schlitzoberflächen. Die erste relativ dicke Beschichtungsschicht wird mittels stromlosem Plattieren, vorzugsweise von Ni, ausgebildet und ist 10–70 μm dick. Die zweite relativ dünne Beschichtungsschicht, die vorzugsweise aus TiCN oder W2C besteht und mittels CVD ausgebildet wird, ist 5–30 µm dick. Der Zweck besteht darin, abgerundete Abschnitte an den Ecken der die Schlitze definierenden Zellblöcke auszubilden.
  • JP-A-06-264213 beschreibt die Ausbildung einer dünnen Ti-Beschichtung mit einer Dicke von 0,1 bis 1 µm und einer TiN-Beschichtung mit einer Dicke von 1 bis 3 µm auf einer Metalloberfläche von industriellen Werkzeugen oder Düsen, um die Haftung einer TiCN- oder TiN-Schicht zu verbessern. Die Schichten werden alle durch Ionenplattieren ausgebildet.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Überwindung der oben angeführten Nachteile und der Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens für eine Wabenstruktur-Strangpressdüse und einer Düse gemäß diesem Verfahren, in dem eine Beschichtungsschicht ohne Absplittern auf einem Düsenbasismetall ausgebildet werden kann und die Produktivität eines Keramikwabenstrukturkörpers während eines Strangpressverfahrens verbessert werden kann.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur-Strangpressdüse wie in Anspruch 1 dargelegt bereitgestellt.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ferner eine Wabenstruktur-Strangpressdüse wie in Anspruch 2 dargelegt bereitgestellt.
  • Da die durch Elektrolytplattieren ausgebildete Schicht in der vorliegenden Erfindung zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder zwischen dem Düsenbasismetall und der TiN-Schicht angeordnet ist, kann die Kontakteigenschaft zwischen diesen verbessert werden, so dass es nicht leicht zum Absplittern kommt, wenn der Film dicker ist. Da die Plattierschicht ferner aus dem Metall besteht und dieses eine ausgezeichnete Steifigkeit aufweist, ist es möglich, die Wärmebeanspruchung zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder der TiN-Schicht zu reduzieren und somit kommt es nicht so leicht zu einem Absplittern. Da die Menge an Verunreinigungen in der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht sehr gering ist, ist es ferner möglich, normale TiCN-Teilchen zu erhalten.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Für ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung werden folgende Zeichnungen erläutert, wobei:
  • 1 ein Flussdiagramm zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer Wabenstruktur-Strangpressdüse gemäß der vorliegenden Erfindung ist;
  • 2a und 2b schematische Ansichten sind, die jeweils eine Ausführungsform einer Wabenstruktur-Strangpressdüse gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 3 eine schematische Ansicht ist, die einen vergrößerten Teil der Wabenstruktur-Strangpressdüse gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 ein REM-Foto ist, das einen Querschnitt der Düse gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 ein REM-Foto ist, das einen Querschnitt der Düse gemäß einem Vergleichsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6 ein REM-Foto ist, das den Absplitterzustand in dem Vergleichsbeispiel zeigt.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • 1 ist ein Flussdiagramm zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer Wabenstruktur-Strangpressdüse gemäß der vorliegenden Erfindung. Gemäß dem Flussdiagramm in 1 werden zwei Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur-Strangpressdüse gemäß der vorliegenden Erfindung erläutert. In beiden Ausführungsformen wird zunächst ein Düsenbasismetall hergestellt, in dem eine Vielzahl einander kreuzender Schlitze in einer vorderen Oberfläche desselben angeordnet ist und eine Vielzahl an Rohmaterialzufuhrlöchern, die mit den Schlitzen in Kommunikation stehen, in einer hinteren Oberfläche desselben angeordnet sind (Schritt 1). Als Material für das Düsenbasismetall können alle Materialien eingesetzt werden, die herkömmlicherweise für das Düsenbasismetall eingesetzt werden. Beispielsweise kann vorzugsweise ein Martensitedelstahl eingesetzt werden. Die Bearbeitung der Schlitze und der Rohmaterialzufuhrlöcher kann ferner durch herkömmliche Verfahren erfolgen. Die Schlitze können beispielsweise mittels EDM-("Electro-discharge Ma chining" – elektroerosiven Bearbeitungs-)Verfahrens und/oder eines Scheibenschleifverfahrens ausgebildet werden. Weiters können die Rohmaterialzufuhrlöcher mittels ECM-("Electro-chemical Machining" – elektrochemischen Bearbeitungs-)Verfahrens ausgebildet werden.
