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Allgemeiner
Stand der Technik
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen eine Acrylverbindung.
Diese Erfindung betrifft auch die Verwendung dieser Verbindungen,
z.B. als Monomere, die homopolymerisiert oder mit anderen Monomeren
copolymerisiert werden können,
zur Herstellung von Harzen bei Photoresistzusammensetzungen für weniger
als 200 Nanometer (nm).
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Photoresists
sind lichtempfindliche Filme bzw. Schichten, die für die Übertragung
von Bildern auf ein Substrat verwendet werden. Bei einem typischen
Lithographieverfahren wird ein Substrat im allgemeinen entweder
mit einer Positiv- oder einer Negativ-Photoresistbeschichtung überzogen.
Das mit dem Photoresist beschichtete Substrat wird dann durch eine
Photomaske einer Quelle von aktivierenden Strahlen ausgesetzt, die das
Muster der Photomaske auf das mit dem Photoresist beschichtete Substrat überträgt. In Abhängigkeit
davon, ob die Photoresistbeschichtung positiv oder negativ ist,
wird deren Löslichkeit
in einer anschließend
aufgebrachten alkalischen Entwicklerlösung durch die Strahlungsquelle
entweder erhöht
oder verringert. Bei einer Positiv-Photoresistbeschichtung bleiben
die gegenüber
der Strahlungsquelle maskierten Bereiche nach der Entwicklung zurück, wohingegen
die belichteten Bereiche gelöst
werden, während
bei einer Negativ-Photoresistbeschichtung das Gegenteil der Fall
ist. Das gemusterte Photoresistbild wirkt als Maske für anschließende Verfahren,
bei denen das Substrat mit einem Muster versehen ist, wie Ätzen, Dotieren
und/oder Beschichten mit Metallen, anderen Halbleitermaterialien
oder isolierenden Materialien.
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Das
gegenwärtige
Interesse in der Halbleiterindustrie hat bei Photoresists zugenommen,
bei denen mit kurzwelliger Strahlung, d.h. durch Belichten mit Strahlen
mit einer Wellenlänge
von etwa 200 nm oder weniger, wie 193 nm (ArF-Laser) oder 157 nm
(F2-Excimer-Laser), mittels Licht ein Bild
erzeugt werden kann. Das Belichten mit kurzen Wellenlängen kann
für die
Ausbildung kleinerer Merkmale in der Halbleitervorrichtung sorgen.
In diesem Zusammenhang kann ein Photoresist, das nach dem Belichten
mit einer Strahlungsquelle mit einer Wellenlänge von 193 nm oder 157 nm
gut aufgelöste
Bilder liefern kann, für
die Ausbildung relativ kleinerer Merkmale (z.B. weniger als 0,25 μm) sorgen.
Ein Vorrichtung mit kleineren Merkmalen erfüllt den Bedarf der Industrie
nach kleineren Schaltungsmustern und sorgt für eine größere Dichte des Schaltkreises
und eine bessere Leistung der Vorrichtung.
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Die
Entwicklung von Photoresistmaterialien, insbesondere Materialien
unter 200 nm, stellt eine besondere Herausforderung dar, da eine
Vielzahl verschiedener Leistungsmerkmale in ein Gleichgewicht gebracht werden
muß. Photoresistmaterialien
sollten Idealerweise eine starke Transparenz bei der Belichtungswellenlänge, eine
ausreichende Beständigkeit
gegenüber
Plasma-Ätzverfahren
und funktionelle Gruppen bieten, die ausreichenden photochemischen
Umwandlungen eingehen können,
die die Löslichkeit
in Entwicklerlösungen verändern. Außerdem gehören zu weiteren
wichtigen Merkmalen vernünftig
einfache Syntheseverfahren, die Haftung am darunterliegenden Substrat,
Umwandlungspunkte zweiter Ordnung, die mit den typischen Behandlungstemperaturen
kompatibel sind, eine akzeptable Haltbarkeit bei der Lagerung und
eine minimale toxikologische Gefahr, sie sind jedoch nicht darauf
begrenzt.
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Der
Stand der Technik offenbart eine Vielzahl von Monomeren, die polymerisiert
und als Basisharze in Photoresistzusammensetzungen für Anwendungszwecke
unter 200 nm verwendet werden können.
Für das obere
Ende dieses Bereichs (z.B. 193 nm) haben cycloaliphatische Strukturen
das größte Interesse
erzielt. Für Anwendungen
bei einer geringeren Wellenlänge
(z.B. 157 nm) neigen die Monomere dazu, eine oder mehrere Elektronen
abziehende Gruppen, wie Fluor und Hydroxyl, und eine oder mehrere
cyclische Strukturen aufzuweisen. Es wird angenommen, daß die Kombination
aus den Elektronen abziehenden Gruppen und der einen oder den mehreren
cyclischen Strukturen die Leistung der Photoresistzusammensetzung,
insbesondere die Transparenz, verbessert. Die US-Patentanmeldung
US 2002/0004570 ("Zampini
I") beschreibt z.B.
Photoresistzusammensetzungen, die polymerisierte Einheiten von cyclischen
Olefinmonomeren mit einer oder mehreren gebundenen cyclischen, Elektronen
abziehenden Gruppen enthalten. Die offenbarten gebundenen, cyclischen,
Elektronen abziehenden Gruppen können
auf N, O oder S basieren.
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Die
veröffentlichte
Europäische
Patentanmeldung WO 02/21214 ("Zampini
II") offenbart Basisharze
in Photoresistzusammensetzungen für 157 nm, die zumindest eine
elektrisch negative Gruppe enthalten, die aromatische Gruppen, wie
Phenol-Einheiten, einschließt.
In diesem Zusammenhang beschreibt Zampini II insbesondere Vinylether-Entitäten, die
fluorierte aromatische Strukturen als elektrisch negative Gruppen
enthalten.
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Die
veröffentliche
Europäische
Patentanmeldung WO 02/21213 ("Taylor") beschreibt Harze,
die in Photoresistzusammensetzungen verwendet werden, die für eine Photosäure empfindliche,
deblockierende Gruppen enthalten, die mit einer oder mehreren Elektronen
abziehenden Gruppen substituiert sind. Diese Elektronen abziehenden
Einheiten im Harz sind an die blockierende Gruppe gebunden, so daß die von
einer Säure
katalysierten Blockierungs- und Deblockierungsreaktionen von deren
Vorhandensein relativ unbeeinflußt sind.
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Die
Japanische Anmeldung JP 2002/179,731 (Chemical Abstracts 137: 54625, "Harade I") offenbart Photoresistharze,
die die Struktur CO2CR1R2R enthalten, wobei R1 und
R2 = H, F oder eine C1-20-Alkylgruppe sind
und R = C3-20-Cycloalkyl ist. Außerdem beschreibt
Harada I ein Acrylatharz, das in Esterseitenketten Fluoralkylgruppen
enthält.
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Die
US-Patentanmeldung 2002/0051936 ("Harada II") beschreibt ein Acrylharz, das Struktureinheiten enthält, die
einen Fluorkohlenwasserstoffrest, eine säureempfindliche Gruppe und
eine haftende Gruppe enthält.
