DE60102397T2

DE60102397T2 - Phasenschiebermaske-Rohling, Phasenschiebermaske und Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE60102397T2
Application number: DE60102397T
Authority: DE
Inventors: Satoshi Kubiki-mura Okazaki; Ichiro Kubiki-mura Kaneko; Jiro Kubiki-mura Moriya; Masayuki Kubiki-mura Suzuki; Tamotsu Kubiki-mura Maruyama
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2000-01-05
Filing date: 2001-01-05
Publication date: 2005-02-24
Anticipated expiration: 2021-01-06
Also published as: US6511778B2; TW497006B; DE60102397D1; EP1116999B1; US20010006754A1; ATE262689T1; KR20010070403A; EP1116999A1

Description

Hintergrund der Erfindung
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Phasenverschiebungsmaskenrohling, eine Phasenverschiebungsmaske und ein Verfahren zur Herstellung von Phasenverschiebungsmasken unter Verwendung eines neuen Phasenverschiebermaterials.
Stand der Technik
Das für Halbton-Phasenverschiebungsmasken verwendete Verschiebermaterial besteht oftmals hauptsächlich aus Molybdänsilicid, obwohl auch Materialien auf Chromoxidbasis verwendet werden.
Wie in den 10A und 10B veranschaulicht ist, die in dieser Spezifikation aufgenommen sind und einen Bestandteil dieser darstellen, besteht eine Halbton-Phasenverschiebungsmaske aus einem Quarzsubstrat 32, auf welchem ein Verschieber 34 bereitgestellt ist, der die Phase des Lichts ändert. Die Maske verbessert die Auflösung, indem ein Interferenzeffekt zwischen dem Licht, das durch den Verschieber 34 hindurchgeht und eine Phasenänderung durchläuft, und dem Licht, das nicht durch den Verschieber 34 hindurchgeht und keine Phasenänderung erfährt, ausgenutzt wird.
Die Trends zu einer Integration auf höherer Ebene und einer höheren Verarbeitungsgeschwindigkeit in Zusammenhang mit LSI-Chips (Chips mit hoher Integration) hat einen Bedarf an einer kleinere Strukturordnung in Halbleitervorrichtungen erzeugt. Die Photomasken, die verwendet werden, um diese feinere Struktur zu erzeugen, müssen ebenfalls in einer kleineren Größenordnung erzeugt werden.
Es wurden Bemühungen unternommen, Phasenverschiebungsmasken zu entwickeln, die diesen Anforderungen entsprechen. Die weitere Reduktion der minimalen Merkmalsgröße auf den Masken erfordert jedoch die Änderung der Wellenlänge des Bestrahlungslichts, das während der Erzeugung der Maske von einer Lichtquelle ausgestrahlt wird, von der i-Linien-Wellenlänge (365 nm) zu KrF-Excimerlaserlicht (248 nm), ArF-Laserlicht (193 nm) und schließlich zu F₂-Laserlicht (157 nm).
Dies geht darauf zurück, dass sich in der Lithographie die Auflösung proportional zur Wellenlänge des Bestrahlungslichts verhält, wie dies durch die Rayleigh-Formel dargestellt ist: R = kλ/NA
In der Formel steht R für Auflösung, k ist der Prozesskoeffizient, λ die Wellenlänge und NA die numerische Linsenöffnung.
Leider besitzen Verschieberfilme auf Molybdänsilicid-Basis, die gegenwärtig am häufigsten verwendet werden, einen so hohen Absorptionskoeffizienten, dass nur sehr wenig, wenn überhaupt, Licht mit kurzer Wellenlänge in den Bereichen des ArF-Excimerlaserlichts (193 nm) und des F₂-Laserlichts (157 nm) hindurchgeht. Somit sind diese Filme nicht für eine gemeinsame Verwendung mit Bestrahlungslichtquellen mit kürzerer Wellenlänge geeignet.
Im Fall von Verschieberfilmen auf Chrombasis zeigen jene, die nur aus Chrommetall allein bestehen, aufgrund der simplen Tatsache, dass sie metallisch sind, nur geringe Durchlässigkeit. Selbst wenn dem Chrommaterial Sauerstoff, Stickstoff oder Kohlenstoff zugegeben ist, ist es schwierig, eine Durchlässigkeit zu erreichen, die ausreicht, um als Phasenverschiebermaterial in einem Kurzwellenbereich von 193 nm oder weniger, wie z.B. einer Durchlässigkeit von etwa 3 bis 40%, verwendet zu werden.
Darüber hinaus verschlechtert sich das Phasentransfermaterial, wie das Maskensubstrat und die Linsenoptik, mit der Zeit, weil das Kurzwellenlicht von 193 nm oder weniger eine viel höhere Energie besitzt als das Licht von 365 nm oder 248 nm. Somit ist die Entwicklung eines Materials notwendig, das bei einer Bestrahlung mit hoher Energie beständig ist.
Gleichzeitig ist es erforderlich, dass das Phasenverschiebungsmaterial eine Änderung der Phase des Lichts, das durch die Verschieberschicht hindurchgeht, von 180° in Bezug auf das Licht, das nicht hindurchgeht, hervorrufen kann. In Anbetracht der Topographie der Phasenverschieberstruktur, wobei der Verschieberfilm zu einer Dicke, die als D = λ/2(n–1) (1)definiert ist, von einem Material ausgebildet wird, das über einen hohen Brechungsindex n verfügt, kann eine Phasenverschiebung von 180° bei einer geringen Filmdicke oder Stufe auf dem Substrat erhalten werden. In der vorangegangenen Formel steht D für die Verschieberfilmdicke zur Erzeugung einer Phasenverschiebung von 180°, n für den Brechungsindex des Verschiebermaterials und λ für die Wellenlänge des ausgestrahlten Lichts.
Darüber hinaus können die zuvor erwähnten Verschiebermaterialien auf Chrom-Basis und Molybdänsilicid-Basis nach dem Stand der Technik keinen hohen Brechungsindex bei kürzeren Bestrahlungslichtwellenlängen (d.h. Wellenlängen von 193 nm oder weniger) bereitstellen und müssen somit eine größere Filmdicke aufweisen, wodurch es schwierig wird, eine Phasenverschiebung von 180° zu erreichen.
