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Hintergrund
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Die
vorliegende Erfindung betrifft Phasenschiebermaskenrohlinge und
Phasenschiebermasken zur Verwendung bei der Mikrobearbeitung von
elektronischen Produkten, wie z.B. integrierten Halbleiterschaltungen.
Die Erfindung betrifft außerdem
Verfahren zur Herstellung solcher Phasenschiebermaskenrohlinge und Phasenschiebermasken.
Genauer gesagt betrifft die Erfindung Phasenschiebermaskenrohlinge
und Phasenschiebermasken vom Halbtontyp, welche die Intensität der Wellenlänge des
Bestrahlungslichts durch einen Phasenschieberfilm verringern können, und
Verfahren zur Herstellung solcher Phasenschiebermaskenrohlinge und
Phasenschiebermasken.
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Photomasken
werden für
viele Anwendungen eingesetzt, einschließlich der Herstellung von integrierten
Halbleiterschaltungen (ICs), Großintegrations-(LSI-) und Höchstintegrations-(VLSI-)Chips.
Sie werden im Grunde hergestellt, indem zuerst ein Photomaskenrohling,
der ein transparentes Substrat und einen lichtabschirmenden Film
umfasst, der hauptsächlich
aus Chrom besteht, erstellt wird, und der lichtabschirmende Film durch
Photolithographie unter Verwendung von UV-Strahlung oder Elektronenstrahlen
behandelt wird, um dadurch eine gewünschte Struktur im Film auszubilden.
Die derzeitige Nachfrage auf dem Markt nach immer höherem Integrationsgrad
für integrierte
Halbleiterschaltungen führte
zu einer raschen Reduktion der minimalem Merkmalsgröße bei Photomaskenmustern.
Solche Maßstabsverkleinerungen
wurden zum Teil durch die Verwendung von Bestrahlungslicht mit kürzerer Wellenlänge erreicht.
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Bestrahlungslicht
mit kürzerer
Wellenlänge
verbessert zwar die Auflösung,
besitzt jedoch auch eine Reihe an unerwünschten Eigenschaften, wie
die Verringerung der Brennweite und der Prozessstabilität, und wirkt
sich nachteilig auf die Ausbeute an Produkten aus.
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Ein
zur Lösung
solcher Probleme wirksames Musterübertragungsverfahren ist ein
Phasenverschiebungsverfahren. Dieses beinhaltet die Verwendung einer
Phasen schiebermaske als Maske zur Übertragung von mikroskopischen
Schaltkreis-Mustern.
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Wie
in den beigefügten 7A und 7B dargestellt,
besteht eine Phasenschiebermaske (üblicherweise eine Halbton-Phasenschiebermaske)
im Allgemeinen aus einem Substrat 1, auf welches ein Phasenschieberfilm 2 aufstrukturiert
ist. Die Maske weist sowohl freigelegte Substratflächen (erste
lichtemittierende Flächen) 1a,
ohne Phasenschieberfilm als auch Phasenschieber (zweite lichtemittierende
Flächen) 2a auf,
die eine Strukturfläche
auf der Maske bilden. Die Phasenschiebermaske verbessert den Kontrast
eines übertragenen
Bildes durch Bereitstellung, wie in 7B gezeigt,
eines Phasenunterschieds von 180° zwischen
Licht, das von den strukturierten und unstrukturierten Bereichen
durchgelassen wird, und Ausnutzen der destruktiven Interferenz von
Licht an den Grenzregionen des Musters, um die Lichtintensität in den
Interferenzregionen auf null zu stellen. Die Verwendung eines Phasenschiebers
ermöglicht
auch eine Erhöhung
der Brennweite, um die gewünschte
Auflösung
zu erreichen. So kann die Phasenschiebermaske im Vergleich zu herkömmlichen Masken
mit herkömmlichen
lichtabschirmenden Mustern, wie etwa Chromfilm die Auflösung verbessern
und der Bestrahlungsprozessspielraum kann erhöht werden.
