DE60219100D1 - Nichtflüchtige Speicherarchitektur und integrierte Schaltung mit diesem Speicher - Google Patents

Nichtflüchtige Speicherarchitektur und integrierte Schaltung mit diesem Speicher

Info

Publication number
DE60219100D1
DE60219100D1 DE60219100T DE60219100T DE60219100D1 DE 60219100 D1 DE60219100 D1 DE 60219100D1 DE 60219100 T DE60219100 T DE 60219100T DE 60219100 T DE60219100 T DE 60219100T DE 60219100 D1 DE60219100 D1 DE 60219100D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
integrated circuit
volatile memory
architecture
memory architecture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60219100T
Other languages
English (en)
Inventor
Cyrille Dray
Richard Fournel
Sigrid Thomas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Application granted granted Critical
Publication of DE60219100D1 publication Critical patent/DE60219100D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
    • G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
    • G11C16/0416—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
DE60219100T 2001-05-07 2002-05-06 Nichtflüchtige Speicherarchitektur und integrierte Schaltung mit diesem Speicher Expired - Lifetime DE60219100D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0106091A FR2824413B1 (fr) 2001-05-07 2001-05-07 Architecture de memoire non volatile et circuit integre comportant une memoire correspondante

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE60219100D1 true DE60219100D1 (de) 2007-05-10

Family

ID=8863058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60219100T Expired - Lifetime DE60219100D1 (de) 2001-05-07 2002-05-06 Nichtflüchtige Speicherarchitektur und integrierte Schaltung mit diesem Speicher

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6639838B2 (de)
EP (1) EP1256961B1 (de)
DE (1) DE60219100D1 (de)
FR (1) FR2824413B1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7599231B2 (en) * 2006-10-11 2009-10-06 Atmel Corporation Adaptive regulator for idle state in a charge pump circuit of a memory device
ITMI20062068A1 (it) * 2006-10-27 2008-04-28 St Microelectronics Srl Circuito di polarizzazione per memorie di tipo eeprom con latch condivisi
CN112053725A (zh) * 2020-09-15 2020-12-08 中国人民解放军国防科技大学 一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3137993B2 (ja) * 1991-01-16 2001-02-26 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5185718A (en) * 1991-02-19 1993-02-09 Catalyst Semiconductor Corporation Memory array architecture for flash memory
JP2817500B2 (ja) * 1992-02-07 1998-10-30 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5400276A (en) * 1993-03-17 1995-03-21 Fujitsu Limited Electrically erasable nonvolatile semiconductor memory that permits data readout despite the occurrence of over-erased memory cells
US5687117A (en) * 1996-02-23 1997-11-11 Micron Quantum Devices, Inc. Segmented non-volatile memory array with multiple sources having improved source line decode circuitry
DE69628908D1 (de) * 1996-04-05 2003-08-07 St Microelectronics Srl Spannungsregler zum Programmieren nichtflüchtiger Speicherzellen

Also Published As

Publication number Publication date
FR2824413B1 (fr) 2003-07-25
EP1256961A1 (de) 2002-11-13
FR2824413A1 (fr) 2002-11-08
EP1256961B1 (de) 2007-03-28
US20020186599A1 (en) 2002-12-12
US6639838B2 (en) 2003-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60043651D1 (de) Integrierte halbleiterschaltung und nichtflüchtiges speicherelement
DE60239588D1 (de) Programmierbare Logikschaltung mit ferroelektrischem Konfigurationsspeicher
DE60224622D1 (de) Einmal programmierbarer Speicher
DE60328764D1 (de) Halbleiterspeicherelement und integrierter Halbleiterschaltkreis
DE60100716D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicher
DE60044014D1 (de) Nichtflüssiger Halbleiterspeicher mit programmierbaren Verriegelungsschaltungen
DE60314068D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE60230345D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen
DE60336204D1 (de) Integrierte Schaltung mit programmierbaren Schmelzsicherungsarray
DE50109432D1 (de) Wirkstoffchip mit integriertem heizelement
DE10085013T1 (de) Anordnen von in nicht-flüchtigen wiederprogrammierbaren Halbleiterspeichern gespeicherten Informationen
DE69936028D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE60000400D1 (de) Speicher mit eingeblendeter Logikschaltung
DE60043485D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE60334276D1 (de) Programmierbarer Speichertransistor
DE50107889D1 (de) Integrierter Schaltkreis mit Selbsttest-Schaltung
DE60223894T8 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Informationsgerät
DE59913627D1 (de) Integrierter Speicher
DE60229712D1 (de) Halbleiterspeicher
DE60314287D1 (de) Nichtflüchtiger speicher und schreibverfahren dafür
DE60211987D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit zirkularem Einschreiben
DE60041037D1 (de) Strang-programmierbarer nichtflüchtiger Speicher mit NOR-Architektur
DE60211761D1 (de) Inhaltsadressierbarer Halbleiterspeicher
DE60221466D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
DE60221607D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Informationsgerät

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de