Offenbarungen nach dem Stand der Technik umfassen EP0838726, das Halbton-Phasenverschiebungsmasken und -rohlinge offenbart, in welchen die Phasenverschiebungsschicht aus einer beliebigen von vielen Zr-Verbindungen hergestellt ist, einschließlich dabei Zr-Fluoridsilicid, -oxid oder -nitrid.
US-A-5945237 offenbart Halbton-Phasenverschiebungsmasken, in welchen der Phasenverschiebungsfilm ein Film aus einer oder mehreren Schichten aus Cr, MoSi oder eines Oxids, Oxids/Nitrids oder Fluorids dieser ist.
EP0643331 offenbart Halbton-Phasenverschiebungsmasken und -rohlinge, in welchen der Verschiebungsfilm auf einem Fluor-hältigen Cr basiert, das durch das Sputtern von Cr gemeinsam mit Kohlenstofftetrafluorid oder Stickstofftrifluorid erhalten wird.
Somit besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung darin, Phasenverschiebungsmaskenrohlinge und Phasenverschiebungsmasken bereitzustellen, welche die obigen Nachteile von Halbton-Phasenverschiebungsmasken nach dem Stand der Technik mildern und es ermöglichen, integrierte Halbleiterschaltkreise mit einer geringeren Merkmalsgröße und einem höheren Integrationsgrad zu erzeugen. Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung von solchen Phasenverschiebungsmasken bereitzustellen.
Es wurde herausgefunden, dass Phasenverschiebungsmaskenrohlinge und Phasenverschiebungsmasken, die zum Teil einen Phasenverschieber, der sich hauptsächlich aus einem fluordotierten Metallsilicid zusammensetzt, sowie aus insbesondere einen Phasenverschieber, der sich hauptsächlich aus fluordotiertem Chromsilicid, fluordotiertem Molybdänsilicid oder fluordotiertem Gadoliniumgalliumsilicid zusammensetzt, umfassen, eine gute Durchlässigkeit von 3 bis 40% von Kurzwellenlicht von 193 nm oder weniger aufweisen, so etwa das Licht eines ArF-Excimerlasers und eines F₂-Lasers, was von bis dato verwendeten Verschiebermaterialien auf der Basis von Chrom- und Molybdänsilicid nicht erreicht werden kann. Solche Phasenverschiebungsmasken besitzen auch exzellente Beständigkeit gegen Bestrahlung mit hoher Energie sowie verbesserte Stabilität über längere Zeit. Es wurde ebenfalls herausgefunden, dass Filme aus fluordotiertem Metallsilicid aufgrund ihrer hohen Brechungsindizes eine Phasenverschiebung von 180° in Durchlicht bei einer relativ geringen Filmdicke bereitstellen können, wodurch es möglich wird, die Effekte (z.B. primäre Fokustiefe) der Verschieberfilmdichte bei Bestrahlung mit Licht zu minimieren. Diese Entdeckungen haben es ermöglicht, die Probleme, mit denen Halbton-Phasenverschiebungsmasken nach dem Stand der Technik behaftet sind, wirksam zu lösen, wodurch es möglich ist, Phasenverschiebungsmasken so zu versehen, dass sie die minimale Merkmalsgröße weiter reduzieren und den Integrationsgrad bei integrierten Halbleiterschaltkreisen erhöhen.
In einem ersten Aspekt, der in Anspruch 1 dargelegt ist, stellt die Erfindung einen Phasenverschiebungsmaskenrohling bereit, der ein durchsichtiges Substrat und zumindest eine Schicht eines Phasenverschiebers auf dem Substrat umfasst, worin der Phasenverschieber ein Film aus hauptsächlich einem fluordotiertem Metallsilicid ist, wie dies nachfolgend spezifiziert ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform stellt die Erfindung zumindest eine Schicht eines Films auf Chrombasis auf dem Phasenverschieber bereit. Der Film auf Chrombasis ist vorzugsweise ein lichtabschirmender Film, eine Antireflexbeschichtung oder eine mehrschichtige Kombination aus beiden. Insbesondere ist der Film auf Chrombasis ein CrC-Film, CrCO-Film, CrCN-Film oder CrCON-Film oder eine mehrschichtige Kombination daraus.
Im Phasenverschiebungsmaskenrohling ist das spezifizierte fluordotierte Metallsilicid fluordotiertes Chromsilicid, fluordotiertes Molybdänsilicid oder fluordotiertes Gadoliniumgalliumsilicid und enthält eines oder mehrere Elemente, die aus Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ausgewählt sind. Vorzugsweise verschiebt der Phasenverschieber, der hauptsächlich aus dem fluordotierten Metallsilicid besteht, die Phase des Bestrahlungslichts, das durch ihn hindurchgeht, um 180±5 ° und weist eine Durchlässigkeit von 3 bis 40 % auf.
In einem weiteren Aspekt stellt die Erfindung eine Phasenverschiebungsmaske bereit, die durch das Strukturieren des Phasenverschiebers eines Phasenverschie bungsmaskenrohlings gemäß dem ersten Aspekt der obigen Erfindung hergestellt wird.
In einem anderen Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske bereit, umfassend die Schritte des Ausbildens des Phasenverschiebers, der hauptsächlich aus dem spezifizierten fluordotierten Metallsilicid besteht, auf einem für Bestrahlungslicht transparenten Substrat unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens, des lithographischen Ausbildens einer Resiststruktur auf dem Phasenverschieber und des Strukturierens des Phasenverschiebers mittels Trocken- oder Nassätzung durch die Resiststruktur.
In einem weiteren Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske bereit, umfassend dabei die Schritte des Ausbildens des Phasenverschiebers, der hauptsächlich aus dem spezifizierten fluordotierten Metallsilicid besteht, auf einem für Bestrahlungslicht transparenten Substrat unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens, des Ausbildens eines Films auf Chrombasis auf dem Phasenverschieber unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens, des Entfernens von Bereichen auf dem Film auf Chrombasis, wo eine Bestrahlung mit Licht erforderlich ist, durch Ätzen, um entsprechende Bereiche des Phasenverschiebers auf der Oberfläche freigelegt zu lassen, des lithographischen Ausbildens einer Resiststruktur auf dem Phasenverschieber und des Strukturierens des Phasenverschiebers mit Hilfe von Trocken- oder Nassätzung durch die Resiststruktur.
