DE60216682T2 - Gestapelte Schicht, Verfahren zur Herstellung einer gestapelten Schicht, Isolierschicht und Substrat für Halbleiter - Google Patents

Gestapelte Schicht, Verfahren zur Herstellung einer gestapelten Schicht, Isolierschicht und Substrat für Halbleiter Download PDF

Info

Publication number
DE60216682T2
DE60216682T2 DE2002616682 DE60216682T DE60216682T2 DE 60216682 T2 DE60216682 T2 DE 60216682T2 DE 2002616682 DE2002616682 DE 2002616682 DE 60216682 T DE60216682 T DE 60216682T DE 60216682 T2 DE60216682 T2 DE 60216682T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
bis
tert
compound
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE2002616682
Other languages
English (en)
Other versions
DE60216682D1 (de
Inventor
Michinori Yokkaichi City Nishikawa
Manabu Tsukuba-City Sekiguchi
Atsushi Ushiku City Shiota
Kinji Tsukuba City Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of DE60216682D1 publication Critical patent/DE60216682D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60216682T2 publication Critical patent/DE60216682T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/52—Two layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

  • BEREICH DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen gestapelten Film, ein Verfahren zur Bildung eines gestapelten Films, einen isolierenden Film und ein Substrat für Halbleiter. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen gestapelten Film, welcher Filme umfasst, die jeweils einen spezifischen mittleren Radius der Kreisbewegung aufweisen. Zudem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Bildung des gestapelten Films, auf einen isolierenden Film, der durch das Filmbildungsverfahren erhalten wurde, mit überlegenen Haftung an einem Film, der durch ein CVD-Verfahren (chemische Gasphasenabscheidung) als dielektrische Film in zum Beispiel Halbleitervorrichtungen gebildet wird, und ein Substrat für Halbleiter, welches den isolierenden Film umfasst.
  • BESCHREIBUNG DES VERWANDTEN STANDS DER TECHNIK
  • Bislang wurden Siliciumoxid-Filme (SiO2), welche durch ein Vakuumverfahren wie einen CVD-Verfahren gebildet wurden, breit gefächert als dielektrischer Film in zum Beispiel Halbleitervorrichtungen verwendet. In den zurückliegenden Jahren wurden isolierende Filme eines Beschichtungstyps, welche ein Hydrolysat eines Tetraalkoxysilans als Hauptkomponente umfassen, die SOG (Beschichtung auf Glas) Filme genannt werden, ebenso für den Zweck der Bildung einheitlicherer dielektrischer Filme verwendet.
  • Zusätzlich wurden mit dem steigenden Grad der Integration von zum Beispiel Halbleitervorrichtungen dielektrische Filme mit einer niedrigen dielektrischen Konstante, welche als Hauptkomponente ein Polyorganosiloxan, das „organisches SOG" genannt wird, umfassen, entwickelt.
  • Insbesondere da zum Beispiel die Halbleitervorrichtungen im Grad der Integration größer und in der Anzahl der Lamination vielzähliger wurden, wurden dielektrische Filmmaterialien mit einer niedrigen dielektrischen Konstante, bevorzugt einer dielektrischen Konstante von 2,5 oder weniger, und mit überlegener Haftung auf einem Substrat gefordert.
  • Als Materialien mit einer niedrigen dielektrischen Konstante wurden Zusammensetzungen, welche eine Mischung von feinen Teilchen, die durch Kondensation eines Alkoxysilans in der Gegenwart von Ammoniak erhalten wurden, und ein basisches Teilhydrolysat eines Alkoxysilans (siehe JP-A-5-260345 und JP-A-5-315319) und Beschichtungslösungen, die durch Kondensation eines basischen Teilhydrolysates von Polyalkoxysilan in der Gegenwart von Ammoniak (siehe JP-A-11-340219 und JP-A-11-340220) erhalten wurden, vorgeschlagen. Diese Materialien riefen jedoch Probleme solcher Art hervor, dass, wenn sie alleine verwendet werden, die Haftung auf einem Substrat schlecht ist, und dass die dielektrische Konstante 2,5 übersteigt.
  • Die Veröffentlichung EP-A-1 127 929 beschreibt eine Zusammensetzung für die Filmbildung unter Verwendung eines Hydrolysekondensats eines Alkoxysilans und einen auf Siliciumoxid beruhendem Beschichtungsfilm, der durch Beschichten der Zusammensetzung und Härten derselben erhalten wurde. Der auf Siliciumoxid beruhende Beschichtungsfilm ist als zwischenliegender isolierender Film in Halbleitervorrichtungen anwendbar.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde getätigt, um die zuvor beschriebenen Probleme zu überwinden.
  • Dem Zufolge ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen gestapelten isolierenden Film zur Verfügung zustellen.
  • Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren für die Bildung des gestapelten isolierenden Films zur Verfügung zu stellen.
  • Noch ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen isolierenden Film für einen Halbleiter zur Verfügung zustellen, der durch das Filmbildungsverfahren erhalten wurde, mit überragender Haftung an einem Film, der durch ein CVD-Verfahren als dielektrischer Film in zum Beispiel Halbleitervorrichtungen gebildet wurde.
  • Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Substrat für Halbleiter zur Verfügung zustellen, welches den isolierenden Film umfasst.
  • Der gestapelte isolierende Film gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst (A) einen Film, der durch Wärmehärten (a) eines Alkoxysilan-Hydrolysekondensats mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm in Form einer Lösung hergestellt wurde, und (B) ein Film, der durch Wärmehärten (b) eines Alkoxysilan-Hydrolysekondensats mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von weniger als 10 nm in Form einer Lösung hergestellt wurde, mit einem Unterschied in dem mittleren Radius der Kreisbewegung zwischen dem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat (a) und dem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat (b), der 5 nm oder mehr ist.
  • Der gestapelte isolierende Film gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst (A) einen Film mit einer dielektrischen Konstante von 2,5 oder weniger, welcher durch Wärmehärten (a) eines Alkoxysilan-Hydrolysekondensats in der Form einer Lösung hergestellt wurde, und (B) einen Film mit einer dielektrischen Konstante, die 2,5 übersteigt, welcher durch Wärmehärten (b) eines Alkoxysilan-Hydrolysekondensats in Form einer Lösung hergestellt wurde, mit einem Unterschied in der dielektrischen Konstante zwischen dem Film (A) und dem Film (B), der 0,3 oder mehr beträgt.
  • Das Verfahren zur Bildung des gestapelten isolierenden Films gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst das Auftragen einer Beschichtungslösung, welche (B) eine Verbindung mit einen mittleren Radius der Kreisbewegung von weniger als 10 nm umfasst, wobei die Verbindung durch Hydrolyse und Kondensation einer Alkoxysilan-Verbindung erhalten wurde, und eines organischen Lösungsmittels auf ein Substrat, gefolgt von Trocknen; und dann Auftragen einer Beschichtungslösung, welche (A) eine Verbindung mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm umfasst, wobei die Verbindung durch Hydrolyse und Kondensation einer Alkoxysilan-Verbindung erhalten wurde, und eines organischen Lösungsmittels auf das Substrat, gefolgt von Erhitzen.
  • Der isolierende Film gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein gestapelter isolierender Film, welchen in folgenden als „gestapelter Film" bezeichnet wird.
  • Das Substrat für Halbleiter gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst den isolierenden Film.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat, wie es in der vorliegenden Erfindung bezeichnet wird, ist eines, das durch Hydrolyse und Kondensation von mindestens einem Alkoxysilan erhalten wird, welches eine Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt wird (hiernach als „Verbindung (1)" bezeichnet), eine Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (2) dargestellt wird (hiernach als „Verbindung (2)" bezeichnet), und eine Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (3) dargestellt wird (hiernach als „Verbindung (3)" bezeichnet), umfasst: RaSi(OR1)4-a (1)wobei R ein Wasserstoffatom, ein Fluoratom oder eine einwertige organische Gruppe darstellt, R1 eine einwertige organische Gruppe darstellt, und a eine ganze Zahl von 1 bis 2 darstellt; Si(OR2)4 (2)wobei R2 eine einwertige organische Gruppe darstellt; und R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c (3)wobei R3 bis R6 gleich oder unterschiedlich sein können und jeweils eine einwertige organische Gruppe darstellen, b und c gleich oder unterschiedlich sein können und jeweils eine Zahl von 0 bis 2 darstellen, R7 ein Sauerstoffatom, eine Phenylen-Gruppe oder eine Gruppe darstellt, welche durch -(CH2)n-, dargestellt wird, wobei n eine ganze Zahl von 1 bis 6 und d 0 oder 1 darstellt.
  • In dem Hydrolysat, das in der vorliegenden Erfindung bezeichnet wird, ist es nicht wesentlich, dass alle der Gruppen R1O, R2O, R4O und R5O, die in den Verbindungen (1) bis (3) enthalten sind, hydrolysiert sind. Zum Beispiel kann das Hydrolysat eines sein, in welchem nur eine der vorhergehenden Gruppen hydrolysiert ist, oder in welchem zwei oder mehr der vorhergehenden Gruppen hydrolysiert sind, oder eine Mischung davon.
  • Ferner sind in dem Kondensat, wie es in der vorliegenden Erfindung bezeichnet wird, Silanol-Gruppen in den Hydrolysaten der Verbindungen (1) bis (3) kondensiert, so dass sie Si-O-Si Bindungen bilden. In der vorliegenden Erfindung ist es nicht wesentlich, dass alle Silanol Gruppen kondensiert sind. Die Kondensate schließen eines ein, in welchem nur ein Teil der Silanol Gruppen kondensiert ist, und eine Mischung von diesen mit einem unterschiedlichen Grad der Kondensation.
  • Das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat wird durch Hydrolyse und Kondensation von mindestens einer Silan-Verbindung, die aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus den Verbindungen (1) bis (3) besteht, in der Gegenwart einer spezifischen basischen Verbindung erhalten.
  • Verbindung (1):
  • In der vorhergehenden allgemeinen Formel (1) schließen Beispiele der einwertigen organischen Gruppe für R und R1 eine Alkyl-Gruppe, eine Aryl-Gruppe, eine Allyl-Gruppe und eine Glycidyl-Gruppe ein. In der allgemeinen Formel (1) ist R bevorzugt eine einwertige organische Gruppe und speziell eine Alkyl-Gruppe oder eine Phenyl-Gruppe.
  • Beispiele der Alkyl-Gruppe schließen eine Methyl Gruppe, eine Ethyl Gruppe, eine Propyl-Gruppe und eine Butyl-Gruppe ein. Die Alkyl-Gruppe weist bevorzugt 1 bis 5 Kohlenstoffatome auf und kann linear oder verzweigt sein. Ferner können die Wasserstoffatome mit einem Fluoratom substituiert sein.
  • In der allgemeinen Formel (1) schließen Beispiele der Aryl-Gruppe eine Phenyl-Gruppe, eine Naphthyl-Gruppe, eine Methylphenyl-Gruppe, eine Ethylphenyl-Gruppe, eine Chlorphenyl-Gruppe, eine Bromphenyl-Gruppe und eine Fluorphenyl-Gruppe ein.