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Für praktische
Zwecke können
solche Phasenschiebermasken allgemein in Kategorien eingeteilt werden,
und zwar je nach Lichtdurchlässigkeit
des Phasenschiebers entweder in Phasenschiebermasken vom Volldurchlässigkeitstyp
und in Phasenschiebermasken vom Halbtontyp. Die Phasenschiebermasken
vom Volldurchlässigkeitstyp
sind Masken, bei denen der Phasenschieber dieselbe Lichtdurchlässigkeit
wie das Substrat aufweist, und sind somit gegenüber der Wellenlänge des
Bestrahlungslichts transparent. In den Phasenschiebermasken vom
Halbtontyp beträgt
die Lichtdurchlässigkeit
des Phasenverschiebungsabschnitts einige Prozent bis mehreren Zehntel-Prozent
der Lichtdurchlässigkeit
von freigelegten Substratbereichen.
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Die
beigefügte 1 zeigt
die Grundstruktur eines Phasenschiebermaskenrohlings vom Halbtontyp, und 2 zeigt
die Grundstruktur einer Phasenschiebermaske vom Halbtontyp. Der
in 1 dargestellte Phasenschiebermaskenrohling vom
Halbtontyp beinhaltet ein lichtdurchlässiges Substrat 1,
und einen Halbton-Phasenschieberfilm 2, der auf der im
wesentlichen ganzen Fläche
des Substrats 1 ausgebildet ist. Die in 2 dargestellte
Phasenschiebermaske vom Halbtontyp wird durch Strukturieren des
Phasenschieberfilms 2 des Rohlings ausgebildet und besteht
aus Phasenschiebern 2a, welche die strukturierten Bereiche
der Maske ausbilden, und freigelegten Substratbereichen 1a ohne
Phasenschieberfilm. Bestrahlungslicht, das durch den Phasenschieber 2a tritt,
wird in Bezug auf das Licht, das durch die freigelegten Substratbereiche 1a (siehe 7A und 7B)
tritt, phasenverschoben. Die Durchlässigkeit des Phasenschiebers 2a wird
so gewählt, dass
das durch den Phasenschieber 2a getretene Bestrahlungslicht
eine zu geringe Intensität
aufweist, um den Resist auf dem Substrat, auf das die Struktur übertragen
wird, lichtempfindlich zu machen. Demgemäß kann der Phasenschieber 2a Bestrahlungslicht
im Wesentlichen abschirmen.
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Die
oben beschriebenen Phasenschiebermasken vom Halbtontyp umfassen
einlagige Phasenschiebermasken vom Einfach-Schicht-Typ, die eine
einfache Struktur aufweisen und leicht herzustellen sind. Auf dem
Gebiet der Erfindung bekannte einlagige Phasenschiebermasken vom
Halbtontyp umfassen die in
JP-A 7-140635 beschriebenen
Masken, welche einen Phasenschieberfilm aufweisen, der aus einem
Molybdänsilicidmaterial,
wie z.B. MoSiO oder MoSiON besteht.
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Ein
wichtiges Merkmal dieser Phasenschiebermasken und Phasenschiebermaskenrohlinge
ist ihre Beständigkeit
gegenüber
Säuren,
beispielsweise gegenüber
chemischen Flüssigkeiten,
wie z.B. Schwefelsäure
und wässrige
Perschwefelsäure
(Gemisch aus Schwefelsäure
und wässrigem
Wasserstoffperoxid), die bei der Resistentfernung und in Reinigungsschritten
im Maskenherstellungsverfahren verwendet werden, sowie Chromätzmitteln
mit hoher Oxidationskraft, die zur Entfernung von Chromfilm verwendet
werden.
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Phasenschieberfilme
nach dem Stand der Technik sind weniger beständig gegenüber chemischen Flüssigkeiten
und führen
zu dem Problem, dass die Reinigung oder der Chromätzschritt
zu Abweichungen von den vorgegebenen Werten hinsichtlich des Phasenunterschieds
und der Durchlässigkeit
führt.