In den obigen Verfahren zur Herstellung von Phasenverschiebungsmasken ist das fluordotierte Metallsilicid fluordotiertes Chromsilicid, fluordotiertes Molybdänsilicid oder fluordotiertes Gadoliniumgalliumsilicid. Im Schritt des Ausbildens des Phasenverschiebers wird das Sputter-Verfahren vorzugsweise unter Verwendung von Chrom, Molybdän oder Gadoliniumgallium als Target und SiF₄ als reaktives Gas durchgeführt; oder es werden Chromsilicid, Molybdänsilicid oder Gadoliniumgalliumsilicid als Target und SiF₄, CF₄ oder NF₃ als reaktives Gas verwendet.
Im Verfahren erfolgt das Sputtern typischerweise durch reaktives Sputtern, wobei ein Gasgemisch, das aus einem Elementenquellengas, welches das aus Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ausgewählte Element bereitstellt, in Beimischung mit einem Inertgas und einem reaktiven Gas besteht, verwendet wird. Vorzugsweise wird das Elementenquellengas mit einer solchen Strömungsrate verwendet, dass das Elementverhältnis zwischen dem so bereitgestellten Element und dem Inertgas für Sauerstoff 1 bis 40%, für Stickstoff 1 bis 20% und für Kohlenstoff 1 bis 10% beträgt. Im Herstellungsverfahren der Erfindung besteht der Phasenverschieber vorzugsweise hauptsächlich aus fluordotiertem Metallsilicid, um die Phase des durch ihn hindurchgehenden Bestrahlungslichts um 180±5° zu verschieben und eine Durchlässigkeit von 3 bis 40% aufzuweisen.
Kurzbeschreibung der Abbildungen
Die obigen und andere Ziele, Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen augenscheinlich.
1 ist eine Schnittdarstellung eines Phasenverschiebungsmaskenrohlings gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
2 ist eine Schnittdarstellung einer Phasenverschiebungsmaske aus demselben Rohling.
3 ist eine Schnittdarstellung eines Phasenverschiebungsmaskenrohlings, der mit einem lichtabschirmenden Film auf Chrombasis gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung versehen ist.
4 ist eine Schnittdarstellung eines Phasenverschiebungsmaskenrohlings, der mit einem lichtabschirmenden Film auf Chrombasis sowie einer Antireflexbeschichtung auf Chrombasis gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung versehen ist.
5 ist eine Schnittdarstellung einer ähnlichen Art eines Phasenverschiebungsmaskenrohlings, der einen lichtabschirmenden Film auf Chrombasis und eine Antire flexbeschichtung auf Chrombasis gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung aufweist.
6 sind schematische Schnittdarstellungen des Verfahrens zur Herstellung von Phasenverschiebungsmasken gemäß der Erfindung. 6A zeigt den Maskenrohling, auf welchem ein Resistfilm ausgebildet wurde; 6B zeigt das Masken-Werkstück, nachdem der Resistfilm strukturiert wurde; 6C zeigt das Werkstück nach dem Trocken- oder Nassätzen; und 6D zeigt die fertiggestellte Maske, nachdem der Resistfilm entfernt wurde.
7 ist eine Schnittdarstellung einer anderen Ausführungsform einer Phasenverschiebungsmaske gemäß der Erfindung.
8 ist eine schematische Darstellung des in den Beispielen, die in der Spezifikation beschrieben sind, verwendeten Gleichstrom-Sputtersystems.
9 ist eine schematische Darstellung des in den Beispielen verwendeten RF-Sputtersystems.
Die 10A und 10B veranschaulichen das Arbeitsprinzip der Halbton-Phasenverschiebungsmaske. 10B ist eine vergrößerte Darstellung des Bereichs X in 10A.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Wie in 1 dargestellt ist, umfasst der Phasenverschiebungsmaskenrohling der Erfindung ein Substrat 1, das aus einem Material wie Quarz oder CaF₂ besteht, das gegenüber Bestrahlungslicht durchsichtig ist und dessen im Wesentlichen gesamte Oberfläche mit einem Phasenverschieber 2 bedeckt ist. Die Phasenverschiebungsrnaske der Erfindung wird durch Strukturieren des Phasenverschiebers 2 auf dem Phasenverschiebungsmaskenrohling hergestellt. In Bezug auf 2 besitzt die Phasenverschiebungsmaske einen ersten lichtdurchlässigen Bereich 1a zwischen zwei strukturierten Phasenverschiebern 2' und 2', und jeder Phasenverschieber 2' bildet einen zweiten lichtdurchlässigen Bereich 2a aus. In der Phasenverschiebungsmaske der Erfindung besteht der Phasenverschieber 2 (d.h. der strukturierte Phasenverschieber 2', der als zweiter lichtdurchlässiger Bereich dient) aus einem Film, der sich hauptsächlich aus fluordotiertem Metallsilicid zusammensetzt. Vorzugsweise ist der Film mit einer solchen Dicke ausgebildet, dass sich bei der Bestrahlungswellenlänge eine Phasenverschiebung von 180±5° und eine Durchlässigkeit von 3 bis 40% ergibt.
Das fluordotierte Metallsilicid, aus dem der Phasenverschieber besteht, ist vorzugsweise fluordotiertes Chromsilicid, fluordotiertes Molybdänsilicid oder fluordotiertes Gadoliniumgalliumsilicid.
Der Phasenverschieber kann in einem reaktiven Sputter-Verfahren gebildet werden. Es wird z.B. zur Herstellung von Phasenverschiebern aus fluordotiertem Chromsilicid vorzugsweise Chrom allein oder gesintertes Chromsilicid als Target verwendet. Zur Bildung von Phasenverschiebern aus fluordotiertem Molybdänsilicid wird vorzugsweise Molybdän allein oder gesintertes Molybdänsilicid als Target verwendet. Zur Herstellung von Phasenverschiebern aus fluordotiertem Gadoliniumgalliumsilicid wird die Verwendung von Gadoliniumgallium allein oder gesintertem Gadoliniumgalliumsilicid als Target bevorzugt. Der Zweck hierin liegt darin, ein reaktives Sputtern durchführen zu können, das Phasenverschieber mit einem relativ hohen Brechungsindex und der erwünschten Durchlässigkeit von Licht von 247 nm, 193 nm oder 157 nm bereitstellt.