  • Spezifische Beispiele der Verbindung, welche durch die allgemeinen Formel (1) dargestellt werden, schließen ein Trimethoxysilan, Triethoxysilan, Tri-n-propoxysilan, Triisopropoxysilan, Tri-n-butoxysilan, Tri-sec-butoxysilan, Tri-tert-butoxysilan, Triphenoxysilan, Fluortriisopropoxysilan, Fluortri-n-butoxysilan, Fluortri-sec-butoxysilan, Fluortri-tert-butoxysilan, Fluortriphenoxysilan; Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Methyltri-n-propoxysilan, Methyltriisopropoxysilan, Methyltri-n-butoxysilan, Methyltri-sec-butoxysilan, Methyltri-tert-butoxysilan, Methylthriphenoyxysilan, Ethyltrimethoxysilan, Ethyltriethoxysilan, Ethyltri-n-propoxysilan, Ethyltriisopropoxysilan, Ethyltri-n-butoxysilan, Ethyltri-sec-butoxysilan, Ethyltri-tert-butoxysilan, Ethyltriphenoxysilan, Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Vinyltri-n-propoxysilan, Vinyltriisopropoxysilan, Vinyltri-n-butoxysilan, Vinyltri-sec-butoxysilan, Vinyltri-tert-butoxysilan, Vinyltriphenoxysilan, n-Propyltrimethoxysilan, n-Propyltriethoxysilan, n-Propyltri-n-propoxysilan, n-Proplytriisopropoxysilan, n-Propyltri-n-butoxysilan, n-Propyltri-sec-butoxysilan, n-Propyltri-tert-butoxysilan, n-Propyltriphenoxysilan, Isopropyltrimethoxysilan, Isopropyltriethoxysilan, Isopropyltri-n-propoxysilan, Isopropyltriisopropoxysilan, Isopropyltri-n-butoxysilan, Isopropyltri-sec-butoxysilan, Isopropyltri-tert-butoxysilan, Isopropyltriphenoxysilane, n-Butyltrimethoxysilan, n-Butyltrietoxysilan, n-Butyltri-n-propoxysilan, n-Butyltriisopropoxysilan, n-Butyltri-n-butoxysilan, n-Butyltri-sec-butoxysilan, n-Butyltri-tert-butoxysilan, n-Butyltriphenoxysilan, sec-Butyltrimethoxysilan, sec-Butyltriethoxysilan, sec- Butyltri-n-propoxysilan, sec-Butyltriisopropoxysilan, sec-Butyltri-n-butoxysilan, sec-Butyltri-sec-butoxysilan, sec-Butyltri-tert-butoxysilan, sec-Butyltriphenoxysilan, t-Butyltrimethoxysilan, t-Butyltriethoxysilan, t-Butyltri-n-propoxysilan, t-Butyltriisopropoxysilan, t-Butyltri-n-butoxysilan, t-Butyltri-sec-butoxysilan, t-Butyltri-tert-butoxysilan, t-Butyltriphenoxysilan, Phenyltrimethoxysilan, Phenyltriethoxysilan, Phenyltri-n-propoxysilan, Phenyltriisopropoxysilan, Phenyltri-n-butoxysilan, Phenyltri-sec-butoxysilan, Phenyltri-tert-butoxysilan, Phenyltriphenoxysilan, Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, γ-Aminopropyltrimethoxysilan, γ-Aminopropyltriethoxysilan, γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, γ-Glycidoxypropyltriethoxysilan, γ-Trifluorpropyltrimethoxysilan, γ-Trifluorpropyltriethoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Dimethyldi-n-propoxysilan, Dimethyldiisopropoxylsilan, Dimethyldi-n-butoxysilan, Dimethyldi-sec-butoxysilan, Dimethyldi-tert-butoxysilan, Dimethyldiphenoxysilan, Diethyldimethoxysilan, Diethyldiethoxysilan, Diethydi-n-propoxysilan, Diethyldiisopropoxysilan, Diethyldi-n-butoxysilan, Diethyldi-sec-butoxysilan, Diethyldi-tert-butoxysilan, Diethlydiphenoxysilan, Di-n-propyldimethoxysilan, Di-n-propyldiethoxysilan, Di-n-propyldi-n-propoxysilan, Di-n-propyldiisopropoxysilan, Di-n-proplydi-n-butoxysilan, Di-n-propyldi-sec-butoxysilan, Di-n-propyldi-tert-butoxysilan, Di-n-propyldiphenoxysilan, Diisopropyldimethoxysilan, Diisopropyldiethoxysilan, Diisopropyldipropoxysilan, Diisopropyldiisopropoxysilan, Diisopropyldi-n-butoxysilan, Diisopropyldi-sec-butoxysilan, Diisopropyldi-tert-butoxysilan, Diisopropyldiphenoxysilan, Di-n-butyldimethoxysilan, Di- n-butyldiethoxysilan, Di-n-butyldi-n-propoxysilan, Di-n-butyldiisopropoxysilan, Di-n-butyldi-n-butoxysilan, Di-n-butyldi-sec-butoxysilan, Di-n-butyl-di-tert-butoxysilan, Di-n-butyldiphenoxysilan, Di-sec-butyldimethoxysilan, Di-sec-butyldiethoxysilan, Di-sec-butyldi-n-propoxysilan, Di-sec-butlydiisopropoxysilan, Di-sec-butyldi-n-butoxysilan, Di-sec-butyldi-sec-butoxysilan, Di-sec-butyldi-tert-butoxysilan, Di-sec-butyldiphenoxysilan, Di-tert-butyldimethoxysilan, Di-tert-butyldiethoxysilan, Di-tert-butyldi-n-propoxysilan, Di-tert-butyldiisopropoxysilan, Di-tert-butyldi-n-butoxysilan, Di-tert-butyldi-sec-butoxysilan, Di-tert-butyldi-tert-butoxysilan, Di-tert-butyldiphenoxysilan, Diphenyldimethoxysilan, Diphenyldiethoxysilan, Diphenyldiethoxysilan, Diphenyldi-n-propoxysilan, Diphenyldiisopropoxysilan, Diphenyldi-n-butoxysilan, Diphenyldi-dec-butoxysilan, Diphenyldi-tert-butoxysilan, Diphenyldiphenoxysilan und Divinyltrimethoxysilan.
  • Bevorzugte Beispiele der Verbindung (1) schließen ein Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Methyltri-n-Propoxysilan, Methyltriisopropoxysilan, Ethyltrimethylsilan, Ethyltriethoxysilan, Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Phenyltrimethoxysilan, Phenyltriethoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Diethyldimethoxysilan, Diethyldiethoxysilan, Diphenyldimethoxysilan und Diphenyldiethoxysilan.
  • Diese Verbindungen können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Verbindung (2):
  • In der vorhergehenden allgemeinen Formeln (2) kann die einwertige organische Gruppe, die durch R2 dargestellt wird, die gleiche organische Gruppe wie in der allgemeinen Formel (1) sein.
  • Spezifische Beispiele der Verbindung, welche durch die allgemeine Formel (2) dargestellt werden, schließen ein Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Tetra-n-propoxysilan, Tetraisopropoxysilan, Tetra-n-Butoxylsilan, Tetra-sec-Butoxysilan, Tetra-tert-butoxysilan und Tetraphenoxysilan.
  • Verbindung (3):
  • In der vorgehenden allgemeinen Formel (3), kann die einwertige organische Gruppe, welche durch R3 bis R6 dargestellt wird, die gleiche organische Gruppe wie in der allgemeinen Formel (1) sein.
  • Beispiele der Verbindung, welche durch die allgemeine Formel (3) dargestellt werden, worin R7 ein Sauerstoffatom darstellt, schließen ein Hexamethoxydisiloxan, Hexaethoxydisiloxan, Hexaphenoxydisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentamethoxy-3-methyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentaethoxy-3-methyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentaphenoxy-3-methyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentamethoxy-3-ethyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentaethoxy-3-ethyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentaphenoxy-3-ethyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentamethoxy-3-phenlydisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentaethoxy-3-phenyldisiloxan,
    1,1,1,3,3-Pentaphenoxy-3-phenyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetraphenoxy-1,3-dimethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tretramethoxy-1,3-diethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetraethoxy-1,3-diethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetraethoxy-1,3-diphenyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxan,
    1,1,3-Trimethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxan,
    1,1,3-Triethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxan,
    1,1,3-Triphenoxy-1,3,3-trimethyldisiloxan,
    1,1,3-Trimethoxy-1,3,3-triethyldisiloxan,
    1,1,3-Triethoxy-1,3,3-triethyldisiloxan,
    1,1,3-Triphenoxy-1,3,3-triethyldisiloxan,
    1,1,3-Trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxan,
    1,1,3-Triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxan,
    1,1,3-Triphenoxy-1,3,3-triphenyldisiloxan,
    1,3-Dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan,
    1,3-Diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan,
    1,3-Diphenoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan,
    1,3-Dimethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxan,
    1,3-Diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxan,
    1,3-Diphenoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxan,
    1,3-Dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxan,
    1,3-Diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxan und
    1,3-Diphenoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxan.
  • Von diesen sind bevorzugte Verbindungen Hexamethoxydisiloxan, Hexaethoxydisiloxan,
    1,1,3,3-Tetramethoxy-1,3-dimethyldisilioxan,
    1,1,3,3-Tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxan,
    1,1,3,3-Tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxan,
    1,3-Dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan,
    1,3-Diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxan,
    1,3-Dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxan und
    1,3-Diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxan.
  • Beispiele der Verbindung, die durch die allgemeine Formel (3) dargestellt wird, worin d 0 darstellt, schließen ein Hexamethoxydisilan, Hexaethoxydisilan, Hexaphenoxydisilan,
    1,1,1,2,2-Pentamethoxy-2-methyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentaethoxy-2-methyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentaphenoxy-2-methyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentaethoxy-2-ethyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentaphenoxy-2-ethyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentamethoxy-2-phenyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentaethoxy-2-phenyldisilan,
    1,1,1,2,2-Pentaphenoxy-2-phenyldisilan,
    1,1,2,2-Tetramethoxy-1,2-dimethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraethoxy-1,2-dimethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetramethoxy-1,2-diethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraethoxy-1,2-diethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraphenoxy-1,2-diethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetramethoxy-1,2-diphenyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraethoxy-1,2-diphenyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilan,
    1,1,2-Trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilan,
    1,1,2-Triethoxy-1,2,2-trimethyldisilan,
    1,1,2-Triphenoxy-1,2,2-trimethyldisilan,
    1,1,2-Trimethoxy-1,2,2-triethyldisilan,
    1,1,2-Triethoxy-1,2,2-triethyldisilan,
    1,1,2-Triphenoxy-1,2,2-triethyldisilan,
    1,1,2-Trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilan,
    1,1,2-Triethoxy-1,2,2-triphenyldisilan,
    1,1,2-Triphenoxy-1,2,2-thiphenyldisilan,
    1,2-Dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilan,
    1,2-Diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilan,
    1,2-Diphenoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilan,
    1,2-Dimethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilan,
    1,2-Diethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilan,
    1,2-Diphenoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilan,
    1,2-Dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilian,
    1,2-Diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilan und
    1,2-Diphenoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilan.
  • Von diesen sind bevorzugte Verbindungen Hexamethoxydisilan, Hexaethoxydisilan,
    1,1,2,2-Tetramethoxy-1,2-dimethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetraethoxy-1,2-dimethyldisilan,
    1,1,2,2-Tetramethoxy-1,2-diphenyldisilan,
    1,2-Dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilan,
    1,2-Diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilan,
    1,2-Dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilan und
    1,2-Diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilan.