Harada II beschreibt, daß eine
der Einheiten, vorzugsweise die säureempfindliche Gruppe, zumindest eine
alicyclische Struktur aufweist. Harada II beschreibt auch Acrylpolymere,
die die Struktur -O-C(R1R2)-C(H)(R3)R4 enthalten, wobei
R1, R2, R3 und R4 H, F oder
eine unsubstituierte oder fluorierte, geradkettige, verzweigte oder
cyclische Alkylgruppe sind.
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Die
Europäische
Anmeldung
EP 1 126 322 beschreibt
Harze für
die Verwendung bei einem Photoresist für 157 nm, die fluorierte Estergruppen
enthalten.
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Die
Europäische
Anmeldung
EP 1,103,856 ("Tsutsumi") beschreibt ein
fluorhaltiges Harz, das polymerisierte Einheiten eines Acryl- oder
Methacrylesters enthält,
wobei die Ester-Einheit eine fluorhaltige Gruppe umfaßt. Tsutsumi
beschreibt ferner Einheiten, bei denen die fluorhaltige Gruppe eine
cyclische Struktur hat, wie einen fluorhaltigen Benzolring, einen
fluorhaltigen Cyclopentanring, einen fluorhaltigen Cyclohexanring oder
einen fluorhaltigen Cycloheptanring.
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Photoresistmaterialien,
die gegenwärtig
für 157
nm entwickelt werden, wie die vorstehend beschriebenen Materialien,
lassen sich schwer herstellen, und mit den Ausgangsmaterialien läßt sich
oft schwer arbeiten oder sie sind nicht leicht verfügbar. Es
ist z.B. ziemlich üblich, Hexafluoraceton
(HFA) zu verwenden, um Hexafluor-2-propanol-Gruppen in die Monomere einzuführen. Die
Hexafluor-2-propanol-Gruppen,
die stark Elektronen abziehende Gruppen, wie Fluoratome und Hydroxylgruppen,
einführen,
zeigen im Vergleich mit ihren nicht-fluorierten Analogen eine bessere Transparenz
der Materialien bei dieser Wellenlänge. Trotz seiner Vorteile
bei der Transparenz ist Hexafluoraceton selbst ein stark toxisches
Gas und kann als Ausgangsmaterial nicht leicht erhältlich sein.
Andere Probleme, wie die Selektivität und geringe Ausbeuten, die
mit gegenwärtigen
Fertigungsverfahren zur Herstellung dieser Verbindungen verbunden
sind, können
zudem die Verwendung von auf HFA basierenden Monomeren in Photoresistzusammensetzungen
weniger praktisch und teuer machen.
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Eine
Alternative zur Verwendung eines auf HFA basierenden Monomers im
Photoresistmaterial besteht in der Verwendung eines auf Trifluoraceton
basierenden Monomers, wie dem cyclischen Trimer 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyltetrahydropyran.
Gegenwärtige
Verfahren zur Herstellung des cyclischen Trimers 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyltetrahydropyran
lassen sich nicht leicht einer kommerziellen Massenproduktion anpassen.
Diese Verfahren beinhalten die Reaktion von Trifluoraceton mit reaktiven
Metallen, wie Natrium (A. L. Henne und P. E. Hinkamp, J. Am. Chem.
Soc. 76, 5147, 1954), Magnesium-Amalgam (S. Resconich, Ph. D. Thesis,
Purdue University, 1961), geschmolzenes Kaliumhydroxid (D. H. Campbell,
Ph. D. Thesis, Purdue University 1955), Chlorhydrin in Gegenwart
von Kaliumcarbonat (H. E. Simmons und D. W. Wiley, J. Am. Chem.
Soc. 82, 2288, 1960) und wasserfreies Diethylamin oder Dipropylamin
(M. M. Dhingra und K. R. Tatta, Org. Mag. Res 9 (1), 23, 1977).
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Folglich
besteht auf diesem Fachgebiet Bedarf nach der Bereitstellung von
Harzen, die aus Monomeren polymerisiert worden sind, die bei Wellenlängen unter
200 nm transparent sind. Auf diesem Fachgebiet besteht auch der
Bedarf nach sicheren und kostengünstigen
industriellen Verfahren zur Herstellung von fluorhaltigen Acrylmonomeren
mit höheren
Ausbeuten, einer kürzeren
Zykluszeit, niedrigeren Verfahrenstemperaturen, einer geringeren
Flüchtigkeit
und einer geringeren Toxizität.
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Alle
hier genannten Dokumente werden hier in ihrer Gesamtheit als Bezug
erwähnt.
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Kurze Beschreibung
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft teilweise Acrylverbindungen und Verfahren
zu deren Herstellung und deren Verwendung. Insbesondere wird nach
einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung eine Verbindung der
Formel (I) bereitgestellt:
wobei R
1,
R
2 und R
3 jeweils
unabhängig
voneinander ein Wasserstoffatom, ein Fluoratom, eine Alkylgruppe oder
eine fluorierte Alkyl- bzw. Fluoralkoxygruppe sind; R
4 eine
Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe, eine fluorierte Alkoxy- bzw.
Fluoralkoxygruppe, eine Acyloxygruppe oder ein Fluoratom ist; R
5, R
6, R
7 und
R
8 jeweils unabhängig voneinander ein Fluoratom,
eine Fluoralkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, eine Alkylgruppe,
eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine Arylgruppe oder eine
mit Alkyl substituierte Arylgruppe sind, und mindestens einer der
Reste R
5, R
6, R
7 und R
8 eine Fluoralkylgruppe
mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen ist und wobei die Alkylgruppe 1 bis
20 Kohlenstoffatome aufweist und die Alkenyl- und Alkinylgruppen 2 bis 8 Kohlenstoffatome
haben.
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Nach
einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein
Verfahren zur Herstellung einer Acrylverbindung der vorstehenden
Formel (I) angegeben, welches umfaßt: Mischen einer Trifluoracetonmenge
mit einer Base bei ausreichenden Bedingungen, so daß eine Reaktion
erfolgt und ein Zwischenprodukt in Form eines cyclischen Trimers
gebildet wird; und Umsetzen des Zwischenproduktes in Form des cyclischen Trimers
mit einem Acylierungsmittel bei ausreichenden Bedingungen, damit
die fluorhaltige Verbindung erzeugt wird.
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Nach
einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein
Polymer bereitgestellt, das polymerisierte Einheiten von einer oder
mehreren Acrylverbindungen der vorstehend angegebenen Formel (I) umfaßt.
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Nach
einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird eine
Photoresistzusammensetzung bereitgestellt, die ein oder mehrere
Polymere, wie sie vorstehend beschrieben sind, und eine lichtempfindliche
Verbindung umfaßt.
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Diese
und weitere Gesichtspunkte der Erfindung werden anhand der folgenden
ausführlichen
Beschreibung deutlich.
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Ausführliche
Beschreibung der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft fluorhaltige Acrylverbindung und
Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung in z.B. einer
Photoresistzusammensetzung. Die erfindungsgemäße Verbindung kann mit sich
selbst polymerisiert werden, wodurch ein Homopolymer be reitgestellt
wird, oder mit anderen ethylenisch ungesättigten Monomeren, wodurch
ein Copolymer bereitgestellt wird. Das erfindungsgemäße Polymer
kann z.B. in einer Photoresistzusammensetzung für weniger als 200 nm verwendet
werden. Die Begriffe "Harz" und "Polymer" werden in dieser
Beschreibung durchweg untereinander austauschbar benutzt.