Werden Chrom, Molybdän oder Gadoliniumgallium allein als Sputter-Target verwendet, so ist das reaktive Gas vorzugsweise SiF₄. Die Verwendung von SiF₄ als reaktives Gas, wenn ein solches Metall allein als Target verwendet wird, stellt einen Film bereit, der trotz einer gewissen Variation in der stöchiometrischen Zusammensetzung als Metallsilicid charakterisiert werden kann. Werden Chromsilicid, Molybdänsilicid oder Gadoliniumgalliumsilicid als Sputter-Target verwendet, so ist das reaktive Gas vorzugsweise ein aus SiF₄, CF₄ und NF₃ ausgewähltes.
In der praktischen Umsetzung der Erfindung erfolgt das Sputtern unter Verwendung eines Metalls allein oder eines Metallsilicids als Target und SiF₄ als reaktives Gas, wodurch ein fluordotierter Metallsilicidfilm bereitgestellt wird, der Fluoratome enthält, eine adäquate Durchlässigkeit von kurzen Wellenlängen von 193 nm oder weniger aufweist und gegen eine Bestrahlung mit hoher Energie mit gleichzeitig relativer Stabilität über die Zeit beständig ist.
Das in der Erfindung angewendete Sputter-Verfahren kann eines sein, das eine Gleichstrom-Energiequelle (Gleichstrom-Sputtern) oder eine Hochfrequenz-Energiequelle (RF-Sputtern) verwendet. Es ist auch möglich, ein Magnetron-Sputter-Verfahren oder ein herkömmliches Sputter-Verfahren zu verwenden. Das Filmbildungssystem kann entweder ein kontinuierliches, ein In-Line-System oder ein Einzelverarbeitungssystem sein.
Das Sputter-Gas kann ein Inertgas wie Argon oder Xenon sein. Es wird bevorzugt, das reaktive Sputtern unter Verwendung eines Gasgemisches durchzuführen, das einige Elementenquellengase für die Sauerstoff-, Stickstoff- oder Kohlenstoffzufuhr (z.B. Kohlenstoffgas, Stickstoffgas, Methangas, Stickstoffmonoxidgas, Stickstoffdioxidgas) in Kombination mit einem Inertgas wie Argon und einem reaktiven Gas wie SiF₄ umfasst. Der Grund dafür, warum reaktives Sputtern durchgeführt wird, während ein Gasgemisch durch die Sputterkammer hindurchströmt, besteht darin, den Brechungsindex und die Durchlässigkeit des sich bildenden fluordotierten Metallsilicidfilms zu ändern, um für ein Verschiebermaterial optimale Filmeigenschaften zu erreichen. Doch selbst wenn reaktives Sputtern durchgeführt wird, ist eine hohe Strömungsrate des Elementenquellengases nicht erforderlich. Da die Menge eines solchen hindurchgeströmten Gases nur so groß ist, dass die Qualität des Films verbessert wird, nimmt die Gleichmäßigkeit der Filmqualität nicht ab, wenn sich an den Mittelpunkt des Targets angenähert wird. Darüber hinaus ist der Anteil des Elementenquellengases im Vergleich zur Filmbildung durch reaktives Sputtern, in welchem eine große Strömungsrate des Elementenquellengases wie Sauerstoff, Stickstoff oder Methan von einem MoSi_x-Target (wobei x = 2 bis 3 ist) durchgeschickt wird, wie dies bei Molybdänsilicid-Halbtonmasken nach dem Stand der Technik der Fall ist, gering. Somit kommt es nicht leicht zu einer Teilchenbildung.
Um die Lichtdurchlässigkeit oder den Brechungsindex des aus fluordotiertem Metallsilicid gebildeten Phasenverschieberfilms fein einzustellen, kann das beim reaktiven Sputtern verwendete Gasgemisch durch das Zumischen einer Sauerstoff-, Stickstoff- oder Kohlenstoftelementquelle (z.B. Sauerstoff, Stickstoff, Methan, Distickstoffoxid, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid) in das Sputtergas (z.B. Argon) und das reaktive Gas (z.B. SiF₄) hergestellt werden. Insbesondere ist es möglich, selektiv solche Elementenquellengase gemäß der beabsichtigten Anwendung zu verwenden. So können die Filmeigenschaften durch das Einleiten von Sauerstoff- oder Stickstoffgas, wenn eine größere Durchlässigkeit erforderlich ist, oder durch Einleiten einer Kohlenstoffkomponente, wenn die Durchlässigkeit verringert werden soll, angepasst werden.
Durch das Variieren des Verhältnisses des Elementenquellengases ist es möglich, den Brechungsindex über einen weiten Bereich von etwa 1,8 bis etwa 2,5 zu variieren. Indem der Brechungsindex auf diese Weise variiert wird, kann der Phasenverschiebungswinkel selbst bei derselben Filmdicke verändert werden, wodurch Feineinstellungen hinsichtlich der Menge der Phasenverschiebung möglich sind.
Das Elementenquellengas kann bei einer solchen Strömungsrate verwendet werden, dass das Elementverhältnis des auf diese Weise zugeführten Elements zum Inertgas für Sauerstoff 1 bis 40%, für Stickstoff 1 bis 20% und für Kohlenstoff 1 bis 10% beträgt. Eine relativ kleine Menge des beim reaktiven Sputtern verwendeten Gases kann den Brechungsindex des Verschieberfilms ändern.
Die bevorzugte Zusammensetzung des auf diese Weise gebildeten Metallsilicidfilms umfasst 20 bis 80 At.-% Chrom, 5 bis 40 At.-% Silicium und 1 bis 20 At.-% Fluor, wenn der Film aus fluordotiertem Chromsilicid hergestellt wird; 15 bis 50 At.-% Molybdän, 10 bis 70 At.-% Silicium und 1 bis 30 At.-% Fluor, wenn der Film aus fluordotiertem Molybdänsilicid hergestellt wird; und 5 bis 40 At.-% Gadolinium, 5 bis 40 At.-% Gallium, 5 bis 30 At.-% Silicium und 5 bis 30 At.-% Fluor, wenn der Film aus fluordotiertem Gadoliniumgalliumsilicid hergestellt wird.
Die verschiedenen vorangegangenen Metallsilicide können zusätzlich zu den oben erwähnten Elementen auch noch ein oder mehr aus Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ausgewählte Elemente enthalten. Der Sauerstoffanteil liegt vorzugsweise bei 0 bis 50 At.-% und insbesondere bei 1 bis 40 At.-%; der Stickstoffanteil liegt vorzugsweise bei 0 bis 30 At.-% und insbesondere bei 1 bis 20 At.-%; und der Kohlenstoffanteil liegt vorzugsweise bei 0 bis 30 At.-% und insbesondere bei 1 bis 20 At.-%.