  • Beispiele der Verbindungen, welche durch die allgemeinen Formel (3) dargestellt wird, worin R7 eine Gruppe -(CH2)n- darstellt, schließen ein Bis(trimethoxysilyl)methan, Bis(triethoxysilyl)methan,
    Bis(tri-n-propoxysilyl)methan,
    Bis(triisopropoxysilyl)methan,
    Bis(tri-n-butoxysilyl)methan,
    Bis(tri-sec-butoxysilyl)methan,
    Bis(tri-tert-butoxysilyl)methan,
    1,2-Bis(trimethoxysilyl)methan,
    1,2-Bis(triethoxysilyl)methan,
    1,2-Bis(tri-n-propoxysilyl)ethan,
    1,2-Bis(triisopropoxysilyl)ethan,
    1,2-Bis(tri-n-butoxysilyl)ethan,
    1,2-Bis(tri-sec-butoxysilyl)ethan,
    1,2-Bis(tri-tert-butoxysilyl)ethan,
    1-(Dimethoxymethylsilyl)-1-(trimethoxysilyl)methan,
    1-(Diethoxymethylsilyl)-1-(triethoxysilyl)methan,
    1-(Di-n-propoxymethylsilyl)-1-(tri-n-propoxysilyl)methan,
    1-(Diisopropoxymethylsilyl)-1-(triisopropoxysilyl)methan,
    1-(Di-n-Butoxymethylsilyl)-1-(tri-n-butoxysilyl)methan,
    1-(di-sec-Butoxymethylsilyl)-1-(tri-sec-Butoxysilyl)methan,
    1-(Di-tert-butoxymethylsilyl)-1-(tri-tert-butoxysilyl)methan,
    1-(Dimethoxymethylsilyl)-2-(trimethoxysilyl)ethan,
    1-(Diethoxymethylsilyl)-2-triethoxysilyl)ethan,
    1-(Di-n-Propoxymethylsilyl)-2-(tri-n-propoxysilyl)ethan,
    1-(Diisopropoxysilyl)-2-(triisopropoxysilyl)ethan,
    1-(Di-n-butoxymethylsilyl)-2-(tri-n-butoxysilyl)ethan,
    1-(di-sec-butoxymethylsilyl)-2-(tri-sec-butoxysilyl)ethan,
    1-(Di-tert-butoxymethly)-2-(tri-tert-butoxysilyl)ethan,
    Bis(dimethoxymethylsilyl)methan,
    Bis(diethoxymethylsilyl)methan,
    Bis(di-n-propopxymethylsilyl)methan,
    Bis(diisopropoxymethylsilyl)methan,
    Bis(di-n-butoxymethylsilyl)methan,
    Bis(di-sec-butoxymethylsilyl)methan,
    Bis(di-tert-butoxymethylsilyl)methan,
    1,2-Bis(dimethoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(di-n-propoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(diisopropoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(di-n-butoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(di-sec-butoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(di-tert-butoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(trimethoxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(triethoxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(tri-n-propoxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(triisoproxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(tri-n-butoxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(tri-sec-butoxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(tri-t-butoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(trimethoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(triethoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(tri-n-propoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(triisoproxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(tri-n-butoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(tri-sec-butoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(tri-tert-butoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(trimethoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(triethoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(tri-n-propoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(triisopropoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(tri-n-butoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(tri-sec-butoxysilyl)benzen und
    1,4-Bis(tri-tert-butoxysilyl)benzen.
  • Von diesen sind bevorzugte Verbindungen Bis(trimethoxysilyl)methan, Bis(triethoxysilyl)methan,
    1,2-Bis(trimethoxysilyl)ethan,
    1,2-Bis(triethoxysilyl)ethan,
    1-(Dimethoxymethylsilyl)-1-(trimethoxysilyl)methan,
    1-(Diethoxymethylsilyl)-1-triethoxysilyl)methan,
    1-(Dimethoxymethylsilyl)-2-trimethoxysilyl)ethan,
    1-(Diethoxymethylsilyl)-2-triethoxysilyl)ethan,
    Bis(dimethoxymethylsilyl)methan,
    Bis(diethoxymethylsilyl)methan,
    1,2-Bis(dimethoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(diethoxymethylsilyl)ethan,
    1,2-Bis(trimethoxysilyl)benzen,
    1,2-Bis(triethoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(trimethoxysilyl)benzen,
    1,3-Bis(triethoxysilyl)benzen,
    1,4-Bis(trimethoxysilyl)benzen und
    1,4-Bis(triethoxysilyl)benzen.
  • In der vorliegenden Erfindung können als Verbindungen (1) bis (3), welche das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat aufbauen, ein oder zwei oder mehr Arten der Verbindungen (1), (2) und (3) verwendet werden.
  • Bei der Hydrolyse und Kondensation von mindestens eine Silan-Verbindung, die aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus den Verbindungen (1) bis (3) besteht, welche das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat aufbauen, ist es bevorzugt, Wasser in einer Menge von 0,5 Mol bis 150 Mol, und insbesondere bevorzugt von 1 Mol bis 100 Mol pro Mol des Alkoxysilan-Hydrolysekondensats zu verwenden. Wenn die Menge des zuzugebenden Wassers weniger als 0,5 Mol ist, kann der sich ergebende Film in der Rissbeständigkeit unterlegen sein, wohingegen, wenn die Menge 150 Mol übersteigt, eine Abscheidung oder Gelierung des Polymers möglicher Weise während der Hydrolyse und der Kondensation eintreten können.
  • Bei der Herstellung des Alkoxysilan-Hydrolysekondensat gemäß der vorliegenden Erfindung werden ein alkalischer Katalysator, ein Säurekatalysator und eine metallische Chelat-Verbindung währende der Hydrolyse und Kondensation von mindestens eine Silan-Verbindung verwendet, die aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus den Verbindungen (1) bis (3) besteht.
  • Beispiele des alkalischen Katalysators schließen ein Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithumhydroxid, Pyridin, Pyrrol, Piperazin, Pyrrolidin, Piperidin, Picolin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Dimethylmonoethanolamin, Monomethyldiethanolamin, Triethanolamin, Diazabicyclooctan, Diazabicyclononan, Diazabicycloundecen, Tetramethylammonimhydroxid, Tetraethylammoniumhydroxid, Tetrapropylammoniumhydroxid, Tetrabutylammoniumhydroxid, Ammoniak, Methylamin, Ethylamin, Propylamin, Butylamin, Pentylamin, Hexylamin, Heptylamin, Octylamin, Nonylamin, Decylamin, N,N-Dimethylamin, N,N-Diethylamin, N,N-Dipropylamin, N,N-Dibutylamin, Trimethylamin, Triethylamin, Tripropylamin, Tributylamin, Cyclohexylamin, Trimethylimidin, 1-Amino-3-methylbutan, Dimethylglycin und 3-Amino-3-methylamin.
  • Von diesen sind Amine oder Aminsalze bevorzugt, organische Amine oder organische Aminsalze sind insbesondere bevorzugt und Alkylamine und Tetraalkylammoniumhydroxide sind am Besten.
  • Diese alkalischen Katalysatoren können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der metallischen Chelat-Verbindungen schließen ein Titanchelat-Verbindungen wie
    Trithoxy·mono(acetylacetonato)titan,
    Tri-n-propoxy·mono(acetylacetonato)titan,
    Triisopropoxy·mono(acetylacetonato)titan,
    Tri-n-butoxy·mono(acetylacetonato)titan,
    Tri-sec-butoxy·mono(acetylacetonato)titan,
    Tri-tert-butoxy·mono(acetylacetonato)titanium,
    Diethoxy·bis(acetylacetonato)titan,
    Di-n-propoxy·bis(acetylacetonato)titan,
    Diisopropoxy·bis(acetylacetonato)titan,
    Di-n-butoxy·bis(acetylacetonato)titan,
    Di-sec-butoxy·bis(acetylacetonato)titan,
    Di-tert-butoxy·bis(acetylacetonato)titan,
    Monoethoxy·tris(acetylacetonato)titan,
    Mono-n-propoxy·tris(acetylacetonato)titan,
    Monoisopropoxy·tris(acetylacetonato)titan,
    Mono-n-butoxy·tris(acetylacetonato)titan,
    Mono-sec-butoxy·tris(acetylacetonato)titan,
    Mono-tert-butoxy·tris(acetylacetonato)titan,
    Tetrakis(acetylacetonato)titan,
    Triethoxy·mono(ethylacetoacetate)titan,
    Tri-n-propoxy·mono(ethylacetoacetat)titan,
    Triisopropoxy·mono(ethylacetoacetat)titan,
    Tri-n-butoxy·mono(ethylacetoacetat)titan,
    Tri-sec-butoxy·mono(ethylacetoacetat)titan,
    Tri-tert-butoxy·mono(ethylacetoacetat)titan,
    Diethoxy·bis(ethylacetoacetat)titan,
    Di-n-propoxy·bis(ethylacetoacetat)titan,
    Diisopropoxy·bis(ethylacetoacetat)titan,
    Di-n-butoxy·bis(ethylacetoacetat)titan,
    Di-sec-butoxy·bis(ethylacetoacetat)titan,
    Di-tert-butoxy·bis(ethylacetoacetat)titan,
    Monoethoxy·tris(ethylacetoacetat)titan,
    Mono-n-propoxy·tris(ethylacetoacetat)titan,
    Monoisopropoxy·tris(ethylacetoacetat)titan,
    Mono-n-butoxy·tris(ethylacetoacetat)titan,
    Mono-sec-butoxy·tris(ethylacetoacetat)titan,
    Mono-tert-butoxy·tris(ethylacetoacetat)titan,
    Tetrakis(ethylacetoacetat)titan,
    Mono(acetylacetonato)tris(ethylacetoacetat)titan,
    Bis(acetyllacetonato)bis(ethylacetoacetat)titan und
    Tris(acetylacetonato)mono(ethylacetoacetat)titan;
    Zirconium-Chelat-Verbindungen wie
    Triethoxy·mono(acetylacetonato)zirconium,
    Tri-n-propoxy·mono(acetylacetonato)zirconium,
    Triisopropoxy·mono(acetylacetonato)zirconium,
    Tri-n-butoxy·mono(acetylacetonato)zirconium,
    Tri-sec-butoxy·mono(acetylacetonato)zirconium,
    Tri-tert-butoxy·mono(acetylacetonato)zirconium,
    Diethoxy·bis(acetylacetonato)zirconium,
    Di-n-propoxy·bis(acetylacetonato)zirconium,
    Diisopropoxy·bis(acetylacetonato)zirconium,
    Di-n-butoxy·bis(acetylacetonato)zirconium,
    Di-sec-butoxy·bis(acetylacetonato)zirconium,
    Di-tert-butoxy·bis(acetylacetonato)zirconium,
    Monoethoxy·tris(acetylacetonato)zirconium,
    Mono-n-propoxy·tris(acetylacetonato)zirconium,
    Monoisopropoxy·tris(acetylacetonato)zirconuim,
    Mono-n-butoxy·tris(acetylacetonato)zirconium,
    Mono-sec-butoxy·tris(acetylacetonato)zirconium,
    Mono-tert-butoxy·tris(acetylacetonato)zirconium,
    Tetrakis(acetylacetonato)zirconium,
    Triethoxy·mono(ethylacetoacetat)zirconium,
    Tri-n-propoxy·mono(ethylacetoacetat)zirconium,
    Triisopropoxy·mono(ethylacetoacetat)zirconium,
    Tri-n-butoxy·mono(ethylacetoacetat)zirconium,
    Tri-sec-butoxy·mono(ethylacetoacetat)zirconium,
    Tri-tert-butoxy·mono(ethylacetoacetat)zirconium,
    Diethoxy·bis(ethylacetoacetat)zirconium,
    Di-n-propoxy·bis(ethylacetoacetat)-zirconium,
    Diisopropoxy·bis(ethylacetoacetat)zirconium,
    Di-n-butoxy·bis(ethylacetoacetat)zirconium,
    Di-sec-butoxy·bis(ethylacetoacetat)zirconium,
    Di-tert-butoxy·bis(ethylacetoacetat)zirconium,
    Monoethoxy·tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Mono-n-propoxy·tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Monoisopropoxy·tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Mono-n-butoxy·tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Mono-sec-butoxy·tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Mono-tert-butoxy·tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Tetrakis(ethylacetoacetate)zirconium,
    Mono(acetylacetonato)tris(ethylacetoacetat)zirconium,
    Bis(acetylacetonato)bis(ethylacetoacetat)zirconium und
    Tris(acetylacetonato)mono(ethylacetoacetat)zirconium; und
    Aluminium-Chelat-Verbindungen wie
    Tris(acetylacetonato)aluminium und
    Tris(ethylacetoacetat)aluminium. Von diesen sind Titan- oder Aluminium-Chelat-Verbindungen besonders bevorzugt, und insbesondere bevorzugt sind Titan-Chelat-Verbindungen.