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In
Gegensatz zu anderen Monomeren, die auf diesem Fachgebiet in Photoresistharzen
verwendet werden, die aus Hexafluoraceton hergestellt sind, sind
die erfindungsgemäßen fluorhaltigen
Acrylverbindungen von leicht erhältlichen
und leicht zu handhabenden Ausgangsmaterialien, wie Trifluoraceton
oder verschiedenen Ketonen, abgeleitet. Bei bestimmten bevorzugten
Ausführungsformen
wird das Trifluoraceton vor der Erzeugung der erfindungsgemäßen Acrylverbindung
mit einer Base umgesetzt, wodurch das Zwischenprodukt, das cyclische
Trimer 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyltetrahydropyran
gebildet wird. Aufgrund der bisherigen Probleme auf diesem Fachgebiet
bei der Herstellung des cyclischen Trimers 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyltetrahydropyran
ist es überraschend
und unerwartet, fluorhaltige Acrylverbindungen für die Verwendung als Monomere
für Photoresistharze
mit relativ hohen Ausbeuten aus einem leicht verfügbaren Material,
wie Trifluoraceton, herzustellen. Die Möglichkeit, aus diesem cyclischen
Trimer eine fluorhaltige Acrylverbindung leicht und sauber mit hoher
Ausbeute und Selektivität
herzustellen, ist zudem nicht zu erwarten gewesen und leistet bei
der Herstellung eines brauchbaren, stark flourierten Monomers für Anwendungen
bei 157 nm oder anderer Anwendungen einen großen Beitrag zur Ökonomie.
Das ist besonders bemerkenswert, da das Material ein Diol ist, und
es im allgemeinen problematisch ist, in solchen Verbindungen nur
eine Position sauber zu acrylieren.
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Die
erfindungsgemäßen fluorhaltigen
Acrylverbindungen haben die folgende allgemeine Formel (I):
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In
der Formel (I) können
die Substituenten R1, R2 und
R3 jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom,
ein Fluoratom, eine Alkylgruppe oder eine Fluoralkylgruppe sein;
R4 kann eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe,
eine Acyloxygruppe, eine Fluoralkoxygruppe oder ein Fluoratom sein;
R5, R6, R7 und R8 können jeweils
unabhängig
voneinander ein Fluoratom, eine Fluoralkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen,
eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe
oder eine mit Alkyl substituierte Arylgruppe sein. Der Betriff "Alkyl" schließt hier
geradkettige, verzweigte oder cyclische Alkylgruppen ein, die vorzugsweise
1 bis 20 Kohlenstoffatome oder stärker bevorzugt 1 bis 10 Kohlenstoffatome
enthalten. Zu Beispielen von Alkylgruppen gehören Methyl, Ethyl, n-Propyl, Isopropyl,
n-Butyl, Isobutyl, sek.-Butyl, tert.-Butyl, tert.-Amyl, n-Pentyl, n-Hexyl,
Cyclopentyl und Cyclohexyl. Der Begriff "Alkyl" trifft auch für Alkyl-Einheiten zu, die in
anderen Gruppen, wie Halogenalkyl, Alkaryl oder Aralkyl, enthalten
sind. Der Begriff "Aryl" schließt hier
6- bis 12-gliedrige Kohlenstoffringe mit aromatischem Charakter
ein. Der Begriff "Aryl" gilt auch für Aryl-Einheiten, die
substituiert sind. Der Begriff "Halo" und "Halogen" schließt Fluor,
Chlor, Brom oder Iod ein. Der Begriff "Fluoralkyl" gilt für Alkyl-Einheiten, bei denen
ein oder mehrere Wasserstoffatome durch ein Fluoratom ersetzt sind, die
teilweise oder vollständig
fluoriert sind, und schließt
geradkettige, verzweigte oder cyclische Fluoralkylgrup pen ein, die
1 bis 20 Kohlenstoffatome oder stärker bevorzugt 1 bis 10 Kohlenstoffatome
enthalten. Zu Beispielen von Fluoralkylgruppen gehören -CF3, -CF2F3,
-CF2CH3, -CF2CFH2 oder -CF2CH2CH3.
Bei bestimmten Ausführungsformen
können
einige der Gruppen durch ein oder mehrere Heteroatome, wie ein Halogenatom
oder andere Heteroatome, wie O, N oder S, ersetzt sein. Bei bestimmten
bevorzugten Ausführungsformen
ist zumindest einer der Substituenten R5,
R6, R7 und R8 eine Fluoralkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen.
Bei bestimmten bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung ist R4 gleich
OH, R5, R7 und R8 sind jeweils CF3,
und R6 ist CH3.
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Es
wird erneut auf die Formel (I) Bezug genommen; der Substituent R4 kann eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe,
eine Acyloxygruppe, eine Fluoralkoxygruppe oder ein Fluoratom sein.
Bei bestimmten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann der Substituent R4 eine
Alkoxygruppe sein. Zu Beispielen von Alkoxygruppen gehören CH3O- (Methoxy), CH3CH2O- (Ethoxy), CH3CH2CH2O- (Propoxy),
(CH3)2CH- (Isopropoxy)
usw. Die Alkoxygruppe kann auch weitere Sauerstoffatome enthalten,
wie CH3OCH2CH2O-, CH3OCH2O-, CH3CH2OCH2O- usw. Die
Alkoxygruppe kann auch eine cyclische Struktur einschließen, wie
z.B. die folgende:
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Nach
einer anderen Ausführungsform
kann der Substituent R4 eine Fluoralkoxygruppe
sein. Bei diesen Ausführungsformen
ist ein oder mehrere Wasserstoffatome davon durch ein Heteroatom
in Form von Fluor ersetzt. Zu Beispielen von fluorierten Ethergruppen
gehören
Rf(CH2)nO-,
wobei R feine lineare, verzweigte oder cyclische, per fluorierte
oder hydrofluorierte Kette mit C1 bis C10 ist und n eine Zahl im Bereich von 0 bis
10 ist. Nach anderen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann der Substituent R4 eine
Acyloxygruppe sein.
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Die
erfindungsgemäße Acrylverbindung
wird vorzugsweise aus Trifluoraceton hergestellt, das eine kostengünstige und
leicht erhältliche
Flüssigkeit
ist und keine Toxizitätsprobleme
aufweist, wie sie mit Hexafluoraceton verbunden sind. Nach einem
Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung können die erfindungsgemäßen Verbindungen
in einem Verfahren mit zwei Schritten, wie dem nachstehend aufgeführten beispielhaften Verfahren,
hergestellt werden:
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Der
erste Schritt dieses Verfahrens beinhaltet die Umsetzung von Trifluoraceton
mit einer starken Base (d.h. mit einer Base, deren konjugierte Säure einen
pKS-Wert von 10 oder mehr hat), wie Kalium-tert.-butoxid, wodurch
ein Zwischenprodukt hergestellt wird, das 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyltetrahydropyran
ist. Der Begriff "Base" steht hier für irgendeine
Verbindung, die ein saures Proton entfernen kann, und schließt Verbindungen,
wie Amin-, Hydroxid-, Halogenid-, Alkoxid-, Metallamid-, Organolithium-
oder Organomagnesiumverbindungen, ein, ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Base kann auch in einer festen, flüssigen oder Gasphase in der
Reaktion vorliegen. Nach einer Ausführungsform können heterogene Reaktionen
angewendet werden, bei denen die Base in einer festen Form vorliegt,
dazu gehören
jene, die Gasphasenreaktionen beinhalten. Nach anderen Ausführungsformen
ist die Base in einer flüssigen
oder gasförmigen
Phase, und die Reaktion findet vorzugsweise in Gegenwart eines Lösungsmittels
statt. Bei Ausführungsformen,
bei denen ein Lösungsmittel
verwendet wird, reagiert das ausgewählte Lösungsmittel bei den Reaktionsbedingungen vorzugsweise
nicht wesentlich mit Trifluoraceton oder dem Zwischenprodukt. Zu
geeigneten Lösungsmitteln gehören Halogenkohlenstoffe
(z.B. Freon 113), Ether (z.B. Diethylether (Et2O),
Tetrahydrofuran ("THF"), Di-n-butylether,
1,4-Dioxan oder Ethylenglycoldimethylether), Nitrile (z.B. CH3CN) oder aromatische Verbindungen (z.B.