  • Dann wird eine Abscheidungsschicht auf dem auf diese Weise hergestellten Düsenbasismetall mittels Elektrolytplattierens ausgebildet (Schritt 2). Als Material für die Abscheidungsschicht wird Ni eingesetzt. In diesem Fall ist es, da es sich bei dem für das Elektrolytplattieren eingesetzten Ni um ein reines Metall handelt, möglich, normale TiCN-Teilchen zu erhalten. Da Ni jedoch eine kleine Menge an Co als Verunreinigung in einem Anteil von 1/100 in Bezug auf Ni enthält, ist Ni, wenn man es genau nimmt, kein reines Metall, sondern eine Legierung. Als Verfahren zur Ausbildung der Abscheidungsschicht aus Ni durch Elektrolytplattieren können außerdem bekannte Verfahren eingesetzt werden, wie z. B. ein Verfahren unter Einsatz eines Holz-Vorgalvanisierbads, ein Verfahren unter Einsatz eines Sulfaminsäurebads, ein Verfahren unter Einsatz eines Wattbads und ein Verfahren unter Einsatz eines Nickeltauchbads. Wenn ein Film mittels CVD direkt auf dem Düsenbasismaterial ausgebildet wird, unterliegt die Zusammensetzung des Düsenbasismaterials gewissen Einschränkungen (d. h. in Abhängigkeit von der Zusammensetzung des Düsenbasismaterials wird der Film in manchen Fällen normal ausgebildet, während er in anderen Fällen nicht ausgebildet werden kann). Wenn der Film durch Elektrolytplattieren ausgebildet wird, unterliegt die Zusammensetzung des Düsenbasismaterials keinen Beschränkungen (d. h. alle Zusammensetzungen des Düsenbasismaterials können eingesetzt werden, wenn das Elektrolytplattieren auf dem Düsenbasismaterial durchgeführt werden kann). Die Dicke der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht beträgt außerdem nicht weniger als 0,01 µm. Wenn die Dicke weniger als 0,01 µm beträgt, kommt es zum Nitridieren und Oxidieren des Düsenbasismaterials und die Kontaktleistung nach der Ausbildung des Films wird gesenkt. Die Obergrenze für die Dicke des Films wird basierend auf anderen Bedingungen, wie z. B. ökonomischer Effizienz, bestimmt.
  • Dann wird in dem ersten erfindungsgemäßen Verfahren mittels CVD eine TiCN-Schicht auf der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht ausgebildet (Schritt 3). In dem zweiten erfindungsgemäßen Verfahren wird mittels CVD eine TiN-Schicht auf der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht ausgebildet (Schritt 4) und dann mittels CVD eine TiCN-Schicht auf der TiN-Schicht ausgebildet (Schritt 5). In beiden Ausführungsformen ist es aufgrund der Anordnung der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht möglich, ein ausgezeichnetes Kontaktverhalten ohne Absplittern zu erzielen. Da durch das CVD der TiCN-Schicht in diesem Fall eine Einschränkung in Bezug auf das Material für die durch Elektrolytplattieren ausgebildete Schicht besteht, um eine herausragende Kontaktleistung zu erzielen, ist es leicht das zweite Verfahren der vorliegenden Erfindung unter Einsatz der TiN-Schicht einzusetzen, bei dem, im Vergleich mit der TiCN-Schicht, keine Einschränkung in Bezug auf das Material der durch Elektrolytplattieren aufgebrachten Schicht durch das CVD besteht.