  • Diese metallischen Chelat-Verbindungen können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele des Säurekatalysators schließen ein anorganische Säuren wie Salzsäure, Salpetersäure, Schwefelsäure, Flusssäure, Phosphorsäure, Borsäure und Bromwasserstoffsäure; und organische Säuren wie Essigsäure, Propionsäure, Butansäure, Pentansäure, Hexansäure, Heptansäure, Octansäure, Nonansäure, Dekansäure, Oxalsäure, Maleinsäure, Methylmalonsäure, Adipinsäure, Sebacinsäure, Gallussäure, Butylsäure, Mellitsäure, Arachinsäure, Shikimisäure, 2-Ethylhexansäure, Ölsäure, Stearinsäure, Linolsäure, Linolensäure, Salicylsäure, Benzoesäure, p-Aminobenzoesäure, p-Toluensulfonsäure, Benzensulfonsäure, Monochloressigsäure, Dichloressigsäure, Trichloressigsäure, Trifluoressigsäure, Ameisensäure, Malonsäure, Sulfonsäure, Phthalsäure, Fumarsäure, Zitronensäure, Weinsäure, Bernsteinsäure, Fumarsäure, Itaconsäure, Mesaconsäure, Citraconsäure, Apfelsäure, ein Hydrolysat der Glutarsäure, ein Hydorlysat des Maleinsäureanhydrids und ein Hydrolysat des Phthalsäureanhydrids. Von diesen sind organische Carbonylsäuren bevorzugt.
  • Diese Säurekatalysatoren können einzeln oder in einer Art Vermischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Eine Menge des zu verwendeten Katalysators liegt gewöhnlicher Weise von 0,00001 Mol bis 10 Mol und bevorzugt von 0,00005 Mol bis 5 Mol, pro Mol der Summe der Gruppen, welche durch die Gruppen R1O, R2O, R4O und R5O dargestellt werden, die in den Verbindungen (1) bis (3) enthalten sind. Wenn die Menge des zu verwendenden Katalysators in den zuvor beschriebenen Bereich fällt, gibt es ein geringes Auftreten von Abscheidung oder Gelierung des Polymers während der Reaktion. Ferner ist in der vorliegenden Erfindung eine Temperatur, bei welcher die Verbindungen (1) bis (3) hydrolysiert werden, gewöhnlicher Weise 0°C bis 100°C, und bevorzugt 15°C bis 80°C.
  • Wenn die Verbindungen (1) bis (3) in den Bezug auf das vollständige Hydrolysekondensat konvertiert werden, liegt die Menge der Verbindung (2) zwischen 5 Gewichtsprozent und 75 Gewichtsprozent, bevorzugt zwischen 10 Gewichtsprozent und 70 Gewichtsprozent und insbesondere bevorzugt zwischen 15 Gewichtsprozent und 17 Gewichtsprozent, beruhend auf dem Gewicht der Summe der Verbindungen (1) bis (3). Ferner liegt die Menge der Verbindung (1) und/oder der Verbindung (3) zwischen 95 Gewichtsprozent und 25 Gewichtsprozent, bevorzugt zwischen 90 Gewichtsprozent und 30 Gewichtprozent und insbesondere bevorzugt zwischen 85 Gewichtsprozent und 30 Gewichtsprozent, beruhend auf den Gewicht der Summe der Verbindungen (1) bis (3). Wenn die Menge der Verbindung (2) zwischen 5 Gewichtsprozent und 75 Gewichtsprozent beruhend auf den Gewicht der Summe der Verbindungen (1) bis (3) liegt, weist der sich ergebende Film einen hohen Elastizitäts-Modul auf und ist insbesondere in den niedrigen dielektrischen Eigenschaften überlegen.
  • Das vollständige Hydrolysekondensat, wie es hierin bezeichnet wird, bedeutet, dass die Gruppen R1O, R2O, R4O und R5O in den Verbindungen (1) bis (3) vollständig (das heißt, zu 100%) hydrolysiert und in eine SiOH-Gruppe konvertiert sind, gefolgt von einer vollständigen Kondensation, so dass eine Siloxan-Struktur gebildet wird.
  • Zusätzlich ist das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat bevorzugt ein Hydrolysekondensat der Verbindung (1) und der Verbindung (2). Dies hat den Grund, dass die sich ergebende Zusammensetzung einer überlegene Lagerstabilität aufweist.
  • In der vorliegenden Erfindung kann ein gestapelter Film durch ein Verfahren gebildet werden, welches umfasst, Bilden (B) eines Films, welcher ein Alkoxysilan-Hydrolysekondensat mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von weniger als 10 nm (dieser Film wird als „Beschichtungsfilm B" bezeichnet) auf einem Substrat umfasst, und dann Bilden (A) eines Films, welcher ein Alkoxysilan-Hydrolysekondensat mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm (dieser Film wird als „Beschichtungsfilm A" bezeichnet) umfasst, gefolgt durch Erhitzen (Verfahren 1); oder ein Verfahren, welche umfasst Bilden (B) eines Films mit einer dielektrischen Konstante, die 2,5 übersteigt, welcher durch Erhitzen und Härten eines Alkoxysilan-Hydrolysekondensats hergestellt wird (dieser Film wird als „gehärteter Film B" bezeichnet), auf einem Substrat, und dann Bilden (A) eines Films mit einer dielektrischen Konstante von 2,5 oder weniger, welcher durch Erhitzen und Härten des Alkoxysilan-Hydrolysekondensats hergestellt wird (dieser Film wird als „gehärteter Film A") (Verfahren 2).
  • In der vorliegenden Erfindung wird eine Filmbildungs-Zusammensetzung mit einem gesamten Feststoffgehalt von 1 Gewichtsprozent bis 30 Gewichtsprozent, welche gewöhnlicher Weise durch Lösen oder Dispergieren des Alkoxysilan-Hydrolysekondensats in einem organischen Lösungsmittel und optionalem Zugeben anderer Additive hergestellt wurde, zunächst auf ein Substrat aufgetragen und dann getrocknet, um den Beschichtungsfilm (B) zu bilden. Als nächstes wird der Beschichtungsfilm A in der gleichen Art und Weise gebildet.
  • Als organisches Lösungsmittel kann mindestens eine Verbindung, die aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus alkoholischen Lösungsmitteln, auf Keton beruhenden Lösungsmitteln, auf Amid beruhenden Lösungsmitteln, auf Ester beruhenden Lösungsmitteln und aprotischen Lösungsmitteln besteht, verwendet werden.
  • Beispiele der alkoholischen Lösungsmittel schließen einwertige Alkohole wie Methanol, Ethanol, n-Propanol, Isopropanol, n-Butanol, Isobutanol, sec-Butanol, tert-Butanol, n-Pentanol, Isopentanol, 2-Methylbutanol, sec-Pentanol, tert-Pentanol, 3-Methoxybutanol, n-Hexanol, 2-Methylpentanol, sec-Hexynol, 2-Ethylbutanol, sec-Heptanol, Heptanol-3, n-Octanol, 2-Ethylhexanol, sec-Octanol, n-Nonly Alkohol, 2,6-Dimethylheptanol-4, n-Decanol, sec-Undecylalkohol, Trimethylnonylalkohol, sec-Tetradecylalkohol, sec-Heptaldecylalkohol, Phenol, Cyclohexanol, Methylcyclohexanol, 3,3,5-Trimethylcyclohexanol, Benzylalkohol und Diacetonalkohol; mehrwertige Alkohole wie Ethylenglycol, 1,2-Propylenglycol, 1,3-Butylenglycol, Pentandiol-2,4, 2-Methylpentandiol-2,4, Hexandiol-2,5, Heptandiol-2,4, 2-Ethylhexandiol-1,3, Diethylenglycol, Dipropylenglycol, Triethylglycol und Tripropylenglycol; und teilweise auf Ether beruhende Lösungsmittel von mehrwertigen Alkoholen wie Ethylenglycolmonomethylether,
    Ethylenglycolmonoethylether,
    Ethylenglycolmonopropylether,
    Ethylenglycolmonobutylether, Ethylenglycolmonohexylether,
    Ethylenglycolmonophenylether,
    Ethylenglycolmono-2-ethylbutylether,
    Diethylenglycolmonomethylether,
    Diethylenglycolmonoethylether,
    Diethylenglycolmonopropylether,
    Dietylenglycolmonobutylether,
    Diethylenglycolmonohexylether,
    Propylenglycolmonomethylether,
    Propylenglycolmonoethylether,
    Propylenglycolmonopropylether,
    Propylenglycolmonobutylether,
    Dipropylenglycolmonomethylether,
    Dipropylenglycolmonoethylether und
    Dipropylenglycolmonopropylether.
  • Diese alkoholischen Lösungsmittel können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der auf Keton beruhenden Lösungsmitteln schließen ein Aceton, Methylethylketon, Methyl-n-propylketon, Methyl-n-butylketon, Diethylketon, Methylisobutylketon, Methyl-n-Pentylketon, Ethyl-n-butylkenton, Methyl-n-Hexylketon, Diisobutylketon, Trimethylnonanon, Cyclohexanon, 2-Hexanon, Methylcyclohexanon, 2,4-Pentandion, Acetonylaceton, Acetophenon und Fenchon, und schließen ferner ein β-Diketone wie Acetylaceton, 2,4-Hexandion, 2,4-Heptandion, 3,5-Heptandion, 2,4-Octandion, 3,5-Octandion, 2,4-Nonanedion, 3,5-Nonanedion, 5-Methyl-2,4-hexandion, 2,2,6,6-Tetramethyl-3,5-Heptandion und 1,1,1,5,5,5-Hexafluor-2,4-heptandion.
  • Diese auf Keton beruhenden Lösungsmittel können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der auf Amid beruhenden Lösungsmittel schließen ein Formamid, N-Methylformanid, N,N-Dimethylformamid, N-Ethylformamid, N,N-Diethylformamid, Acetamid, N-Methylacetamid, N,N-Dimethylacetamid, N-Ethylacetamid, N-Ethylacetamid, N,N-Dietylacetamid, N-Methylpropionamid, N-Methylpyrrolidon, N-Formylmorpholin, N-Formylpiperidin, N-Formylpyrrolidin, N-Acetylmorpholin, N-Acetylpiperidin und N-Acetylpyrrolidin.