Die Filmbildung erfolgt durch das Einstellen der Dicke des Verschieberfilms auf die Dicke D, die als D = λ/2(n-1) (1)definiert ist, worin D die Verschieberfilmdicke zum Erzeugen einer Phasenverschiebung von 180°, n der Brechungsindex des Verschiebermaterials und λ die Wellenlänge des Durchlichts ist.
Im Fall eines fluordotierten Metallsilicidfilms beträgt der Brechungsindex etwa 1,8 bis etwa 2,5, und die Target-Filmdicke variiert gemäß der Wellenlänge λ der verwendeten Lichtquelle. Die Tabelle 1 zeigt die Dicke des Targetfilms, bei welcher eine Phasenverschiebung von 180° für Bestrahlungslicht aus verschiedenen Lichtquellen erreicht wird.
Tabelle 1 Filmdicke des Verschiebermaterials, bei welcher eine Phasenverschiebung von 180° für verschiedene Lichtquellen erreicht wird (Brechungsindex n = 2,3)
Da der Brechungsindex aber oftmals bei kürzeren Wellenlängen kleiner wird, muss die Filmdicke im Allgemeinen dicker ausgeführt werden als dies in der Tabelle dargestellt ist. Darüber hinaus weicht die Filmdicke etwas vom angegebenen Wert ab, wenn auf dem Substrat die tatsächliche Filmdicke in der Ebene verteilt ist. Somit ist es erwünscht, den Film einheitlich in der Target-Dicke zum Zeitpunkt der Filmbildung aufzutragen und Schwankungen in Qualität und Dicke des aufgetragenen Films zu minimieren, so dass die Phasenverschiebungsmaske eine Phasenverschiebung innerhalb eines im Allgemeinen zulässigen Bereichs von 180±5° bereitstellt.
Unter der Voraussetzung, dass der Verschieberfilm auf der Phasenverschiebungsmaske eine Lichtdurchlässigkeit von nicht mehr als dem Bestrahlungsschwellenwert des Resists (etwa 5%) aufweisen muss, wird bevorzugt, dass der Verschieberfilm als ein Material hergestellt wird, das eine Durchlässigkeit von etwa 5% bei den jeweiligen Wellenlängen aufweist. Die Durchlässigkeit kann geeignet eingestellt werden, indem während des Sputterns der obig beschriebenen Gase, die als Elementenquellen von Elementen wie Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff dienen, ein Gasgemisch verwendet wird. D.h. wenn die Durchlässigkeit bei den jeweiligen Wellenlängen inadäquat ist, kann der Anteil an hauptsächlich Sauerstoff- und Stickstoffkomponenten so erhöht werden, dass sich der Anteil an im Verschieberfilm aufgenommenen Sauerstoff- und Stickstoffkomponenten erhöht. Andererseits kann, wenn die Durchlässigkeit bei verschiedenen Wellenlängen zu hoch ist, die Menge an Kohlenstoffgaskomponenten wie Methan erhöht werden, um den Anteil an im Film aufgenommenen Kohlenstoffkomponenten zu erhöhen.
Eine Durchlässigkeit von etwa 5% ist optimal, obwohl in den meisten Fällen eine effektive Verwendung als Verschiebermaterial bei einer Durchlässigkeit im Bereich von etwa 3 bis 40% möglich ist, vorausgesetzt, dies überschreitet den Bestrahlungsschwellenwert für das Resist nicht.
In Bezug auf die 3 kann der Phasenverschiebungsmaskenrohling der Erfindung zusätzlich noch zumindest eine Schicht aus einem Film 3 auf Chrombasis umfassen, der auf dem obig beschriebenen Phasenverschieber 2, der hauptsächlich aus fluordotiertem Metallsilicid besteht, ausgebildet ist. Der Film 3 auf Chrombasis ist vorzugsweise ein lichtabschirmender Film, eine Antireflexbeschichtung oder eine mehrschichtige Kombination daraus. Ein lichtabschirmender Film 3 verhindert, dass Streulicht aus dem Bestrahlungsstrukturbereich nach außen dringt, und eine Antireflexbeschichtung reduziert die Reflexion von einem lichtabschirmenden Film auf Chrombasis, wodurch eine noch genauere Strukturierung erreicht werden kann.
Im Phasenverschiebungsmaskenrohling der Erfindung kann der Phasenverschieber als zwei oder mehr Schichten ausgebildet werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, wie dies in 4 dargestellt ist, kann ein hauptsächlich aus einem fluordotierten Metallsilicid bestehender Phasenverschieber 2 darauf mit einem lichtabschirmenden Film auf Chrombasis 3 bereitgestellt sein, der wiederum darauf eine Antireflexbeschichtung auf Chrombasis 4 ausgebildet haben kann, welche die Reflexion vom lichtabschirmenden Film auf Chrombasis 3 reduziert. Alternativ dazu und wie in 5 dargestellt kann der Phasenverschiebungsmaskenrohling der Erfindung in Reihenfolge von der Seite des Substrats 1 her wie folgt umfassen: einen Phasenverschieber 2, eine erste Antireflexbeschichtung auf Chrombasis 4, einen lichtabschirmenden Film auf Chrombasis 3 und eine zweite Antireflexbeschichtung auf Chrombasis 4'.
Der lichtabschirmende Film 3 auf Chrombasis oder die Antireflexbeschichung 4 auf Chrombasis ist vorzugsweise ein CrC-Film, CrCO-Film, CrCN-Film oder CrCON-Film oder eine mehrschichtige Kombination daraus. Eine mehrschichtige Kombination aus zwei oder mehr aus einem CrCO-Film, einem CrCON-Film und einem CrCON-Film ausgewählten Schichten wird bevorzugt.
Die lichtabschirmende Schicht auf Chrombasis oder die Antireflexbeschichtung auf Chrombasis können durch reaktives Sputtern gebildet werden, wobei hier das Target Chrom selbst oder Chrom, zu welchem Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff oder eine Kombination daraus zugefügt wurde, ist; und das Sputtergas ist ein Inertgas wie Argon oder Krypton, zu welchem Kohlendioxid als Kohlenstoffquelle zugefügt wurde.