Benzotrifluorid) allein oder als Gemisch davon, sie sind jedoch
nicht darauf begrenzt. Bei bestimmten bevorzugten Ausführungsformen
ist das Lösungsmittel
ein Ether. Die Reaktionstemperatur kann im Bereich von –78°C bis zum
Siedepunkt des Lösungsmittels
liegen. Die Reaktionszeit für
den ersten Schritt kann im Bereich von etwa 0 Stunden oder sofort
bis etwa 48 Stunden, vorzugsweise von etwa 4 bis etwa 12 Stunden
liegen. Die erhoffte Ausbeute des Zwischenproduktes liegt im Bereich
von etwa 50 bis etwa 80% der theoretischen Ausbeute. Das Zwischenprodukt
kann nach Standardverfahren, wie Destillation, Chromatographie,
Umkristallisieren und/oder Pulverisieren, gereinigt werden.
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Im
zweiten Schritt wird das Zwischenprodukt des ersten Schrittes 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyltetrahydropyran
in Gegenwart einer Base mit einem Acylierungsmittel umgesetzt, wodurch
die erfindungsgemäße Acrylverbindung
erzeugt wird. Bei diesem Schritt wird die Hydroxylgruppe in der
4-Position des Zwischenproduktes mit 1 Äquivalent des Acylierungsmittels
acyliert. Zu Beispielen geeigneter Acylierungsmittel gehören ein
Acylhalogenid, ein Säureanhydrid,
ein Ester oder eine Säure.
Nach einigen Ausführungsformen kann
der zweite Schritt in Gegenwart eines Lösungsmittels durchgeführt werden.
Zu den im zweiten Schritt verwendeten Lösungsmitteln gehören irgendwelche
der im ersten Schritt verwendeten Lösungsmittel. Die Temperatur
für den
zweiten Schritt kann im Bereich von –78°C bis zum Siedepunkt des Lösungsmittels
liegen. Die Reaktionszeit für
den zweiten Schritt kann im Bereich von etwa 0 bis etwa 12 Stunden
oder vorzugsweise von etwa 0,5 bis etwa 4 Stunden liegen. Die erwartete
Ausbeute der Acrylverbindung liegt im Bereich von etwa 50 bis etwa
85% der theoretischen Ausbeute. Das Endprodukt kann nach Standardverfahren,
wie Destillation, Chromatographie, Umkristallisieren und/oder Pulverisieren,
gereinigt werden.
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Nach
bestimmten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die erfindungsgemäße Acrylverbindung
einem Desoxofluorierungsmittel ausgesetzt werden, um die Hydroxylgruppe
in der 6-Position durch ein Fluoratom zu ersetzen. Zu Desoxofluorierungsmitteln,
die für
die Verwendung in dieser Erfindung geeignet sind, gehören Aminoschwefeltrifluoride,
z.B. Diethylaminoschwefeltrifluorid (DAST), Bis(2-methoxyethyl)aminoschwefeltrifluorid
(das Reagenz DEOXOFLUOR®, von Air Products and
Chemicals, Inc., Allentown, Pa. erhältlich), Perfluorbutansulfonylfluorid,
2-Chlor-1,2,3-trifluorethyldiethylamin (Yarovenko-Raksha-Reagenz),
Hexafluorisopropyldiethylamin (Ishikawa-Reagenz) und Pyridin:Hydrofluorid,
Triethylamin:Trishydrofluorid. Das Desoxofluorierungsmittel ist
vorzugsweise Bis(2-methoxyethyl)aminoschwefeltrifluorid. Der Desoxofluorierungsschritt
wird vorzugsweise in Gegenwart eines Lösungsmittels, wie irgendeines
der in den vorangegangenen Schritten verwendeten Lösungsmittel,
durchgeführt.
Die Temperatur für
den zweiten Schritt kann im Bereich von –78°C bis zum Siedepunkt des Lösungsmittels
liegen. Die Reaktionszeit für
den zweiten Schritt kann im Bereich von etwa 0 bis etwa 12 Stunden
oder vorzugsweise von etwa 0 bis etwa 4 Stunden liegen. Wie vorstehend
kann das Endprodukt durch übliche
Verfahren, wie Destillation, Chromatographie, Umkristallisieren
und/oder Pulverisieren, gereinigt werden.
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Die
erfindungsgemäße Acrylverbindung
kann mit sich selbst polymerisiert werden, wodurch ein Homopolymer
bereitgestellt wird, oder mit zumindest einem anderen ethylenisch
ungesättigten
Polymer, wodurch ein Copolymer bereitgestellt wird. Der Begriff "Homopolymer" steht hier für Polymere,
die aus Struktureinheiten einer ethylenisch ungesättigten
Verbindung, wie der erfindungsgemäßen Acrylverbindung, bestehen.
Der Begriff "Copolymer" steht hier für Polymere,
die aus Struktureinheiten der erfindungsgemäßen Acrylverbindung und polymerisierten
Einheiten von zumindest einer ethylenisch ungesättigten Verbindung bestehen
und z.B. statistische, alternierende, Block-, sternförmige oder
Propfpolymere einschließen
können.
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Die
erfindungsgemäße Acrylverbindung
kann polymerisiert werden, wodurch ein Polymer mit der folgenden
Formel (II) erzeugt wird:
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In
der Formel (II) sind die Substituenten R1,
R2, R3, R4, R5, R6,
R7 und R8 die hier
bereits beschriebenen Substituenten, und n ist eine Zahl im Bereich
von 1 bis 300, vorzugsweise von 3 bis 150 und stärker bevorzugt von 5 bis 30.
Das Polymer der Formel (II) kann ferner polymerisierte Einheiten
einer anderen ethylenisch ungesättigten
Verbindung einschließen,
wodurch ein Copolymer bereitgestellt wird.
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Nach
bestimmten bevorzugten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung können
die erfindungsgemäßen Acrylverbindungen
mit zu mindest einem anderen ethylenisch ungesättigten Monomer polymerisiert
werden, wodurch ein Harz oder Polymer erzeugt wird. Das zumindest
eine ethylenisch ungesättigte
Monomer kann irgendwelche ethylenisch ungesättigten Monomere einschließen, die
gewöhnlich
auf diesem Fachgebiet bekannt sind, wie die im The Polymer Handbook,
3. Aufl., Brandrup and Immergut, Hrsg., Wiley Interscience, Kapitel
2, (1989) aufgeführten.
Zu geeigneten ethylenisch ungesättigten
Monomeren gehören z.B.
die C1-C18-Alkyl(meth)acrylat-Monomere
(z.B. Methyl-, Ethyl-, Propyl-, n-Butyl-, sek.-Butyl-, tert.-Butyl-, Pentyl-,
Hexyl-, Isobornylheptyl-, n-Octyl-, 2-Ethylhexyl-, Decyl-, Undecyl-,
Dodecyl-, Lauryl-, Cetyl- und Stearyl(meth)acrylat und dgl.); vinylaromatische
Monomere (z.B. Styrol, p-Hydroxystyrol, α-Methylstyrol, p-Methylstyrol, Chlorstyrol,
Vinyltoluol, Dibromstyrol, Tribromstyrol, Fluorstyrol, Difluorstyrol,
Trifluorstyrol, Tetrefluorstyrol, Pentafluorstyrol, Tetrafluorhydroxystyrol,
Vinylnaphthalin, Isopropenylnaphthalin, Divinylbenzol und dgl.); Vinylester
(z.B. Vinylacetat, Vinylversatat und dgl.); ungesättigte Vinylcarbonsäure-Monomere (z.B. Methacrylsäure, Acrylsäure, Maleinsäure, Itaconsäure); stickstoffhaltige
ungesättigte
Vinylmonomere (z.B. Acrylnitril, Methacrylnitril und C1-C18-Alkyl(meth)acrylamide und dgl.); Diene
(z.B. Butadien, Isopren und Norbornadien); Ethylen, Norbornen, Hydroxyethyl(meth)acrylat,
Hydroxypropyl(meth)acrylat und dgl.). Der Begriff "(Meth)acrylat" steht hier sowohl
für Ester
von Methacrylat als auch Acrylat.
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Andere
für die
Copolymerisation mit der erfindungsgemäßen Acrylverbindung geeignete
ethylenisch ungesättigte
Monomere sind Fluorolefine, wie Mono-, Di-, Tri- und Tetrafluorethylen.
In ähnlicher
Weise wären teilweise
und vollständig
fluorierte Derivate von Proplyen, Butylen und Isobutylen geeignete
Copolymere, sowie auch fluorierte Derivate von Maleinsäureanhydrid,
Fluor(meth)acrylate (Vinyl-substituiert) und Fluormethacrylate (Methyl-substituiert).
Andere verwendbare Monomere sind nachstehend gezeigt:
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Eine
besonders vorteilhafte Ausführungsform
wäre die
Verwendung von Comonomeren, die säureempfindliche Gruppen enthalten,
um die Entwicklung dieser Materialien zu erleichtern, wenn sie in
Photoresists verwendet werden. Eine Comonomerstruktur, die allgemein
als A-O-PG beschrieben werden kann, wobei A- ein polymerisierbares
Fragment ist, das den Sauerstoff beeinflußt, so daß A-OH sauer wäre (pKS-Wert < 12),
und PG eine Schutzgruppe ist, die unter dem Einfluß von Säure (d.h.
von einer Verbindung, die mittels Licht eine Säure erzeugt) entfernt werden
kann. Geeignete Beispiele von A wären (Meth)acryloyl-Gruppen,
wie sie vorstehend beschrieben sind, und geeignet mit Fluor substituierte
Alkylgruppen (die ebenfalls vorstehend beschrieben sind). Beispiele
der PG wären
tertiäre
Alkoxygruppen (falls A-O-PG ein Ester ist), tert.-Alkoxycarbonyl-Gruppen,
Alkoxymethylgruppen des Typs -OCHR5OR6 (einschließlich cyclische Derivate, wenn
R5 und R6 zu einem
Ring verbunden sind). Bestimmte einzelne Monomere des Typs A-O-PG
sind nachstehend gezeigt:
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Es
ist auch möglich,
daß die
Schutzgruppe so eingeführt
worden ist, daß sie
nicht-fragmentierend ist (siehe nachstehend):
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Ein
Polymer kann hergestellt werden, indem die Acrylverbindung als Monomer
und gegebenenfalls zumindest ein anderes ethylenisch ungesättigtes
Monomer verwendet werden, wobei ein typisches Polymerisationsverfahren,
wie die Blockpolymerisation, Lösungspolymerisation,
diskontinuierliche Polymerisation, Suspensionspolymerisation oder
Emulsionspolymerisation, angewendet wird. Die Polymerisation kann
von einem Radikalpolymerisationsinitiator oder einem Metallkatalysator
eingeleitet werden. Für
die Verwendung in der vorliegenden Erfindung ist irgendein Initiator
oder Katalysator geeignet, sofern er die Polymerisation der Doppelbindung
ohne wesentliche Ringöffnung
des Monomers in Form der Acrylverbindung katalysiert. Im allgemeinen
kann die Polymerisationsreaktion durchgeführt, indem ein oder mehrere
Monomere zu einem Reaktionsgemisch gemischt werden, diesem Reaktionsgemisch
ein Metallkatalysator oder Polymerisationsinitiator zugesetzt wird
und die Polymerisationsreaktion durchgeführt, wobei das System falls
erforderlich erwärmt
oder gekühlt
wird. Die Bedingungen in Bezug auf Zeit und Temperatur, damit die
Polymerisationsreaktion stattfindet, hängen von einer Vielzahl von
Faktoren ab, z.B. welches Lösungsmittel
im Reaktionsgemisch verwendet wird, ob ein Metallkatalysator oder
ein Polymerisationsinitiator benutzt wird, der auslösenden Maßnahme (d.h.
Licht, Wärme,
Strahlung, Plasma usw.), den Polymerisationsbedingungen (d.h. Temperatur,
Druck, Lösungsmittel, Konzentration
und Zusätze)
und dgl.
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Bei
Ausführungsformen,
bei denen ein Radikalpolymerisationsinitiator verwendet wird, schließen geeignete
Initiatoren Vazo-Intitiatoren, wie 2,2'-Azobis(ibsobutyronitril) (AIBN), Wasserstoffperoxid,
tert.-Butylhydroperoxid,
Natriumpersulfat, Kaliumpersulfat, Lithiumpersulfat und dgl. ein,
sie sind jedoch nicht darauf begrenzt. Bei anderen Ausführungsformen
kann ein Polymerisationskatalysator aus einem Metall verwendet werden.
Zu geeigneten Polymerisationskatalysatoren aus einem Metall gehören Palladium(II)-Katalysatoren
oder Nickel(II)-Katalysatoren, sie sind jedoch nicht darauf begrenzt.
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Das
erfindungsgemäße Polymer
hat ein Zahlenmittel des Molekulargewichts, das im Bereich von 500 bis
50000, vorzugsweise von 750 bis 25000 und stärker bevorzugt von 1000 bis
15000 liegt, das durch Gelchromatographie bestimmt worden ist. Der
Umwandlungspunkt zweiter Ordnung des erfindungsgemäßen Polymers,
der durch Kalorimetrie mit Differentialabtastung (DSC) bestimmt
worden ist, liegt im Bereich von 40 bis 200, vorzugsweise von 60
bis 180 und stärker
bevorzugt von 80 bis 160.
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Eine
Photoresistzusammensetzung kann formuliert werden, indem als Basisharz
das Polymer verwendet wird, das aus der Polymerisation der erfindungsgemäßen Acrylverbindung
und gegebenenfalls einem oder mehreren ethylenisch ungesättigten
Monomeren resultiert. Eine typische Photoresistzusammensetzung umfaßt in einem
Lösungsmittelmedium
ein Polymer, eine lichtempfindliche Verbindung, gegebenenfalls ein
Vernetzungsmittel, gegebenenfalls eine basische Verbindung, gegebenenfalls
einen Lösungsinhibitor
und gegebenenfalls andere Zusätze,
wie die Streifenbildung verhindernde Mittel, Weichmacher, Beschleuniger,
Füllstoffe,
Farbstoffe und dgl., sie sind jedoch nicht darauf begrenzt, Typischerweise
variiert der Feststoffgehalt der Photoresistzusammensetzung von
etwa 5 bis etwa 35 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung.
Das Polymer und die lichtempfindliche Komponente sollten in ausreichenden
Mengen vorliegen, damit eine Filmüberzugsschicht bereitgestellt
wird und für
die Entstehung von latenten und Reliefbildern mit guter Qualität gesorgt
wird. Wahlfreie Zusätze
sind in relativ geringen Konzentrationen in der Photoresistzusammensetzung
vorhanden, abgesehen von Füllstoffen
und Farbstoffen, die relativ hohen Konzentrationen, z.B. in Mengen
von etwa 5 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Feststoffe
in der Zusammensetzung, verwendet werden.
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Die
lichtempfindliche Verbindung wird der Photoresistzusammensetzung
typischerweise in einer ausreichenden Menge zugesetzt, um in der Überzugsschicht
des Resistmaterials nach dem Bestrahlen mit aktivierenden Strahlen
ein latentes Bild zu erzeugen. Die in der vorliegenden Erfindung
vorteilhaften lichtempfindlichen Verbindungen sind typischerweise
Verbindungen, die mittels Licht eine Säure oder eine Base erzeugen, und
sind vorzugsweise Verbindungen, die mittels Licht eine Säure erzeugen
("PAG"). Die in dieser
Erfindung vorteilhaften Verbindungen, die mittels Licht eine Säure erzeugen,
sind irgendeine Verbindung, die beim Belichten, typischerweise mit
einer Wellenlänge
von 300 nm oder weniger, eine Säure
freisetzen. Zu geeigneten Verbindungen, die mittels Licht eine Säure erzeugen,
gehören
halogenierte Triazine, Oniumsalze, sulfonierte Ester und halogenierte
Sulfonyloxydicarboximide. Wenn die lichtempfindliche Verbindung
eine Verbindung ist, die mittels Licht eine Säure erzeugt, liegt die Menge
typischerweise im Bereich von 0,1 bis 10 Gew.-%, bezogen auf das
Gewicht des Harzes, und vorzugsweise von 1 bis 8 Gew.-%. Für den Fachmann
ist es selbstverständlich,
daß in
den erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzungen
vorteilhafterweise mehr als eine Verbindung verwendet werden kann,
die mittels Licht eine Säure
erzeugt.
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Oniumsalze
mit schwach nucleophilen Anionen sind in der vorliegenden Erfindung
für die
Verwendung als Verbindungen besonders geeignet, die mittels Licht
eine Säure
erzeugen. Beispiele solcher Anio nen sind die Halogenkomplex-Anionen
von zweiwertigen bis siebenwertigen Metallen oder Nichtmetallen,
z.B. Antimon, Zinn, Eisen, Wismuth, Aluminium, Gallium, Indium,
Titan, Zirconium, Scandium, Chrom, Hafnium, Kupfer, Bor, Phosphor
und Arsen. Zu Beispielen geeigneter Oniumsalze gehören Diaryldiazoniumsalze
und Oniumsalze der Gruppen VA und B, IIA und B und I des Periodensystems,
z.B. Haloniumsalze, quaternäre
Ammonium-, Phosphonium- und Arsoniumsalze, aromatische Sulfoniumsalze
und Sulfoxoniumsalze oder Seleniumsalze, sie sind jedoch nicht darauf
begrenzt. Beispiele geeigneter Oniumsalze sind in US-Patenten Nr.
4,442,197, 4,603,101 und 4,624,912 offenbart, die hier alle als
Bezug erwähnt
werden. Die sulfonierten Ester, die in der vorliegenden Erfindung
als Verbindungen geeignet sind, die mittels Licht eine Säure erzeugen,
schließen
Sulfonyloxyketone ein. Zu geeigneten sulfonierten Estern gehören Benzointosylat,
t-Butylphenyl-α-(p-toluolsulfonyloxy)-acetat
und t-Butyl-α-(p-toluolsulfonyloxy)-acetat,
sie sind jedoch nicht darauf begrenzt. Solche sulfonierten Ester
sind im Journal of Photopolymer Science and Technology, Bd. 4, Nr.
3, 337–340
(1991) offenbart, das hier als Bezug erwähnt wird.
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Die
erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzungen
können
vom Fachmann leicht hergestellt werden. Eine erfindungsgemäße Photoresistzusammensetzung
kann z.B. hergestellt werden, indem die Komponenten der Photoresistzusammensetzung
in einem geeigneten Lösungsmittel
gelöst
werden. Zu solchen geeigneten Lösungsmitteln
gehören
Ethyllactat, Ethylenglycolmonomethylether, Ethylenglycolmonomethyletheracetat,
Propylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonomethyletheracetat,
3-Ethoxyethylprionat, 2-Heptanon und Gemische davon, sie sind jedoch
nicht darauf begrenzt.
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Solche
Photoresistzusammensetzungen können
durch irgendeine bekannte Maßnahme,
wie Schleuderbeschichten, Tauchen, Walzbeschichtung und dgl., auf
ein Substrat aufgebracht werden. Wenn die Zusammensetzungen durch
Schleuderbeschichtung aufgebracht werden, kann der Feststoffgehalt
der Beschichtungslösung
auf der Basis der bestimmten verwendeten Schleuderbeschichtungsvorrichtung,
der Viskosität der
Lösung,
der Geschwindigkeit der Schleuderbeschichtungsvorrichtung und der
für die
Schleuderbeschichtung zulässigen
Zeit so eingestellt werden, daß die
gewünschte
Filmdicke bereitgestellt wird.
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Photoresistzusammensetzungen,
die die erfindungsgemäßen Polymere
einschließen,
sind bei allen Anwendungszwecken nützlich, bei denen typischerweise
Photoresists verwendet werden. Die Zusammensetzungen können z.B.
auf Silicium-Wafer oder mit Siliciumdioxid beschichtete Silicium-Wafer
für die
Herstellung von Mikroprozessoren und anderen Komponenten eines integrierten
Schaltkreises aufgebracht werden. Aluminium-Aluminiumoxid, Galliumarsenid,
Keramik, Quarz, Kupfer, Glas und dgl. werden ebenfalls geeignet
als Substrate für
die erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzungen
verwendet.
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Nachdem
die Photoresistzusammensetzung auf der Substratoberfläche aufgebracht
worden ist, wird sie durch Erwärmen
getrocknet, um irgendwelches Lösungsmittel
zu entfernen. Sie wird vorzugsweise getrocknet, bis die Beschichtung
klebefrei ist. Danach wird auf herkömmliche Weise durch eine Maske
ein Bild erzeugt. Das Belichten ist ausreichend, um die Photosäurekomponente
der Photoresistzusammensetzung wirksam zu aktivieren, wodurch in
der Resistüberzugsschicht
ein Musterbild erzeugt wird, und insbesondere liegt die Belichtungsenergie
typischerweise im Bereich von etwa 1 bis 100 mJ/cm2,
wobei dies vom Belichtungsgerät
und den Komponenten der Photoresistzusammensetzung abhängt.
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Die
erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzungen
werden vorzugsweise durch Belichten mit kurzen Wellenlängen, insbesondere
unter 300 nm, wie UV, und stärker
bevorzugt durch Belichten bei Wellenlängen unter 200 nm, aktiviert.
Zu besonders bevorzugten Wellenlängen
gehören
248, 193 und 157 nm. Die erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzungen
können
jedoch bei höheren
Wellenlängen,
wie sichtbarem Licht, Elektronenstrahlen und Röntgenstrahlen, verwendet werden,
dies ist jedoch nicht darauf begrenzt.
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Die
Erfindung wird anhand der folgenden Beispiele ausführlicher
erläutert,
es sollte jedoch selbstverständlich
sein, daß die
vorliegende Erfindung nicht darauf begrenzt sein soll. Die GCMS-Spektren
für die
Beispiele wurden mit einem massenselektiven Detektor Hewlett Packard,
5890 Serie 11 G.C. und Serie 5972 mit einer 50 Meter Kapillarsäule HP-5MS
erfaßt.
Die NMR-Kernanalysen für
diese Beispiele wurden mit einem Spektrometer Bruker CP-500FT erhalten,
das bei 470,68 MHz (19F), 500,28 MHz (1H) arbeitet. Die chemischen Verschiebungen
wurden auf rein in CFCl3 (19F)
und CHCl3(1H) bezogen.
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Beispiele
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Beispiel 1: Herstellung
von 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)tetrahydropyran
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In
einem 500 ml 3-Hals-Rundkolben, der mit einem Teflonrührer, einem
Thermoelement und einem Stickstoffeinlaß ausgestattet war, wurden
88 ml einer 1 m THF-Lösung
von Kalium-tert.-butoxid auf eine Temperatur im Bereich von –30 bis –50°C abgekühlt. In
den Kolben wurde langsam eine Menge von 40 ml Trifluoraceton gegeben,
wodurch ein Reaktionsgemisch erzeugt wurde, und dieses Reaktionsgemisch
konnte sich auf Raumtemperatur erwärmen. Nach 4 Stunden wurde
das Reaktionsgemisch auf eine verdünnte Salzsäurelösung gegossen, und die wäßrige Schicht
wurde mit Ethylether extrahiert. Die gemischten organischen Schichten
wurden getrocknet und filtriert, und das Lösungsmittel wurde verdampft,
wodurch nach dem Umkri stallisieren aus dem Lösungsmittel Hexan 36 g eines
weißen
Feststoffs erhalten wurden. Der Prozentsatz der Ausbeute des Produktes
betrug 73%. Eine Analyse des Produktes identifizierte es als 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)tetrahydropyran
(4 Stereoisomere, eins hauptsächlich).
Die Ergebnisse von Messenspektrum und NMR für das Produkt waren wie folgt:
Massenspektrum
m/z (267, M-CF3),
1H
NMR der hauptsächlichen
Komponente (CD3OD, ppm) 4,86 (s, 2H), 1,79
(s, 3H), 1,84–186
(d, 1H), 1,91–1,94
(d, 1H), 1,97–2,00
(d, 1H), 2,1–2,17
(d, 1H);
19F NMR der hauptsächlichen
Komponente (CD3OD, ppm) –89,2 (s, CF3), –87,3 (s,
CF3), –87,1
(s, CF3).
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Beispiel 2: Allgemeines
Verfahren für
Acylierungsreaktionen; Herstellung des 4,6-Hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureesters
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In
einem 500 ml 3-Hals-Rundkolben, der mit einem Teflonrührer, einem
Thermoelement und einem Stickstoffeinlaß ausgestattet war, wurde eine
Lösung,
die 50,26 g 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyl-tetrahydropyran,
(gemäß Beispiel
1 hergestellt) und 45,7 ml N-Ethylmorpholin in 150 ml THF enthielt
auf –15°C abgekühlt. Ein
Acylierungsmittel, Acryloylchlorid (14,5 ml), wurde langsam zugegeben,
wodurch ein Reaktionsgemisch erzeugt wurde, und dieses Reaktionsgemisch
konnte sich auf Raumtemperatur erwärmen. Nach 4 Stunden wurde
das Reaktionsgemisch auf eine verdünnte Salzsäurelösung gegossen, und die wäßrige Schicht
wurde mit Ethylether extrahiert. Die gemischten organischen Schichten
wurden getrocknet und filtriert, und das Lösungsmittel wurde verdampft,
wodurch nach dem Umkristallisieren aus Hexan 47 g eines weißen festen
Produktes erhalten wurden. Der Prozentsatz der Ausbeute des Produktes
betrug 80,5%. Eine Analyse des Produktes identifizierte es als 4,6-Hydroxy- 2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester
(4 Stereoisomere, eins hauptsächlich).
Die Ergebnisse von Massenspektrum und NMR für das Produkt waren wie folgt:
Massenspektrum
m/z (372, M-H2O),
1H
NMR (CD3OD, ppm) 6,4–6,5 (dd, 1H), 6,16–6,19 (dd,
1H), 5,93–5,95
(dd, 1H), 4,82 (s, 1H), 3,43–3,46
(dd, 1H), 2,50–253
(dd, 1H), 2,05–2,09
(d, 1H), 1,86–1,88
(d, 1H), 1,72 (s, 3H);
9F NMR (CD3OD, ppm) –80,15 (s, CF3), –86,97 (s,
CF3), –88,90
(s, CF3).
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Beispiel 3: Allgemeines
Verfahren für
die Desoxofluorierungsreaktionen; Herstellung des 6-Fluor-4-hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureesters
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In
einem 50 ml 3-Hals-Rundkolben, der mit einem Teflonrührer, einem
Thermoelement und einem Stickstoffeinlaß ausgestattet war, wurde eine
Lösung
von 3,9 g 4,6-Dihydroxy-2-methyl-2,4,6-trifluormethyl-tetrahydropyran-4-acrylsäureester
(gemäß Beispiel
2 herstellt) in 8 ml Ethylether langsam zu einer gekühlten Lösung von
Bis(2-methoxyethyl)aminoschwefeltrifluorid
(2 ml) in 8 ml Ether gegeben, wodurch ein Reaktionsgemisch erzeugt
wurde. Dieses Reaktionsgemisch konnte sich auf Raumtemperatur erwärmen. Nach
1 Stunde wurde das Reaktionsgemisch auf eine Natriumbicarbonatlösung gegossen,
und die wäßrige Schicht
wurde mit Ethylether extrahiert. Die gemischten organischen Schichten
wurden getrocknet, filtriert, und das Lösungsmittel wurde verdampft,
wodurch 3,2 g eines Öls
erhalten wurden. Der Prozentsatz der Ausbeute des Produktes lag
bei 78%. Durch eine Analyse des Öls
wurde bestimmt, daß es
6-Fluor-4-hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester
war (2 Isomere im Verhältnis
von 70:30). Die Ergebnisse von Massenspektrum und NMR für das Produkt
waren wie folgt:
Massenspektrum m/z (412, M+),
1H NMR (CDCl3, ppm)
6,36–6,45
(m, 1H), 6,02–6,10
(m, 1H), 5,89–5,94
(m, 1H), 2,99–3,04
(dd, 1H), 2,80–2,90 (dd,
1H), 2,56–2,68
(dd, 1H), 1,50 (s, 3H);
19F NMR (CDCl3, ppm) –74,13
(s, 0,3 CF3), –79,83
(s, 0,3 CF3), –79,94
(s, 0,7 CF3), –84,43
(s, 0,3 CF3), –84,93
(s, 0,7 CF3), –86,50
(s, 0,7, CF3), –108,62–108,68
(bm, CF).
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Beispiel 4: Polymerisation
eines Monomers (4,6-Hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester)
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Das
Monomer (4,6-Hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester) wurde
gemäß Beispiel
2 hergestellt. Eine Menge des Monomers von 2 g (0,0051 Mol) wurde
mit 2,65 g Tetrahydrofuran und 21 mg (0,00013 Mol) des Initiators
2,2'-Azobis(isobutyronintril)
(AIBN) gemischt, wodurch eine Reaktionsgemisch bereitgestellt wurde.
Sauerstoff wurde in 3 Zyklen aus Gefrieren-Auftauen auf einer Vakuumanlage
entfernt. Die Polymerisationsreaktion des Monomers erfolgte, indem
das Reaktionsgemisch unter einer N2-Atmosphäre für einen
Zeitraum von 21 bis 24 Stunden auf 65°C erwärmt wurde. Das Reaktionsprodukt
wurde erhalten, indem das Lösungsmittel
auf einem Rotationsverdampfer entfernt wurde. Dann wurde das Produkt
in einem Vakuumofen unter einer leichten Stickstoffspülung (50°C, 18 mm
Hg) über
Nacht getrocknet, wodurch ein weißes Polymer erhalten wurde
(2,08 g, 104%), was darauf hinweist, daß nicht das gesamte Lösungsmittel
entfernt worden war. Bei dem Produkt wurde die 13C
NMR durchgeführt,
und es wurde kein ungebundenes Monomer nachgewiesen. Das Molekulargewicht
des Polymers lautete Mn = 2700, Mw = 3300.
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Eine
DSC-Analyse des Polymers wurde mit dem Gerät TA Instruments Modell 2920
bei einer Erwärmungsrate
von 20°C/min
durchgeführt.
Das Produkt wurde in Proben aufgeteilt, die zweimal im Zyklus die DSC durchliefen,
wobei zwischen den Zyklen bei –50°C abgeschreckt
wurde. Der Umwandlungspunkt zweiter Ordnung (Tg)
wurde beim zweiten Zyklus mit 82°C
bestimmt. Dieses Polymer war bei normalen Behandlungsbedingungen
in 0,26 n Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) nicht basenlöslich. Dieses
Polymer hatte einen Kontaktwinkel mit Wasser von 95 bis 100 und
einen Kontaktwinkel mit 0,26 n TMAH von 80°. Bei einem dünnen Film
dieses Polymers wurde durch eine spektralanalytische Vakuum-UV-Ellipsometrie
bei veränderlichem
Winkel (VUV-VASE, die Messungen wurden von J. A. Woollam Co., Inc.,
Lincoln, NB durchgeführt)
ein Absorptionskoeffizient von 1,9 μm–1 bestimmt.
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Beispiel 5: Copolymerisation
des Monomers 4,6-Hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester
mit dem Monomer 2-Methyladamantylmethacrylat
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Das
Monomer (4,6-Hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester) wurde
gemäß Beispiel
2 hergestellt. Eine Menge von 2,5 g (0,0064 Mol) von (4,6-Hydroxy-2-methyl-2,4,6-tris(trifluormethyl)-tetrahydropyran-4-acrylsäureester)
und eine Menge von 1 g (0,0043 Mol) 2-Methyladamantylmethacrylat
wurden mit 4,64 g Tetrahydrofuran und 43,9 mg (0,00027 Mol) 2,2'-Azobis(isobutyronitril)
(AIBN) gemischt, wodurch ein Reaktionsgemisch erhalten wurde. Sauerstoff
wurde mit 3 Zyklen aus Gefrieren-Auftauen auf einer Vakuumanlage
entfernt. Die Polymerisationsreaktion wurde durchgeführt, indem das
Reaktionsgemisch unter einer N2-Atmosphäre für einen
Zeitraum von 21 bis 24 Stunden auf 65°C erwärmt wurde. Das Reaktionsprodukt
wurde erhalten, indem das Lösungsmittel
auf einem Rotationsverdampfer entfernt wurde. Dann wurde das Produkt
unter einer leichten Stickstoffspülung (50°C, 18 mm Hg) über Nacht
vakuumgetrocknet, wodurch ein weißes Polymer erhalten wurde.
Das Molekulargewicht des Polymers betrug Mn =
4650, Mw = 10900.
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Die
DSC-Analyse des Polymers wurde mit einem Gerät TA Instruments Modell 2920
bei einer Erwärmungsrate
von 20°C/min
durchgeführt.
Das Produkt wurde in Proben aufgeteilt, die zweimal im Zyklus die
DSC durchliefen, wobei zwischen den Zyklen bei –50°C abgeschreckt wurde. Der Umwandlungspunkt
zweiter Ordnung (Tg) wurde beim zweiten
Zyklus mit 97,5°C
bestimmt.
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Beispiel 6: Lithographieprüfung des
Copolymers
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Ein
Copolymer wurde gemäß Beispiel
5 hergestellt, und es wurde wie folgt aufgezeigt, daß es lichtempfindlich
ist. Eine Menge von 0,168 g des Copolymers wurde in einem Gemisch
gelöst,
das 1,28 g Propylenglycolmethyletheracetat (PGMEA) und 0,5 Gew.-%
Triphenylsulfoniumtriflat als PAG enthielt. Die Konzentration des
Copolymers im PGMEA-Gemisch betrug 11,6 Gew.-%. Das Gemisch wurde
durch Schleuderbeschichtung bei einer Geschwindigkeit von 2000 U/min
auf einen Silicium-Wafer aufgebracht, wodurch ein dünner Film
erzeugt wurde, darauf folgte ein nachträglich angewendetes Trocknen
für 90
Sekunden bei 130°C. Der
Film wurde etwa 2 Sekunden mit einer Dauerstrich-UV-Lampe Fusion
UV Systems, Inc. Modell F300, die mit einer D-Birne ausgestattet
war, teilweise belichtet, darauf folgte das Trocknen nach dem Belichten
für 90 Sekunden
bei 118°C.
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Nach
dem Belichten wurde der Film dann etwa 30 Sekunden in eine basische
0,26 n TMAH-Lösung gegeben.
Der Wafer wurde der Lösung
entnommen und mit deionisiertem Wasser gewaschen. Der Bereich des
Films, der mit UV-Licht belichtet worden war, löste sich in der basischen Lösung, wohingegen
dies beim unbelichteten Bereich nicht der Fall war. Das zeigt, daß das Copolymer
dieses erfindungsgemäßen Beispiels als
Photoresist verwendet werden kann.
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Obwohl
die Erfindung anhand ihrer bestimmten Beispiel ausführlich beschrieben
worden ist, ist dem Fachmann klar, daß verschiedene Än derungen
und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne von deren Gedanken
und Umfang abzuweichen.