  • Diese auf Amid beruhenden Lösungsmittel können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der auf Ester beruhenden Lösungsmittel schließen ein Diethylcarbonat, Ethylencarbonat, Propylencarbonat, Dietylcarbonat, Methylacetat, Ethylacetat, γ-Butyrolacton, γ-Valerolacton, n-Propylacetat, Isopropylacetat, n-Butylacetat, Isobutylacetat, sec-Butylacetat, n-Pentylacetat, sec-Pentylacetat, 3-Methoxybutylacetat, Methylpentylacetat, 2-Ethylbutylacetat, 2-Ethylhexylacetat, Benzylacetat, Cyclohexylacetat, Methylcyclohexylacetat, n-Nonylacetat, Methylacetoacetat, Ethylacetoacetat, Essigsäureethylenglycolmonomethylether, Essigsäureethylenglycolmonoethylether, Essigsäuredieethylenglycolmonomethylether, Essigsäurediethylenglycolmonoethylether, Essigsäurediethylenglycolmono-n-butylether, Essigsäurepropylenglycolmonomethylether, Essigsäurepropylenglycolmonoethylether, Essigsäurepropylenglycolmonoproplyether, Essigsäurepropylenglycolmonobutylether, Essigsäuredipropylenglycolmonomethylether, Essigsäuredipropylenglycolmonoethylether, Diessigsäureglycol, Methoxyessigsäuretriglycol, Ethylpropionat, n-Butylpropionat, Isoamylpropionat, Diethyloxalat, Di-n-butyloxalat, Methyllactat, Ethyllactat, n-Butyllactat, n-Amyllactat, Diethylmalonat, Dimethylphthalat und Diethylphthalat.
  • Diese auf Ester beruhenden Lösungsmittel können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der aprotischen Lösungsmittel schließen ein Acetonitril, Dimethylsulfoxid, N,N,N',N'-Tetraethylsulfamid, Hexamethylphosphorsäureriamid, N-Methylmorpholon, N-Methylpyrrol, N-Ethylpyrrol, N-Methyl-Δ3-pyrrolin, N-Methylpiperidin, N-Ethylpiperidin, N,N-Dimethylpiperazin, N-Methylimidazol, N-Methyl-4-piperidon, N-Methyl-2-piperidon, N-Methyl-2-Pyrrolidon, 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon und 1,3-Dimethyltetrahydro-2(1H)-Pyrimidinon.
  • Von diesen organischen Lösungsmitteln sind organische Lösungsmittel, die durch die folgende allgemeine Formel (4) dargestellt werden, insbesondere bevorzugt verwendet: R8O(CHCH3CH2O)eR9 (4)wobei R8 und R9 unabhängig ein Wasserstoffatom oder eine einwertige organische Gruppe darstellen, die aus einer Alkyl-Gruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen und CH3CO- ausgewählt wurde; und e eine ganze Zahl 1 oder 2 darstellt.
  • Diese organischen Lösungsmittel können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Für die Filmbildungs-Zusammensetzung, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann das gleiche Lösungsmittel während der Hydrolyse und/oder der Kondensation dieser Verbindungen (1) bis (3) verwendet werden, die das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat aufbauen.
  • Speziell wird Wasser oder mit Lösungsmittel verdünntes Wasser in unterbrochener Art und Weise oder kontinuierlich zu dem Lösungsmittel zugegeben, in welchem die Verbindungen (1) bis (3) gelöst sind. Während dieser Zeit kann die spezifische basische Verbindung vorher in dem Lösungsmittel zugegeben werden, oder sie kann während der Hydrolyse in Wasser gelöst oder dispergiert werden. Eine Reaktionstemperatur ist gewöhnlicher Weise 0°C bis 100°C, und bevorzugt 15°C bis 90°C.
  • Andere Additive:
  • Die Filmbildungs-Zusammensetzung die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann ferner Verbindungen wie kolloidales Siliciumoxid, organische Polymere, oberflächenaktive Mittel, Silankopplungsmittel und Radikalstarter enthalten.
  • Das kolloidale Siliciumoxid, wie es hierin bezeichnet wird, bedeutet eine Dispersion von zum Beispiel hochreinem Kieselsäureanhydrid, das in dem zuvor beschriebenden hydrophilen organischen Lösungsmittel dispergiert ist, welches gewöhnlicher Weise eine mittlere Teilchengröße von 5 nm bis 30 nm, und bevorzugt von 10 nm bis 20 nm aufweist, und einen Feststoffgehalt von etwa 10 Gewichtsprozent bis 40 Gewichtsprozent hat. Beispiele des kolliodalen Siliciumoxids schließen Methanol-Siliciumoxidsol und Isopropanol-Siliciumoxidsol, welche beide von Nissan Chemical Industries, Ltd., erhältlich sind, sowie Oscar, erhältlich von Catalysts & Chemicals Ind. Co., Ltd., ein.
  • Beispiele der organischen Polymere schließen Verbindungen mit einem Oligosaccharid, auf Vinylamid beruhende Polymere, (Meth)acrylsäurepolymere, aromatische Vinylverbindungen, Dendrimer, Polyamide, Polyamidsäure, Polyarylene, Polyamide, Polychinoxaline, Polyoxadiazole, Fluorkohlenstoffpolymere und Verbindungen mit einer Polyalkylenoxid-Struktur ein.
  • Beispiele der Verbindungen mit einer Polyalkylenoxid-Struktur sind jene mit einer Polymethylenoxid-Struktur, einer Polyethylenoxid-Struktur, einer Polypropylenoxid-Sstruktur, einer Polytetramethylenoxid-Struktur oder einer Polybutylenoxid-Struktur.
  • Spezifische Beispiele schließen Etherverbindungen wie Polyoxymethylenalkylether, Polyoxyethylenalkylether, Polyoxyethylenalkylphenylether, Polyoxyethylensterolether, Polyoxyethylenlanolinderivate, Ethylenoxidderivate von einem Alkylphenol-Formaldehyd-Kondensat, Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopylmere und Polyoxyethylen-Polyoxypropylenalkylether; Ether-Ester-Verbindungen wie Polyoxyethylenglycerin-Fettsäureester, Polyoxyethylensorbitan-Fettsäureester, Polyoxyethylensorbitol-Fettsäureester und Polyoxyethylen-Fettsäurealkanolamidsulfate; und Ether-Ester-Verbindungen wie Polyethylenglycol-Fettsäureester, Ethylenglycol-Fettsäureester, Fettsäuremonoglyceride, Polyglycerin-Fettsäureester, Sorbita-Ffettsäureester, Propylenglycol-Fettsäureester und Saccharose-Fettsäureester ein.
  • Beispiele der Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere schließen Verbindungen mit den folgenden Blockstrukturen ein: -(X)j-(Y)k- -(X)j-(Y)k-(X)l- wobei X eine Gruppe darstellt, die durch -CH2CH2O- dargestellt wird; Y eine Gruppe darstellt, die durch -CH2CH(CH3)O- dargestellt wird; j eine Zahl von 1 bis 90 darstellt; k eine Zahl von 10 bis 99 darstellt; und l eine Zahl von 0 bis 90 darstellt.
  • Von diesen sind bevorzugte Ether-Verbindungen Polyoxyethylenalkylether, Polyoxyethylen-Polyoxypropylen-Blockcopolymere, Polyoxyethylen-Polyoxypropylenalkylether, Polyoxyethylenglycerin-Fettsäureester, Polyoxyethylensorbitan-Fettsäureester und Polyoxyethylensorbitol-Fettsäureester.
  • Diese Verbindungen können alleine oder als Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele des oberflächenaktiven Mittels schließen nicht ionische oberflächenaktive Mittel, anionische oberflächenaktiven Mittel, kationische Oberflächenaktive Mittel und amphotere oberflächenaktive Mittel ein. Ferner können auf Fluorkohlenstoff beruhende oberflächenaktive Mittel, auf Silicon beruhende oberflächenaktive Mittel, auf Polyalkylenoxid beruhende oberflächenaktiven Mittel und auf Poly(meth)acrylat beruhende oberflächenaktive Mittel exemplarisch dargestellt werden. Von diesen sind die auf Fluorkohlenstoff beruhenden oberflächenaktiven Mittel und die auf Silicon beruhenden oberflächenaktiven Mittel bevorzugt.
  • Beispiele der auf Fluorkohlenstoff beruhende oberflächenaktiven Mittel, die verwendet werden können, schließen auf Fluorkohlenstoff beruhende oberflächenaktive Mittel ein, welche eine Verbindung mit einer Fluoralkyl-Gruppe oder einer Fluoralkylen-Gruppe in mindestens einer Stelle der Enden, der Hauptketten und der Seitenketten aufweisen, wie 1,1,2,2-Tetrafluoroctyl(1,1,2,2-tretafluorpropyl)ether, 1,1,2,2-Tetrafluoroctylhexylether, Octaethylenglycoldi(1,1,2,2-tetrafluorbutyl)ether, Hexaethylenglycol(1,1,2,2,3,3-hexafluorpentyl)ether, Octapropylenglycoldi(1,1,2,2-tetrafluorbutyl)ether, Hexaproplylenglycoldi(1,1,2,2,3,3-hexafluorpentyl)ether, Natriumperfluordodecylsulfonat, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-Decafluordodecan, 1,1,2,2,3,3-Hexafluordecan, N-[3-(Perfluoroctansulfonamido)propyl]-N,N'-dimethyl-N-carboxymethylenammoniumbetain, Perfluoralkylsulfonamidopropyltrimetylammonuimsalze, Perfluoralkyl-N-ethylsulfonylglycinsalze, Bis(N-perfluoroctylsulfonyl-N-ethylaminoethyl)phosphat und Monoperfluoralkylethylphosphate.
  • Beispiele von kommerziell erhältlichen auf Fluorkohlenstoff beruhenden oberflächenaktiven Mitteln schließen ein Megafac F142D, Megafac F172, Megafac F173 und Megafac F183 (von welchen alle von Dainippon Ink and Chemicals Incorporated erhältlich sind); Eftop EF301, Eftop EF 303 und Eftop EF 352 (welche alle von Shin Aktia Kasei K.K. erhältlich sind); Fluorad FC-430 und Fluorad FC-431 (welche alle von Sumitomo 3M Limited erhältlich sind); Asahi Guard AG710, Surflon S-382, Surflon SC-101, Surflon SC-102, Surflon SC-103, Surflon SC-104, Surflon SC-105 und Surflon SC-106 (welche alle von Ashi Glass Company erhältlich sind); BM-1000 und BM-1100 (welche alle von Yusho K.K. erhältlich sind); und NBX-15 (erhältlich von Neos K.K.). Von diesen sind Megafac F172, BM-1000, BM1100 und NBX-15 besonders bevorzugt.
  • Beispiele der auf Silicon beruhenden oberflächenaktiven Mitteln, die verwendet werden können, schließen SH7PA, SH21PA, SH30PA und ST94PA (welche alle von Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., erhältlich sind) ein. Von diesen sind SG28PA und SH30PA besonders bevorzugt.
  • Die Menge des zu verwendeten oberflächenaktiven Mittels ist gewöhnlicher Weise 0,0001 Gewichtsteil bis 1 Gewichtsteil pro 100 Gewichtsteile des Alkoxysilan-Hydrolysekondensats (vollständiges Hydrolysekondensat).
