DE60027351T2

DE60027351T2 - Bildaufzeichnungsmaterial und Flachdruckplatte mit diesem Bildaufzeichnungsmaterial

Info

Publication number: DE60027351T2
Application number: DE60027351T
Authority: DE
Inventors: Ippei Yoshida-cho Haibara-gun Nakamura; Tatsuo Nakamura; Kazuto Yoshida-cho Haibara-gun Kunita
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 1999-05-31
Filing date: 2000-05-30
Publication date: 2007-03-29
Anticipated expiration: 2020-05-31
Also published as: EP1059164B1; EP1059164A2; ATE323602T1; DE60027351D1; EP1059164A3; US6383714B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bildaufzeichnungsmaterial vom Negativ-Typ, das ideal ist für ein Plattenmaterial für die Verwendung beim Flachdruck, das die sogenannte direkte Plattenherstellung ermöglicht, das mit Wärme von einem Infrarotlaser oder Thermokopf oder dergleichen beschrieben werden kann und das es ermöglicht, eine Platte direkt aus Digitalsignalen aus einem Computer oder dergleichen herzustellen.
Beschreibung des verwandten Standes der Technik
Seit kurzem hat sich mit der Entwicklung von Feststofflasern und Halbleiterlasern mit Lichtemissionsspektren von Nahinfrarot bis Infrarot die Aufmerksamkeit auf Systeme zur Herstellung von Platten direkt aus Computer-Digitaldaten, die solche Infrarotlaser verwenden, konzentriert.
Ein Bildaufzeichnungsmaterial vom Negativ-Typ, das zur Aufzeichnung mittels Infrarotlaser fähig ist, ist ein Aufzeichnungsmaterial, das ein Oniumsalz, Resolharz, Novolakharz und Infrarot-absorbierendes Mittel umfasst, wie beschrieben in der japanischen offengelegten Patentanmeldung (JP-A) Nr. 7-20629.
Dieses ist ein Material, mit dem in einem für den Flachdruck verwendeten Plattenmaterial und unter Verwendung des Bildaufzeichnungsmaterials Energie, die von einem Feststofflaser oder einem Halbleiterlaser, die Infrarotstrahlung emittieren, zur Verfügung gestellt wird, durch das Infrarot-absorbierende Mittel in thermische Energie umgewandelt wird und dass Wärme die Zersetzung des Oniumsalzes verursacht, wodurch das Bild gebildet wird. Das heißt, die durch die Zersetzung des Oniumsalzes erzeugte Säure fördert eine Vernetzungsreaktion zwischen einem Bindemittel und einem Vernetzungsmittel, das die Vernetzung in Gegenwart einer Säure durchführt, wodurch die Bildaufzeichnung, d.h. die Herstellung der Platte aus dem Aufzeichnungsmaterial, durchgeführt wird.
Die einzigen Infrarot-absorbierenden Mittel, die in diesem Fall verwendet werden, sind kationische Farbstoffe. Weil die Menge Wärme, die durch Aussetzen an Licht erzeugt wird, gering ist, besteht ein Problem, dass gute Bilder nicht erhalten werden können (geringe Empfindlichkeit und schmaler Entwicklungsspielraum). Mit Entwicklungsspielraum ist hier der erlaubte Bereich gemeint, in dem gute Bilder gebildet werden können, wenn die Alkalikonzentration einer Alkali-Entwicklerflüssigkeit geändert wird. Darüber hinaus besteht ein weiteres Problem, das Änderungen der Empfindlichkeit vor und nach der Lagerung in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit einschließt, d.h. ein Problem geringer Lagerstabilität.
Eine weitere relevante Druckschrift ist die europäische Patentanmeldung EP-A-982 123, die in den Bereich von Art. 54 (3) EPÜ fällt, die ein Bildaufzeichnungsmaterial offenbart, das ein Infrarot-absorbierendes Mittel und ein phenolisches Polymer als Hochpolymerverbindung umfasst.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist der Zweck der vorliegenden Erfindung, die oben erwähnten Probleme im Stand der Technik zu lösen und das nachstehend genannte Ziel zu erreichen. Es ist demnach ein erfindungsgemäßes Ziel, ein Bildaufzeichnungsmaterial vom Negativ-Typ zur Verfügung zu stellen, mit dem direkte Plattenherstellung möglich ist durch Aufzeichnen von Digitaldaten aus einem Computer oder dergleichen unter Verwendung eines Feststofflasers oder Halbleiterlasers, der Infrarotstrahlung emittiert, wobei das Material nicht leicht kontaminiert wird und einen guten Entwicklungsspielraum und Lagerstabilität aufweist.
Die Erfinder haben umfangreiche exakte Forschung durchgeführt mit dem Ziel der Verbesserung der Bildbildungseigenschaften (Empfindlichkeit und Entwicklungsspielraum) und Lagerstabilität und im Ergebnis gefunden, dass Hochempfindlichkeitsbilder gebildet werden können unter Verwendung eines Infrarot-absorbierenden Mittels, das bestimmte Eigenschaften zeigt und darauf beruht die vorliegende Erfindung.
Die Mittel zur Lösung der zuvor erwähnten Probleme sind wie folgt. Die vorliegende Erfindung ist ein Bildaufzeichnungsmaterial, das dadurch gekennzeichnet ist, dass es mindestens die nachstehend genannten Substanzen (a) bis (d) enthält.

(a) eine Verbindung, die durch Licht oder Wärme zersetzbar ist und die eine Säure erzeugt, wenn sie hierdurch zersetzt wird;
(b) ein Vernetzungsmittel, das in der Gegenwart einer Säure vernetzt;
(c) eine Hochpolymerverbindung, wie nachstehend spezifiziert, die im wesentlichen unlöslich ist in Wasser und im wesentlichen löslich ist in einer wässrigen Alkalilösung; und
(d) ein Infrarot-absorbierendes Mittel, ausgewählt aus der Gruppe der allgemeinen Formeln, die besteht aus der allgemeinen Formel (I) oder der allgemeinen Formel (II), wie folgt:
worin in der allgemeinen Formel (I) M eine konjugierte Kette bezeichnet; G_a ^– einen anionischen Substituenten bezeichnet; G_b einen neutralen Substituenten bezeichnet; und X^m+ ein Wasserstoffion oder ein Kation mit der Wertigkeit m bezeichnet, wobei m eine ganze Zahl von 1 bis 6 bezeichnet; und in der allgemeinen Formel (II) R¹ bis R⁴ jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe oder eine Arylgruppe bedeuten; R⁵ und R⁶ jeweils unabhängig eine Alkylgruppe, substituierte Oxygruppe oder ein Halogenatom bedeuten; n und m jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 bezeichnen; entweder R¹ und R² oder R³ und R⁴ unter Bildung eines Ringes verbunden sein können oder R¹ und/oder R² mit R⁵ verbunden sein können oder R³ und/oder R⁴ mit R⁶ verbunden sein können, um so einen Ring zu bilden und darüber hinaus entweder R⁵-Gruppen unter Bildung eines Ringes verbunden sein können oder R⁶-Gruppen unter Bildung eines Ringes verbunden sein können; Z¹ und Z² jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe oder Arylgruppe sind und mindestens eine der Gruppen Z¹ und Z² entweder ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe bedeutet; Q eine Trimethingruppe oder Pentamethingruppe ist, die einen Substituenten haben kann und zusammen mit einer zweiwertigen organischen Gruppe eine Ringstruktur bilden kann; und X^– ein Gegenanion bezeichnet.