  • In der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung ist es möglich, das Kontaktverhalten zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder zwischen dem Düsenbasismetall und der TiN-Schicht durch die Anordnung der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder zwischen dem Düsenbasismetall und der TiN-Schicht zu verbessern. Es wird angenommen, dass der Grund dafür Folgender ist. Wenn die TiCN-Schicht oder die TiN-Schicht mittels CVD direkt auf dem Düsenbasismetall aus Edelstahl aufgebracht werden soll, wird das Kontaktverhalten, da Edelstahl auf seiner Oberflächenschicht eine dünne Cr-Oxidschicht (wenige nm dick) aufweist, durch dieses Cr-Oxid reduziert. Zusätzlich dazu wird bei der Ausbildung der TiN-Schicht und der TiCN-Schicht N2-(Stickstoff-)Gas während des TiN-Schichtbildungsverfahrens strömen gelassen. Aufgrund dieses N2-Gases wird eine nitridierende Schicht (CrN, FeN etc.) ausgebildet und diese nitridierende Schicht reduziert die Kontaktfestigkeit. In der vorliegenden Erfindung wird die durch Elektrolytplattieren ausgebildete Schicht aus Ni auf einer Oberfläche des Düsenbasismetalls aus Edelstahl ausgebildet und die TiCN-Schicht wird oder die TiN-Schicht und die TiCN-Schicht werden mittels CVD auf der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht aufgebracht. Diese Phänomene, wie z. B. das Entstehen einer nitridierenden Schicht, treten aus diesem Grund nicht auf, weshalb es möglich ist, das Kontaktverhalten zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder dem Basismetall und der TiN-Schicht zu verbessern. Da Ni im Vergleich mit Cr oder Fe nicht leicht oxidiert oder nitridiert wird, kann der oben beschriebene Vorteil erzielt werden.
  • In der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung ist es möglich, da die Abscheidungsschicht aus einem Metall mit hervorragender Steifigkeit besteht, die Wärmebeanspruchung zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder der TiN-Schicht zu reduzieren. Die Wärmeausdehnungskoeffizienten von TiCN, TiN, Martensitedelstahl, Ni und Co sind nachstehend in Tabelle 1 angeführt.
  • Wie aus den nachstehend in Tabelle 1 angeführten Wärmeausdehnungskoeffizienten deutlich hervorgeht, ist es in der vorliegenden Erfindung möglich, da der Wärmeausdehnungskoeffizient von Ni zwischen dem des Düsenbasismetalls und dem des zwischen dem Düsenbasismetall und dem Film eingefügten Films liegt, die Wärmebeanspruchung zu reduzieren. Da Ni ein reines Metall ist, weist es weiters eine ausgezeichnete Steifigkeit auf, weshalb es möglich ist, Wärmebeanspruchung zu absorbieren. Tabelle 1
    Material Wärmeausdehnungskoeffizient (/°C)
    TiCN 8,1 × 10–6
    TiN 9,3 × 10–6
    Ni 16,5 × 10–6
    Co 12,0 × 10–6
    Martensitedelstahl 19,5 × 10–6 (Bei sinkender Temperatur von der Filmbildungstemperatur bei annähernd 800°C auf Raumtemperatur)
  • 2 ist eine schematische Ansicht, die eine Ausführungsform einer Wabenstruktur-Strangpressdüse gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, wobei 2a den Grundriss zeigt und 2b eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A. In der in den 2a und 2b dargestellten Ausführungsform ist eine Wabenstruktur-Strangpressdüse 1 so aufgebaut, dass einander kreuzende Schlitze 2 unter Einsatz einer Vielzahl an Zellblöcken 3 auf deren vorderer Oberfläche angeordnet sind und Rohmaterial-Zufuhrlöcher 4, die mit den Schlitzen 2 an deren Schnittpunkten in Kommunikation stehen, auf deren hinterer Oberfläche angeordnet sind. Eine zu formende Charge wird durch die Rohmaterial-Zufuhrlöcher 4, die auf der hinteren Oberfläche angeordnet sind, in die Düse 1 zugeführt, und ein Wabenstrukturformkörper wird aus den an der vorderen Oberfläche angeordneten Schlitzen 2 stranggepresst. Ein Merkmal der Wabenstruktur-Strangpressdüse 1 gemäß der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die Zellblöcke 3, wie in 3 dargestellt, jeweils ein Düsenbasismetall 11, eine durch Elektrolytplattieren ausgebildete Schicht 14, die auf dem Düsenbasismetall 11 angeordnet ist, eine TiN-Schicht 12, die mittels CVD auf der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht 14 aufgebracht wird, und eine TiCN-Schicht 13, die mittels CVD auf der TiN-Schicht 12 angeordnet wird, umfassen. Wenn die TiCN-Schicht 13 direkt auf der durch Elektrolytplattieren ausgebildeten Schicht 14 angeordnet ist, wird die TiN-Schicht 12 in 3 nicht aufgebracht.