  • Diese oberflächenaktiven Mittel können alleine oder als Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der Silankopplungsmittel schließen ein
    3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan,
    3-Aminoglycidoxyproplytriethoxysilan,
    3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan,
    3-Glycidoxypropylmethyldimethoxysilan,
    1-Methacryloxypropylmethyldimethoxysilan,
    3-Aminopropyltrimethoxysilan,
    3-Aminopropyltriethoxysilan,
    2-Aminopropyltrimethoxysilan,
    2-Aminopropyltriethoxysilan,
    N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilan,
    N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilan,
    3-Ureidopropyltrimethoxysilan,
    3-Ureidopropyltriethoxysilan,
    N-Ethoxycarbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilan,
    N-Ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilan,
    N-Triethoxysilylpropyltriethylentriamin,
    N-Triethoxysilylpropyltriethylentriamin,
    10-Trimethoxysilyl-1,4,7-triazadecan,
    10-Triethoxysilyl-1,4,7-triazadecan,
    9-Trimethoxysilyl-3,6-diazanonylacetat,
    9-Triethoxysilyl-3,6-Diazanonylacetat,
    N-Benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilan,
    N-Benzyl-3-aminopropyltriethoxysilan,
    N-Phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilan,
    N-Phenyl-3-aminopropyltriethoxysilan,
    N-Bis(oxyethylen)-3-aminopropyltrimethoxysilan und
    N-Bis(oxyethylen)-3-aminopropyltriethoxysilan.
  • Diese Silankopplungsmittel können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • Beispiele der Radikalinitiatoren schließen ein Isobutyrylperoxid, α,α'-Bis(neodecanoylperoxy)diiospropylbenzen, Cumylperoxyneodecanoat, Di-n-propylperoxydicarbonat, Diisopropylperoxydicarbonat, 1,1,3,3-Tetramethylbutylperoxyneodecanoat, Bis(4-tert-butylcyclohexyl)peroxydicarbonat, 1-Cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoat, Di-2-ethoxyethylperoxydicarbonat, Di(2-ehtylhexylperoxy)dicarbonat, tert-Hexylperoxyneodicarbonat, Dimethoxybutylperoxydicarbonat, Di(3-methyl-3-methoxybutylperoxy)dicarbonat, tert-Butylperoxyneodecanoat, 2,4-Dichlorbenzoylperoxid, tert-Hexylperoxypivalat, tert-Butylperoxypivalat, 3,5,5-Trimethylhexanoylperoxid, Octanoylperoxid, Lauroylperoxid, Stearoylperoxid, 1,1,3,3-Tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoat, Bernsteinsäureperoxid, 2,5-Dimethyl-2,5-di(2-ethylhexanoylperoxy)hexan, 1-Cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoat, tert-Hexylperoxy-2-ethylhexanoat, tert-Butylperoxy-2-ethylhexanoat, m-Toluoylandbenzoylperoxid, Benzoylperoxid, tert-Butylperoxyisobutyrat, Di-tert-butylperoxy-2-methylcyclohexan, 1,1-Bis(tert-hexylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexan, 1,1-Bis(tert-hexylperoxy)cyclohexan, 1,1-Bis(tert-butylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexan, 1,1-Bis(tert-butylperoxy)cyclohexan, 2,2-Bis(4,4-di-tert-butylperoxycyclohexyl)propan, 1,1-Bis(tert-butylperoxy)cyclodecan, tert-Hexylperoxyisopropylmonocarbonat, tert-Butylperoxymaleinsäure, tert-Butylperoxy-3,3,5-trimetethylhexanoat, tert-Butylperoxylaurat, 2,5-DiMetyl-2,5-di(m-toluoylperoxy)hexan, tert-Butylperoxyisopropylmonocarbonat, tert-Butylperoxy-2-ethylhexylmonocarbonat, tert-Hexylperoxybenzoat, 2,5-Dimethyl-2,5-di(benzoylperoxy)hexan, tert-Butylperoxyacetat, 2,2-Bis(tert-Butylperoxy)butan, tert-Butylperoxybenzoat, n-Butyl-4,4-bis(tert-butylperoxy)valerat, di-tert-Butylperoxyisophthalat, α,α'-Bis(tert-butylperoxy)diisopropylbenzen, Dicumylperoxid, 2,5-Dimethyl-2,5-di(tert-butlyperoxy)hexan, tert-Butylcumylperoxid, di-tert-Butylperoxid, p-Menthanhydroperoxid, 2,5-Dimethyl-2,5-di(tert-butylperoxy)hexan-3, Diisopropylbenzenhydroperoxid, tert-Butyltrimethylsilylperoxid, 1,1,3,3-Tetramethylbutylhydroperoxid, Cumenhydroperoxid, tert-Hexylhydroperoxid, tert-Butylhydroperoxid und 2,3-Dimethyl-2,3-diphenylbutan.
  • Die Menge des zu verbindenden Radikalstarters ist bevorzugt 0,1 Gewichtsteil bis 10 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile des Polymers.
  • Diese Radikalstarter können alleine oder als eine Mischung von zwei oder mehreren von diesen verwendet werden.
  • In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass der Katalysator, der für die Synthese des Alkoxysilan-Hydrolysekondensats verwendet wird, mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm in dem Verfahren 1 oder des Alkoxysilan-Hydrolysekondensats zum Erhalten des Films mit einer dielektrische Konstante mit 2,5 oder weniger in dem Verfahren 2 ein Alkalischer Katalysator ist.
  • Während des Laminierens der Filme ist es bevorzugt, dass der Film, der in Kontakt mit einem CVD-Film zu bringen ist, der Beschichtungsfilm B in dem Verfahren 1 und der gehärtete Film B in dem Verfahren 2 ist, jeweils vom Standpunkt der Haftung zwischen dem CVD-Film und dem Film aus betrachtet.
  • Ferner ist es bevorzugt, dass der Beschichtungsfilm B eine Filmdicke von 1/2 bis 1120 von der des Beschichtungsfilm A in dem Verfahren 1 aufweist. Es ist weiterhin bevorzugt, dass der gehärtete Film B eine Filmdicke von 1/2 bis 1/20 von der des gehärteten Films A in dem Verfahren 2 aufweist.
  • In dem Verfahren 1 wird, wenn die Filmdicke des Beschichtungsfilm B 1/2 von der des Beschichtungsfilm A übersteigt, eine effektive dielektrische Konstante eines isolierenden Films groß, wohingegen, wenn sie weniger als 1/20 ist, eine verbessernde Wirkung des Haftung zu dem CVD-Film klein wird.
  • In der vorliegenden Erfindung ist der CVD-Film ein Film, der Si und ferner mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus O, C, N und H besteht. Beispiele eines solchen Films sind Filme, die unter Verwendung einer Verbindung hergestellt wurden, die ausgewählt wurde aus Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Dimethyldiethoxysilan, Silan, Tetramethylsilan, Trimethylsilan, Dimethylsilan, Methylsilan, Ethylsilan, Phenylsilan, Diphenylsilan, Disilanmethan, Bis(methylsilan)methan, 1,2-Disilanoethan, 1,2-Bis(methylsilan)ethan, 2,2-Disilanopropan, 1,3,5-Trisilan-2,4,6-trimethylen, 1,3-Dimetyldisiloxan, 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan, Trimethylsiloxan, 1,3-Bis(silanmethyl)disiloxan, Bis(1-methyldisiloxanyl)methan, 2,2-Bis(1-methyldisiloxanyl)propan, 2,4,6,8-Tetramethylcyclotetrasiloxan, Octamethylcyclotetrasiloxan, 2,4,6-Trisilantetrahydropyran, 2,5-Disilantetrahydrofuran und Derivate davon, und Unterziehen der Verbindung unter eine Plasmapolymerisation in der Gegenwart von zum Beispiel Sauerstoff, Kohlenmonoxid, Kohlendioxid, Stickstoff, Argon, Ammoniak oder N2O.
  • Beim Auftragen der Filmbildungs-Zusammensetzung auf ein Substrat wird eine Beschichtungseinrichtung wie ein Schleuderbeschichter, ein Tauchbeschichter, ein Walzenbeschichter oder Sprühbeschichter angewendet.
  • Der Film kann in einer Filmdicke (auf einer trockenen Grundlage) von etwa 0,002 μm bis 2,5 μm in einem einzelnen Beschichtung, und von etwa 0,04 μm bis 5,0 μm in einer doppelten Beschichtung gebildet werden. Danach wird der Film bei einer Umgebungstemperatur getrocknet oder gewöhnlicher Weise unter Erhitzen auf eine Temperatur von etwa 80°C bis 600°C für etwa 5 Minuten bis 240 Minuten getrocknet. Auf diese Weise kann ein glasiger oder makromolekularer isolierender Film gebildet werden.
  • Beispiele der Heizeinrichtung, die verwendet werden kann, schließen eine Heizplatte, einen Ofen und einen Hochtemperaturofen ein. Das Erhitzen kann in einer atmosphärischen Umgebung, einer Stickstoffatmosphäre oder Argonatmosphäre, in Vakuum oder unter einem verringerten Druck ausgeführt werden, bei welchen die Sauerstoffkonzentration gesteuert wird.
  • Ferner kann der Film durch Bestrahlung mit Elektronenstrahlen oder ultravioletten Lichtstrahlen gebildet werden.
  • Um die Härtungsrate des Films zu regulieren, wird, wenn gewünscht, der Film schrittweise erhitzt, oder eine Atmosphäre von Stickstoff, Luft oder Sauerstoff oder eine Atmosphäre unter verringertem Druck kann verwendet werden.
  • Der auf diese Weise erhaltenen dielektrische Filme ist in der Haftung auf einem CVD-Film überlegen. Demzufolge ist er für Anwendungen wie dielektrische Film für Halbleitervorrichtungen einschließlich LSI, System LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM und D-RDRAM, für das Ätzen von Stopperfilmen, Schutzfilmen wie Oberflächenbeschichtungsfilmen von Halbleitervorrichtungen, Zwischenschichten in den Herstellungsschritten von Halbleitern unter Verwendung vielschichtiger Photolacke, dielektrischer Filme oder vielschichtiger Verdrahtungskarten, Schutzfilme oder isolierende Filme für Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen und Schutzfilme oder isolierende Filmen für Elektroluminiszenz-Anzeigevorrichtungen verwendbar.
  • Die vorliegende Erfindung wird in größeren Detail unter Bezug auf die folgenden Bespiele beschrieben. Die folgende Beschreibung wird jedoch Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung generell darstellen, und sie sollte nicht so ausgelegt werden, dass die Erfindung darauf ohne besondere Gründe begrenzt ist.
  • In den Beispielen und Vergleichsbeispielen beruhen alle Teile und Prozentsätze auf der Grundlage des Gewichts, wenn nicht anders angezeigt.
  • Verschiedene Auswertungen wurden in der folgenden Art und Weise vorgenommen.
  • Radius der Kreisbewegung:
  • Der Radius der Kreisbewegung wurde durch Gelpermeations-Chromatographie (GPC) (Messung des Brechungsindex, der Viskosität und der Lichtstreuung) unter den folgenden Bedingungen gemessen.
  • Probenlösung: ein Alkoxysilan-Hydrolysekondensat wurde mit Methanol verdünnt, das 10 mMol LiBr enthielt, so dass der Feststoffgehalt 0,25% war, um eine Probenlösung für die GPC herzustellen (Messung des Brechungsindex, der Viskosität und der Lichtstreuung).
  • Instrument:
    • GPC-Systeme, Modell GPC-8020, erhältlich von Tosoh Corporation
    • Kolonne, Alpha 5000/3000, erhältlich von Tosoh Corporation
    • Viskositätsdetektor und Lichtstreuungsdetektor, erhältlich von Viscotech Co. Ltd.