Die obige Komponente (c) ist eine Hochpolymerverbindung, anders als ein phenolisches Polymer, das an einem Polymerrückgrat mindestens eine Struktureinheit mit der allgemeinen Formel (I)-(1), wie in Anspruch 1 definiert, sowie ein Molekulargewicht von 1.000 oder mehr hat.
Es wird angenommen, dass der Grund, warum der zuvor beschriebene Effekt erhalten wird, bei der Verwendung des durch die allgemeine Formel (I) wiedergegebenen Infrarot-absorbierenden Mittels, darin liegt, dass die Verwendung eines anionischen Infrarot-absorbierenden Mittels es möglich macht, die Wechselwirkung mit dem Bindemittel in dem Gegen-Kationen-Teil zu kontrollieren. Insbesondere ist die gegenwärtige Situation, dass im Fall eines im Fachgebiet bekannten kationischen Infrarot-absorbierenden Mittels, dessen Struktur natürlicherweise begrenzt ist, um Absorption im Infrarotbereich zu verleihen, die für die Wechselwirkung mit dem Bindemittel verantwortliche Struktur, limitiert ist auf einen Bereich, in dem die Absorptionsfähigkeit im Infrarotbereich nicht beeinträchtigt wird und die gewünschte Wechselwirkung angesichts der Molekularstruktur nicht kontrolliert werden kann. Wenn jedoch ein anionisches Infrarot-absorbierendes Mittel, wie dasjenige der vorliegenden Erfindung, verwendet wird, wird die freie Auswahl des Gegen-Kations möglich und die Wechselwirkung mit dem Bindemittel kann frei, ohne Einschränkung geändert werden, wodurch – wie angenommen wird – es möglich wird, die gewünschte Verbesserung der Bildbildungseigenschaften zu erzielen, welches ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist.
Darüber hinaus ist bei Verbindungen, die Säuren erzeugen, wenn sie erhitzt werden (nachfolgend "Säure-erzeugende Verbindungen" bezeichnet), die kationisch sind, insbesondere infolge der ionischen Bindung, der Abstand zwischen dem anionischen Infrarot-absorbierenden Mittel und der kationischen Säure-erzeugenden Verbindung im Film gering und Wärme kann sich wirksam von dem Infrarot-absorbierenden Mittel zum Säure-erzeugenden Mittel verbreiten. Dies wird ebenso als ein Grund angenommen.
Der Grund, warum der zuvor beschriebene Effekt erhalten wird, wenn das Infrarot-absorbierende Mittel der allgemeinen Formel (II) verwendet wird, wird wie folgt angenommen. Das Molekulargewicht des erfindungsgemäßen Infrarot-absorbierenden Mittels ist vergleichsweise klein und die Zahl von Molekülen des Infrarot-absorbierenden Mittels selbst relativ zur zugesetzten Menge wird groß. Folglich wird die Extinktion (absorbency) hoch, die Empfindlichkeit steigt und zusammen damit wird eine dichte Wechselwirkung im Inneren des Films der fotoempfindlichen Schicht erzeugt. Es wird angenommen, dass aus diesem Grund selbst bei Aufbewahrung bei hoher Luftfeuchtigkeit das Eindringen von Feuchtigkeit, die die Vernetzungsreaktion beeinträchtigt, in den Film der fotoempfindlichen Schicht wirksam verhindert werden kann und der Abbau der Empfindlichkeit während der Lagerung unterdrückt werden kann.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Das erfindungsgemäße Bildaufzeichnungsmaterial enthält zumindest (a) eine Verbindung (Säure-erzeugende Verbindung), die durch Licht oder Wärme zersetzt wird und eine Säure erzeugt, (b) ein Vernetzungsmittel, das in Gegenwart einer Säure vernetzt (nachfolgend, wie oben definiert, als "Vernetzungsmittel" bezeichnet), (c) eine Hochpolymerverbindung, die unlöslich ist in Wasser, jedoch in einer wässrigen Alkalilösung löslich ist (nachfolgend "alkalilösliches Polymer" genannt) und (d) entweder ein anionisches Infrarot-absorbierendes Mittel mit der oben angegebenen allgemeinen Formel (I) oder ein anionisches Infrarot-absorbierendes Mittel mit der oben angegebenen allgemeinen Formel (II), und es enthält je nach Notwendigkeit weitere Komponenten.
Die durch die allgemeinen Formeln (I) und (II) von oben wiedergegebenen Infrarot-absorbierenden Mittel werden nunmehr ausführlicher beschrieben.
(d-1) Infrarot-absorbierendes Mittel, wiedergegeben durch die allgemeine Formel (I) von oben:
In der oben angegebenen allgemeinen Formel (I) bezeichnet M eine konjugierte Kette und diese konjugierte Kette kann einen Substituenten oder eine Ringstruktur haben. Die konjugierte Kette M kann durch die folgende Formel wiedergegeben werden.
In the Formel bezeichnen R_n+1, R_n+2 bzw. R_n+3 jeweils unabhängig Wasserstoffatome, Halogenatome, Cyanogruppen, Alkylgruppen, Arylgruppen, Alkenylgruppen, Alkinylgruppen, Carbonylgruppen, Thiogruppen, Sulfonylgruppen, Sulfinylgruppen, Oxygruppen [oder] Aminogruppen, diese können Substituenten haben und diese können miteinander unter Bildung einer Ringstruktur verknüpft sein. n bezeichnet eine ganze Zahl von 1 bis 8.
Wenn R_n+1, R_n+2 bzw. R_n+3 Alkylgruppen bedeuten, schließen solche Alkylgruppen geradkettige, verzweigte oder ringförmige Alkylgruppen mit 1 bis 20 Wasserstoffatomen ein. Insbesondere schließen diese Methylgruppen, Ethylgruppen, Propylgruppen, Butylgruppen, Pentylgruppen, Hexylgruppen, Heptylgruppen, Octylgruppen, Nonylgruppen, Decylgruppen, Undecylgruppen, Dodecylgruppen, Tridecylgruppen, Hexadecylgruppen, Octadecylgruppen, Eicocylgruppen, Isopropylgruppen, Isobutylgruppen, s-Butylgruppen, t-Butylgruppen, Isopentylgruppen, Neopentylgruppen, 1-Methylbutylgruppen, Isohexylgruppen, 2-Ethylhexylgruppen, 2-Methylhexylgruppen, Cyclohexylgruppen, Cyclopentylgruppen und 2-Norbornylgruppen usw. ein. Von diesen sind geradkettige Alkylgruppen mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, verzweigte Alkylgruppen mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen und ringförmige Alkylgruppen mit 5 bis 10 Kohlenstoffatomen bevorzugt.
Diese Alkylgruppen können Substituenten haben. Solche Substituenten schließen einwertige Nichtmetall-Atomgruppen, ausgeschlossen Wasserstoff, ein. Vorteilhafte Beispiele davon schließen ein: Halogenatome (-F, -Br, -Cl, -I), Hydroxylgruppen, Alkoxygruppen, Aryloxygruppen, Mercaptogruppen, Alkylthiogruppen, Arylthiogruppen, Alkyldithiogruppen, Aryldithiogruppen, Aminogruppen, N-Alkylaminogruppen, N,N-Dialkylaminogruppen, N-Alylaminogruppen, N,N-Diarylaminogruppen, N-Alkyl-N-arylaminogruppen, Acyloxygruppen, Carbamoyloxygruppen, N-Alkylcarbamoyloxygruppen, N-Arylcarbamoyloxygruppen, N,N-Dialkylcarbamoyloxygruppen, N,N-Diarylcarbamoyloxygruppen, N-Alkyl-N-arylcarbamoyloxygruppen, Alkylsulfoxygruppen, Arylsulfoxygruppen, Acylthiogruppen, Acylaminogruppen, N-Alkylacylaminogruppen, N-Arylacylaminogruppen, Ureidogruppen, N'-Alkylureidogruppen, N',N'-Dialkylureidogruppen, N'-Arylureidogruppen, N',N'-Diarylureidogruppen, N'-Alkyl-N'-Arylureidogruppen, N-Alkylureidogruppen, N-Arylureidogruppen, N'-Alkyl-N-alkylureidogruppen, N'-Alkyl-N-arylureidogruppen, N',N'-Dialkyl-N-alkylureidogruppen, N',N'-Dialkyl-N-arylureidogruppen, N'-Aryl-N-alkylureidogruppen, N'-Aryl-N-arylureidogruppen, N',N'-Diaryl-N-alkylureidogruppen, N',N'-Diaryl-N-arylureidogruppen, N'-Alkyl-N'-aryl-N-alkylureidogruppen, N'-Alkyl-N'-aryl-N-arylureidogruppen, Alkoxycarbonylaminogruppen, Aryloxycarbonylaminogruppen, N-Alkyl-N-alkoxycarbonylaminogruppen, N-Alkyl-N-aryloxycarbonylaminogruppen, N-Aryl-N- alkoxycarbonylaminogruppen, N-Aryl-N-aryloxycarbonylaminogruppen, Formylgruppen, Acylgruppen, Carboxylgruppen und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Carboxylato" bezeichnet), Alkoxycarbonylgruppen, Aryloxycarbonylgruppen, Carbamoylgruppen, N-Alkylcarbamoylgruppen, N,N-Dialkylcarbamoylgruppen, N-Arylcarbamoylgruppen, N,N-Diarylcarbamoylgruppen, N--Alkyl-N-arylcarbamoylgruppen, Alkylsulfinylgruppen, Arylsulfinylgruppen, Alkylsulfonylgruppen, Arylsulfonylgruppen, Sulfogruppen (-SO₃H) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Sulfonatogruppen" bezeichnet), Alkoxysulfonylgruppen, Aryloxysulfonylgruppen, Sulfinamoylgruppen, N-Alkylsulfinamoylgruppen, N,N-Dialkylsulfinamoylgruppen, N-Arylsulfinamoylgruppen, N,N-Diarylsulfinamoylgruppen, N-Alkyl-N-arylsulfinamoylgruppen, Sulfamoylgruppen, N-Alkylsulfamoylgruppen, N,N-Dialkylsulfamoylgruppen, N-Arylsulfamoylgruppen, N,N-Diarylsulfamoylgruppen, N-Alkyl-N-arylsulfamoylgruppen, N-Acylsulfamoylgruppen und konjugierte Basegruppen davon, N-Alkylsulfonylsulfamoylgruppen (-SO₂NHSO₂R, worin R eine Alkylgruppe darstellt) und konjugierte Basegruppen davon, N-Arylsulfonylsulfamoylgruppen (-SO₂NHSO₂Ar, worin Ar eine Arylgruppe darstellt) und konjugierte Basegruppen davon, N-Alkylsulfonylcarbamoylgruppen (-CONHSO₂R, worin R eine Alkylgruppe darstellt) und konjugierte Basegruppen davon, N-Arylsulfonylcarbamoylgruppen (-CONHSO₂Ar, worin Ar eine Arylgruppe darstellt) und konjugierte Basegruppen davon, Alkoxysilylgruppen (-Si(OR)₃, worin R eine Alkylgruppe darstellt), Aryloxysilylgruppen (-Si(OAr)₃, worin Ar eine Arylgruppe darstellt), Hydroxysilylgruppen (-Si(OH)₃) und konjugierte Basegruppen davon, Phosphonogruppen (-PO₃H₂) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Phosphonatogruppen" bezeichnet), Dialkylphosphonogruppen (-PO₃R₂, worin R eine Alkylgruppe darstellt), Diarylphosphonogruppen (-PO₃Ar₂, worin Ar eine Arylgruppe darstellt), Alkylarylphosphonogruppen (-PO₃(R)(Ar), worin R eine Alkylgruppe darstellt und Ar eine Arylgruppe darstellt), Monoalkylphosphonogruppen (-PO₃H(R), worin R eine Alkylgruppe bezeichnet) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Alkylphosphonatgruppen" bezeichnet), Monoarylphosphonogruppen (-PO₃H(Ar) worin Ar eine Arylgruppe bezeichnet) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Arylphosphonatogruppen" bezeichnet), Phosphonoxygruppen (-OPO₃H₂) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Phosphonatoxygruppen" bezeichnet), Dialkylphosphonoxygruppen (-OPO₃(R)₂, worin R eine Alkylgruppe darstellt), Diarylphosphonoxygruppen (-OPO₃(Ar)₂, worin Ar eine Arylgruppe darstellt), Alkylarylphosphonoxygruppen (-OPO₃(R)(Ar), worin R eine Alkylgruppe darstellt und worin Ar eine Arylgruppe darstellt), Monoalkylphosphonoxygruppen (-OPO₃H(R), worin R eine Alkylgruppe darstellt) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Alkylphosphonatoxygruppen" bezeichnet), Monoarylphosphonoxygruppen (-OPO₃H(Ar), worin Ar eine Arylgruppe bedeutet) und konjugierte Basegruppen davon (hiernach als "Arylphosphonatoxygruppen" bezeichnet), Cyanogruppen, Nitrogruppen, Arylgruppen, Alkenylgruppen und Alkinylgruppen.
Spezielle Beispiele der Alkylgruppen in diesen Substituenten schließen die Alkylgruppen ein, die zuvor erwähnt wurden und wiedergegeben sind durch R_n+1, R_n+2 und R_n+3, während spezielle Beispiele der Arylgruppen einschließen: Phenylgruppen, Biphenylgruppen, Naphthylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Mesitylgruppen, Cumenylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Chlormethylphenylgruppen, Hydroxyphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Ethoxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Acetoxyphenylgruppen, Benzoyloxyphenylgruppen, Methylthiophenylgruppen, Phenylthiophenylgruppen, Methylaminophenylgruppen, Dimethylaminophenylgruppen, Acetylaminophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen, Methoxycarbonylphenylgruppen, Ethoxycarbonylphenylgruppen, Phenoxycarbonylphenylgruppen, N-Fenylcarbamoylphenylgruppen, Nitrophenylgruppen, Cyanophenylgruppen, Sulfophenylgruppen, Sulfonatophenylgruppen, Phosphonophenylgruppen und Phosphonatophenylgruppen usw. Spezielle Beispiele der Alkenylgruppen in den oben erwähnten Substituenten schließen Vinylgruppen, 1-Propenylgruppen, 1-Butenylgruppen, Cinnamylgruppen, 2-Chlor-1-ethenylgruppen usw. ein, während spezielle Beispiele der Alkinylgruppen Ethinylgruppen, 1-Propinylgruppen, 1-Butinylgruppen, Trimethylsilylgruppen und Phenylethinylgruppen usw. einschließen. Die Acylgruppen (R⁷CO-) in den oben erwähnten Substituenten können solche sein, in denen R⁷ ein Wasserstoffatom ist oder eine Alkylgruppe, Arylgruppe, Alkenylgruppe oder Alkinylgruppe, wie oben erwähnt.
Von diesen Substituenten schließen die bevorzugten Gruppen ein: Halogenatome (-F, -Br, --Cl, -I), Alkoxygruppen, Aryloxygruppen, Alkylthiogruppen, Arylthiogruppen, N-Alkylaminogruppen, N,N-Dialkylaminogruppen, Acyloxygruppen, N-Alkylcarbamoyloxygruppen, N-Arylcarbamoyloxygruppen, Acylaminogruppen, Formylgruppen, Acylgruppen, Carboxylgruppen, Alkoxycarbonylgruppen, Aryloxycarbonylgruppen, Carbamoylgruppen, N-Alkylcarbamoylgruppen, N,N-Dialkylcarbamoylgruppen, N-Arylcarbamoylgruppen, N-Alkyl-N-arylcarbamoylgruppen, Sulfogruppen, Sulfanatogruppen, Sulfamoylgruppen, N-Alkylsulfamoylgruppen, N,N-Dialkylsulfamoylgruppen, N-Arylsulfamoylgruppen, N-Alkyl-N-arylsulfamoylgruppen, Phosphonogruppen, Phosphonatogruppen, Dialkylphosphonogruppen, Diarylphosphonogruppen, Monoalkylphosphonogruppen, Alkylphosphonatogruppen, Monoarylphosphonogruppen, Arylphosphonatogruppen, Phosphonoxygruppen, Phosphonatoxygruppen, Arylgruppen und Alkenylgruppen usw.
Die Alkylingruppen ("alkylyn groups") in den substituierten Alkylgruppen können die oben erwähnten Alkylgruppen mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen sein, von denen ein beliebiges Kohlenstoffatom entfernt wurde, um eine zweiwertige organische Restgruppe zu erzeugen, vorzugsweise eine geradkettige Alkylengruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, eine verzweigte Alkylengruppe mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen oder eine ringförmige Alkylengruppe mit 5 bis 10 Kohlenstoffatomen.
Spezielle Beispiele der bevorzugten substituierten Alkylgruppen, die erhalten werden durch Kombinieren dieser Substituenten und Alkylengruppen schließen ein: Chlormethylgruppen, Brommethylgruppen, 2-Chlorethylgruppen, Trifluormethylgruppen, Methoxymethylgruppen, Methoxyethoxyethylgruppen, Allyloxymethylgruppen, Phenoxymethylgruppen, Methylthiomethylgruppen, Tolylthiomethylgruppen, Ethylaminoethylgruppen, Diethylaminopropylgruppen, Morpholinopropylgruppen, Acetyloxymethylgruppen, Benzoyloxymethylgruppen, N-Cyclohexylcarbamoyloxyethylgruppen, N-Phenylcarbamoyloxyethylgruppen, Acetylaminoethylgruppen, N-Methylbenzoylaminopropylgruppen, 2-Oxoethylgruppen, 2-Oxopropylgruppen, Carboxypropylgruppen, Methoxycarbonylethylgruppen, Methoxycarbonylmethylgruppen, Methoxycarbonylbutylgruppen, Allyloxycarbonylbutylgruppen, Chlorphenoxycarbonylmethylgruppen, Carbamoylmethylgruppen, N-Methylcarbamoylethylgruppen, N,N-Dipropylcarbamoylmethylgruppen, N-(Methoxyphenyl)carbamoylethylgruppen, N-Methyl-N-(sulfophenyl)carbamoylmethylgruppen, Sulfopropylgruppen, Sulfobutylgruppen, Sulfonatobutylgruppen, Sulfamoylbutylgruppen, N-Ethylsulfamoylmethylgruppen, N,N-Dipropylsulfamoylpropylgruppen, N-Tolylsulfamoylpropylgruppen, N-Methyl-N-(phosphonophenyl)sulfamoyloctylgruppen, Phosphonobutylgruppen, Phosphonatohexylgruppen, Diethylphosphonobutylgruppen, Diphenylphosphonopropylgruppen, Methylphosphonobutylgruppen, Methylphosphonatobutylgruppen, Tolylphosphonohexylgruppen, Tolylphosphonatohexylgruppen, Phosphonoxypropylgruppen, Phosphonatoxybutylgruppen, Benzylgruppen, Phenethylgruppen, α-Methylbenzylgruppen, 1-Methyl-1-phenylethylgruppen, p-Methylbenzylgruppen, Cyanamylgruppen, Allylgruppen, 1-Propenylmethylgruppen, 2-Butenylgruppen, 2-Methylallylgruppen, 2-Methylpropenylmethylgruppen, 2-Propenylgruppen, 2-Butinylgruppen und 3-Butinylgruppen usw.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 Arylgruppen bezeichnen, können die oben erwähnten Arylgruppen diejenigen sein, in denen 1 bis 3 Benzolringe einen kondensierten Ring bilden oder diejenigen, in denen ein Benzolring und ein 5-gliedriger ungesättigter Ring einen kondensierten Ring bilden. Spezielle Beispiele schließen Phenylgruppen, Naphthylgruppen, Anthrylgruppen, Phenanthrylgruppen, Indenylgruppen, Acenabutenylgruppen und Fluorenylgruppen usw. ein, unter denen die Phenylgruppen und Naphthylgruppen bevorzugt sind.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Arylgruppen bezeichnen, können diese substituierten Arylgruppen die zuvor erwähnten Arylgruppen mit einer einwertigen, Nichtmetall-Atomgruppe, Wasserstoff ausgeschlossen, als einem Bestandteil an den ringbildenden Kohlenstoffatomen sein. Bevorzugte Beispiele solcher Substituenten schließen die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierte Alkylgruppen und diejenigen Gruppen ein, die als Substituenten an den substituierten Alkylgruppen erwähnt wurden.
Bevorzugte spezielle Beispiele solcher substituierten Arylgruppen schließen ein: Biphenylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Mesitylgruppen, Cumenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlormethylphenylgruppen, Trifluormethylphenylgruppen, Hydroxyphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Methoxyethoxyphenylgruppen, Allyloxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Methylthiophenylgruppen, Tolylthiophenylgruppen, Phenylthiophenylgruppen, Ethylaminophenylgruppen, Diethylaminophenylgruppen, Morpholinophenylgruppen, Acetyloxyphenylgruppen, Benzoyloxyphenylgruppen, N-Cyclohexylcarbamoyloxyphenylgruppen, N-Phenylcarbamoyloxyphenylgruppen, Acetylaminophenylgruppen, N-Methylbenzoylaminophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen, Methoxycarbonylphenylgruppen, Allyloxycarbonylphenylgruppen, Chlorphenoxycarbonylphenylgruppen, Carbamoylphenylgruppen, N-Methylcarbamoylphenylgruppen, N,N-Dipropylcarbamoylphenylgruppen, N-(Methoxyphenyl)carbamoylphenylgruppen, N-Methyl-N-(sulfophenyl)carbamoylphenylgruppen, Sulfophenylgruppen, Sulfonatophenylgruppen, Sulfamoylphenylgruppen, N-Ethylsulfamoylphenylgruppen, N,N-Dipropylsulfamoylphenylgruppen, N-Tolylsulfamoylphenylgruppen, N-Methyl-N-(phosphophenyl)sulfamoylphenylgruppen, Phosphonophenylgruppen, Phosphonatophenylgruppen, Diethylphosphonophenylgruppen, Diphenylphosphonophenylgruppen, Methylphosphonatophenylgruppen, Methylphosphonatophenylgruppen, Tolylphosphonophenylgruppen, Tolylphosphonatophenylgruppen, Allylgruppen, 1-Propenylmethylgruppen, 2-Butenylgruppen, 2-Methylallylphenylgruppen, 2-Methylpropenylphenylgruppen, 2-Propinylphenylgruppen, 2-Butinylphenylgruppen und 3-Butinylphenylgruppen usw.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 jeweils Alkenylgruppen, substituierte Alkenylgruppen, Alkinylgruppen oder substituierte Alkinylgruppen (-C(R⁸)=C(R⁹)(R¹⁰), -C≡C(R¹¹)) bezeichnen, bedeuten die zuvor erwähnten R², R³, R⁴ und R⁵ jeweils einwertige Nichtmetall-Atomgruppen. Bevorzugte Beispiele von R⁸, R⁹, R¹⁰ und R¹¹ oben schließen Wasserstoffatome, Halogenatome, Alkylgruppen, substituierte Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierte Arylgruppen ein. Spezielle Beispiele dieser Gruppen schließen die zuvor genannten Beispiele ein. Bevorzugte Beispiele von R⁸, R⁹, R¹⁰ und R¹¹ schließen Wasserstoffatome, Halogenatome und geradkettige, verzweigte oder ringförmige Alkylgruppen mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen ein.
Spezielle Beispiele von R⁸, R⁹, R¹⁰ und R¹¹ schließen ein: Methylgruppen, Ethylgruppen, Propylgruppen, Butylgruppen, Pentylgruppen, Hexylgruppen, Heptylgruppen, Octylgruppen, Nonylgruppen, Decylgruppen, Undecylgruppen, Dodecylgruppen, Tridecylgruppen, Hexadecylgruppen, Octadecylgruppen, Eicosylgruppen, Isopropylgruppen, Isobutylgruppen, s-Butylgruppen, t-Butylgruppen, Isopentylgruppen, Neopentylgruppen, 1-Methylbutylgruppen, Isohexylgruppen, 2-Ethylhexylgruppen, Allylgruppen, 1-Propenylmethylgruppen, 2-Butenylgruppen, 2-Methylallylgruppen, 2-Methylpropenylgruppen, 2-Propenylgruppen, 2-Butinylgruppen, 3-Butinylgruppen, Benzylgruppen, Phenethylgruppen, α-Methylbenzylgruppen, 1-Methyl-1-phenylethylgruppen, p-Methylbenzylgruppen, Cyanamylgruppen, Hydroxyethylgruppen, Methoxyethylgruppen, Phenoxydiethylgruppen, Allyloxyethylgruppen, Methoxyethoxyethylgruppen, Ethoxyethoxyethylgruppen, Morpholinoethylgruppen, Morpholinopropylgruppen, Sulfopropylgruppen, Sulfonatopropylgruppen, Sulfobutylgruppen, Sulfonatobutylgruppen, Carboxydimethylgruppen, Carboxydiethylgruppen, Carboxypropylgruppen, Methoxycarbonylethylgruppen, 2-Ethylhexyloxycarbonylethylgruppen, Phenoxycarbonylmethylgruppen, Methoxycarbonylpropylgruppen, N-Methylcarbamoylethylgruppen, N,N-Ethylaminocarbamoylmethylgruppen, N-Phenylcarbamoylpropylgruppen, N-Tolylsulfamoylbutylgruppen, P-Triensulphonylaminopropylgruppen, Benzoylaminohexylgruppen, Phosphonomethylgruppen, Phosphonoethylgruppen, Phosphonopropylgruppen, p-Phosphonobenzylaminocarbonylethylgruppen, Phosphonatomethylgruppen, Phosphonatopropylgruppen, Phosphonatobutylgruppen, p-Phosphonatobenzylaminocarbonylethylgruppen, Vinylgruppen und Ethinylgruppen.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Carbonylgruppen (R¹²CO-) bedeuten, bezeichnet die Gruppe R¹² eine einwertige Nichtmetall-Atomgruppe. Bevorzugte Beispiele der substituierten Carbonylgruppe schließen Formylgruppen, Acylgruppen, Carboxylgruppen, Alkoxycarbonylgruppen, Aryloxycarbonylgruppen, Carbamoylgruppen, N-Alkylcarbamoylgruppen, N,N-Dialkylcarbamoylgruppen, N-Arylcarbamoylgruppen, N,N-Diarylcarbamoylgruppen und N-Alkyl-N-arylcarbamoylgruppen ein. Für die Alkylgruppen und Arylgruppen darin lassen sich die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Arylgruppen als Beispiele nennen. Unter diesen sind für die substituierten Carbonylgruppen bevorzugt: Formylgruppen, Acylgruppen, Carboxylgruppen, Alkoxycarbonylgruppen, Aryloxycarbonylgruppen, Carbamoylgruppen, N-Alkylcarbamoylgruppen, N,N-Dialkylcarbamoylgruppen und N-Arylcarbamoylgruppen, wobei Formylgruppen, Acylgruppen, Alkoxycarbonylgruppen und Aryloxycarbonylgruppen besonders bevorzugt sind. Spezielle Beispiele bevorzugter substituierter Carbonylgruppen schließen Formylgruppen, Acetylgruppen, Benzoylgruppen, Carboxylgruppen, Methoxycarbonylgruppen, Allyloxycarbonylgruppen, N-Methylcarbamoylgruppen, N-Phenylcarbamoylgruppen, N,N-Diethylcarbamoylgruppen und Morpholinocarbonylgruppen usw. ein.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Thiogruppen (R¹³S-) bezeichnen, bedeutet die Gruppe R¹³ eine einwertige Nichtmetall-Atomgruppe, ausgenommen Wasserstoff. Bevorzugte Beispiele der substituierten Thiogruppen schließen Alkylthiogruppen, Arylthiogruppen, Alkyldithiogruppen, Aryldithiogruppen und Arylthiogruppen ein. Für die Alkylgruppen und Arylgruppen darin lassen sich die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Arylgruppen als Beispiele nennen, wobei das R¹ in der Acylgruppe (R¹CO-) in der Acylthiogruppe ist, wie zuvor erwähnt. Unter diesen sind die Alkylthiogruppen und Arylthiogruppen zu bevorzugen. Spezielle Beispiele bevorzugter substituierter Thiogruppen schließen Methylthiogruppen, Ethylthiogruppen, Phenylthiogruppen, Ethoxyethylthiogruppen, Carboxylethylthiogruppen und Methoxycarbonylthiogruppen usw. ein.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Sulfonylgruppen (R¹⁴SO₂-) bezeichnen, bedeutet die Gruppe R¹⁴ eine einwertige Nichtmetall-Atomgruppe. Bevorzugte Beispiele davon schließen Alkylsulfonylgruppen und Arylsulfonylgruppen ein. Für die Alkylgruppen und Arylgruppen darin lassen sich die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Arylgruppen als Beispiele nennen. Spezielle Beispiele der substituierten Sulfonylgruppe schließen Butylsulfonylgruppen und Chlorphenylsulfonylgruppen usw. ein.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Sulfinylgruppen (R¹⁵SO-) bezeichnen, bedeutet die Gruppe R¹⁵ eine einwertige Nichtmetall-Atomgruppe. Bevorzugte Beispiele schließen ein: Alkylsulfinylgruppen, Arylsulfinylgruppen, Sulfinamoylgruppen, N-Alkylsulfinamoylgruppen, N,N-Dialkylsulfinamoylgruppen, N-Arylsulfinamoylgruppen, N,N-Diarylsulfinamoylgruppen und N-Alkyl-N-arylsulfinamoylgruppen. Für die Alkylgruppen und Arylgruppen darin lassen sich die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Arylgruppen als Beispiele nennen. Die bevorzugten Beispiele unter diesen sind Alkylsulfinylgruppen und Arylsulfinylgruppen. Spezielle Beispiele solcher substituierter Sulfinylgruppen schließen Hexylsulfinylgruppen, Benzylsulfinylgruppen und Tolylsulfinylgruppen usw. ein.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Oxygruppen (R¹⁶O-) bezeichnen, steht die Gruppe R¹⁶ für eine einwertige Nichtmetall-Atomgruppe, ausgenommen Wasserstoff. Bevorzugte substituierte Oxygruppen sind Alkoxygruppen, Aryloxygruppen, Acyloxygruppen, Carbamoyloxygruppen, N-Alkylcarbamoyloxygruppen, N-Arylcarbamoyloxygruppen, N,N-Dialkylcarbamoyloxygruppen, N,N-Diarylcarbamoyloxygruppen, N-Alkyl-N-arylcarbamoyloxygruppen, Alkylsulfoxygruppen, Arylsulfoxygruppen, Phosphonoxygruppen und Phosphonatoxygruppen. Für die Alkylgruppen und Arylgruppen darin lassen sich die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Arylgruppen als Beispiele nennen.
Für die Acylgruppen (R⁷CO-) in den oben erwähnten Acyloxygruppen kann die Gruppe R⁷ eine der zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen oder substituierten Arylgruppen sein. Unter diesen substituierten Oxygruppen sind die Alkoxygruppen, Aryloxygruppen, Acyloxygruppen und Arylsulfoxygruppen zu bevorzugen. Beispiele bevorzugter substituierter Oxygruppen schließen ein: Methoxygruppen, Ethoxygruppen, Propyloxygruppen, Isopropyloxygruppen, Butyloxygruppen, Pentyloxygruppen, Hexyloxygruppen, Dodecyloxygruppen, Benzyloxygruppen, Allyloxygruppen, Phenethyloxygruppen, Carboxylethyloxygruppen, Methoxycarbonylethyloxygruppen, Ethoxycarbonylethyloxygruppen, Methoxyethoxygruppen, Phenoxyethoxygruppen, Methoxyethoxyethoxygruppen, Ethoxyethoxyethoxygruppen, Morpholinoethoxygruppen, Morpholinopropyloxygruppen, Allyoxyethoxyethoxygruppen, Phenoxygruppen, Tolyloxygruppen, Xylyloxygruppen, Mesityloxygruppen, Cumenyloxygruppen, Methoxyphenyloxygruppen, Ethoxyphenyloxygruppen, Chlorphenyloxygruppen, Bromphenyloxygruppen, Acetyloxygruppen, Benzoyloxygruppen, Naphthyloxygruppen, Phenylsulfonyloxygruppen, Phosphonoxygruppen und Phosphonatoxygruppen usw.
Wenn die zuvor erwähnten Gruppen R_n+1, R_n+2 und R_n+3 substituierte Aminogruppen (R¹⁷NH-, (R¹⁸)(R¹⁹)N-) bezeichnen, stehen die Gruppen R¹⁷, R¹⁸ und R¹⁹ jeweils für einwertige Nichtmetall-Atomgruppen, ausgenommen Wasserstoff. Bevorzugte Beispiele der substituierten Aminogruppen sind N-Alkylaminogruppen, N,N-Dialkylaminogruppen, N-Arylaminogruppen, N,N-Diarylaminogruppen, N-Alkyl-N-arylaminogruppen, Acylaminogruppen, N-Alkylacylaminogruppen, N-Arylacylaminogruppen, Ureidogruppen, N'-Alkylureidogruppen, N',N'-Dialkylureidogruppen, N'-Arylureidogruppen, N',N'-Diarylureidogruppen, N'-Alkyl-N'-arylureidogruppen, N-Alkylureidogruppen, N-Arylureidogruppen, N'-Alkyl-N-alkylureidogruppen, N'-Alkyl-N-arylureidogruppen, N',N'-Dialkyl-N-alkylureidogruppen, N',N'-Dialkyl-N-arylureidogruppen, N'-Aryl-N-alkylureidogruppen, N'-Aryl-N-arylureidogruppen, N',N'-Diaryl-N-alkylureidogruppen, N',N'-Diaryl-N-arylureidogruppen, N'-Alkyl-N'-aryl-N-alkylureidogruppen, N'-Alkyl-N'-aryl-N-arylureidogruppen, Alkoxycarbonylaminogruppen, Aryloxycarbonylaminogruppen, N-Alkyl-N-alkoxycarbonylaminogruppen, N-Alkyl-N-aryloxycarbonylaminogruppen, N-Aryl-N-alkoxycarbonylaminogruppen und N-Aryl-N-aryloxycarbonylaminogruppen.
Für die Alkylgruppen und Arylgruppen darin lassen sich die zuvor erwähnten Alkylgruppen, substituierten Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Arylgruppen als Beispiele nennen, wobei die Gruppe R¹ in der Acylgruppe (R¹CO-) in den Acylaminogruppen, N-Alkylacylaminogruppen und N-Arylacylaminogruppen dieselbe wie zuvor erwähnt ist. Von diesen sind die N-Alkylaminogruppen, N,N-Dialkylaminogruppen, N-Arylaminogruppen und Acylaminogruppen zu bevorzugen.
Spezielle Beispiele bevorzugter substituierter Aminogruppen sind Methylaminogruppen, Ethylaminogruppen, Diethylaminogruppen, Morpholinogruppen, Piperidinogruppen, Pyrrolidinogruppen, Phenylaminogruppen, Benzoylaminogruppen und Acetylaminogruppen usw.
In der zuvor angegebenen Formel (I) bezeichnet G_a ^– einen anionischen Substituenten und kann eine Ringstruktur haben. G_b bezeichnet einen neutralen Substituenten und kann eine Ringstruktur haben. Diese können jeweils durch die in den nachstehenden Diagrammen dargestellten Strukturen wiedergegeben werden.
In den Formeln von oben bezeichnen L₁ bis L₄ jeweils unabhängig Wasserstoffatome, Halogenatome, Cyanogruppen, die oben genannten Alkylgruppen, Arylgruppen, Alkenylgruppen, Alkinylgruppen, Carbonylgruppen, Thiogruppen, Sulfonylgruppen, Sulfinylgruppen, Oxygruppen oder Aminogruppen. L₁ und L₂ und L₃ und L₄ können miteinander unter Bildung einer Ringstruktur verknüpft sein. Bevorzugte Beispiele von G_b schließen den sauren Kern von Cyaninfarbstoff ein und von G_a ^– schließen solche ein, in denen der saure Kern anionisch gemacht wurde. Der saure Kern kann eine Verbindung sein, die beschrieben ist in "The Theory of the Photographic Process," Seite 199, Tabelle 8, 2-B, oder ein beliebiger der nachstehend aufgelisteten Kerne.