Ein Verfahren zur Stabilisierung von Phasenschiebermaskenrohlingen
vom Halbtontyp nach dem Stand der Technik unter Verwendung einer
Oxidationslösung,
wie z.B. rauchender Salpetersäure
oder eines Lösungsgemischs
aus Schwefelsäure
und einer Wasserstoffperoxidlösung
ist in der
US-A-5.907.393 zu
finden. Die in dieser Anmeldung offenbarten Maskenrohlinge weisen
jedoch keinen Film auf Chrombasis auf und werden daher nicht den zum Ätzen dieses
Films verwendeten Chromätzmitteln
ausgesetzt.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Es
ist daher ein Ziel der Erfindung, qualitative Phasenschiebermaskenrohlinge
und Phasenschiebermasken bereitzustellen, die geringen Änderungen
in Bezug auf Phasenunterschied und Durchlässigkeit bei Einwirkung von
zum Reinigen verwendeten chemischen Flüssigkeiten unterworfen sind.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Bereitstellung von Verfahren
zur Herstellung solcher Phasenschiebermaskenrohlinge und Phasenschiebermasken.
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Die
Erfindung betrifft, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert, einen Phasenschiebermaskenrohling,
der ein Substrat, welches gegenüber
der Wellenlänge
des Bestrahlungslichts transparent ist, und zumindest eine darauf
ausgebildete Phasenschieberfilmschicht umfasst. Es wurde herausgefunden,
dass nach der Bildung des Phasenschieberfilms dieser mit Ozonwasser
oberflächenbehandelt
wird, das zumindest 1 ppm darin gelöstes Ozon aufweist, wodurch
die Oberfläche
des Phasenschieberfilms modifiziert wird, sodass der Phasenschieberfilm
geringen Änderungen
bezüglich
des Phasenunterschieds und der Durchlässigkeit unterzogen wird, wenn
er später
mit chemischen Flüssigkeiten
in Reinigungs- und Chromätzschritten
behandelt wird. Der resultierende Phasenschiebermaskenrohling weist
in diesem Zusammenhang eine hohe Qualität auf, wie auch die daraus
erhaltene Phasenschiebermaske.
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Der
Phasenschieberfilm weist auf seiner Oberfläche vorzugsweise eine Sauerstoffgehalt
und einen Siliciumgehalt auf, wobei das Molverhältnis zwischen Sauerstoffge halt
und Siliciumgehalt zumindest 1 beträgt. Der Phasenschieberfilm ändert die
Phase des Belichtungslichts, das durch diesen hindurchtritt um 180 ± 5 Grad
und weist eine Durchlässigkeit
von 3 bis 40 % auf.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die
Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der
folgenden detaillierten Beschreibung, zusammen mit den beiliegenden
Abbildungen.
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1 ist
eine Schnittansicht eines Phasenschiebermaskenrohlings.
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2 ist
eine Schnittansicht einer Phasenschiebermaske, die aus demselben
Rohling hergestellt wurde.
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3 ist
eine Schnittansicht eines Phasenschiebermaskenrohlings mit einem
lichtabschirmenden Film auf Chrombasis gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung.
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4 ist
eine Schnittansicht eines Phasenschiebermaskenrohlings mit einem
lichtabschirmenden Film auf Chrombasis und einem Antireflexfilm
auf Chrombasis gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung.
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5 ist
eine Schnittansicht eines Phasenschiebermaskenrohlings gemäß einer
weiteren Ausführungsformen
der Erfindung.
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Die 6A bis 6D sind
schematische Schnittdarstellungen des Verfahrens zur Herstellung
von Phasenschiebermasken aus einem Phasenschiebermaskenrohling gemäß der Erfindung. 6A zeigt
den Maskenrohling, auf welchem ein Resistfilm ausgebildet wurde, 6B zeigt
die Struktur, nachdem der Resistfilm strukturiert wurde, 6C zeigt
die Struktur nach Durchführung
des Ätzvorgangs,
und 6D zeigt die fertiggestellte Maske, nachdem der
Resistfilm entfernt wurde.