So umfassen z.B. Sputtergase, die zum Ausbilden eines CrCON-Films verwendet werden können, ein Gasgemisch, das aus zumindest jeweils einem Kohlenstoff enthaltenden Gas (z.B. CH₄, CO₂, CO), einem Stickstoff enthaltenden Gas (z.B. NO, NO₂, N₂) und einem Sauerstoff enthaltenden Gas (z.B. CO₂, NO, O₂) oder einem solchen Gasgemisch in Kombination mit einem Inertgas wie Argon, Neon oder Krypton besteht. Wird CO₂-Gas sowohl als Kohlenstoffquelle als auch als Sauerstoffquelle verwendet, so ist dies speziell für die Gleichförmigkeit in der Ebene des Substrats und für die Kontrollierbarkeit während der Herstellung von Vorteil. Jedes der Sputtergase kann unabhängig voneinander in die Sputterkammer eingeleitet werden, oder einige oder alle der Gase können zuerst gemischt und danach in die Kammer eingeleitet werden.
Im CrC-Film liegt der Cr-Anteil vorzugsweise bei 60 bis 99 At.-%, insbesondere bei 70 bis 95 At.%, und der C-Anteil gleicht auf 100 At.-% aus. Im CrCO-Film beträgt der Cr-Anteil vorzugsweise 20 bis 95 At.-%, insbesondere 30 bis 85 At.-%, und der C-Anteil liegt vorzugsweise bei 1 bis 30 At.-% und insbesondere bei 5 bis 20 At.-%, während der O-Anteil vorzugsweise 1 bis 60 At.-%, insbesondere 5 bis 50 At.-%, beträgt. Im CrCN-Film liegt der Cr-Anteil vorzugsweise bei 20 bis 95 At.-%, insbesondere bei 50 bis 85 At.-%, der C-Anteil liegt vorzugsweise bei 1 bis 30 At.-%, insbesondere bei 5 bis 20 At.-%, und der N-Anteil beträgt vorzugsweise 1 bis 60 At.-%, insbesondere 5 bis 30 At.-%. Im CrCON-Film liegt der Cr-Anteil vorzugsweise bei 20 bis 95 At.-%, insbesondere bei 30 bis 80 At.-%, der C-Anteil bei 1 bis 20 At.-%, insbesondere bei 2 bis 15 At.-%, der O-Anteil beträgt vorzugsweise 1 bis 60 At.-%, insbesondere 5 bis 50 At.-%, und der N-Anteil liegt vorzugsweise bei 1 bis 30 At.-%, insbesondere bei 3 bis 20 At.-%.
Die Phasenverschiebungsmaske der Erfindung wird durch das Strukturieren der Phasenverschieber auf dem wie zuvor beschrieben erzeugten Phasenverschiebungsmaskenrohling hergestellt.
Insbesondere, wie in 6 dargestellt, kann die Herstellung der Phasenverschiebungsmaske der Erfindung in einem Verfahren ausgeführt werden, in welchem ein fluordotierter Metallsilicidfilm 12 auf einem Substrat 11 ausgebildet wird und ein Resistfilm 13 danach auf dem Metallsilicidfilm 12 ausgebildet wird (6A). Als nächstes wird der Resistfilm 13 strukturiert (6B), wonach der fluordotierte Metallsilicidfilm 12 trocken- oder nassgeätzt wird (6C) und der Resistfilm 13 anschließend abgenommen wird (6D). Bei diesem Vorgang kann in allgemein bekannten Verfahren der Resistfilm aufgetragen, strukturiert (Bestrahlung und Entwicklung), geätzt und entfernt werden.
In solchen Fällen, in denen ein Film 3 auf Chrombasis auf der fluordotierten Metallsilicidschicht ausgebildet wird, kann eine Phasenverschiebungsmaske, auf welcher der Film 3 auf Chrombasis an den Außenkanten des Substrats 1 zurückbleibt (siehe 7), hergestellt werden, indem der Film 3 auf Chrombasis in den Bereichen, die Licht ausgesetzt sein müssen, weggeätzt wird, wodurch die Oberfläche des Phasenverschiebers 2a freigelegt gelassen und danach der Phasenverschieber 2a wie zuvor beschrieben strukturiert wird. Alternativ dazu kann eine Phasenverschiebungsmaske hergestellt werden, indem ein Resist auf dem Film 3 auf Chrombasis aufgetragen und das Resist strukturiert wird und danach mittels Trocken- oder Nassätzung der Film 3 auf Chrombasis und der Phasenverschieber 2a strukturiert werden. Die Bereiche des Films 3 auf Chrombasis, die Licht ausgesetzt sein müssen, werden daraufhin entfernt, indem sie selektiv geätzt werden, so dass die Phasenverschiebungsstruktur an der Oberfläche freigelegt gelassen wird.
Beispiele
Die folgenden Beispiele dienen der Veranschaulichung und sollen keineswegs den Schutzumfang der Erfindung begrenzen.
Beispiel 1
Ein fluordotierter Chromsilicidfilm wurde auf einem Quarzsubstrat im in 8 dargestellten Gleichstrom-Sputtersystem ausgebildet. Das System wies eine Gleichstrom-Sputterkammer 20 auf, die ein Quarzsubstrat 21 und ein Target 22 umfasste. Indem Chrom als Target, Argon als Sputtergas (Strömungsrate: 30 Ncm³) und SiF₄ als reaktives Gas (Strömungsrate: 10 Ncm³) verwendet wurden, wurde der reaktive Sputtervorgang ausgeführt, während ein Schwall dieses Gasgemisches (Argon/SiF₄) durch die Kammer in der in 8 veranschaulichten Form durchströmte, wodurch ein Verschieberfilm mit einer Dicke von 78,0 nm ausgebildet wurde.
Die Sputter-Bedingungen sind in Tabelle 2 dargestellt. Die Eigenschaften (Dicke, Brechungsindex, Durchlässigkeit) des resultierenden Films wurden mit einem spektroskopischen GESP-5-Ellipsometriesystems von SOPRA gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 wiedergegeben. Tabelle 6 zeigt die Filmzusammensetzung, wie sie mittels Elektronenspektroskopie für die chemische Analyse (ESCA) bestimmt wurde. In Tabelle 2 und nachfolgend ist die Target-Substrat-Abstand als "TS-Abstand" abgekürzt.