1) 1,3-Dicarbonyl-Kerne, wie 1,3-Indandion, 1,3-Cyclohexandion und 5,5-Dimethyl-1,3-cyclohexandion, 1,3-Dioxan-4,6-dion,
2) Pyrazolinon-Kerne, wie 3-Methyl-1-phenyl-2-pyrazolin-5-on, 1-Phenyl-2-pyrazolin-5-on, 1-Phenyl-2-pyrazolin-5-on, 1-(2-Benzothiazoryl)-3-methyl-2-pyrazolin-5-on,
3) Isooxazolinon-Kerne, wie 3-Phenyl-2-isooxazolin-5-on, 3-Methyl-2-isooxazolin-5-on, usw.,
4) Oxyindol-Kerne, wie 1-Alkyl-2,3-dihydro-2-oxyindol,
5) 2,4,6-Triketohexahydropyrimidin-Kerne, wie Barbitursäure oder 2-Thiobarbitursäure und Derivate davon, wobei solche Derivate solche 1-Alkyl-Körper, wie 1-Methyl und 1-Ethyl, solche 1,3-Dialkyl-Körper, wie 1,3-Diethyl und 1,3-Dibutyl, solche 1,3-Diaryl-Körper, wie 1,3-Diphenyl, 1,3-Di(p-chlorphenyl- und 1,3-Di(p-ethoxycarbonylphenyl) und solche 1-Alkyl-3-aryl-Körper, wie 1-Ethyl-3-phenyl, einschließen,
6) 2-Thio-2,4-thiazolindion-Kerne, wie Rhodanin und Derivate davon, wobei solche Derivate 3-Ethylrhodanin, solche 3-Alkylrhodanine, wie 3-Arylrhodanin und wie 3-Arylrhodinine als 3-Phenylrhodanin, einschließen,
7) 2-Thio-2,4-oxazolidindion-(2-thio-2,4-(3H,5H)-oxazoldion)-Kerne, wie 2-Ethyl-2-thio-2,4-oxazolidindion,
8) Thianaphthenon-Kerne, wie 3(2H)-Thianaphthenon und 3(2H)-Thianaphthenon-1,1-dioxid,
9) 2-Thio-2,5-thiazolidindion-Kerne, wie 3-Ethyl-2-thio-2,5-thiazolidindion,
10) 2,4-Thiazolidindion-Kerne, wie 2,4-Thiazolidindion, 3-Ethyl-2,4-thiazolidindion und 3-Phenyl-2,4-thiazolidindion,
11) Thiazolidinon-Kerne, wie 4-Thiazolidinon und 3-Ethyl-4-thiazolidinon,
12) 4-Thiazolinon-Kerne, wie 2-Ethylmercapto-5-thiazolin-4-on und 2-Alkylphenylamino-5-thiazolin-4-on,
13) 2-Imino-2-oxozolin-4-on (kongeliertes Hydantoin)-Kerne,
14) 2,4-Imidazolidindion (Hydantoin)-Kerne, wie 2,4-Imidazolidindion und 3-Ethyl-2,4-imidazolidindion,
15) 2-Thio-2,4-imidazolidindion-(2-thiohydantoin)-Kerne, wie 2-Thio-2,4-imidazolidindion und 3-Ethyl-2-thio-2,4-imidazolidindion,
16) 2-Imidazolin-5-on-Kerne, wie 2-n-Propyl-mercapto-2-imidazolin-5-on,
17) Furan-5-on,
18) 4-Hydroxy-2(1H)-chinolinon-Kerne oder 4-Hydroxy-2(1H)-pyridinon-Kerne, wie N-Methyl-4-hydroxy-2(1H)-chinolinon, N-n-Butyl-4-hydroxy-2(1H)-chinolinon und N-Methyl-4-hydroxy-2(1H)-pyridinon,
19) substituiertes oder unsubstituiertes 4-Hydroxy-2H-pyran-2-on und 4-Hydroxycumarin und
20) substituiertes oder unsubstituiertes Thioindoxyl, wie 5-Methylthioindoxyl.