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Die 7A und 7B veranschaulichen
das Arbeitsprinzip der Phasenschiebermaske vom Halbtontyp. 7B ist
eine vergrößerte Darstellung
des Bereichs X in 7A.
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8 ist
ein Diagramm, das die Zusammensetzung eines mittels ESCA analysierten
Phasenschieberfilms in Tiefenrichtung zeigt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Bezugnehmend
auf 1 umfasst ein Phasenschiebermaskenrohling ein
Substrat 1 aus Quarz, CaF2 oder
dergleichen, das gegenüber
Bestrahlungslicht transparent ist, und zumindest eine Phasenschieberfilmschicht 2.
Nachdem der Phasenschieberfilm 2 auf dem Substrat 1 ausgebildet
wurde, wird dieser mit Ozonwasser mit zumindest 1 ppm darin gelöstem Ozon
oberflächenbehandelt.
Eine Phasenschiebermaske kann durch Strukturieren des Phasenschieberfilms 2 des
in 1 gezeigten Phasenschiebermaskenrohlings erhalten
werden. Die Maske weist wie in 2 gezeigte
strukturierte Phasenschieber 2 auf, bei denen erste lichtdurchlässige Bereiche
(freigelegte Substratflächen) 1a zwischen
den strukturierten Phasenschiebern definiert sind und zweite lichtdurchlässige Flächen 2a durch
die strukturierten Phasenschieber bereitgestellt sind.
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Der
Phasenschieberfilm ist Molybdänsilicidoxid
(MoSiO), Molybdänsilicidnitrid
(MoSiN) oder Molybdänsilicidoxynitrid
(MoSiON).
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Der
Phasenschieberfilm wird bevorzugt durch reaktives Sputtern ausgebildet.
Da Molybdänsilicidoxid, Molybdänsilicidnitrid
oder Molybdänsilicidoxynitrid
abzuscheiden sind, wird ein Molybdänsilicid-Target verwendet.
Zur Beibehaltung einer konstanten Filmzusammensetzung kann ein Molybdänsilicid
verwendet werden, bei dem entweder Sauerstoff und Stickstoff oder
beides zugesetzt wird.
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Das
Sputter-Verfahren kann eines sein, das eine Gleichstrom-Energiequelle
(Gleichstrom-Sputtern) oder eine Hochfrequenz-Energiequelle (RF-Sputtern)
verwendet. Es kann entweder ein Magnetron-Sputter-Verfahren oder
ein herkömmliches
Sputter- Verfahren
angewandt werden. Das Filmbildungssystem kann entweder ein kontinuierliches,
ein In-Line-System oder ein Einzelwerkstückverarbeitungssystem sein.
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Das
Sputtergas enthält
gegebenenfalls ein Inertgas, wie z.B. Argon oder Xenon, ein Stickstoffgas, Sauerstoffgas
und verschiedene Stickstoffoxidgase, die geeignet kombiniert sind,
sodass der darauf abgeschiedene Phasenschieberfilm eine gewünschte Zusammensetzung
aufweist.
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Wenn
es erwünscht
ist, die Durchlässigkeit
eines abzuscheidenden Phasenschieberfilms zu erhöhen, wird empfohlen, dass die
Menge an sauerstoff- und stickstoffhältigen Gasen im Sputtergas
erhöht
wird, sodass mehr Sauerstoff und Stickstoff in den Film aufgenommen
werden, oder dass ein Metallsilicid, das über einen höheren zuvor zugesetzten Sauerstoff-
und Stickstoffgehalt verfügt,
als Sputtertarget verwendet wird.
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Im
Phasenschiebermaskenrohling der Erfindung kann der Phasenschieberfilm
eine Vielzahl an Schichten umfassen.
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Gemäß der Erfindung
wird der Phasenschieberfilm nach der Ausbildung auf dem Substrat
mit Ozonwasser oberflächenbehandelt.