Tabelle 2
Tabelle 3
Beispiele 2 bis 4
Ein Verschieberfilm wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 ausgebildet, jedoch unter den in Tabelle 4 dargelegten Sputter-Bedingungen. Die Filmeigenschaften sind in Tabelle 5 dargestellt. Tabelle 6 zeigt die Filmzusammensetzung in jedem Beispiel, wie dies mittels ESCA bestimmt wurde.
Tabelle 4
Tabelle 5
Tabelle 6
Beispiel 5
Ein CrCON-Film wurde bis zu einer Dicke von 85 nm durch Gleichstrommagnetron-Sputtern auf dem in Beispiel 1 erhaltenen fluordotierten Chromsilicidfllm ausgebildet. Chrom wurde als Target verwendet, und die während des Sputtervorgangs durchgeströmten Gase waren Argon (Strömungsrate: 30 Ncm³), CO₂ (10 Ncm³) und N₂ (3 Ncm³). Andere Sputter-Bedingungen umfassten einen Gasdruck während der Abgabe von 0,3 Pa, eine Leistung von 500 W sowie eine Filmbildungstemperatur von 120°C.
Die mittels ESCA bestimmte Filmzusammensetzung betrug 59 At.-% Chrom, 12 At.-Kohlenstoff, 26 At.-% Sauerstoff und 3 At.-% Stickstoff.
Beispiel 6
Ein fluordotierter Molybdänsilicidfilm wurde auf einem Quarzsubstrat im in 8 dargestellten Gleichstrom-Sputtersystem ausgebildet. Indem Molybdän als Target, Argon als Sputtergas (Strömungsrate: 30 Ncm³) und SiF₄ als reaktives Gas (Strömungsrate: 15 Ncm³) verwendet wurden, wurde der reaktive Sputtervorgang ausgeführt, während ein Schwall dieses Gasgemisches (Argon/SiF₄) durch die Kammer in der in 8 veranschaulichten Form durchströmte, wodurch ein Verschieberfilm mit einer Dicke von 79,6 nm ausgebildet wurde.
Die Sputter-Bedingungen sind in Tabelle 7 dargestellt. Die Eigenschaften (Dicke, Brechungsindex, Durchlässigkeit) des. resultierenden Films wurden mit einem spektroskopischen GESP-5-Ellipsometriesystems von SOPRA gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 8 wiedergegeben. Tabelle 11 zeigt die Filmzusammensetzung, wie sie mittels ESCA bestimmt wurde.
Tabelle 7
Tabelle 8
Beispiele 7 bis 9
Ein Verschieberfilm wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 6 ausgebildet, jedoch unter den in Tabelle 9 dargelegten Sputter-Bedingungen. Die Filmeigenschaften sind in Tabelle 10 dargestellt. Tabelle 11 zeigt die Filmzusammensetzung in jedem Beispiel, wie dies mittels ESCA bestimmt wurde.
Tabelle 9
Tabelle 10
Tabelle 11
Beispiel 10
Ein CrCON-Film wurde bis zu einer Dicke von 85 nm durch Gleichstrommagnetron-Sputtern auf dem in Beispiel 6 erhaltenen fluordotierten Molybdänsilicidfilm ausgebildet. Chrom wurde als Target verwendet, und die während des Sputtervorgangs durchgeströmten Gase waren Argon (Strömungsrate: 30 Ncm³), CO₂ (10 Ncm³) und N₂ (3 Ncm³). Andere Sputter-Bedingungen umfassten einen Gasdruck während der Abgabe von 0,3 Pa, eine Leistung von 500 W sowie eine Filmbildungstemperatur von 120 °C.
Die mittels ESCA bestimmte Filmzusammensetzung betrug 59 At.-% Chrom, 12 At.% Kohlenstoff, 26 At.-% Sauerstoff und 3 At.-% Stickstoff.
Beispiel 11
Ein fluordotierter Gadoliniumgalliumsilicidfilm wurde auf einem Quarzsubstrat im in 9 dargestellten RF-Sputtersystem ausgebildet. Das System wies eine RF-Sputterkammer 20 auf, die ein Quarzsubstrat 21 und ein Target 22 umfasste. Indem Gadoliniumgalliumgranat (GGG) als Target, Argon als Sputtergas (Strömungsrate: 30 Ncm³) und SiF₄ als reaktives Gas (10 Ncm³) verwendet wurden, wurde der reaktive Sputtervorgang ausgeführt, während ein Schwall dieses Gasgemisches (Argon/SiF₄) durch die Kammer in der in 9 veranschaulichten Form durchströmte, wodurch ein Verschieberfilm mit einer Dicke von 82,4 nm ausgebildet wurde.
Die Sputter-Bedingungen sind in Tabelle 12 dargestellt. Die Eigenschaften (Dicke, Brechungsindex, Durchlässigkeit) des resultierenden Films wurden mit einem spektroskopischen GESP-5-Ellipsometriesystems von SOPRA gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 13 wiedergegeben. Tabelle 16 zeigt die Filmzusammensetzung, wie sie mittels ESCA bestimmt wurde.
Tabelle 12
Tabelle 13
Beispiele 12 bis 14
Ein Verschieberfilm wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 11 ausgebildet, jedoch unter den in Tabelle 14 dargelegten Sputter-Bedingungen. Die Filmeigenschaften sind in Tabelle 15 dargestellt. Tabelle 16 zeigt die Filmzusammensetzung in jedem Beispiel, wie dies mittels ESCA bestimmt wurde.
Tabelle 14
Tabelle 15
Tabelle 16
Beispiel 15
Ein CrCON-Film wurde bis zu einer Dicke von 85 nm durch Gleichstrommagnetron-Sputtern auf dem in Beispiel 11 erhaltenen fluordotierten Gadoliniumgalliumsilicidfilm ausgebildet. Chrom wurde als Target verwendet, und die während des Sputtervorgangs durchgeströmten Gase waren Argon (30 Ncm³), CO₂ (10 Ncm³) und N₂ (3 Ncm³). Andere Sputter-Bedingungen umfassten einen Gasdruck während der Abgabe von 0,3 Pa, eine Leistung von 500 W sowie eine Filmbildungstemperatur von 120°C.
Die mittels ESCA bestimmte Filmzusammensetzung betrug 59 At.-% Chrom, 12 At.% Kohlenstoff, 26 At.-% Sauerstoff und 3 At.-% Stickstoff.