In den zuvor angegebenen Formeln bezeichnet ferner Z ein Chalkogenatom oder eine -C(Y₁)(Y₂)-Gruppe. Hier können Y₁ und Y₂ gleich oder verschieden sein und jeweils -CN, -CO₂R' oder -SO₂R'' bedeuten. R' und R'' bezeichnen Alkylgruppen oder Arylgruppen, wie zuvor erwähnt.
In der zuvor angegebenen allgemeinen Formel (I) bezeichnet X^m+ (nachfolgend "Gegenkation" genannt) ein Wasserstoffion oder Kation mit der Wertigkeit m, wobei m eine ganze Zahl von 1 bis 6 ist.
In einer bevorzugten Form des anionischen Infrarot-absorbierenden Mittels ist das Gegenkation mit dem Binder interaktiv. Ein solches Gegenkation kann eine Oniumsalz-Struktur haben, wobei das Oniumsalz ein Ammoniumsalz, Diazoniumsalz, Oxoniumsalz, Sulfoniumsalz, Seleniumsalz, Phosphoniumsalz, Carboniumsalz oder Iodoniumsalz sein kann.
Bevorzugte Beispiele solcher Oniumsalze schließen beispielsweise ein: die in S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (1974), T. S. Bal et al., Polymer, 21, 423 (1980) und JP-A Nr. 5-158230 genannten Diazoniumsalze, die in US-Patent Nr. 4,069,055, US-Patent Nr. 4,069,056 und JP-A Nr. 3-140140 genannten Ammoniumsalze, die in D. C. Necker et al., Macromolecules, 17, 2468 (1984), C. 5. Wen et al., The, Proc. Configuration. Rad. Curing ASIA, Seite 478, Tokyo, Okt. (1988), US-Patent Nr. 4,069,055 und US-Patent Nr. 4,069,056 genannten Phosphoniumsalze, die in J. V. Crivello et al., Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, Seite 31 (1988), dem europäischen Patent Nr. 104,143, US-Patent Nr. 339,049, US-Patent Nr. 410,201, JP-A Nr. 2-150848 und JP-A Nr. 2-296514 genannten Iodoniumsalze, die in J. V. Crivello et al., Polymer J. 17, 73 (1985), J. V. Crivello et al., J. Org. Chem, 43, 3055 (1978), W. R. Watt et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1984), J. V. Crivello et al., Polymer Bull., 14, 279 (1985), J. V. Crivello et al., Macromolecules, 14 (5), 1141 (1981), J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877 (1979), dem europäischen Patent Nr. 370,693, dem europäischen Patent Nr. 233, 567, dem europäischen Patent Nr. 297,443, dem europäischen Patent Nr. 297,442, US-Patent Nr. 4,933,377, US-Patent Nr. 3,902,114, US-Patent Nr. 410,201, US-Patent Nr. 339,049, US-Patent Nr. 4,760,013, US-Patent Nr. 4,734,444, US-Patent Nr. 2,833,827, dem deutschen Patent Nr. 2,904,626, dem deutschen Patent Nr. 3,604,580 und dem deutschen Patent Nr. 3,604,581 genannten Sulfoniumsalze, die in J. V. Crivello et al., Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977) und J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979) genannten Selenoniumsalze und die in C. S. Wen et al., The, Proc. Configuration. Rad. Curing ASIA, Seite 478 Tokyo, Okt. (1988) genannten Aluzoniumsalze.
Die in JP-A Nr. 9-134009 zitierten Ammoniumsalze, Phosphoniumsalze, Sulfoniumsalze und Iodoniumsalze sind ebenso gut geeignet für die erfindungsgemäße Verwendung.
Die zuvor erwähnten Oxoniumsalze werden wiedergegeben durch die allgemeinen Formeln (A) oder (B) von unten.
In diesen Formeln bezeichnen R_a bis R_d jeweils unabhängig Alkylgruppen oder Arylgruppen und R_e bezeichnet eine Alkylingruppe ("alkylyn group") oder eine Arylingruppe ("arylyn group"). Ebenso können benachbarte Gruppen R_a bis R_c oder R_d und R_e wechselseitig unter Bildung einer Ringstruktur verbunden sein.
Die zuvor erwähnten Seleniumsalze werden durch die allgemeinen Formeln (C) oder (D), unten, wiedergegeben.
In diesen Formeln bezeichnen R_f bis R_i jeweils unabhängig Alkylgruppen oder Arylgruppen und R_j bezeichnet eine Alkylingruppe oder Arylingruppe. Ebenso können benachbarte Gruppen R_f bis R_g oder R_i und R_j miteinander unter Bildung einer Ringstruktur verbunden sein.
Die zuvor erwähnten Diazoniumsalze werden durch die allgemeine Formel (E), unten, wiedergegeben. R_k-N⁺≡N (E)
In dieser Formel bezeichnet R_k eine Alkylgruppe oder eine Arylgruppe.
Die zuvor erwähnten Carboniumsalze werden durch die allgemeinen Formeln (F) oder (G) von unten wiedergegeben.
In diesen Formeln bezeichnen R_l bis R_o jeweils unabhängig Alkylgruppen oder Arylgruppen und R_p bezeichnet eine Alkylingruppe oder Arylingruppe. Ebenso können benachbarte Gruppen R_l bis R_m oder R_o und R_p wechselseitig unter Bildung einer Ringstruktur verbunden sein.
Weitere bevorzugte Oniumsalze werden durch die allgemeinen Formeln (H) bis (K), unten, wiedergegeben.
In diesen Formeln bezeichnen R^A, R^B, R^C, R^D, R^J, R^K, R^L bzw. R^M jeweils unabhängig Alkylgruppen, Arylgruppen, oder Aralkylgruppen. R^A, R^B, R^C und R^D können wechselseitig unter Bildung eines Rings verbunden sein und R^J, R^K, R^L und R^M können wechselseitig unter Bildung eines Ringes verbunden sein. R^E, R^F bzw. R^G bezeichnen jeweils unabhängig Alkylgruppen oder Arylgruppen. R^E, R^F und R^G können wechselseitig unter Bildung eines Ringes verbunden sein. R^H bzw. R^I bezeichnen jeweils unabhängig Alkylgruppen.
Bevorzugte Beispiele schließen Formen ein, in denen das Gegenkation ein sich thermisch zersetzendes Oniumsalz ist. Mit einem sich thermisch zersetzenden Oniumsalz ist hier ein Oniumsalz gemeint, bei dem, wenn es mit einer differenzthermischen/thermogravimetrischen Analyse oder einer Schmelzpunktmessvorrichtung gemessen wird, die Temperatur, bei der 10 mol% Zersetzung auftritt, 200°C oder niedriger ist.
Ein solches sich thermisch zersetzendes Oniumsalz kann leicht erhalten werden durch Änderung eines Substituenten an dem Oniumsalz. Die hier verwendeten, sich thermisch zersetzenden Oniumsalze können Ammoniumsalze, Diazoniumsalze, Oxoniumsalze, Sulfoniumsalze, Seleniumsalze, Phosphoniumsalze, Carboniumsalze oder Iodoniumsalze sein, solange die thermischen Zersetzungseigenschaften davon die zuvor erwähnte Bedingung erfüllen.
In der zuvor gegegebenen allgemeinen Formel (I) kann das anionische Farbstoffgerüst wiedergegeben sein durch die allgemeinen Formel (IV) von unten. G_aθ ^–-M_αϕ-G_bθ (IV)
In dieser Formel sind θ, α und ϕ jeweils Variable und indem die entsprechenden Teilstrukturen G_aθ, Mαϕ und G_bθ kombiniert werden, können spezielle Strukturen des anionischen Farbstoffgerüsts wiedergegeben werden. Wenn die Teilstrukturen G_a1, M_f3 und G_b2 beispielsweise sind, wie im nachstehenden Diagramm gezeigt ist, nämlich
nimmt das kombinierte anionische Farbstoffgerüst die Struktur an, die im unteren Diagramm gezeigt ist.
Beispiele von Teilstrukturen für anionische Farbstoffgerüste, Beispiele anionischer Farbstoffstrukturen und spezielle Beispiele bevorzugter Oniumsalze für das Gegenion werden nunmehr in Diagrammen gezeigt, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf oder durch diese speziellen Beispiele beschränkt.
Die Folgenden werden als Beispiele der Teilstruktur G_aθ gegeben.
Die Folgenden werden als Beispiele der Teilstruktur G_bθ gegeben.
Die Folgenden werden als Beispiele der Methinkette Mαϕ gegeben.
Die Folgenden werden als Beispiele des Substituenten Y gegeben, wenn die Methinkette Mαϕ einen Substituenten hat.
Die Folgenden werden als Beispiele anionischer Farbstoffgerüste gegeben.
Die Folgenden werden als Beispiele sehr geeigneter Gegenkation-Teilstrukturen gegeben, die wiedergegeben sind durch die zuvor angegebenen allgemeinen Formeln (A) bis (G).
Die Folgenden werden als Beispiele sehr geeigneter Gegenkation-Teilstrukturen gegeben, die wiedergegeben werden durch die zuvor angegebene allgemeine Formel (H).
Die Folgenden werden als Beispiele sehr geeigneter Gegenkation-Teilstrukturen gegeben, die wiedergegeben werder durch die zuvor angegebene allgemeine Formel (I).
Die Folgenden werden als Beispiele sehr geeigneter Gegenkation-Teilstrukturen gegeben, die wiedergegeben werden durch die zuvor angegebene allgemeine Formel (J).
Die Folgenden werden als Beispiele sehr geeigneter Gegenkation-Teilstrukturen gegeben, die wiedergegeben werden durch die zuvor angegebene allgemeine Formel (K).
Die Synthese des erfindungsgemäß verwendeten anionischen Infrarot-absorbierenden Mittels kann durchgeführt werden durch Kondensieren einer Verbindung, die aktives Methylen enthält, und eines Methylenkettendonors in Gegenwart einer Base. Dieses Syntheseverfahren kann nach einem üblichen Verfahren zur Synthese von Farbstoffen durchgeführt werden, wie beispielsweise dem Oxonolpigment-Syntheseverfahren, das beschrieben ist in "Senryo to Yakuhin (Dyes & Pharmaceuticals)" (1991), Seiten 274 bis 289.
Erfindungsgemäß ist der durch die zuvor angegebene allgemeine Formel (I) wiedergegebene Oxonol-Farbstoff im Hinblick auf das Absorptionsvermögen bevorzugt. Solche Farbstoffe schließen diejenigen ein, die beschrieben sind im europäischen Patent Nr. 444,786 und dem europäischen Patent Nr. 397,435, jedoch sind diejenigen, die in den japanischen Patentanmeldungen Nrn. 10-237634 und 10-270097 beschrieben sind, zu bevorzugen. Diejenigen, die beschrieben sind in JP-A Nr. 10-297103, können ebenso verwendet werden.
(d-2) Infrarot-absorbierendes Mittel, wiedergegeben durch die allgemeine Formel (II) von oben:
In der allgemeinen Formel (II) bezeichnen R¹ bis R⁴ jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe oder Arylgruppe.
R⁵ und R⁶ bezeichnen jeweils unabhängig eine Alkylgruppe, substituierte Oxygruppe oder ein Halogenatom.
n und m bezeichnen jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4.
R¹ und R² oder R³ und R⁴ können jeweils unter Bildung eines Rings verbunden sein. Ebenso können R¹ und/oder R² mit R⁵ verbunden sein und R³ und/oder R⁴ können mit R⁶ verbunden sein, um so einen Ring zu bilden. Darüber hinaus können die Gruppen R⁵ selbst oder die Gruppen R⁶ selbst miteinander unter Bildung eines Rings verbunden sein.
Z¹ und Z² sind jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe oder Arylgruppe und mindestens eine oder die andere der Gruppen Z¹ und Z² bezeichnet entweder ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe.
Q ist eine Trimethingruppe oder Pentamethingruppe, die einen Substituenten haben können und zusammen mit einer zweiwertigen organischen Gruppe eine Ringstruktur bilden können.
X bezeichnet ein Gegenanion.
Spezielle Beispiele solcher Infrarot-absorbierenden Mittel mit der allgemeinen Formel (II) sind nachstehend gegeben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf oder durch diese speziellen Beispiele beschränkt.
Die Alkylgruppen, Arylgruppen und substituierten Oxygruppen in R¹ bis R⁴, R⁵ und R⁶ und Z¹ und Z² sind dieselben wie die Gruppen, die im Zusammenhang mit R_n+1, R_n+2 und R_n+3 bei der Beschreibung, die sich auf die allgemeine Formel (I) bezog, aufgelistet sind.
Das Halogenatom in R⁵ und R⁶ kann Fluor, Chlor, Brom oder Tod usw. sein. R¹ und R² oder R³ und R⁴ können jeweils unter Bildung eines Rings verbunden sein. Ebenso können R¹ oder R² mit R⁵ verbunden sein, und R³ oder R⁴ können mit R⁶ verbunden sein und so einen Ring bilden. Darüber hinaus können, wenn die zuvor erwähnten m und n 2 oder größer sind, die Gruppen R⁵ selbst oder die Gruppen R⁶ selbst miteinander verbunden sein und so einen Ring bilden. Wenn m oder n 2 ist, können R¹ und R² mit R⁵ verbunden sein oder R³ und R⁴ können mit R⁶ verbunden sein und so einen Ring bilden.
n und m bezeichnen jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4.
Es ist notwendig, dass mindestens eine oder die andere der Gruppen Z¹ und Z² entweder ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe ist. Erfindungsgemäß [wird] durch Verwendung eines Infrarot-absorbierenden Mittels, wie dieses, eine hervorragende Lösungsmittellöslichkeit [erhalten] und eine vorteilhafte Bildbildungsfähigkeit kann sich zeigen, selbst wenn die Menge von Additiven zu der fotoempfindlichen Zusammensetzung verringert wird.
Für den Substituenten Q wird eine einwertige Nichtmetall-Atomgruppe, Wasserstoff ausgenommen, verwendet. Bevorzugte Beispiele schließen zunächst einmal Alkylgruppen und Arylgruppen ein, die einen Substituenten haben können. Als spezielle Beispiele dieser Alkylgruppen und Arylgruppen können die Beispiele als bevorzugte Beispiele erwähnt werden, die als Alkylgruppen und Arylgruppen für R¹ bis R⁴ und Z¹ und Z² angeführt wurden. Als bevorzugte Beispiele von Substituenten Q können ebenso Alkenylgruppen und Alkinylgruppen genannt werden, die einen Substituenten haben können. Solche Alkenylgruppen schließen beispielsweise Vinylgruppen, Phenylvinylgruppen, Dialkylaminophenylvinylgruppen, Phenylvinylgruppen, 1-Propenylgruppen, 1-Butenylgruppen, Cinnamylgruppen und 2-Chlor-1-ethenylgruppen usw. ein, während solche Alkinylgruppen Ethinylgruppen, 1-Propinylgruppen, 1-Butinylgruppen, Trimethylsilylethinylgruppen und Phenylethinylgruppen usw. einschließen. Als bevorzugte Beispiele der Substituenten Q können dieselben Gruppen genannt werden, die oben als Alkylgruppen-Substituenten in R¹ bis R⁴, R⁵ und R⁶, sowie Z¹ und Z² in der allgemeinen Formel (II) erwähnt wurden.
Die zuvor beschriebenen Alkylgruppen können als spezielle Beispiele der Alkylgruppen in diesen Substituenten genannt werden. Spezielle Beispiele der Arylgruppen darin, die erwähnt werden können, schließen ein: Phenylgruppen, Biphenylgruppen, Naphthylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Mesitylgruppen, Cumenylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Chlormethylphenylgruppen, Hydroxyphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Ethoxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Acetoxyphenylgruppen, Benzoyloxyphenylgruppen, Methylthiophenylgruppen, Phenylthiophenylgruppen, Methylaminophenylgruppen, Dimethylaminophenylgruppen, Acetylaminophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen, Methoxycarbonylphenylgruppen, Ethoxycarbonylphenylgruppen, Phenoxycarbonylphenylgruppen, N-Phenylcarbamoylphenylgruppen, Phenylgruppen, Nitrophenylgruppen, Cyanophenylgruppen, Sulfophenylgruppen, Sulfonatophenylgruppen, Phosphonophenylgruppen und Phosphonatophenylgruppen usw.
In den zuvor erwähnten Acylgruppen (R¹CO-) kann R¹ ein Wasserstoffatom und eine Alkylgruppe, Arylgruppe, Alkenylgruppe oder Alkinylgruppe, die zuvor erwähnt wurden, sein.
Von diesen Substituenten schließen die zu bevorzugenden Gruppen ein: Alkylgruppen, Arylgruppen, Alkenylgruppen, Halogenatome (-F, -Br, -Cl, -I), Alkoxygruppen, Hydroxylgruppen, Aryloxygruppen, Alkylthiogruppen, Arylthiogruppen, N-Alkylaminogruppen, N,N-Dialkylaminogruppen, Acyloxygruppen, N-Alkylcarbamoyloxygruppen, N-Arylcarbamoyloxygruppen, Acylaminogruppen, Formylgruppen, Acylgruppen, Carboxylgruppen, Alkoxycarbonylgruppen, Aryloxycarbonylgruppen, Carbamoylgruppen, N-Alkylcarbamoylgruppen, N,N-Dialkylcarbamoylgruppen, N-Arylcarbamoylgruppen, N-Alkyl-N-arylcarbamoylgruppen, Sulfogruppen, Sulfonatogruppen, Sulfamoylgruppen, N-Alkylsulfamoylgruppen, N,N-Dialkylsulfamoylgruppen, N-Arylsulfamoylgruppen, N-Alkyl-N-arylsulfamoylgruppen, Phosphonogruppen, Phosphonatogruppen, Dialkylphosphonogruppen, Diarylphosphonogruppen, Monoalkylphosphonogruppen, Alkylphosphonatogruppen, Monoarylphosphonogruppen, Arylphosphonatogruppen, Phosphonoxygruppen und Phosphonatoxygruppen usw.
Q kann darüber hinaus zusammen mit einer zweiwertigen organischen Gruppe, wie beispielsweise einer Alkylengruppe oder Alkenylengruppe einen Ring bilden. Der gebildete Ring kann ein Ring mit 4 bis 7 Atomen (Wasserstoffatome ausgenommen) sein und die Sauerstoffe an dem gebildeten Ring können ersetzt sein durch einen zuvor aufgelisteten Substituenten als ein bevorzugter Substituent für Q.
In der zuvor angegebenen allgemeinen Formel (II) bezeichnet X^– ein Gegenanion und beispielsweise den Ausdruck MQn^– (M ist ein Atom, ausgewählt aus B, P, As, Sb, Fe, Al, Sn, Zn, Ti, Cd, Mo, W, und Zr, wobei B, P, As und Sb bevorzugt sind). Q bezeichnet ein Halogenatom oder alternativ lassen sich auch zusätzlich zu diesen [Ionen], die durch den Ausdruck MQ_n-1(OH)^– (worin M, Q und n dieselben wie zuvor erwähnt sind) wiedergegeben sind, Br^–, Cl^–, I^– und NO₃ ^– usw. auflisten. Bevorzugte, durch den Ausdruck MQ_n¯ wiedergegebene Anionen schließen BF₄ ^–, PF₆ ^–, AsF₆ ^– und SbF₆ ^– usw. ein. Von diesen ist SbF₆ besonders bevorzugt. Bevorzugte Anionen, die wiedergegeben sind durch den Ausdruck MQ_n-1(OH)^– schließen SbF₅(OH)^– usw. ein.
Andere Anionen schließen ein:

1) Perchlorationen,
2) Trifluormethyl-schwefelige Säure-Ionen,
3) Methansulfonsäure-Ionen,
4) Ethansulfonsäure-Ionen,
5) 1-Propansulfonsäure-Ionen,
6) 2-Propansulfonsäure-Ionen,
7) n-Butansulfonsäure-Ionen
8) Allylsulfonsäure-Ionen,
9) 10-Camphersulfonsäure-Ionen,
10) Trifluormethansulfonsäure-Ionen,
11) Pentafluorethansulfonsäure-Ionen,
12) Benzolsulfonsäure-Ionen,
13) p-Toluolsulfonsäure-Ionen,
14) 3-Methoxybenzolsulfonsäure-Ionen,
15) 4-Methoxybenzolsulfonsäure-Ionen,
16) 4-Hydroxybenzolsulfonsäure-Ionen,
17) 4-Chlorbenzolsulfonsäure-Ionen,
18) 3-Nitrobenzolsulfonsäure-Ionen,
19) 4-Nitrobenzolsulfonsäure-Ionen,
20) 4-Acetylbenzolsulfonsäure-Ionen,
21) Pentafluorbenzolsulfonsäure-Ionen,
22) 4-Dodecylbenzolsulfonsäure-Ionen,
23) Mesitylensulfonsäure-Ionen,
24) 2,4,6-Triisopropylbenzolsulfonsäure-Ionen,
25) 2-Hydroxy-4-methoxybenzophenon-5-sulfonsäure-Ionen,
26) Isophthalsäure-dimethyl-5-sulfonsäure-Ionen,
27) Diphenylamin-4-sulfonsäure-Ionen,
28) 1-Naphthalinsulfonsäure-Ionen,
29) 2-Naphthalinsulfonsäure-Ionen,
30) 2-Naphthol-6-sulfonsäure-Ionen
31) 2-Naphthol-7-sulfonsäure-Ionen,
32) Anthrachinon-1-sulfonsäure-Ionen,
33) Anthrachinon-2-sulfonsäure-Ionen,
34) 9,10-Dimethoxyanthracen-2-sulfonsäure-Ionen,
35) 9,10-Diethoxyanthracen-2-sulfonsäure-Ionen,
36) Chinolin-8-sulfonsäure-Ionen,
37) 8-Hydroxychinolin-5-sulfonsäure-Ionen und
38) 8-Anilino-naphthalin-1-sulfonsäure-Ionen.

Ein Verfahren zur Herstellung des Infrarot-absorbierenden Mittels mit der zuvor angegebenen allgemeinen Formel (II) wird nunmehr beschrieben.
Das Infrarot-absorbierende Mittel mit der zuvor angegebenen allgemeinen Formel (II) kann mit einem beliebigen der bekannten repräsentativen Syntheseverfahren hergestellt werden, die beschrieben sind in Justus Liebigs Ann. Chem. Band 623, 1959, Seiten 204 bis 216, Ukr. Khim. Zh., Band 22, 1956, Seiten 347 bis 348, Chem. Heterocyc. Compd., Band 18, 1982, Seiten 334 bis 336, J. Heterocyc. Chem., Band 25, 1988, Seiten 1321 bis 1325 oder JP-A Nr. 60-231766. Beispiele der Synthese werden nunmehr gegeben. Strukturformeln für die synthetisierten Verbindungen werden nachher beschrieben.
Synthesebeispiel 1 (IR-54-Synthese):

(1) 50,8 g 4-N,N-Diethylaminobenzaldehyd und 12,1 g Cyclopentanon wurden in 200 ml Ethanol aufgelöst. Dann wurden 31 g einer 10%igen wässrigen Lösung von Natriumhydroxid hinzugefügt und man ließ diese für 8 Stunden bei 40°C bis 50°C unter Rühren reagieren. Die ausgefallenen Kristalle wurden abfiltriert, mit 80 ml Ethanol und 200 ml Wasser gewaschen und getrocknet, was 52,5 g orangefarbene Kristalle von 2,5-Bis(4,N,N-diethylamino-benzyliden)cyclopentanon ergab.
(2) 12,1 g 2,5-Bis(4,N,N-diethylamino-benzyliden)cyclopentanon wurde in einer Lösungsmittelmischung aus 100 g Tetrahydrofurfurylalkohol und 150 g Tetrahydrofuran aufgelöst, 1,1 g Natriumborhydrid hinzugefügt und man ließ [dieses Material] für 8 Stunden bei 30°C bis 45°C reagieren. Dann wurde eine Mischungslösung von 5,5 g 48% Tetrafluorborsäure und 30 g Essigsäure bei Raumtemperatur hineingegossen, die ausgefallenen dunkelgrünen Kristalle abfiltriert und gewaschen und getrocknet, was 5,5 g des Infrarot-absorbierenden Mittels IR-54 ergab.

Synthesebeispiel 2 (IR-67-Synthese):

(1) 51,8 g 2-(N-Ethylanilino)ethanol und 31,7 g Triethylamin wurden in 300 ml Aceton aufgelöst. Dazu wurden langsam 25 g Acetylchlorid unter Kühlen der Reaktionslösung mit Eiswasser gegeben und man ließ dieses für 6 Stunden bei Raumtemperatur unter Rühren reagieren. 200 ml Wasser wurden hineingegossen. Die organische Schicht wurde mit Ethylacetat extrahiert und mit Natriumsulfat getrocknet. Dann wurde das Lösungsmittel unter verringertem Druck abdestilliert, um 64,9 g 2-(N-Ethylanilino)ethylacetat zu erhalten.
(2) Nach Zusatz 55,8 g eisgekühlten Phosphorylchlorids zu 26,6 g Dimethylformamid wurde eine Lösung von 63,0 g 2-(N-Ethylanilino)ethylacetat in 40 ml Dimethylformamid langsam bei Raumtemperatur hinzugefügt, man ließ dies für 6 Stunden bei Raumtemperatur unter Rühren reagieren und goss dann in eine wässrige Lösung von 150 g Natriumacetat unter Eiskühlung. Die organische Schicht wurde mit Ethylacetat extrahiert und das Lösungsmittel unter verringertem Druck abdestilliert. Dies wurde gereinigt durch Silikagelsäulenchromatographie, was 60,2 g 2-(Ethyl(4-formylphenyl)amino)ethylacetat ergab.
(3) Eine Mischung von 51,0 g 4-N,N-Diethylaminobenzaldehyd, 72,7 g Cyclopentanon, 19,0 g 85% Kaliumhydroxidepellets und 450 ml Wasser wurde erwärmt und für 25 Stunden refluxiert. Dann wurde der Überschuss Cyclopentanon mit einem gewöhnlichen Verfahren abdestilliert und die ausgefallenen Kristalle durch Filtration abgetrennt, aus Ethanol umkristallisiert und getrocknet, was 45,5 g orangefarbene Kristalle von 2-(4-(Diethylamino)benzyliden)cyclopentanon ergab.
(4) 40,5 g 2-(Ethyl(4-formylphenyl)amino)ethylacetat und 41,8 g 2-(4-(Diethylamino)benzyliden)cyclopentanon wurden in 120 ml Ethanol aufgelöst. Dann wurden 19 g einer 10% wässrigen Lösung von Natriumhydroxid hinzugefügt und man ließ dies für 6 Stunden bei 40°C bis 50°C unter Rühren reagieren. Die ausgefallenen Kristalle wurden durch Filtration abgetrennt, in 50 ml Ethanol und 150 ml Wasser gewaschen und getrocknet, was 38,5 g orangefarbene Kristalle von 2-(4-(Diethylamino)benzyliden)-5-(4-ethyl(2-hydroxyethyl)amino)benzyliden)cyclopentanon ergab.
(5) 10,5 g 2-(4-(Diethylamino)benzyliden)-5-(4-ethyl(2-hydroxyethyl)amino)benzyliden)cyclopentanon wurden in einer Lösungsmittelmischung von 100 g Tetrahydrofurfurylalkohol und 150 g Tetrahydrofuran aufgelöst. Dazu wurden 1,1 g Natriumborhydrid gegeben und man ließ diese [Lösung] für 8 Stunden bei 30°C bis 45°C reagieren. Dann wurde eine flüssige Mischung von 4,2 g 60% Perchlorsäure und 3 g Essigsäure bei Raumtemperatur hineingegossen. Die ausgefallenen dunkelgrünen Kristalle wurden abfiltriert, in Wasser gewaschen und getrocknet, was 4,3 g des Infrarot-absorbierenden Mittels IR-67 ergab.