Das dafür
verwendete Ozonwasser sollte eine Ozonkonzentration von vorzugsweise
zumindest 1 ppm, noch bevorzugter zumindest 5 ppm aufweisen. Die
Obergrenze der Ozonkonzentration ist nicht entscheidend; diese kann
der Ozonsättigungsgrad
sein. Genauer gesagt beträgt
die Ozonkonzentration häufig
bis zu 50 ppm und insbesondere bis zu 20 ppm. Die Ozonbehandlung
kann durch Eintauchen des Phasenschiebermaskenrohlings in einen
mit Ozonwasser gefüllten
Tank oder durch Fließenlassen
von Ozonwasser über
den Phasenschiebermaskenrohling beim Schleudern des Rohlings erfolgen.
Die Behandlungstemperatur kann im Bereich von 0 bis 60 °C, insbesondere
0 bis 30 °C
liegen, wobei am häufigsten
Raumtemperatur verwendet wird. Die Behandlungszeit kann geeignet
bestimmt werden und beträgt
vorzugsweise etwa 1 bis 10 min, insbesondere etwa 2 bis 5 min.
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Der
Phasenschieberfilm weist auf seiner Oberfläche vorzugsweise eine Sauerstoffkonzentration
und eine Siliciumkonzentration auf, wobei das Molverhältnis zwischen
Sauerstoffkonzentration und Siliciumkonzentration zumindest 1 beträgt und noch
bevorzugter zwischen 1 und 2.
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Das
Ozonwasser bewirkt, dass die äußerste Oberfläche des
Phasenschieberfilms oxidiert und stabilisiert wird, sodass sie geringen
Veränderungen
bezüglich
des Phasenunterschieds und der Durchlässigkeit unterzogen wird, wenn
sie später
mit chemischen Flüssigkeiten,
wie z.B. Schwefelsäure,
kontaktiert wird.
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Zusammenfassend
umfasst der Phasenschiebermaskenrohling der Erfindung ein transparentes
Substrat und zumindest eine vorzugsweise durch reaktives Sputtern
unter Verwendung eines sauerstoff- und/oder stickstoffhältigen Sputtergases
darauf abgeschiedene Phasenschieberfilmschicht, die anschließend mit
Ozonwasser behandelt wird, das zumindest 1 ppm Ozon enthält, was
sicherstellt, dass der Phasenschieberfilm eine Durchlässigkeit
von mehreren Prozent bis mehreren Zehntelprozent, insbesondere 3
bis 40 % gegenüber
Bestrahlungslicht aufweist, wobei die resultierende Phasenschiebermaske
einen Phasenunterschied von 180° ± 5° zwischen
Licht, das vom Phasenschieber und Licht, das vom transparenten Substrat
durchgelassen wird, bereitstellt.
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Der
Phasenschiebermaskenrohling der Erfindung umfasst einen lichtabschirmenden
Film auf Chrombasis 3, der wie in 3 gezeigt
auf dem Phasenschieberfilm 2 (der mit Ozonwasser oberflächenbehandelt wurde)
ausgebildet ist, was eine erste Ausführungsform der Erfindung darstellt.
In einer weiteren wie in 4 gezeigten Ausführungsform
kann ein Antirefiexfilm auf Chrombasis 4 auf dem lichtabschirmenden
Film auf Chrombasis 3 zur Reduktion der Reflexion des lichtabschirmenden
Films auf Chrombasis 3 ausgebildet sein. In einer weiteren
Ausführungsform
werden, wie in 5 gezeigt, ein Phasenschieberfilm 2,
ein erster Antireflexfilm auf Chrombasis 4, ein lichtabschirmender
Film auf Chrombasis 3 und ein zweiter Antireflexfilm auf Chrombasis 4' auf dem Substrat
der Reihe nach ausgebildet.
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Durch
Strukturieren des Phasenschieberfilms des Phasenschiebermaskenrohlings
gemäß der Erfindung
wird ein Phasenschiebermaskenrohling hergestellt, der zu jenem in 2 gezeigten
analog ist. Ein diesbezüglich
typisches Verfahren ist in 6 dargestellt.