  • Nachstehend wird ein Experiment beschrieben.
  • Experiment
  • Als Düsenbasismetall wurde Martensitedelstahl eingesetzt. Die Schlitze und die Rohmaterial-Zufuhrlöcher wurden durch ein ECM-Verfahren und/oder ein Scheibenschleifverfahren in dem Düsenbasismetall ausgebildet. Weiters wurde ein R-Abschnitt (der durch ein Elektrolytverfahren ausgebildet wurde) mit einem runden Abschnitt an den Ecken der Oberflächen der Düsenbasismetalle angeordnet, in denen die Schlitze ausgebildet worden waren. Dann wurde ein Elektrolytplattierverfahren unter Einsatz des nachstehend in Tabelle 2 angeführten Materials in Bezug auf das Düsenbasismetall durchgeführt, und eine Abscheidungsschicht mit der in Tabelle 2 angeführten Dicke wurde auf der Düsenoberfläche aufgebracht. Folgende Bedingungen kamen bei dem Elektrolytplattierverfahren zum Einsatz: pH – nicht mehr als 1,5; Badtemperatur – Raumtemperatur; Stromdichte. 5–20 A/dm2 bei einem Holz-Vorgalvanisierbad und pH – 3–5; Badtemperatur: 20–70°C und Stromdichte: 2–20 A/cm2 bei einem Sulfaminsäurebad, wobei das Experiment gemäß den in Tabelle 2 angeführten Plattierverfahren durchgeführt wurde. Danach wurden die einzelne TiCN-Schicht oder die TiN-Schicht und die TiCN-Schicht in dieser Reihenfolge in einer in Tabelle 2 angeführten Dicke wie in Tabelle 2 angeführt bei einer Temperatur von 700–850°C mittels CVD aufgebracht. Wenn die TiN-Schicht und die TiCN-Schicht ausgebildet wurden, wurde die Dicke anhand ihrer Summe berechnet. Auf diese Weise wurde die Düse gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt. Weiters wurde auch eine Düse gemäß einem Vergleichsbeispiel wie in Tabelle 2 angeführt hergestellt, wobei keine durch Elektrolytplattieren ausgebildete Schicht angeordnet wurde. In Bezug auf die Düsen gemäß dem Beispiel der vorliegenden Erfindung und gemäß dem Vergleichsbeispiel wurde untersucht, ob es zu einem Absplittern kam und an welchen Stellen es zu einem Absplittern kam. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 angeführt.