Synthesebeispiel 3 (IR-79-Synthese):

(1) 49,6 g 4-(Dimethylamino)benzophenonphenon wurden in 120 ml Tetrahydrofuran aufgelöst. Dazu wurden 250 ml einer 1 N Tetrahydrofuranlösung von Methylmagnesiumbromid unter Kühlung mit Eis hinzugefügt. Nach Erhitzen und Refluxieren der Reaktionslösung für 1 Stunde wurde eine wässrige Lösung von Ammoniumchlorid hinzugefügt und ein gewöhnliches Verfahren durchgeführt, um eine Alkohol-Zwischenverbindung zu erhalten. Darauffolgend wurde die so erhaltene Alkohol-Zwischenverbindung in 200 ml wasserfreier Essigsäure aufgelöst. Nach dem Refluxieren dieser Mischung für 2 Stunden wurde das Lösungsmittel unter verringertem Druck abdestilliert, was 39 g Dimethyl(4-(1-phenylvinyl)phenyl)amin ergab.
(2) 28 g Dimethyl(4-(1-phenylvinyl)phenyl)amin und 22 g 4-Dimethylaminozimtaldehyd wurden in 200 ml wasserfreier Essigsäure aufgelöst. Nach dem Refluxieren für 3 Stunden wurde die Reaktionslösung auf Raumtemperatur abgekühlt, eine Mischung von 11 ml 70% Perchlorsäure und 600 ml Essigsäure langsam hinzugefügt und diese [Lösung] für weitere 10 Minuten refluxiert. Die Reaktionslösung wurde abgekühlt, 600 ml Wasser hinzugefügt und der Niederschlag durch Filtration abgetrennt, mit Wasser gewaschen und dann aus Ethanol und Wasser umkristallisiert, was 12 g des Infrarot-absorbierenden Mittels IR-79 ergab.

Synthesebeispiel 4 (IR-95-Synthese):

(1) 42,8 g 4-N,N-Dimethylaminobenzaldehyd und 14,1 g Cyclohexanon wurden in 200 ml Ethanol aufgelöst, 31 g einer 10% wässrigen Lösung von Natriumhydroxid hinzugefügt und man ließ dies für 7 Stunden bei 40°C bis 50°C unter Rühren reagieren. Die ausgefallenen Kristalle wurden durch Filtration abgetrennt, in 80 ml Ethanol und 200 ml Wasser gewaschen und getrocknet, was 47,2 g orangefarbene Kristalle von 2,6-Bis(4-N,N-dimethylaminobenzyliden)cyclohexanon ergab.
(2) 9,0 g des 2,6-Bis(4-N,N-dimethylamino-benzyliden)cyclohexanon wurden in einer Lösungsmittelmischung von 100 g Tetrahydrofurfurylalkohol und 150 g Tetrahydrofuran aufgelöst. 1,1 g Natriumborhydrid wurden hinzugefügt, und man ließ diese [Lösung] für 8 Stunden bei 30°C bis 45°C reagieren. Dann wurde eine Flüssigkeitsmischung aus 4,8 g p-Toluolsulfonsäuremonohydrat, 30 g Essigsäure und 35 ml Wasser bei Raumtemperatur hineingegossen. Die ausgefallenen dunkelgrünen Kristalle wurden abfiltriert, in Wasser gewaschen und getrocknet, was 4,3 g des Infrarot-absorbierenden Mittels R-95 ergab.