Nachdem ein Phasenschieberfilm 12 auf einem transparenten
Substrat 11 ausgebildet und mit Ozonwasser oberflächenbehandelt
wurde, das zumindest 1 ppm Ozon enthält, wird ein Resistfilm 13 auf
dem Phasenschieberfilm 12 (6A) ausgebildet.
Als Nächstes
wird der Resistfilm 13 lithographisch strukturiert (6B),
wonach der Phasenschieberfilm 12 geätzt wird (6C). Der
Resistfilm 13 wird anschließend abgestrippt (6D).
In diesem Verfahren kann das Aufbringen des Resistfilms, die Strukturierung
(Belichtung und Entwicklung), Ätzung
und Resistfilmentfernung durch bekannte Verfahren durchgeführt werden.
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BEISPIELE
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Die
folgenden Beispiele und Vergleichsbeispiele dienen der Veranschaulichung
und nicht der Einschränkung
des in den beigefügten
Ansprüchen
definierten Schutzumfangs der Erfindung.
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Anschauungsbeispiel 1
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Ein
120 nm dicker Molybdänsilicidoxynitrid-(MoSiON-)Film
wurde auf einem Quarzsubstrat mit 6 Quadratzoll durch Gleichstrom-Sputtern
unter Verwendung von Molybdänsilicid
als Sputtertarget und eines Gasgemischs aus Argon, Stickstoff und
Sauerstoff mit einem Strömungsverhältnis von
1:15:1 als Sputtergas bei einer Entladeleistung von 200 W und einer
Abscheidungstemperatur von 200 °C
abgeschieden. Der Phasenschieberfilm wies in abgeschiedenem Zustand
einen Phasenunterschied von 185,4° und
eine Durchlässigkeit von
5,62 % auf.
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Mit
einer Schleuderwaschvorrichtung wurde die Probe 5 min lang bei Raumtemperatur
mit Ozonwasser behandelt, das eine Ozonkonzentration von 18 ppm
aufwies und anschließend
schleudergetrocknet. Der mit Ozon behandelte Phasenschieberfilm
wies einen Phasenunterschied von 184,6° und eine Durchlässigkeit von
5,82 % auf.
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Die
Probe wurde 2 h lang bei 80 °C
in eine chemische Flüssigkeit
eingetaucht, bei der es sich um ein 1:4-Gemisch aus Schwefelsäure und
wässrigem
Wasserstoffperoxid handelte. Die Probe wurde erneut auf ihren Phasenunterschied
und ihre Durchlässigkeit
geprüft
und deren chemische Beständigkeit
wurde durch Veränderungen
hinsichtlich des Phasenunterschieds und der Durchlässigkeit
vor und nach dem chemischen Eintauchen bewertet.
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Die
Probe wies nach 2-stündigem
Eintauchen in chemischer Flüssigkeit
einen Phasenunterschied von 182,1° und
eine Durchlässigkeit
von 6,50 % auf. Durch das chemische Eintauchen veränderte sich
der Phasenunterschied um –2,5° und die
Durchlässigkeit
um +0,68 %. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angeführt.
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Es
gilt anzumerken, dass der Phasenunterschied und die Durchlässigkeit
mittels MPM-248 von Laser Tec Co. bei einer Wellenlänge von
248 nm gemessen wurden.
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Die
Zusammensetzung der Probe nach der Ozonwasserbehandlung wurde mittels
ESCA in Tiefenrichtung analysiert. Die Ergebnisse sind in 8 angeführt. Diese
deuten darauf hin, dass der Sauerstoffgehalt im Film ein Molverhältnis von
etwa 0,3 gegenüber
dem Siliciumgehalt aufweist, während
der Sauerstoffgehalt an der äußersten
Oberfläche
ein Molverhältnis
von 1,2 gegenüber
dem Siliciumgehalt aufweist.