  • Figure 00100001
  • Wie deutlich aus den in Tabelle 2 angeführten Ergebnissen hervorgeht, kam es in den Beispielen der vorliegenden Erfindung nicht zum Absplittern, während es in den Vergleichsbeispielen insbesondere an den R-Abschnitten zum Absplittern kam. Ein Querschnittsfoto nach der Ausbildung des Films gemäß einem erfindungsgemäßen Beispiel (Düsenbasismetall + elektrolytische Ni-Schicht + TiN-Schicht + TiCN-Schicht) ist in 4 angeführt, und ein Querschnittsfoto nach der Ausbildung des Films gemäß den Vergleichsbeispielen (Düsenbasismetall + TiN-Schicht) ist in 5 angeführt. In beiden Fällen wurde ein aus der Düse herausgeschnittener Querschnitt poliert und geätzt, wonach er durch ein Rasterelektronenmikroskop (REM) betrachtet wurde. Wenn das in 4 gezeigte Beispiel der vorliegenden Erfindung und das in 5 gezeigte Beispiel verglichen werden, ist klar, dass die einzelnen Schichten in dem in 4 dargestellten erfindungsgemäßen Beispiel in starkem Kontakt miteinander stehen, während in dem in 5 dargestellten Vergleichsbeispiel ein korrodierter Abschnitt zwischen dem Düsenbasismetall und der TiN-Schicht durch schwarz angezeigt wird, wodurch ein Kontaktfehler zwischen diesen entsteht. 6 zeigt weiters den Absplitterzustand nach der Ausbildung des Films in dem Vergleichsbeispiel mit einer Filmdicke von 15 µm.
  • Wie aus den oben angeführten Erläuterungen hervorgeht, kann gemäß der vorlegenden Erfindung, da die durch Elektrolytplattieren ausgebildete Schicht zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder zwischen dem Düsenbasismetall und der TiN-Schicht angeordnet wird, die Kontakteigenschaft zwischen diesen verbessert werden, so dass es nicht leicht zum Absplittern kommt, wenn der Film dicker ist. Da weiters die Abscheidungsschicht aus Metall besteht und das Metall eine herausragende Steifigkeit aufweist, ist es möglich, die Wärmebeanspruchung zwischen dem Düsenbasismetall und der TiCN-Schicht oder der TiN-Schicht zu reduzieren, weshalb es nicht leicht zu einem Absplittern kommt. Da die Verunreinigung der durch Elektrolytplattieren aufgebrachten Schicht sehr gering ist, ist es weiters möglich, normale TiCN-Teilchen zu erhalten.

Claims (2)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur-Strangpressdüse (1), umfassend die folgenden Schritte: Vorbereiten eines Düsenbasismetalls, in dem eine Vielzahl an sich kreuzenden Schlitzen (2) in einer vorderen Oberfläche desselben angeordnet ist und eine Vielzahl an Rohmaterial-Zufuhrlöchern (14), die mit den Schlitzen (2) in Kommunikation stehen, in einer hinteren Oberfläche desselben angeordnet ist, Ausbilden einer Abscheidungsschicht auf dem Düsenbasismaterial und entweder (i) Ausbilden einer TiCN-Schicht auf der Abscheidungsschicht mittels chemischer Gasphasenabscheidung oder (ii) Ausbilden einer TiN-Schicht auf der Abscheidungsschicht mittels chemischer Gasphasenabscheidung und Ausbilden einer TiCN-Schicht auf der TiN-Schicht mittels chemischer Gasphasenabscheidung, wobei die Abscheidungsschicht aus Ni hergestellt ist und durch elektrolytisches Beschichten ausgebildet ist und die Abscheidungsschicht eine Dicke im Bereich von 0,01 bis 8 µm hat.
  2. Wabenstruktur-Strangpressdüse (1), umfassend ein Düsenbasismetall, in welchem eine Vielzahl an sich kreuzenden Schlitzen (2) in einer vorderen Oberfläche desselben angeordnet ist und eine Vielzahl an Rohmaterial-Zufuhrlöchern (14), die in Kommunikation mit den Schlitzen (2) stehen, in einer hinteren Oberfläche desselben angeordnet ist, wobei eine elektrolytisch abgeschiedene Schicht aus Ni eine Dicke im Bereich von 0,01 bis 8 µm auf dem Düsenbasismaterial aufweist und entweder (i) eine TiCN-Schicht durch chemische Gasphasenabscheidung auf der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht ausgebildet ist oder (ii) eine TiN-Schicht durch chemische Gasphasenabscheidung auf der elektrolytisch abgeschiedenen Schicht ausgebildet ist und eine TiCN-Schicht durch chemische Gasphasenabscheidung auf der TiN-Schicht ausgebildet ist.
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