    • Model T-60 Dual Meter
    • Trägerlösung: Methanol, welches 10 mMol LiBr enthält
    • Zufuhrrate der Trägerlösung: 1 ml/min
    • Kolonnentemperatur: 40°C
  • Dielektrische Konstante des Film:
  • Eine Probe der Zusammensetzung wurde auf eine 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe durch Schleuderbeschichtung aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute auf einer Heizplatte und dann bei 200°C für eine Minute in einer Stickstoffatmosphäre getrocknet. Das Substrat wurde ferner auf der Heizplatte in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet. Ein Aluminium-Elektrodenmuster wurde auf dem auf diese Weise erhaltenen Film durch Gasphasenabscheidung gebildet, um eine Probe für die Messung der dielektrischen Konstante herzustellen. Die Probe wurde der Messung der dielektrischen Konstante des Films bei einer Frequenz von 100 kHz durch das CV-Verfahren unter Verwendung von HP16451B Elektroden und des HP4284A Precision LCR Meter unterzogen (alle von Yokogawa-Hewlett-Packard, Ltd.).
  • Haftung des gestapelten Films:
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde in der folgenden Art und Weise ausgeführt. Zehn Bolzenstifte wurden an der obersten Schicht des Substrats unter Verwendung eines Epoxidharzes befestigt, gefolgt durch trocknen bei 150°C für eine Stunde. Die Bolzenstifte wurden dann einer Zugprüfung durch das Sebastian-Verfahren unterzogen und die Haftung gemäß der folgenden Kriterien ausgewertet.
  • Gute Haftung: kein Ablösen trat an der Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film in Bezug alle zehn Bolzenstifte auf.
  • Schlechte Haftung: Ablösung trat an der Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film auf.
  • Synthese Beispiel 1:
  • Ein teilbarer Quarzkolben wurde mit 570 g destilliertem Ethanol, 160 g Ionen ausgetauschten Wasser und 30 g einer 10%igen wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid befüllt und die sich ergebende Mischung gleichmäßig gerührt. Eine Mischung von 136 g Methyltrimethoxysilan und 209 g Tetraethoxysilan wurden zu der Lösung zugegeben und die sich ergebende Lösung für 5 Stunden bei einer Temperatur von 60°C reagiert. 300 g Propylenglycolmonopropylether wurden zu der Reaktionsmischung zugegeben und die Mischung unter Verwendung eines Verdampfers bei 50°C konzentriert, bis die Konzentration 10% wurde (konvertiert als vollständige Hydrolysekondensation). Danach wurden 10 g einer 10%igen Lösung von Essigsäure in Propylenglycolmonopropylether zu der konzentrierten Lösung zugegeben, um die Reaktionslösung (1) zu erhalten.
  • Das auf diese Weise erhaltene Kondensat hatte einen Radius der Kreisbewegung von 17,8 nm und eine dielektrische Konstante von 2,23.
  • Synthese Beispiel 2:
  • Ein teilbarer Quarzkolben wurde mit 570 g destillierten Ethanol, 160 g Ionen ausgetauschtem Wasser und 100 g einer 10%igen wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid befüllt und die sich ergebende Mischung gleichmäßig gerührt. Eine Mischung von 136 g Methyltrimethoxysilan und 209 g Tetraethoxysilan wurden zu der Lösung zugegeben und die sich ergebende Lösung für 5 Stunden bei einer Temperatur von 60°C reagiert. 300 g Propylenglycolmonopropylether wurden zu der Reaktionsmischung zugegeben und die Mischung unter Verwendung eines Verdampfers bei 50°C konzentriert, bis die Konzentration 10% wurde (konvertiert als vollständige Hydrolyse Kondensation). Danach wurden 10 g einer 10%igen Lösung von Essigsäure in Propylenglycolmonopropylether zu der konzentrierten Lösung zugegeben, um eine Reaktionslösung (2) zu erhalten.
  • Das auf diese Weise erhaltene Kondensat hatte einen Radius der Kreisbewegung von 5,7 nm und eine dielektrische Konstante von 2,67.
  • Synthese Beispiel 3:
  • In einem teilbaren Quarzkolben wurde 154,24 g Methyltrimethoxysilan, 288,83 g Tetramethoxysilan und 250 g destillierter Propylenglycolmonoethylether gelöst. 297 g Ionen ausgetauschtes Wasser mit 10 g darin gelöster Maleinsäure wurden tropfenweise zu der Lösung über eine Stunde dazugegeben. Die Mischung von bei 50°C für drei Stunden reagiert, um eine Reaktionslösung (3) zu erhalten.
  • Das auf diese Weise erhaltene Kondensat hatte einen Radius der Kreisbewegung von 0,2 nm und eine dielektrische Konstante von 2,88.
  • Synthese Beispiel 4:
  • In einem teilbaren Quarzkolben wurden 276,01 g Metyltrimethoxysilan, 86,14 g Tetramethoxysilan und 0,0092 g Tetrakis(acetylacetonato)titan in 101 g Propylenglycolmonoethylether gelöst und die sich ergebende Mischung unter Verwendung eines Drei-Eins-Motors gerührt, wobei die Temperatur der Lösung bei 55°C stabilisiert wurde. Als nächstes wurde eine gemischte Lösung von 225,52 g Ionen ausgetauschtem Wassers und 263,00 g Propylenglycolmonoethylether über eine Stunde dazugegeben. Danach wurde die Mischung bei 55°C für vier Stunden reagiert. Dann wurden 48,12 g Acetylaceton der Reaktionsmischung zugegeben und die Mischung für zusätzliche 30 Minuten reagiert, gefolgt von Abkühlen auf Raumtemperatur. 227 g der Lösung, die Methanol und Wasser enthielten, wurden aus der Reaktionsmischung bei 50°C unter Verwendung eines Verdampfers entfernt, um eine Reaktionslösung (4) zu erhalten.
  • Das auf diese Weise erhaltene Kondensat hatte einen Radius der Kreisbewegung von 0,3 nm und eine dielektrische Konstante von 2,85.
  • Synthese Beispiel 5:
  • Ein teilbarer Quarzkolben wurde mit 570 g destilliertem Ethanol, 160 g Ionen ausgetauschtem Wasser und 30 g einer 10%igen wässrigen Lösung von Tetramethylammoniumhydroxid befüllt und die sich erbende Mischung gleichmäßig gerührt. Eine Mischung von 136 g Methyltrimethoxysilan und 209 g Tetraethoxysilan wurden zu der Lösung zugegeben und die sich ergebende Lösung für 4 Stunden reagiert, während die Temperatur bei 58°C gehalten wurde. 300 g Propylenglycolmonoproplyether wurden zu der Reaktionsmischung zugegeben und die Mischung unter Verwendung eines Verdampfers bei 50°C konzentriert, bis die Konzentration 10% wurde (konvertiert als vollständiges Hydrolysekondensation). Danach wurden 10 g einer 10%igen Lösung von Essigsäure in Propylenglycolmonopropylether zu der konzentrieren Lösung zugegeben, um eine Reaktionslösung (5) zu erhalten.
  • Das auf diese Weise erhaltene Kondensat hatte eine Radius der Kreisbewegung von 15,8 nm und eine dielektrische Konstante von 2,32.
  • Beispiel 1:
  • Ein CVD-Film aus Tetraethoxysilan mit einer Filmdicke von 1,000 Angström auf einen 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (32 Atom-%), O (64 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (2) wurde in einer Filmdicke von 5,00 Angström auf diesen Film aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Ferner wurde die Reaktionslösung (1) in der Filmdicke von 5,000 Angström auf dieses Substrat aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde kein Ablösen an einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film beobachtet.
  • Beispiel 2:
  • Ein CVD-Film aus Tetramethylsilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf einem 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (26 Atom-%), O (3 Atom-%), C (26 Atom-%) und H (45 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (3) wurde in einer Filmdicke von 500 Angström auf diesen Film aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Ferner wurde die Reaktionslösung (1) in einer Filmdicke von 4.000 Angström auf dieses Substrat aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stockstoffatmosphäre bei 400°C für 18 gehärtet.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde kein Ablösen an einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und Film beobachtet.
  • Beispiel 3:
  • Ein CVD-Film aus Trimethylsilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf eine 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Sequel Express, erhältlich von Nevellus, gebildet. Dieser Film ist eine elementare Zusammensetzung von Si (25 Atom-%), O (4 Atom-%), C (21 Atom-%), N (14 Atom-%) und H (36 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (4) wurde in einer Filmdicke von 500 Angström aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Ferner wurde die Reaktionslösung (1) in einer Filmdicke von 4.000 Angström auf dieses Substrat aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatomsphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde kein Ablösen an einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film beobachtet.
  • Beispiel 4:
  • Ein CVD-Film aus Silan und Ammoniak mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf eine 8-Zoll" Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Sequel Express, erhältlich von Nevellus, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (49 Atom-%), O (4 Atom-%), C (3 Atom-%), N (40 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (2) wurde in einer Filmdicke von 500 Angström auf diesen Film aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Ferner wurde die Reaktionslösung (1) in einer Filmdicke von 4.000 Angström auf dieses Substrat aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde kein Ablösen an einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film beobachtet.
  • Beispiel 5:
  • Auf das in Beispiel 2 erhaltenen Substrat wurde die Reaktionslösung (3) in einer Filmdicke von nur 500 Anström aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet. Ein CVD-Film aus Tetraethoxysilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf diesem Substrat unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (32 Atom-%), O (64 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde kein Ablösen an einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film beobachtet.
  • Beispiel 6:
  • Auf den in Beispiel 3 erhaltenen Substrat wurde die Reaktionslösung (4) in einer Filmdicke von 500 Angström aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatomsphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet.
  • Auf dieses Substrat wurde ein CVD-Film aus Trimethylsilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström unter Verwendung eines Sequel Express, erhältlich von Nevellus, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (25 Atom-%), O (4 Atom-%), C (21 Atom-%), N (14 Atom-%) und H (36 Atom-%) auf.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde kein Ablösen an der Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film beobachtet.
  • Vergleichsbeispiel 1:
  • Ein CVD-Film aus Tetraethoxysilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf einer 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (32 Atom-%), O (64 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (1) wurde in einer Filmdicke von 5.000 Angström auf diesen Film aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffsatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde Ablösen in einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film und dem Film in Bezug auf 7 Bolzenstifte beobachtet.
  • Vergleichsbeispiel 2:
  • Ein CVD-Film aus Tetraethoxysilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf eine 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies auf eine elementare Zusammensetzung von Si (32 Atom-%), O (64 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (5) wurde in einer Filmdicke von 500 Angström auf diesen Film aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Ferner wurde die Reaktionslösung (1) in einer Filmdicke von 5.000 Angström auf dieses Substrat aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde Ablösen in einer Grenzfläche zwischen CVD-Film und dem Film in Bezug auf 5 Bolzenstifte beobachtet.
  • Vergleichsbeispiel 3:
  • Ein CVD-Film aus Tetraethoxysilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström wurde auf einer 8-Zoll Silicium-Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (32 Atom-%), O (64 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Reaktionslösung (1) wurde in einer Filmdicke von 5.000 Angström auf diesen Film aufgetragen und das Substrat bei 80°C für eine Minute und dann bei 200°C für eine Minute getrocknet. Das sich ergebende Substrat wurde auf einer Heizplatte in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C für 18 Minuten gehärtet. Auf dieses Substrat wurde ein CVD-Film aus Tetraethoxysilan mit einer Filmdicke von 1.000 Angström unter Verwendung eines Producer S, erhältlich von Applied Material, gebildet. Dieser Film wies eine elementare Zusammensetzung von Si (32 Atom-%), O (64 Atom-%) und H (4 Atom-%) auf.