Spezielle Beispiele der durch die zuvor angegebene allgemeine Formel (II) wiedergegebenen Infrarot-absorbierenden Mittel werden nunmehr aufgelistet, jedoch sind die erfindungsgemäßen Infrarot-absorbierenden Mittel nicht auf oder durch diese speziellen Beispiele beschränkt.
Erfindungsgemäß können diese anionischen Infrarot-absorbierenden Mittel in einer Menge von 0,01 bis 50 Gew.-% der Gesamtfeststoffe des Bildaufzeichnungsmaterials hinzugefügt werden, jedoch vorzugsweise in einer Menge von 0,1 bis 20 Gew.-% und noch mehr bevorzugt in einer Menge von 0,5 bis 15 Gew.-%: Wenn die zugesetzte Menge weniger als 0,01 Gew.-% ist, können mit diesem Bildaufzeichnungsmaterial nicht Bilder gebildet werden, während dann, wenn die zugesetzte Menge 50 Gew.-% übersteigt, manchmal Kontamination in dem Nichtbildteil auftritt, wenn es in der fotoempfindlichen Schicht in der Flachdruckplatte verwendet wird.
Zu dem erfindungsgemäßen Bildaufzeichnungsmaterial können außer diesem Infrarot-absorbierenden Mittel andere Pigmente und Farbstoffe, die Infrarot-absorbierend sind, hinzugefügt werden, solange die Wirksamkeit der vorliegenden Erfindung nicht beeinträchtigt wird.
Solche Pigmente, die verwendet werden können, schließen kommerziell verkaufte Pigmente ein und die in dem Farbindex (Color Index, C. I.) -Handbuch, in "Saishin Ganryo Binran (Handbook of Recent Pigments)" (herausgegeben von Nihon Ganryo Gijutsu Kyokai (Japan Association of Pigment Technology), 1977), in "Saishin Ganryo Oyo Gijutsu (Recent Pigment Application Technology)" (CMC Suppan, 1986) oder in "Insatsu Inki Gijutsu (Printing Ink Technology)" (CMC Shuppan, 1984) beschriebenen Pigmente.
Im Hinblick auf den Typ können diese Pigmente schwarze Pigmente, gelbe Pigmente, orangefarbene Pigmente, braune Pigmente, rote pigmente, purpurfarbene Pigmente, blaue Pigmente, grüne Pigmente, Fluoreszenzpigmente, Metallpulverpigmente und andere polymergebundene Pigmente sein. Im Einzelnen können diese unlösliche Azopigmente, Azo-Lack-Pigmente, kondensierte Azopigmente, chelatisierte Azopigmente, Pigmente auf Phthalocyanin-Basis, Pigmente auf Anthrachinon-Basis, Pigmente auf Perylen- und Perynon-Basis, Pigmente auf Thioindigo-Basis, Pigmente auf Chinacridon-Basis, Pigmente auf Dioxadin-Basis, Pigmente auf Isoindolinon-Basis, Pigmente auf Chinophthalon-Basis, Farbstoff-Lack-Pigmente, Azinpigmente, Nitronpigmente, Nitropigmente, natürliche Pigmente, Fluoreszenzpigmente, anorganische Pigmente und Ruß, usw. sein.
Diese Pigmente können mit oder ohne Durchführung einer Oberflächenbehandlung verwendet werden. Mögliche Oberflächenbehandlungen schließen Verfahren der Oberflächenbeschichtung mit einem Harz oder Wachs, Verfahren der Aufbringung eines Tensids und Verfahren der Bindung einer reaktiven Substanz (beispielsweise eines Silan-Haftvermittlers, einer Epoxyverbindung oder eines Polyisocyanats usw.) an die Pigmentoberfläche ein. Diese Oberflächenbehandlungsverfahren sind in "Kinzoku Sekken no Seishitsu to Oyo (Metallic Soap Properties and Applications)" (Shiawase Shobo) und "Saishin Ganryo Oyo Gijutsu (Recent Pigment Application Technology)" (CMC Suppan, 1986) beschrieben.
Der Partikeldurchmesser der oben erwähnten Pigmente sollte 0,01 bis 10 μm, jedoch bevorzugt 0,05 bis 1 μm und mehr bevorzugt 0,1 bis 1 μm sein. Wenn der Partikeldurchmesser dieser Pigmente weniger als 0,01 μ ist, sind die Resultate im Hinblick auf die Stabilität des dispergierten Materials in der Beschichtungsflüssigkeit für die fotoempfindliche Schicht schlecht, während dann, wenn 10 μ überschritten wird, die Resultate schlecht sind im Hinblick auf die Gleichförmigkeit der fotoempfindlichen Schicht.
Das für die Dispergierung der Pigmente verwendete Verfahren ist eine bekannte Dispersionstechnik, die bei der Tinten- oder Tonerherstellung verwendet wird. Die verwendete Dispergiermaschine kann eine Ultraschalldispergiermaschine, eine Sandmühle, eine Reibungsmühle, eine Perlmühle, eine Supermühle, eine Kugelmühle, ein Impeller, ein Dispergiergerät, eine KD-Mühle, eine Kolloidmühle, ein Dynatron, eine Dreiwalzenmühle oder ein Druckknetgerät usw. sein. Die Details sind erwähnt in "Saishin Ganryo Oyo Gijutsu (Recent Pigment Application Technology)" (CMC Suppan, 1986).
Die oben erwähnten Farbstoffe können kommerziell verkaufte Farbstoffe oder bekannte Farbstoffe sein, die beschrieben sind in der Literatur (beispielsweise in "Senryo Binran (Handbook of Dyes)," herausgegeben von Yuki Gosei Kagaku Kyokai (Society of Synthetic Organic Chemistry, Japan), 1970). Im einzelnen schließen diese Azofarbstoffe, Metallkomplex-Azofarbstoffe, Pyrazon-Azofarbstoffe, Anthrachinon-Farbstoffe, Phthalocyanin-Farbstoffe, Carbonium-Farbstoffe, Chinonimin-Farbstoffe, Methin-Farbstoffe und Cyanin-Farbstoffe usw. ein.
Erfindungsgemäß sind von den oben erwähnten Pigmenten oder Farbstoffen diejenigen, die Infrarotlicht oder Nahinfrarotlicht absorbieren, besonders zu bevorzugen, weil sie geeignet sind für die Verwendung mit Lasern, die Infrarotlicht oder Nahinfrarotlicht emittieren.
Ein solches Pigment, das Infrarotlicht oder Nahinfrarotlicht absorbiert, das zu gutem Zweck verwendet werden kann, ist Ruß. Darüber hinaus schließen Farbstoffe, die Infrarotlicht oder Nahinfrarotlicht absorbieren, beispielsweise die in JP-A Nr. 58-125246, JP-A Nr. 59-84356, JP-A Nr. 59-202829 und JP-A Nr. 60-78787 beschriebenen Cyaninfarbstoffe, die in JP-A Nrn. 58-173696, 58-181690 und 58-194595 beschriebenen Methinfarbstoffe, die in JP-A Nrn. 58-112793, 58-224793, 59-48187, 59-73996, 60-52940 und 60-63744 beschriebenen Naphthochinon-Farbstoffe, die in JP-A Nr. 58-112792 beschriebenen Squarilium-Farbstoffe, die im GB-Patent Nr. 434,875 beschriebenen Cyanin-Farbstoffe und die im US-Patent Nr. 5,380,635 beschriebenen Dihydropyrimidin-Farbstoffe ein.
Für die zuvor erwähnten Farbstoffe können die im US-Patent Nr. 5,156,938 beschriebenen Nahinfrarot-absorbierenden Empfindlichkeitsverstärker ebenso mit guter Wirkung verwendet werden, und genauso können das im US-Patent Nr. 3,881,924 beschriebene Arylbenzo(thio)pyryliumsalz, das in JP-A Nr. 57-142645/1982 (US-Patent Nr. 4,327,169) beschriebene Trimethinthiapyryliumsalz, die in JP-A Nrn. 58-181051, 58-220143, 59-41363, 59-84248, 59-84249, 59-146063 und 59-146061 beschriebenen Verbindungen auf Pyryilium-Basis, die in JP-A Nr. 59-216146 beschriebenen Cyanin-Farbmittel, die im US-Patent Nr. 4,283,475 beschriebenen Pentamethin-Thiopyryliumsalze und die in der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 5-13514 und 5-19702 offenbarten Pyryliumverbindungen, und auch Epolight (II)-178, Epolight (II)-130, Epolight (II)-125 und Epolight IV-62A, usw. verwendet werden.
Andere besonders bevorzugte Beispiele von Farbstoffen, die angeführt werden können, sind die in den Formeln (I) und (II) in der Beschreibung im US-Patent Nr. 4,756,993 beschriebenen Nahinfrarot-absorbierenden Farbstoffe.
Diese Farbstoffe oder Pigmente können zu dem erfindungsgemäßen Bildaufzeichnungsmaterial hinzugefügt werden, indem sie zusammen mit anderen Komponenten in der fotoempfindlichen Schicht hinzugegeben werden oder, wenn die Platten für den Flachdruck hergestellt werden, können sie zu einer anderen Schicht hinzugegeben werden, die separat von der fotoempfindlichen Schicht vorgesehen ist. Diese Farbstoffe oder Pigmente können als Einzeltypen oder in Mischungen von zwei oder mehr Typen zugesetzt werden.
(a) Säure erzeugende Verbindung
Erfindungsgemäß bezeichnet, was eine Verbindung genannt wird, die durch Wärme oder Licht zersetzt wird, um eine Säure zu erzeugen, eine Verbindung, die eine Säure erzeugt, wenn sie Einstrahlungslicht mit einer Wellenlänge von 200 bis 500 nm oder Wärme bei [einer Temperatur von] 100°C oder höher ausgesetzt wird. Säure erzeugende Verbindungen, die erfindungsgemäß mit guter Wirkung verwendet werden können, schließen Foto-Kationpolymerisations-Fotoinitiatoren, Foto-Radikalpolymerisation-Fotoinitiatoren, Farbmittel-Foto-Farb-Vertilgungsmittel, Foto-Farb-Wechselmittel oder bekannte Säure erzeugende Verbindungen, die in Microresists und dergleichen verwendet werden, bekannte Verbindungen, die thermisch zersetzt werden und so Säuren erzeugen oder Mischungen davon ein, obwohl die kationischen, Säure erzeugenden Verbindungen besonders zu bevorzugen sind. Als Grund dafür wird angenommen, dass, weil die erfindungsgemäß verwendeten Infrarot-absorbierenden Mittel anionisch sind, infolge ionischer Bindung der Abstand zwischen dem anionischen Infrarot-absorbierenden Mittel und der kationischen, Säure erzeugenden Verbindung in dem Film gering ist und Wärme wirksam von dem Infrarot-absorbierenden Mittel zu der Säure erzeugenden Verbindung verbreitet werden kann.
Beispiele, die zitiert werden können, schließen ein: unterschiedliche Oniumsalze, wie die in I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (1974) und T. S. Bal et al., Polymer, 21, 423 (1980) beschriebenen Diazoniumsalze, die in den Beschreibungen des US-Patents Nr. 4,069,055, US-Patents Nr. 4,069,056, US-Patents Nr. Re27,922 und in JP-A Nr. 4-365049 beschriebenen Ammoniumsalze, die in D. C. Necker et al., Macromolecules, 17, 2468 (1984), C. S. Wen et al., The, Proc. Configuration. Rad, Curing ASIA, Seite 478, Tokyo, Okt. (1988) und den Beschreibungen des US-Patent Nr. 4,069,055 und US-Patent Nr. 4,069,056 beschriebenen Phosphoniumsalze, die in J. V. Crivello et al., Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), Chem. & Eng. News, Nov. 28, Seite 31 (1988), in den Beschreibungen des europäischen Patentes Nr. 104,143, US-Patent Nr. 339,049 und US-Patent Nr. 410,201, JP-A Nrn. 2-150848 und 2-296514 beschriebenen Iodoniumsalze, die in J. V. Crivello et al., Polymer J. 17, 73 (1985), J. V. Crivello et al., J. Org. Chem., 43, 3055 (1978), W. R. Watt et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1984), J. V. Crivello et al., Polymer Bull., 14, 279 (1985), J. V. Crivello et al., Macromolecules, 14 (5), 1141 (1981), J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877 (1979) und den Beschreibungen der europäischen Patente Nrn. 370,693, 390,214, 233,567, 297,443 und 297,442, US-Patent Nrn. 4,933,377, 161,811, 410,201, 339,049, 4,760,013, 4,734,444 und 2,833,827, und den deutschen Patenten Nrn. 2,904,626, 3,604,580 und 3,604,581 beschriebenen Sulfoniumsalze, die in J. V. Crivello et al., Macromolecules, 10 (6), 1307 (1977), J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., and Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979) beschriebenen Selenoniumsalze und die in C. S. Wen et al., The, Proc. Configuration. Rad. Curing ASIA, Seite 478, Tokyo, Okt. (1988) beschriebenen Arsoniumsalze, die in der Beschreibung des US-Patents Nr. 3,905,815 und in den japanischen Patentveröffentlichungen Nrn. 46-4605 und 48-36281, JP-A Nrn. 55-32070, 60-239736, 61-169835, 61-169837, 62-58241, 62-212401, 63-70243 und 63-298339 beschriebenen organischen Halogenverbindungen, die in K. Meier et al., J: Rad. Curing, 13 (4), 26 (1986), T. P. Gill et al., Inorg. Chem., 19, 3007 (1980), D. Astruc, Acc. Chem. Res., 19 (12), 377 (1896) und tokkai H2-161445/1990 beschriebenen organischen Metall-/organischen Halogenverbindungen, die in S. Hayase et al., J. Polymer Sci., 25, 753 (1987), E. Reichmanis et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 23, 1 (1985), Q. Q. Zhu et al., J Photochem., 36, 85, 39, 317 (1987), B. Amit et al., Tetrahedron Lett., (24) 2205 (1973), D. H. R. Barton et al., J. Chem. Soc. 3571 (1965), P. M. Collins et al., J. Chem. Soc., Perkin I, 1695 (1975), M. Rudinstein et al., Tetrahedron Lett., (17), 1445 (1975), J. W. Walker et al., J. Am. Chem. Soc., 110, 7170 (1988); S. C. Busman et al., J. Imaging Technol., 11 (4), 191 (1985), H. M Houlihan et al., Macromolecules, 21, 2001 (1988), P. M. Collins et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 532 (1972), S. Hayase et al., Macromolecules, 18, 1799 (1985), E. Reichmanis et al., J. Electrochem. Soc., Solid State Sci. Technol., 130 (6), F. M. Houlihan et al., Macromolecules, 21, 2001 (1988), in den Beschreibungen der europäischen Patente Nrn. 0290,750, 046,083, 156,535, 271,851 und 0,388,343, US-Patent Nrn. 3,901,710 und 4,181,531 und in JP-A Nrn. 60-198538 und 53-133022 beschriebenen Foto-säureerzeugenden Verbindungen mit einer Schutzgruppe vom o-Nitrobenzyl-Typ, die in M. Tunooka et al., Polymer Preprints Japan, 38 (8), G. Berner et al., J. Rad. Curing, 13 (4), W. J. Mijs et al., Coating Technol., 55 (697), 45 (1983), Akzo, H. Adachi et al., Polymer Preprints, Japan, 37 (3), in den Beschreibungen der europäischen Patente Nrn. 0199,672, 84515,199,672, 044,115 und 0101,122, US-Patent Nrn. 4,618,564, 4,371,605 und 4,431,774 und in JP-A Nrn. 64-18143 und 2-245756 und der japanischen Patentanmeldung Nr. 3-140109 beschriebenen Verbindungen, die fotozersetzt werden und so Sulfonsäure erzeugen, die durch Iminosulfonat usw. exemplifiziert sind, und die in JP-A Nr. 61-166544 beschriebenen Disulfonverbindungen.
Es ist ebenso möglich, Verbindungen zu verwenden, in denen die Säure erzeugenden Gruppen oder Verbindungen in die Hauptkette oder eine Seitenkette des Polymers eingeführt sind, wie beispielsweise diejenigen, die beschrieben sind in M. E. Woodhouse et al., J. Am. Chem. Soc., 104,5586 (1982), S. P. Pappaset al., J. Imaging Sci., 30 (5), 218 (1986), S. Kondo et al., Makromol. Chem., Rapid Commun., 9, 625 (1988), Y. Yamada et al., Makromol. Chem., 152, 153, 163 (1972), J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 3845 (1979), in den Beschreibungen von US-Patent Nr. 3,849,137 und dem deutschen Patent Nr. 3,914,407 und in den JP-A Nrn. 63-26653, 55-164824, 62-69263, 63-146037, 63-163452, 62-153853 und 63-146029.
Es ist ebenso möglich, die Verbindungen zu verwenden, die Säuren erzeugen [wenn auf sie eingewirkt wird] durch Licht, die beschrieben sind in V. N. R. Pillai, Synthesis, (1), 1 (1980), A. Abad et al., Tetrahedron Lett., (47) 4555 (1971), D. H. R. Barton et al., J. Chem, Soc., (C), 329 (1970) und in den Beschreibungen des US-Patents Nr. 3,779,778 und des europäischen Patents Nr. 126,712.
Von diesen sind diejenigen Verbindungen, die besonders bevorzugt sind für die erfindungsgemäß verwendeten Säure erzeugenden Verbindungen nachstehend in den allgemeinen Formeln (i) bis (v) wiedergegeben.
In den allgemeinen Formeln (i) bis (v) von oben bedeuten R¹, R², R⁴ und R⁵, die gleich oder verschieden sein können, Kohlenwasserstoffgruppen mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. R³ bezeichnet ein Halogenatom, eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 10 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, oder eine Alkoxygruppe mit 10 oder weniger Kohlenstoffatomen. Ar¹ und Ar², die gleich oder verschieden sein können, bezeichnen Arylgruppen mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. R⁶ bezeichnet eine zweiwertige Kohlenwasserstoffgruppe mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann. n bezeichnet eine ganze Zahl von 0 bis 4.
In den allgemeinen Formeln (i) bis (v) bezeichnen R¹, R², R⁴ und R⁵ jeweils unabhängig und vorzugsweise Kohlenwasserstoffgruppen mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen.
Spezielle Beispiele der in dem zuvor erwähnten beschriebenen Kohlenwasserstoffgruppen schließen ein: Alkylgruppen, wie Methylgruppen, Ethylgruppen, n-Propylgruppen, i-Propylgruppen, n-Butylgruppen, sec-Butylgruppen, t-Butylgruppen, Hexylgruppen, Cyclohexylgruppen, Octylgruppen, 2-Ethylhexylgruppen, Undecylgruppen und Dodecylgruppen, Aralkylgruppen, wie Benzylgruppen, Arylgruppen, wie Phenylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Cumenylgruppen, Mesitylgruppen, Dodecylphenylgruppen, Phenylphenylgruppen, Naphthylgruppen und Anthracenylgruppen.
Diese Kohlenwasserstoffgruppen können Substituenten haben, wie Halogenatome, Alkoxygruppen, Nitrogruppen, Cyanogruppen oder Carboxygruppen usw. Spezielle Beispiele von Kohlenwasserstoffgruppen mit Substituenten sind Trifluormethylgruppen, Chlorethylgruppen, 2-Methoxyethylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Iodphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Methoxyphenylvinylgruppen, Nitrophenylgruppen, Cyanophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen und 9,10-Dimethoxyanthracenylgruppen.
In den allgemeinen Formeln (i) bis (v) von oben bezeichnet R³ ein Halogenatom, eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 10 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann (wie beispielsweise eine Alkylgruppe, Alkenylgruppe, Aralkylgruppe oder Arylgruppe) oder eine Alkoxygruppe mit 10 oder weniger Kohlenstoffatomen.
Spezielle Beispiele, die erwähnt werden können, sind Halogenatome, wie Fluor, Chlor, Brom und Iod usw., Kohlenwasserstoffgrupen, wie Methylgruppen, Ethylgruppen, n-Propylgruppen, i-Propylgruppen, Allylgruppen, n-Butylgruppen, sec-Butylgruppen, t-Butylgruppen, Hexylgruppen, Cyclohexylgruppen, Benzylgruppen, Phenylgruppen und Tolylgruppen, usw., Kohlenwasserstoffgruppen, die Substituenten haben, wie 2-Methoxyethylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Iodphenylgruppen und Methoxyphenylgruppen usw. und Alkoxygruppen, wie Ethoxygruppen, usw.
Wenn n 2 oder größer ist, können darüber hinaus zwei benachbarte Gruppen R³ miteinander unter Bildung eines kondensierten Rings verbunden sein.
In den allgemeinen Formeln (i) bis (v) von oben bezeichnen Ar¹ und Ar², die gleich oder verschieden sein können, Arylgruppen mit 20 oder mehr Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können, und bezeichnen vorzugsweise Arylgruppen mit 6 bis 14 Kohlenstoffatomen.
Im einzelnen können diese Phenylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Cumenylgruppen, Mesitylgruppen, Dodecylphenylgruppen, Phenylphenylgruppen, Naphthylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Iodphenylgruppen, Chlornapthylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Ethoxynaphthylgruppen, Nitrophenylgruppen, Cyanophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen, Nitronaphthylgruppen und Anthracenylgruppen usw. sein.
In den allgemeinen Formeln (i) bis (v) von oben bezeichnet R⁶ eine zweiwertige Kohlenwasserstoffgruppe mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann (Beispiele sind Alkylengruppen, Alkenylengruppen und Aralkylengruppen).
Im einzelnen schließen diese Ethenylengruppen ("ethnylene groups"), 1,2-Cyclohexenylengruppen, 1,2-Phenylengruppen, 4-Chlor-1,2-phenylengruppen, 4-Nitro-1,2-phenylengruppen, 4-Methyl-1,2-phenylengruppen, 4-Methoxy-1,2-phenylengruppen, 4-Carboxy-1,2-phenylengruppen und 1,8-Naphthalinylen usw. ein.
n bezeichnet eine ganze Zahl von 0 bis 4. Wenn n 0 ist, gibt dies hier an, dass es kein R³ gibt, d.h. dass es ein Wasserstoffatom ist.
Von den Verbindungen, die durch die allgemeinen Formeln (i) bis (v) von oben wiedergegeben sind, sind diejenigen, welche zu bevorzugen sind, nachfolgend grafisch dargestellt.
Diese Verbindungen können mit Verfahren synthetisiert werden, die beispielsweise in JP-A Nrn. 2-100054 und 2-100055 beschrieben sind.
Ebenso können als die (a) Säure erzeugenden Verbindungen, Halogenverbindungen oder Oniumsalze mit Sulfonsäure oder dergleichen als dem Gegenion und vorzugsweise diejenigen, die eine der nachstehend wiedergegebenen Iodoniumsalz-, Phosphoniumsalz- oder Diazoniumsalz-Strukturformeln haben, mit guter Wirkung verwendet werden.
Allgemeinen Formel (vi)

Ar³-I⁺-Ar⁴X^–

Allgemeine Formel (vii)
Allgemeine Formel (viii)