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Vergleichsbeispiel 1
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Ein
Molybdänsilicidoxynitrid-(MoSiON-)Film
mit 118 nm Dicke wurde wie in Beispiel 1 abgeschieden. Der Phasenschieberfilm
wies im abgeschiedenen Zustand einen Phasenunterschied von 178,8° und eine Durchlässigkeit
von 6,09 % auf.
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Die
Probe wurde wie in Beispiel 1 auf ihre chemische Beständigkeit
geprüft.
Nach 2-stündigem Eintauchen
in chemischer Flüssigkeit
wies die Probe einen Phasenunterschied von 173,9° und eine Durchlässigkeit
von 7,61 % auf. Durch das chemische Eintauchen veränderte sich
der Phasenunterschied um –4,9° und die
Durchlässigkeit
um +1,52%. Die Ergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 angeführt.
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Es
gilt anzumerken, dass die Messung des Phasenunterschieds und der
Durchlässigkeit
gleich wie in Beispiel 1 ist. Tabelle 1
| | | chemische
Beständigkeit |
| | | vor
dem Eintauchen | nach
dem Eintauchen | Veränderung |
| Beispiel
1 | Phasenunterschied | 184,6° | 182,1° | –2,5° |
| | Durchlässigkeit | 5,82
% | 6,50
% | +0,68
% |
| Vergleichs | Phasenunterschied | 178,8° | 173,9° | –4,9° |
| beispiel
1 | Durchlässigkeit | 6,09
% | 7,61
% | +1,52
% |
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Daraus
geht hervor, dass die Ozonwasserbehandlung des Phasenschieberfilms
nach dessen Bildung die Säurebeständigkeit
des Films verbessert, sodass der resultierende Phasenschiebermaskenrohling
(und die Phasenschiebermaske davon) dahingehend von hoher Qualität ist, dass
er lediglich geringen Änderungen hinsichtlich
des Phasenunterschieds und der Durchlässigkeit nach erfolgtem Kontakt
mit der chemischen Flüssigkeit
während
des anschließenden
Reinigungsschrittes ausgesetzt ist.
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Obwohl
im Beispiel Ozonwasser mit einer Ozonkonzentration von 18 ppm verwendet
wurde, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Behandlung mit Ozonwasser
ist für
die Erfindung zweckdienlich auch wenn das Ozon nur in geringen Mengen,
insbesondere zumindest in einer Menge von 1 ppm, enthalten ist.
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Obwohl
im Beispiel ein Molybdänsilicidoxynitridfilm
verwendet wurde, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Gleichwertige
Ergebnisse können
mittels Verwendung von Molybdänsilicidoxid
oder Molybdänsilicidnitrid
erhalten werden.
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Ferner
ist die Offenbarung nicht auf solche beschränkt, die Phasenschiebermaskenrohlinge
und Phasenschiebermasken mit Phasenschieberfilmen aus Metallsiliciden
aufweisen, sondern gleichwertige Ergebnisse können auch aus Phasenschieber maskenrohlingen
und Phasenschiebermasken mit anderen Phasenschieberfilmen erzielt
werden.
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Es
wurde ein Phasenschiebermaskenrohling und eine Phasenschiebermaske
davon beschrieben, worin ein Phasenschieberfilm durch reaktives
Sputtern ausgebildet und anschließend mit Ozonwasser behandelt wird,
wodurch der resultierende Phasenschieberfilm insofern von hoher
Qualität
ist, als dass er nur geringen Veränderungen hinsichtlich des
Phasenunterschieds und der Durchlässigkeit nach dem Kontakt mit
chemischer Flüssigkeit
während
des anschließenden
Maskenreinigungsschritts oder dergleichen unterzogen wird.
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Obwohl
einige bevorzugte Ausführungsformen
beschrieben wurden, sind viele Modifizierungen und Variationen dieser
Ausführungsformen
möglich,
ohne von den oben beschriebenen Lehren abzuweichen. Es versteht
sich daher, dass die Erfindung auch anders als spezifisch in den
Ausführungsformen
beschrieben in die Praxis umgesetzt werden kann, ohne vom Schutzumfang
der beigefügten
Ansprüche
abzuweichen.