Wie aus den in den obigen Beispielen erhaltenen Ergebnissen ersichtlich ist, weisen die Phasenverschiebungsmaskenrohlinge und Phasenverschiebungsmasken der Erfindung gute Lichtdurchlässigkeit und Stabilität über einen längeren Zeitraum auf, selbst wenn sie mit einer Lichtquelle verwendet wurden, die Licht mit einer kurzen Wellenlänge von 193 nm oder weniger emittiert, so etwa ein ArF-Excimerlaserlicht oder F₂-Laserlicht. Die auf diese Weise erhaltenen Phasenverschiebungsmasken zeigen eine hohe Leistung, wodurch integrierte Halbleiterschaltkreise mit einer kleineren Minimalmerkmalsgröße sowie einer höheren Integration erzeugt werden können.
Obwohl einige bevorzugte Ausführungsformen beschrieben worden sind, können viele Modifikationen und Variationen im Licht dieser obigen Lehren durchgeführt werden. Somit ist zu verstehen, dass die Erfindung auch anders als spezifisch beschrieben in die Praxis umgesetzt werden kann, ohne dabei vom Schutzumfang der beigefügten Ansprüche abzugehen.

Claims

Phasenverschiebungsmaskenrohling, umfassend ein durchsichtiges Substrat und zumindest eine Schicht eines Phasenverschiebers auf dem Substrat, worin der Phasenverschieber ein Film aus hauptsächlich einem fluordotierten Metallsilicid ist, das aus fluordotiertem Chromsilicid, fluordotiertem Molybdänsilicid und fluordotiertem Gadoliniumgalliumsilicid ausgewählt ist, dadurch gekennzeichnet, dass er zumindest ein aus Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ausgewähltes Element enthält.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach Anspruch 1, der auf dem Phasenverschieber zumindest eine Schicht eines Films auf Chrombasis umfasst.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach Anspruch 2, worin der Film auf Chrombasis ein lichtabschirmender Film, eine Antireflexbeschichtung oder eine mehrschichtige Kombination aus beiden ist.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach Anspruch 2 oder 3, worin der Film auf Chrombasis ein CrC-Film, CrCO-Film, CrCN-Film, CrCON-Film oder eine mehrschichtige Kombination daraus ist.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin die Zusammensetzung im Phasenverschieber wie folgt gewählt ist: für fluordotiertes Chromsilicid 20 bis 80 At.-% Cr, 5 bis 40 At.-% Si und 1 bis 20 At.-% F; für fluordotiertes Molybdänsilicid 15 bis 50 At.-% Mo, 10 bis 70 At.-% Si und 1 bis 30 At.-% F; für fluordotiertes Gadoliniumgalliumsilicid 5 bis 40 At.-% Gd, 5 bis 40 At.-% Ga, 5 bis 30 At.-% Si und 5 bis 30 At.-% F.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin im Phasenverschieber der Sauerstoffgehalt 1 bis 40 At.-% beträgt; der Stickstoffgehalt 1 bis 20 At.-% beträgt; oder der Kohlenstoffgehalt 1 bis 20 At.-% beträgt.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach einem der vorangegangenen Ansprüche, worin der Phasenverschieber eine solche Dicke, dass er die Phase von durch ihn hindurchgehendem Bestrahlungslicht um 180 ± 5 Grad verschiebt, und eine Durchlässigkeit von 3 bis 40 % aufweist.
Phasenverschiebungsmaskenrohling nach Anspruch 7, der den Phasenverschieber umfasst und Durchlässigkeit für Bestrahlungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm oder weniger aufweist.
Phasenverschiebungsmaske, die durch Strukturierung des Phasenverschiebers auf einem Phasenverschiebungsmaskenrohling nach einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt ist.
Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske, die folgenden Schritte umfassend: Bildung eines Phasenverschiebungsfilms, der hauptsächlich aus einem fluordotierten Metallsilicid besteht, das aus fluordotiertem Chromsilicid, fluordotiertem Molybdänsilicid und fluordotiertem Gadoliniumgalliumsilicid ausgewählt ist und zumindest ein aus Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ausgewähltes Element umfasst, auf einem für Bestrahlungslicht transparenten Substrat unter Einsatz eines Sputter-Verfahrens, lithographische Ausbildung einer Resiststruktur auf dem Phasenverschiebungsfilm, und Strukturierung des Phasenverschiebungsfilms mithilfe von Trockenätzung oder Nassätzung durch die Resiststruktur.
Verfahren nach Anspruch 10, das vor der lithographischen Ausbildung der Resiststruktur auf dem Phasenverschiebungsfilm die folgenden Schritte umfasst: Bildung eines Films auf Chrombasis auf dem Phasenverschiebungsfilm unter Einsatz eines Sputter-Verfahrens, und Entfernung von Bereichen auf dem Film auf Chrombasis, wo Bestrahlung mit Licht erforderlich ist, durch Ätzen, um entsprechende Bereiche des Phasenverschiebungsfilms auf der Oberfläche freigelegt zu lassen.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, worin beim Schritt der Bildung des Phasenverschiebungsfilms das Sputtern unter Einsatz von Chrom, Molybdän oder Gadoliniumgallium als Target und von SiF₄ als reaktives Gas durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, worin beim Schritt der Bildung des Phasenverschiebungsfilms das Sputtern unter Einsatz von Chromsilicid, Molybdänsilicid oder Gadoliniumgalliumsilicid als Target und von SiF₄, CF₄ oder NF₃ als reaktives Gas durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, worin beim Schritt der Bildung des Phasenverschiebungsfilms das Sputtern durch reaktives Sputtern unter Verwendung eines Gasgemisches, das aus einem Elementenquellengas, welches das aus Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ausgewählte Element bereitstellt, einem Inertgas und einem reaktiven Gas besteht, durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 14, worin das Elementenquellengas eine solche Strömungsrate aufweist, dass das Elementverhältnis zwischen dem so bereitgestellten Element und dem Inertgas für Sauerstoff 1 zu 40%, für Stickstoff 1 zu 20% und für Kohlenstoff 1 zu 10% beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, worin der Phasenverschiebungsfilm die Phase des durch ihn durchgehenden Bestrahlungslichts um 180 ± 5 Grad verschiebt und eine Durchlässigkeit von 3 bis 40% aufweist.