  • Die Haftung des gestapelten Films wurde ausgewertet. Als Ergebnis wurde Ablösen in einer Grenzfläche zwischen dem CVD-Film als niedrigere Schicht und dem Film in Bezug auf 3 Bolzenstifte beobachtet. Ebenso wurde Ablösen in einer Grenzfläche zwischen dem Film und CVD-Film als obere Schicht in Bezug auf 5 Bolzenstifte beobachtet.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, einen dielektrischen Film (Substrat für Halbleiter) mit überragender Haftung auf einem CVD-Film durch Anwenden eines Verfahrens für die Bildung eines Films zur Verfügung zustellen, welches das Auftragen von zwei oder mehr Alkoxysilan-Hydrolysekondensaten mit einem Unterschied in einem Radius der Kreisbewegung von 5 nm oder mehr von einander umfasst, oder von zwei oder mehreren Alkoxysilan-Hydrolysekondensaten mit einem Unterschied in der dielektrischen Konstante von 0,3 oder mehr von einander, auf einem Substrat und Härten des Substrats, um einen gestapelten Film zubilden.
  • Ein gestapelter Film, ein Verfahren für die Herstellung des gestapelten Films, ein isolierender Film, welche dem gestapelten Film umfasst, und ein Substrat für Halbleiter unter Verwendung des gestapelten Films werden bereitgestellt. Der gestapelte Film umfasst Filme von zwei oder mehr Arten von Alkoxysilan-Hydrolysekondensaten mit 5 nm oder mehr Unterschied in einem mittleren Radius der Kreisbewegung, oder Filme von Alkoxysilan-Hydrolysekondensaten mit 0,3 oder mehr Unterschied in der dielektrischen Konstante. Der gestapelte Film wird durch Auftragen einer Beschichtungslösung erhalten, welche (B) eine Verbindung mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von weniger als 10 nm umfasst, und dann Auftragen einer Beschichtungslösung, welche (A) eine Verbindung mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm umfasst, gefolgt von Erhitzen. Der gestapelte Film stellt einen dielektrischen Film (Substrat für Halbleiter) mit überragender Haftung auf einem CVD-Film zur Verfügung.

Claims (7)

  1. Gestapelter isolierender Film welcher umfasst: (A) einen Film, der durch Wärmehärten von (a) einem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm in Form einer Lösung hergestellt wurde, und (B) einen Film, der durch Wärmehärten von (b) einem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von weniger als 10 nm in Form einer Lösung hergestellt wurde, mit einem Unterschied in dem mittleren Radius der Kreisbewegung zwischen dem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat (a) und dem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat (b), der 5 nm oder mehr ist.
  2. Gestapelter isolierender Film, welcher umfasst: (A) einen Film mit einer dielektrischen Konstante von 2,5 oder weniger, welcher durch Wärmehärten von (a) einem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat in der Form einer Lösung hergestellt wurde, und (B) einen Film mit einer dielektrischen Konstante, die 2,5 übersteigt, welcher durch Wärmehärten von (b) einem Alkoxysilan-Hydrolysekondensat in der Form einer Lösung hergestellt wurde, mit einem Unterschied in der dielektrischen Konstante zwischen dem Film (A) und dem Film (B), die 0,3 oder mehr beträgt.
  3. Der gestapelte isolierende Film nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Alkoxysilan-Hydrolysekondensat durch Hydrolyse und Kondensation von mindestens einer Silan-Verbindung erhalten wurde, die aus der Gruppe ausgewählt wurde, die besteht aus: einer Verbindung, die durch die folgende allgemeine Formel (1) dargestellt wird: RaSi(OR1)4-a wobei R ein Wasserstoffatom, ein Fluoratom oder eine einwertige organische Gruppe darstellt, R1 eine einwertige organische Gruppe darstellt, und a eine ganze Zahl von 1 oder 2 darstellt, einer Verbindung, welche durch die folgende allgemeine Formel (2) dargestellt wird: Si(OR2)4 wobei R2 eine einwertige organische Gruppe darstellt, und einer Verbindung, welche durch die folgende allgemeine Formel (3) dargestellt wird: R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c wobei R3 bis R6 gleich oder unterschiedlich sein können und jeweils eine einwertige organische Gruppe darstellen, b und c gleich oder unterschiedlich sein können und jeweils eine Zahl von 0 bis 2 darstellen, R7 ein Sauerstoffatom, eine Phenylen-Gruppe oder eine Gruppe darstellt, welche durch -(CH2)n- dargestellt wird, wobei n eine ganze Zahl von 1 bis 6 und d 0 oder 1 darstellt.
  4. Verfahren zur Herstellung eines gestapelten isolierenden Films, das Auftragen einer Beschichtungslösung, welche (B) eine Verbindung mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von weniger als 10 nm umfasst, wobei die Verbindung durch Hydrolyse und Kondensation einer Alkoxysilanverbindung erhalten wurde, und eines organischen Lösungsmittels auf ein Substrat, gefolgt von Trocknen, und dann Auftragen einer Beschichtungslösung, welche (A) eine Verbindung mit einem mittleren Radius der Kreisbewegung von 10 nm bis 30 nm umfasst, wobei die Verbindung durch Hydrolyse und Kondensation einer Alkoxysilanverbindung erhalten wurde, und eines organischen Lösungsmittels auf das Substrat, gefolgt von Erhitzen umfasst.
  5. Das Verfahren zur Herstellung eines gestapelten isolierenden Films nach Anspruch 4, wobei das Substrat Si und ferner mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus O, C, N und H besteht.
  6. Das Verfahren zur Herstellung eines gestapelten isolierenden Films nach Anspruch 4, welches ferner Laminieren eines Films, der Si und ferner mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe ausgewählt wurde, die aus O, C, N und H besteht, auf den Film nach Anspruch 1 oder 2.
  7. Substrat für Halbleiter, welche den isolierenden Film nach Anspruch 1 oder 2 verwenden.
DE2002616682 2001-09-25 2002-09-24 Gestapelte Schicht, Verfahren zur Herstellung einer gestapelten Schicht, Isolierschicht und Substrat für Halbleiter Expired - Lifetime DE60216682T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001291538A JP2003100738A (ja) 2001-09-25 2001-09-25 積層体、積層体の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板
JP2001291538 2001-09-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60216682D1 DE60216682D1 (de) 2007-01-25
DE60216682T2 true DE60216682T2 (de) 2007-10-04

Family

ID=19113667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002616682 Expired - Lifetime DE60216682T2 (de) 2001-09-25 2002-09-24 Gestapelte Schicht, Verfahren zur Herstellung einer gestapelten Schicht, Isolierschicht und Substrat für Halbleiter

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6749944B2 (de)
EP (1) EP1295924B1 (de)
JP (1) JP2003100738A (de)
KR (1) KR100890321B1 (de)
DE (1) DE60216682T2 (de)
TW (1) TWI227264B (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4737361B2 (ja) * 2003-12-19 2011-07-27 Ｊｓｒ株式会社 絶縁膜およびその形成方法
US20050196535A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Weigel Scott J. Solvents and methods using same for removing silicon-containing residues from a substrate
US20050196974A1 (en) * 2004-03-02 2005-09-08 Weigel Scott J. Compositions for preparing low dielectric materials containing solvents
EP1615260A3 (de) 2004-07-09 2009-09-16 JSR Corporation Auf organischem Siliziumoxid basierende Schicht, Zusammensetzung, und Verfahren zur Herstellung davon, und Halbleiteranordnung
JP4756128B2 (ja) * 2004-10-20 2011-08-24 日揮触媒化成株式会社 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜
US7265063B2 (en) * 2004-10-22 2007-09-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a component having dielectric sub-layers
JP5721600B2 (ja) * 2010-10-01 2015-05-20 富士フイルム株式会社 間隙埋め込み用組成物、それを用いた間隙埋め込み方法及び半導体素子の製造方法
WO2018051860A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 東レ株式会社 電界効果トランジスタの製造方法および無線通信装置の製造方法
EP3320986B1 (de) * 2016-11-09 2020-07-01 Europlasma NV Hydrophile, multifunktionelle ultradünne beschichtungen mit ausgezeichneter stabilität und haltbarkeit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3226816B2 (ja) * 1996-12-25 2001-11-05 キヤノン販売株式会社 層間絶縁膜の形成方法、半導体装置及びその製造方法
US6770975B2 (en) 1999-06-09 2004-08-03 Alliedsignal Inc. Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics
JP2001115028A (ja) * 1999-08-12 2001-04-24 Jsr Corp 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
US6410150B1 (en) * 1999-09-29 2002-06-25 Jsr Corporation Composition for film formation, method of film formation, and insulating film
JP4195773B2 (ja) * 2000-04-10 2008-12-10 Ｊｓｒ株式会社 層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の形成方法およびシリカ系層間絶縁膜
US6413647B1 (en) 2000-02-28 2002-07-02 Jsr Corporation Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film
US6503633B2 (en) 2000-05-22 2003-01-07 Jsr Corporation Composition for film formation, process for producing composition for film formation, method of film formation, and silica-based film
JP5202784B2 (ja) 2000-06-30 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
EP1379340A1 (de) 2001-04-16 2004-01-14 Honeywell International, Inc. Geschichtete stapel und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
KR100890321B1 (ko) 2009-03-26
EP1295924B1 (de) 2006-12-13
TWI227264B (en) 2005-02-01
DE60216682D1 (de) 2007-01-25
US6749944B2 (en) 2004-06-15
US20030059628A1 (en) 2003-03-27
KR20030027692A (ko) 2003-04-07
EP1295924A3 (de) 2003-09-17
EP1295924A2 (de) 2003-03-26
JP2003100738A (ja) 2003-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60117631T2 (de) Beschichtungszusammensetzung für die Filmherstellung, Verfahren zur Filmherstellung und Silica-Filme
DE60215248T2 (de) Beschichtungszusammensetzung für die Filmherstellung, Verfahren zur Filmherstellung und Filme auf Silika-Basis
KR100661944B1 (ko) 막 형성용 조성물, 막 형성용 조성물의 제조 방법, 막의형성 방법 및 실리카계 막
DE60216682T2 (de) Gestapelte Schicht, Verfahren zur Herstellung einer gestapelten Schicht, Isolierschicht und Substrat für Halbleiter
EP1148105B1 (de) Beschichtungszusammensetzung für die Filmherstellung, Verfahren zur Filmherstellung und Silica-Filme
JP2003064305A (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP3705122B2 (ja) 有機ケイ素系重合体の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2002285087A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4314963B2 (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物およびシリカ系膜
JP4117436B2 (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP5061412B2 (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4483015B2 (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2006352118A (ja) 層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の形成方法およびシリカ系層間絶縁膜
JP3994258B2 (ja) 形成用組成物の製造方法および膜の形成方法
JP2003115485A (ja) 膜形成方法、積層膜、絶縁膜ならびに半導体用基板
JP2003003119A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4117441B2 (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4678080B2 (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4568959B2 (ja) シリコーン含有組成物および膜形成用組成物
JP4117442B2 (ja) 膜形成用材料の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2002285085A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2001329216A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2003092294A (ja) 積層膜、積層膜の形成方法、絶縁膜ならびに半導体用基板
JP2004059736A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2002047449A (ja) 膜形成用組成物、膜形成用組成物の製造方法、膜の形成方法およびシリカ系膜

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition