DE60133498T2

DE60133498T2 - Optischer Wanderwellenmodulator

Info

Publication number: DE60133498T2
Application number: DE60133498T
Authority: DE
Inventors: Atsuo Nagoya City Aichi-ken Kondo; Jungo Nagoya City Kondo; Kenji Nagoya City Aoki; Osamu Nagoya City Mitomi
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2000-07-27
Filing date: 2001-07-26
Publication date: 2009-05-07
Anticipated expiration: 2021-07-27
Also published as: DE60127903D1; US6674565B2; DE60127903T2; JP4443011B2; EP1176455B1; EP1176455A1; JP2002040381A; EP1722266A3; EP1722266B1; DE60133498D1; EP1722266A2; US20020048076A1

Description

Hintergrund der Erfindung
Fachgebiet der Erfindung
Diese Erfindung betrifft einen optischen Modulator vom Wanderwellentyp.
Stand der Technik
Die Erfinder offenbarten in der japanischen Offenlegungsschrift Kokai Hei 10-133159 ( JP A 10-133159 ), dass der optische Modulator bei einer Frequenz von 10 GHz oder darüber ohne Pufferschicht, die aus Siliziumoxid oder dergleichen besteht, betrieben werden kann, wenn der Teil unter einem optischen Wellenleiter eines Substrats zur Herstellung eines optischen Modulators vom Wanderwellentyp um bis zu z. B. 10 μm oder weniger reduziert werden kann. In diesem Fall werden dickere und dünnere Teile im Substrat gebildet und daher kann der optische Modulator vom Wanderwellentyp bei einer hohen Geschwindigkeit und mit unterdrückter Gleichstromdrift betrieben werden. Weiters kann das Produkt (Vπ·L) aus Betriebsspannung Vπ und Elektrodenlänge L auf günstige Weise im optischen Modulator verringert werden.
Dann unternahmen die Erfinder den Versuch, das Leistungsverhalten des obigen optischen Modulators zu verbessern und stellten folgendes Problem fest: Im Fall der Verbindung des obigen optischen Modulators mit einer externen optischen Faser wurde der optische Einfügungsverlust erhöht. Weiters ist es erwünscht, dass das Produkt (Vπ·L) weiter verringert wird, wobei die Geschwindigkeitsanpassung so beibehalten werden soll, dass sie mit dem Mikrowellensignal übereinstimmt und die Impedanz so beibehalten werden soll, dass sie mit einem externen Kreislauf übereinstimmt.
EP-A-1020754 beschreibt einen optischen Modulator vom Wanderwellentyp mit einem Substrat aus elektro-optischem Material, in welchem angrenzend an eine Oberfläche Wellenleiter ausgebildet sind. Eine Signalelektrode ist zwischen den Wellenleitern auf einer Pufferschicht bereitgestellt, die teilweise in diese Oberfläche des Substrats eingebettet ist. Masseelektroden kontaktieren diese Oberfläche des Substrats.
In einem dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Masseelektroden teilweise in die Oberfläche des Substrats eingebettet.
Zusammenfassung der Erfindung
Diese Erfindung betrifft einen in Anspruch 1 dargelegten optischen Modulator vom Wanderwellentyp.
Diese Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines in Anspruch 10 dargelegten optischen Modulators vom Wanderwellentyp.
Bevorzugte, optionale Eigenschaften sind in den abhängigen Ansprüchen dargelegt.
Mit dem optischen Modulator vom Wanderwellentyp der Erfindung kann das Produkt (Vπ·L) aus Betriebsspannung Vπ und Elektrodenlänge L stark verringert werden, wobei die Geschwindigkeitsanpassung für Mikrowellensignale und die Impedanzanpassung für einen externen Schaltkreis wie nachstehend beschrieben beibehalten werden soll.
Obwohl die Konfiguration eines jeden ferroelektrischen Einkristallabschnitts nicht eingeschränkt ist, ist es erforderlich, dass die angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitte voneinander getrennt sind und die Elektroden in den Räumen zwischen den angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitten ausgebildet sind. Weiters ist es erwünscht, dass der ferroelektrische Einkristallabschnitt aus seiner Bodenfläche, an das Trägersubstrat angrenzt, ausgebildet ist, seine Deckfläche gegenüber vom Trägersubstrat und seine Seitenoberflächen zwischen der Bodenfläche und der Deckfläche positioniert sind. In diesem Fall wird jede Elektrode so angeordnet, dass sie mit den gegenüberliegenden Seitenoberflächen der angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitte kontaktiert werden. Weiters ist eine zur Bodenfläche parallele Deckfläche bevorzugt.
Insbesondere ist es in diesem Fall wünschenswert, dass jede Elektrode mit den Deckflächen der angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitte kontaktiert wird.
Der optische Wellenleiter kann in einer beliebigen Fläche innerhalb des ferroelektrischen Einkristallabschnitts ausgebildet sein. Zum Beispiel kann der optische Wellenleiter im oberen Bereich oder unteren Bereich des ferroelektrischen Einkristallabschnitts ausgebildet sein. Wenn der optische Wellenleiter im unteren Bereich ausgebildet ist, kann das Produkt (Vπ·L) aus Betriebsspannung Vπ und Elektrodenlänge L stark verringert werden.
Im obigen optischen Modulator vom Wanderwellentyp umfasst das Trägersubstrat vorzugsweise eine Basissubstanz, die aus einem harten Material und einer Haftschicht auf der Basissubstanz hergestellt wird. Als hartes Material wird wie oben erwähnt ein ferroelektrischer Einkristall, ein Glasmaterial und ein Harzmaterial als Beispiel angeführt. Die Haftschicht kann auch aus dem oben angeführten Glaslot hergestellt werden. Weiters kann das Trägersubstrat vollständig aus einem Glasmaterial oder einem Harzmaterial hergestellt werden.
Der ferroelektrische Einkristallabschnitt besteht aus einem beliebigen Material, das im optischen Modulator vom Wanderwellentyp verwendet wird, und konkret sind Lithiumniobat, Kaliumlithiumniobat, Lithiumtantalat und KTP als Beispiele angeführt. Vorzugsweise wird zumindest eines von Lithiumniobat, Lithiumtantalat und Lithiumniobat-Lithiumtantalat-Einkristall in fester Lösung verwendet.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Zum besseren Verständnis dieser Erfindung wird auf die Zeichnungen im Anhang verwiesen, worin:
1(a)–1(d) Querschnittsansichten sind, welche die Herstellungsschritte für einen optischen Modulator vom Wanderwellentyp, der eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, zeigen.
2(a)–2(b) Querschnittsansichten sind, welche die auf 1(a)–1(d) folgenden Herstellungsschritte für den optischen Modulator vom Wanderwellentyp zeigen.
3 eine perspektivische Darstellung ist, welche den optischen Modulator vom Wanderwellentyp zeigt, der wie in 1 und 2 dargestellt hergestellt wird.
4 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil des optischen Modulators vom Wanderwellentyp aus den 1 bis 3 zeigt.
5 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen weiteren optischen Modulator vom Wanderwellentyp, der eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, zeigt.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen Diese Erfindung ist hierin nachstehend unter Verweis auf die Zeichnungen im Anhang im Detail beschrieben.
Als nächstes wird ein optischer Modulator vom Wanderwellentyp der Erfindung unter Verweis auf 1 bis 5 beschrieben.
Erstens werden wie in 1(a) dargestellt optische Wellenleiter 2 auf einem Substrat 1A ausgebildet, das aus einem ferroelektrischen X-Schnitt-Einkristall hergestellt wird, sodass die Längsrichtungen der optischen Wellenleiter 2 parallel zur Y-Richtung des Substrats sind. Deshalb bewegt sich eine bestimmte optische TE-Modus-Welle durch jeden optischen Wellenleiter in einer zur Y-Richtung des Substrats 1A parallelen Richtung.
Dann wird eine Glaslotschicht 3 als Haftschicht auf dem Trägersubstrat 1A ausgebildet. Andererseits wird ein weiteres Trägersubstrat 1B hergerichtet und eine Glaslot-Schicht 3 wird als Haftschicht auf dem Trägersubstrat 1B ausgebildet. Die Glaslotschichten 3 werden angehaftet und thermisch unter einer bestimmten angelegten Last behandelt, um das Substrat 1A und das Trägersubstrat aneinander anzuhaften, wie in 1(b) dargestellt. Bezugszeichen 3A benennt eine Klebeschicht, die aus den verbundenen Klebeschichten 3 besteht.
Dann wird die Deckfläche des Substrats 1A, in welcher der optische Wellenleiter ausgebildet worden ist, geschliffen und poliert, wodurch eine dünnere ferroelektrische Einkristallschicht 4 wie in 1(c) dargestellt gebildet wird. In der Folge werden die ferroelektrische Einkristallschicht 4 und die Glaslotschicht 3 teilweise entfernt, um die Oberfläche des Substrats 1B freizulegen, wodurch ferroelektrische Einkristallabschnitte 8 separat ausgebildet werden. In diesem Fall wird ein bestimmter Raum 9 zwischen den angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitten gebildet. Dann wird wie in 2(a) dargestellt ein amorpher Siliziumfilm 10 gebildet, um die Oberfläche jedes ferroelektrischen Einkristallabschnitts 8 und die freigelegte Oberfläche des Substrats 1B zu bedecken.
Nachdem eine Plattierungsunterschicht, die nicht dargestellt ist, gebildet worden ist, wird dann eine dicke Resistschicht gebildet und danach Elektroden 21A–21C durch Plattierung gebildet. Als nächstes wird die dicke Resistschicht mit einem organischen Lösungsmittel entfernt und die Plattierungsunterschicht wird durch Nassätzen entfernt, um einen optischen Modulator vom Wanderwellentyp wie in 2(b) dargestellt fertigzustellen. 3 ist eine perspektivische Darstellung, die den optischen Modulator vom Wanderwellentyp schematisch darstellt. In dieser Ausführungsform stellt der optische Modulator vom Wanderwellentyp einen Mach-Zehnder-Typ-Modulator her. 2(b) entspricht dem Querschnitt des modulierenden Bereiches 20 des optischen Modulators vom Wanderwellentyp, lotrecht auf die Längsrichtung des optischen Wellenleiters 2.
4 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht, die einen Teil des optischen Modulators vom Wanderwellentyp zeigt. Wie aus 4 ersichtlich ist, werden die Elektroden 21A, 21B und 21C sogar für die optischen Wellenleiter 2 (in derselben Ebene von der Oberfläche des Substrats 1B positioniert) angeordnet, große wirksame Spannungen werden durch die ferroelektrischen Einkristallabschnitte 8 an die optischen Wellenleiter 2 angelegt. Dadurch kann das Produkt Vπ·L nennenswert verringert werden.
(Beispiel 1)
In diesem Beispiel wurde gemäß den Herstellungsschritten, die in den 1 und 2 dargestellt sind, ein optischer Modulator vom Wanderwellentyp mit dem modulierenden Bereich wie in 4 dargestellt hergestellt. Konkret wurde ein Titanmuster auf einem Substrat 1A gebildet, das aus einem X-Schnitt-Lithiumniobat-Einkristall durch Photolithographie und Elektronenstrahlablagerung gebildet wurde und thermisch bei 1000–1050°C unter einer feuchtigkeitenthaltenden Oxidatmosphäre diffundiert, wodurch optische Wellenleiter 2 vom Titandiffusionstyp gebildet wurden.
Dann wurde ein amorpher Siliziumfilm in einer Dicke von 50 nm (500 Å) auf dem Substrat 1A durch Sputtern und vorzugsweise eine Glaslotschicht 3 in einer Dicke von 100 nm (1000 Å) nachfolgend in derselben Charge gebildet. Es wurde auch ein weiteres Trägersubstrat 1B hergestellt, ein Glaslot 3 in einer Dicke von 100 nm (1000 Å) wurde durch Sputtern auf dem Trägersubstrat 1B hergestellt. Dann werden die Glaslotschichten 3 kontaktiert und thermisch bei 500°C unter einer bestimmten angelegten Last behandelt, um an Substrat 1A und 1B anzuhaften. In diesem Fall betrug die Deformationstemperatur des Glaslotes 500°C und weniger. Das Trägersubstrat 1B wurde aus einem Glassubstrat [Bk-7] mit einem fast gleichen thermischen Expansions-Koeffizienten hergestellt, wie jenem des X-Schnitt-Lithiumniobats. Wie oben erwähnt, kann, da das Trägersubstrat 1B an das Substrat 1A angehaftet wurde, das aus dem ferroelektrischen Einkristall von Lithiumniobat hergestellt wird, die so erhaltene Anordnung eine große Festigkeit gegenüber einer Nachverarbeitung aufweisen.
Dann wurde das Substrat 1A geschliffen und poliert, um eine ferroelektrische Einkristallschicht 4 aus dem Lithiumniobat zu bilden. Dann wurde die ferroelektrische Einkristallschicht 4 mittels Poliermitteln, die aus kolloidalem Silizium bestanden, CMP-behandelt, um die beschädigte Oberflächen-Schicht zu entfernen. Dann wurde die ferroelektrische Einkristallschicht 4 und die Glaslotschicht 3A, die aus den verbundenen Glaslotschichten 3 bestanden, teilweise durch KrF-Exzimerlaser geätzt, um die Oberfläche des Trägersubstrats 1B freizulegen, wodurch ferroelektrische Einkristallabschnitte 8 gebildet wurden. Danach wurde ein amorpher Siliziumfim in einer Dicke von 150 nm (1500 Å) gebildet, um die ferroelektrischen Einkristallschichten 8 und die freigelegte Oberfläche des Trägersubstrats 1B zu bedecken und eine Cr-Schicht als Haftschicht wurde in einer Dicke von 50 nm (500 Å) nachfolgend in derselben Charge gebildet. Dann wurde eine Au-Schicht als Plattierungsunterschicht in einer Dicke von 30 nm (300 Å) auf der Cr-Schicht gebildet. Eine dicke Widerstandsschicht, die im Handel erhältlich ist, wurde als Führungsschicht für Goldplattierung verwendet und Au-Elektroden wurden durch Elektroplattierung hergestellt. Danach wurde die dicke Widerstandsschicht durch ein organisches Lösungsmittel entfernt und die Au-Schicht und Cr-Schicht wurden durch Nass-Ätzen entfernt.
Der so erhaltene Wafer wurde in Chips geschnitten. Die Enden jedes Chips werden optisch poliert, um einen optischen Modulator vom Wanderwellentyp fertigzustellen. Danach wurden optische Fasern mit UV-gehärtetem Harz an den optischen Modulator vom Wanderwellentyp angehaftet, sodass die optischen Achsen der optischen Fasern an jene des optischen Wellenleiters angepasst sind. Die Transmissionsleistung (S21) und Reflektionsleistung (S11) wurden durch einen Netzwerkanalysator gemessen und der Mikrowellenreflektionsindex nm, die charakteristische Impedanz Z und der Elektrodenverlust α wurden berechnet. Dann wurde die halbe Wellenlängenspannung Vπ als elektro-optische Eigenschaft gemessen. Weiters wurde der optische Einfügungsverlust gemessen.
Der Mikrowellen-Brechungsindex kann an den Brechungsindex der optischen Welle (nm = no = 2,05) bei einer Breite W der Zentralelektrode 21B = 30–40 μm, die Dicke t(sub) jedes ferroelektrischen Einkristallabschnitts 8 = 6–10 μm, den Elektrodenabstand G = 30–40 μm und die Dicke t(m) der Elektrode = 15–45 μm angepasst werden.
Insbesondere unter der Bedingung, dass die Breite W der Zentralelektrode 21B = 40 μm, die Dicke t(sub) jedes ferroelektrischen Einkristallabschnitts 8 = 6 μm, der Elektrodenspalt G = 30 μm und die Dicke t(m) der Elektrode = 19 μm ist, kann die Geschwindigkeitsanpassungsbedingung erfüllt werden und die charakteristische Impedanz Z von 47Ω, der Elektrodenverlust α von 0,18 dB/cm (GHz)^1/2 konnten erhalten werden. Weiters betrug das Modulationsband des optischen Modulators vom Wanderwellentyp bis zu 80 GHz. Das Produkt (Vπ·L) betrug 9 V·cm (die Betriebsspannung Vπ = 2,25 V, die Elektrodenlänge L = 4 cm). Weiters war der optische Einfügungsverlust 5 dB.
In einer bevorzugten Ausführungsform eines weiteren optischen Modulators vom Wanderwellentyp weist der ferroelektrische Einkristallabschnitt einen dickeren Teil und einen dünneren Teil auf. Eine Elektrode wird auf dem dünneren Teil zwischen den dickeren Teilen der angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitte bereitgestellt. In diesem Fall kann der optische Einfügungsverlust weiter reduziert werden.
5 ist eine Querschnittdarstellung, die schematisch die bevorzugte Ausführungsform eines weiteren optischen Modulators vom Wanderwellentyp zeigt.
Grundlegend weist der optische Modulator vom Wanderwellentyp eine ähnliche Struktur auf wie jener, der in 4 gezeigt ist, mit der Ausnahme, dass der ferroelektrische Einkristallabschnitt 8A den dickeren Teil 18 und den dünneren Teil 19 aufweist.
(Beispiel 2)
Ein optischer Modulator vom Wanderwellentyp wie in 5 dargestellt wurde fast auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt. Das Substrat 1A, das aus Lithiumniobat besteht, wurde geschliffen und poliert, um die Dicke auf 10 μm festzulegen. Dann wurde das Substrat 1A teilweise durch KrF-Exzimerlaser wie oben beschrieben ge ätzt, um die ferroelektrischen Einkristallabschnitte 8A herzustellen. Die dickeren Teile und der dünnere Teil wurden durch Einstellung des Laser-Ausgangssignals und der Scanning-Anzahl ausgebildet. Dann wurde ein amorpher Siliziumfilm und Au-Elektroden hergestellt.
Der so erhaltene Wafer wurde in Chips geschnitten. Die Enden jedes Chips werden optisch poliert, um einen optischen Modulator vom Wanderwellentyp fertigzustellen. Danach wurden optische Fasern mit UV-gehärtetem Harz an den optischen Modulator vom Wanderwellentyp angehaftet, sodass die optischen Achsen der optischen Fasern an die des optischen Wellenleiters angepasst sind. Die Transmissionsleistung (S21) und Reflektionsleistung (S11) wurden durch einen Netzwerkanalysator gemessen und der Reflektions-Mikrowellen-Index nm, die charakteristische Impedanz Z und der Elektrodenverlust α wurden berechnet. Weiters wurde der optische Einfügungs-Verlust gemessen.
Der Mikrowellen-Brechungsindex konnte an den optischen Brechungsindex (nm = no = 2,15) bei einer Breite W der Zentralelektrode 21B = 30–40 μm, die Dicke t(sub) des dünneren Teils 19 jedes ferroelektrischen Einkristallabschnitts 8 = 6–10 μm, den Elektrodenspalt G = 30–40 μm und die Dicke t(m) der Elektrode = 15–45 μm angepasst werden.
Insbesondere unter der Bedingung, dass die Breite W der Zentralelektrode 21B = 40 μm, die Dicke t(sub) des dünneren Teils 19 jedes ferroelektrischen Einkristallabschnitts 8A = 6 μm, die Dicke t(OP) des dickeren Teils 18 jedes ferroelektrischen Einkristallabschnitts 8A = 10 μm, der Elektrodenspalt G = 30 μm und die Dicke t(m) der Elektrode = 19 μm, konnte die Geschwindigkeitsanspassungsbedingung erfüllt werden und die charakteristische Impedanz Z von 45 Ω, der nennenswert reduzierte Elektrodenverlust α von 0,18 dB/cm (GHz)^1/2 konnten erhalten werden. Weiters betrug das Modulationsband des optischen Modulators vom Wanderwellentyp bis zu 80 GHz. Das Produkt (Vπ·L) betrug 9,5 V·cm. Weiters betrug der optische Einfügungsverlust 4 dB.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Produkt (Vπ·L) der Betriebsspannung Vπ und der Elektrodenlänge L in einem optischen Modulator vom Wanderwellentyp stark verringert werden, wobei die Geschwindigkeitsanpassung für Mikrowellensignale und die Impedanzanpassung für eine externe Schaltung beibehalten werden.

Claims

Optischer Modulator vom Wanderwellentyp, umfassend: ein Trägersubstrat (1B) und – in der folgenden Reihenfolge auf eine Oberfläche des Substrats (1B) geschichtet: – ferroelektrische Einkristallabschnitte (8), die im Modulationsbereich des optischen Modulators vom Wanderwellentyp – im Querschnitt des Modulationsbereichs quer zur optischen Achse desselben verlaufend gesehen – seitlich getrennt voneinander angeordnet sind und sich in der Richtung der optischen Achse erstrecken, wobei ein optischer Wellenleiter (2) in jedem ferroelektrischen Einkristallabschnitt (8) ausgebildet ist und sich in Richtung der optischen Achse des Modulationsbereichs erstreckt, und Elektroden (21A, 21B, 21C) zur Modulation, die sich in der Richtung der optischen Achse erstrecken und deren Bodenabschnitt auf dem Substrat in Zonen ausgebildet ist, die nicht durch die ferroelektrischen Einkristallabschnitte abgedeckt sind, wobei eine der Elektroden (21B) an einer solchen Zone zwischen zwei angrenzenden der ferroelektrischen Einkristallabschnitte (8) angeordnet ist, welche die optischen Wellenleiter (2) enthalten.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach Anspruch 1, worin jeder optische Wellenleiter (2) im Bodenbereich des jeweiligen ferroelektrischen Einkristallabschnitts (8) an das Trägersubstrat (1B) angrenzend angeordnet ist.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach Anspruch 1 oder 2, worin jede Elektrode (21A, 21B, 21C) in Kontakt mit zumindest der angrenzenden Seitenoberfläche des oder jedes angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitts (8) steht.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach Anspruch 3, worin jede Elektrode (21A, 21B, 21C) in Kontakt mit der oberen Oberfläche des oder jedes angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitts (8) steht.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin jeder ferroelektrische Einkristallabschnitt (8) einen dickeren Teil (18) und einen dünneren Teil (19) aufweist und jede Elektrode (8) mit einem dünneren Teil (19) des oder jedes angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitts in Kontakt steht.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin das Trägersubstrat (1B) eine Basissubstanz aus einem harten Material und einer Haftschicht (3B) auf der Basissubstanz umfasst, um die ferroelektrischen Einkristallabschnitte (8) anzuhaften.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach Anspruch 6, worin die Haftschicht (3B) aus einem Glasmaterial oder einem Harzmaterial ist.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach Anspruch 7, worin die Haftschicht (3B) aus Lötglas ist.
Optischer Modulator vom Wanderwellentyp nach einem der Ansprüche 1 bis 5, worin das Trägersubstrat zur Gänze aus einem Glasmaterial oder einem Haftmaterial hergestellt ist.
Verfahren zur Herstellung eines optischen Modulators vom Wanderwellentyp, umfassend die folgenden Schritte: (i) Vorbereiten eines Körpers (1A) aus einem ferroelektrischen Einkristallmaterial, (ii) Ausbilden optischer Wellenleiter (2) im Körper (1A), (iii) Anhaften des Körpers (1A) an einem Trägersubstrat (1B), (iv) Verarbeiten des Körpers (1A), um aus diesem ferroelektrische Einkristallabschnitte (8) zu erzeugen, die sich in Richtung der optischen Achse des Modulationsbereichs des Modulators erstrecken und – im Querschnitt des Modulationsbereichs quer zur optischen Achse verlaufend gesehen – im Modulationsbereich des optischen Modulators vom Wanderwellentyp seitlich voneinander getrennt sind, und um die optischen Wellenleiter (2), die sich in der Richtung der optischen Achse in den ferroelektrischen Einkristallabschnitten (8) erstrecken, zu positionieren, und (v) Bereitstellen von Elektroden (21A, 21B, 21C) zur Modulation, die sich in Richtung der optischen Achse erstrecken und deren Bodenabschnitt auf dem Substrat an Zonen ausgebildet ist, die durch die ferroelektrischen Einkristallbereiche nicht abgedeckt ist, wobei eine der Elektroden (21B) an einer solchen Zone zwischen zwei angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitten (8) angeordnet ist, die optische Wellenleiter (2) enthalten.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 10, worin jeder optische Wellenleiter (2) im Bodenbereich der ferroelektrischen Einkristallabschnitte (8) an das Trägersubstrat angrenzend angeordnet ist.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 10 oder 11, worin jede Elektrode (21A, 21B, 21C) ausgebildet ist, um mit zumindest der angrenzenden Seitenoberfläche des oder jedes angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitts (8) in Kontakt zu stehen.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 12, worin jede Elektrode (21A, 21B, 21C) ausgebildet ist, um mit der oberen Oberfläche des oder jedes angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitts (8) in Kontakt zu stehen.
Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, worin ein dickerer Teil (18) und ein dünnerer Teil (19) in jedem ferroelektrischen Einkristallabschnitt (8) bei Verarbeitung des Körpers (1A) ausgebildet sind und jede Elektrode (8) mit einem dünneren Teil des oder jedes angrenzenden ferroelektrischen Einkristallabschnitts (8) in Kontakt steht.
Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, worin das Trägersubstrat (1B) eine Basissubstanz aus einem harten Material umfasst und eine Haftschicht (3) auf der Basissubstanz aufweist, um den Körper (1A) anzuhaften.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 15, worin der Körper (1A) an dem Trägersubstrat (1B) durch Verbinden der Haftschichten (3) angehaftet ist, die auf dem Körper (1A) bzw. dem Trägersubstrat (1B) ausgebildet sind.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 16, worin jede Haftschicht (3) aus einem Glasmaterial oder einem Harzmaterial besteht.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 17, worin jede Haftschicht (3) aus Lötglas ist.
Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, worin ein amorpher Siliziumfilm auf dem Körper (1A) vor dem Ausbilden der Haftschicht (3) auf dem Körper (1A) oberhalb des amorphen Siliziumfilms ausgebildet ist.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 19, worin der amorphe Siliziumfilm und die Haftschicht (3) in der gleichen Charge gebildet werden.
Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, worin der Körper (1A) durch einen Excimerlaser verarbeitet wird, um dadurch die ferroelektrischen Einkristallabschnitte (8) auszubilden.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 21, worin der Au-Plattierungsfilm ausgebildet wird, um die verarbeitete Oberfläche des Substrats durch den Excimerlaser abzudecken, und verarbeitet wird, um dadurch die Elektroden (21A, 21B, 21C) auszubilden.