Ar³-N₂ ⁺X^–

In den oben angegebenen allgemeinen Formeln (vi) bis (viii) ist X^– ein Halogenverbindungsion, wie ClO₄ ^–, PF₆ ^–, SbF₆ ^–, BF₄ ^– oder R⁷-SO₃ ^–, worin R⁷ eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen bedeutet, die einen Substituenten haben kann. Ar³ und Ar⁴ bezeichnen jeweils Arylgruppen mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben können. R⁸, R⁹ und R¹⁰ bezeichnen jeweils Kohlenwasserstoffgruppen mit 18 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können.
In den allgemeinen Formeln (vi) bis (viii) von oben ist für X^– die Verwendung von R⁷-SO₃ ^– besonders zu bevorzugen, worin R⁷ eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, bedeutet. Spezielle Beispiele der durch R⁷ wiedergegebenen Kohlenwasserstoffgruppen, die sich anführen lassen, schließen solche Alkylgruppen, wie Methylgruppen, Ethylgruppen, n-Propylgruppen, i-Propylgruppen, Allylgruppen, n-Butylgruppen, sec-Butylgruppen, t-Butylgruppen, Hexylgruppen, Cyclohexylgruppen, Octylgruppen und 2-Ethylhexylgruppen, Dodecylgruppen, Alkenylgruppen, wie Vinylgruppen, 1-Methylvinylgruppen und 2-Phenylvinylgruppen, solche Aralkylgruppen, wie Benzylgruppen und Phenethylgruppen und solche Arylgruppen, wie Phenylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Cumenylgruppen, Mesitylgruppen, Dodecylphenylgruppen, Phenylphenylgruppen, Naphthylgruppen und Anthracenylgruppen ein.
Diese Kohlenwasserstoffgruppen können solche Substituenten haben, wie beispielsweise Halogenatome, Hydroxygruppen, Alkoxygruppen, Allyloxygruppen, Nitrogruppen, Cyanogruppen, Carbonylgruppen, Carboxylgruppen, Alkoxycarbonylgruppen, Anilingruppen und Acetamidgruppen, usw. Spezielle Beispiele für Kohlenwasserstoffgruppen mit Substituenten, die angeführt werden können, schließen Trifluormethylgruppen, 2-Methoxyethylgruppen, 10-Camphanylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Iodphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Hydroxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Nitrophenylgruppen, Cyanophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen, Methoxynaphthylgruppen, Dimethoxyanthracenylgruppen, Diethoxyanthracenylgruppen und Anthrachinonylgruppen, usw. ein.
In den zuvor angegebenen allgemeinen Formeln (vi) bis (viii) bezeichnen Ar³ und Ar⁴ jeweils Arylgruppen mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. Spezielle Beispiele, die sich anführen lassen, schließen ein: Phenylgruppen, Tolylgruppen, Xylylgruppen, Cumenylgruppen, Mesitylgruppen, Dodecylphenylgruppen, Phenylphenylgruppen, Naphthylgruppen, Anthracenylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Iodphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Hydroxyphenylgruppen, Phenoxyphenylgruppen, Nitrophenylgruppen, Cyanophenylgruppen, Carboxyphenylgruppen, Anilinophenylgruppen, Anilinocarbonylphenylgruppen, Morpholinophenylgruppen, Phenylazophenylgruppen, Methoxynaphthylgruppen, Hydroxynaphthylgruppen, Nitronaphthylgruppen und Anthrachinonylgruppen, usw.
In den zuvor angegebenen allgemeinen Formeln (vi) bis (viii) bezeichnen R⁸, R⁹ und R¹⁰ jeweils Kohlenwasserstoffgruppen mit 18 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. Spezielle Beispiele, die erwähnt werden können, schließen solche Kohlenwasserstoffgruppen, wie Methylgruppen, Ethylgruppen, n-Propylgruppen, i-Propylgruppen, Allylgruppen, n-Butylgruppen, sec-Butylgruppen, t-Butylgruppen, Hexylgruppen, Cyclohexylgruppen, Benzylgruppen, Phenylgruppen, Tolylgruppen, t-Butylphenylgruppen, Naphthylgruppen und Anthracenylgruppen und solche Kohlenwasserstoffgruppen mit Substituenten, wie 2-Methoxyethylgruppen, Fluorphenylgruppen, Chlorphenylgruppen, Bromphenylgruppen, Iodphenylgruppen, Methoxyphenylgruppen, Hydroxyphenylgruppen, Phenylthiophenylgruppen, Hydroxynaphthylgruppen, Methoxynaphthylgruppen, Benzoylmethylgruppen und Naphthoylmethylgruppen, usw. ein.
Darüber hinaus können R⁸ und R⁹ miteinander unter Bildung eines Ringes verbunden sein.
Der Kationenteil der Oniumsalze, die durch die allgemeinen Formeln (vi) bis (viii) wiedergegeben sind, können Iodoniumionen, Sulfoniumionen oder Diazoniumionen sein. Spezielle Strukturen sind nachstehend für die Kationenteile dieser Oniumsalze grafisch dargestellt, sie sind jedoch nicht auf oder durch diese beschränkt.
Indessen lassen sich von den Gegenanionen für diese Oniumsalze die folgenden als Sulfonationen auflisten, die mit besonders guter Wirkung verwendet werden können.

1) Methansulfonat,
2) Ethansulfonat,
3) 1-Propansulfonat,
4) 2-Propansulfonat,
5) n-Butansulfonat,
6) Allylsulfonat,
7) 10-Camphersulfonat,
8) Trifluormethansulfonat,
9) Pentafluorethansulfonat,
10) Benzolsulfonat,
11) p-Toluolsulfonat,
12) 3-Methoxybenzolsulfonat,
13) 4-Methoxybenzolsulfonat,
14) 4-Hydroxybenzolsulfonat,
15) 4-Chlorbenzolsulfonat,
16) 3-Nitrobenzolsulfonat,
17) 4-Nitrobenzolsulfonat,
18) 4-Acetylbenzolsulfonat,
19) Pentafluorbenzolsulfonat,
20) 4-Dodecylbenzolsulfonat,
21) Mesitylensulfonat,
22) 2,4,6-Triisopropylbenzolsulfonat,
23) 2-Hydroxy-4-methoxybenzolsulfonat,
24) Isophthalsäuredimethyl-5-sulfonat,
25) Diphenylamin-4-sulfonat,
26) 1-Naphthalinsulfonat,
27) 2-Naphthalinsulfonat,
28) 2-Naphthol-6-sulfonat,
29) 2-Naphthol-7-sulfonat,
30) Anthrachinon-1-sulfonat,
31) Anthrachinon-2-sulfonat,
32) 9,10-Dimethoxyanthracen-2-sulfonat,
33) 9,10-Diethoxyanthracen-2-sulfonat,
34) Chinolin-8-sulfonat,
35) 8-Hydroxychinolin-5-sulfonat und
36) 8-Anilino-naphthalin-1-sulfonat.

Es ist ebenso möglich, Salze von zwei Oniumsalz-Kationenäquivalenten und ein Disulfonat, wie beispielsweise

41) m-Benzoldisulfonat,
42) Benzaldehyd-2,4-disulfonat,
43) 1,5-Naphthalindisulfonat,
44) 2,6-Naphthalindisulfonat,
45) 2,7-Naphthalindisulfonat,
46) Anthrachinon-1,5-disulfonat,
47) Anthrachinon-1,8-disulfonat,
48) Anthrachinon-2,6-disulfonat,
49) 9,10-Dimethoxyanthracen-2,6-disulfonat und
50) 9,10-Diethoxyanthracen-2,6-disulfonat

Die in der vorliegenden Erfindung bevorzugt verwendeten Oniumsalz-Sulfonate können erhalten werden durch Vermischen des korrespondierenden Cl^–-Salzes oder dergleichen mit Sulfonsäure, Natriumsulfonat oder Kalium[sulfonat] in Wasser oder in einer Lösungsmittelmischung von Wasser und einem hydrophilen Lösungsmittel, wie Alkohol, und Durchführen eines Salzaustauschs.
Die Oniumverbindungen können unter Verwendung eines bekannten Verfahrens synthetisiert werden, wie beispielsweise der Verfahren, die beschrieben sind in Maruzen-Shinjikken Kagaku Koza (Maruzen-New Experimental Chemistry Lectures) Band 14-I, Kapitel 2–3 (Seite 448), Band 14-(II), Kapitel 8–16 (Seite 1838) und Kapitel 7–14 (Seite 1564), J. V. Crivello et al., Polymer Chemistry Edition (Polym. Chem. Ed.), Band 18, 2677 (1980), in den Beschreibungen der US-Patent Nrn. 2,807,648 und 4,247,473 und in JP-A Nr. 53-101331 und der japanischen Patentveröffentlichung Nr. 5-53166.
Bevorzugte Beispiele von Oniumsalz-Sulfonaten, die mit guter Wirkung als Säure erzeugende Verbindungen in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, werden nunmehr grafisch dargestellt.
In der vorliegenden Erfindung werden diese Säure erzeugenden Verbindungen in einer Menge von 0,01 bis 50 Gew.-% relativ zum Gesamtfeststoffgehalt des Bildaufzeichnungsmaterials in das erfindungsgemäße Bildaufzeichnungsmaterial gegeben, jedoch vorzugsweise in einer Menge von 0,1 bis 25 Gew.-% und noch mehr bevorzugt in einer Menge von 0,5 bis 20 Gew.-%. Wenn die zugegebene Menge weniger als 0,01 Gew.-% ist, wird das Bild nicht erhalten, während dann, wenn die zugegebene Menge 50 Gew.-% übersteigt, sich während des Druckens Kontamination in dem Nichtbildbereich entwickelt, weshalb beide Extreme unerwünscht sind.
Diese Verbindungen können allein oder in Kombination von zwei Typen oder mehreren verwendet werden.
(b) Vernetzungsmittel
Die folgenden Verbindungen können als Vernetzungsmittel, die mit guter Wirkung in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, angeführt werden.

(i) Aromatische Verbindungen mit einer substituierten Alkoxymethylgruppe oder Hydroxymethylgruppe
(ii) Verbindungen mit einer N-Hydroxymethylgruppe, N-Alkoxymethylgruppe oder N-Acyloxymethylgruppe
(iii) Epoxyverbindungen.

Diese werden nunmehr ausführlicher beschrieben.

(i) Beispiele, die für die aromatischen Verbindungen mit einer substituierten Alkoxymethylgruppe oder Hydroxymethylgruppe gegeben werden können, schließen heterocyclische Verbindungen und aromatische Verbindungen ein, in denen eine Polysubstitution mit einer Hydroxymethylgruppe, Acetomethylgruppe oder Alkoxymethylgruppe vorliegt. Nicht eingeschlossen sind jedoch die harzbildenden Verbindungen, die als Resole bekannt sind, in denen Phenole und Aldehyde unter alkalischen Bedingungen polykondensiert werden. Während Resolharze in der Vernetzung herausragen, zeigen sie keine ausreichende thermische Stabilität und insbesondere wenn sie in fotoempfindliche Materialien eingearbeitet und für verlängerte Zeiträume bei hohen Temperaturen gelagert werden, wird es sehr schwierig, gleichförmige Entwicklung zu realisieren, weshalb solche ungeeignet sind. Unter den heterocyclischen Verbindungen und aromatischen Verbindungen, in denen es eine Polysubstitution mit einer Hydroxymethylgruppe, Acetomethylgruppe oder Alkoxymethylgruppe gab, sind bevorzugte Beispiele diejenigen Verbindungen mit einer Hydroxymethylgruppe oder Alkoxymethylgruppe, die benachbart zu einer Hydroxygruppe angeordnet sind. Im Fall der Alkoxymethylgruppe ist es bevorzugt, dass die Verbindung eine ist, in der die Alkoxymethylgruppe 18 oder weniger Kohlenstoffatomen hat. Besonders bevorzugte Beispiele sind die Verbindungen, die durch die allgemeinen Formeln (1) bis (4) von unten wiedergegeben sind.

In den allgemeinen Formeln (1) bis (4) von oben bezeichnen L₁ bis L₈ jeweils unabhängig Hydroxymethylgruppen oder Alkoxymethylgruppen, die mit einer Alkoxygruppe mit 18 oder weniger Kohlenstoffatomen, wie Methoxymethyl oder Ethoxymethyl, usw. substituiert sind. Diese zeigen hohe Vernetzungseffizienz und sind wünschenswert, weil sie die Widerstandsfähigkeit gegen das Drucken erhöhen können. Die oben als Beispiele genannten Vernetzungsverbindungen können allein oder in Kombinationen von zwei oder mehr Typen verwendet werden.
(ii) Verbindungen mit der N-Hydroxymethylgruppe, N-Alkoxymethylgruppe oder N-Acyloxymethylgruppe, die erwähnt werden können, schließen die Monomere, Oligomer-Melamin-Formaldehyd-Kondensate und Harnstoff-Formaldehyd-Kondensate, die offenbart sind in dem offengelegten europäischen Patent (nachfolgend als EP-A zitiert) Nr. 0,133,216, dem deutschen Patent Nr. 3,634,671 und dem deutschen Patent Nr. 3,711,264 und die Alkoxy-substituierten Verbindungen, die offenbart sind in der Beschreibung von EP-A Nr. 0,212,482, usw. ein. Noch mehr bevorzugte Beispiele, die erwähnt werden können, schließen beispielsweise Melamin-Formaldehyd-Derivate mit mindestens zwei freien N-Hydroxymethylgruppen, N-Alkoxymethylgruppen oder N-Acyloxymethylgruppen ein, wobei die N-Alkoxymethylderivate besonders bevorzugt sind.
(iii) Die Epoxyverbindungen, die angeführt werden können, sind diejenigen, die Monomere, Dimere, Oligomere oder Polymere sind, die eine oder mehrere Epoxygruppen enthalten. Beispiele, die genannt werden können, schließen Reaktionsprodukte von Bisphenol A und Epichlorhydrin und Reaktionsprodukte von Epichlorhydrin und einem Phenol-Formaldehyd-Harz von niedrigem Molekulargewicht ein. Ebenso können Epoxyharze genannt werden, die in Verwendung und beschrieben sind in den Beschreibungen des US-Patentes Nr. 4,026,704 und dem GB-Patent Nr. 1,539,192. Die unter (i) bis (iii) von oben erwähnten, in der vorliegenden Erfindung verwendbaren Vernetzungsmittel werden [zugegeben] in einem Bereich von 5 bis 80 Gew.-%, relativ zum Gesamtgewichtsteil des Bildaufzeichnungsmaterials, jedoch bevorzugt innerhalb eines Bereichs von 10 bis 75 Gew.-% und noch mehr bevorzugt innerhalb eines Bereichs von 20 bis 70 Gew.-%. Wenn die Menge des zugesetzten Vernetzungsmittels weniger als 5 Gew.-% ist, verschlechtert sich die Beständigkeit der fotoempfindlichen Schicht in der erhaltenen Flachdruckplatte. Wenn 80 Gew.-% überschritten wird, treten Probleme im Hinblick auf die Stabilität während der Lagerung auf.
(iv) In der Erfindung können auch die durch die allgemeinen Formel (5) von unten wiedergegebenen Phenolderivate mit guter Wirkung verwendet werden.

In der allgemeinen Formel (5) von oben bezeichnet Ar¹ einen aromatischen Kohlenwasserstoffring, der einen Substituenten haben kann. Im Hinblick auf die Verfügbarkeit der Ausgangsstoffe schließen bevorzugte aromatische Kohlenwasserstoffringe Benzolringe, Naphthalinringe und Anthracenringe ein. Bevorzugte Substituenten, die zitiert werden können, schließen Halogenatome, Kohlenwasserstoffgruppen mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen, Alkoxygruppen mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen, Alkylthiogruppen mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen, Cyanogruppen, Nitrogruppen und Trifluormethylgruppen, usw. ein. Aus Gründen hoher Empfindlichkeit sind für die Gruppe Ar¹ Benzolringe oder Naphthalinringe mit keinem Substituent oder Benzolringe oder Naphthalinringe mit Halogenatomen, Kohlenwasserstoffgruppen mit 6 oder weniger Kohlenstoffatomen, Alkoxygruppen mit 6 oder weniger Kohlenstoffatomen, Alkylthiogruppen mit 6 oder weniger Kohlenstoffatomen oder Nitrogruppen, usw. als Substituenten besonders zu bevorzugen.
In der allgemeinen Formel (5) von oben bezeichnen R¹ und R², die gleich oder verschieden sein können, jeweils Wasserstoffatome oder Kohlenwasserstoffgruppen mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen. Aus Gründen der Leichtigkeit der Synthese ist es besonders bevorzugt, dass R¹ und R² Wasserstoffatome oder Methylgruppen sind. R³ bezeichnet ein Wasserstoffatom oder eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen. Aus Gründen hoher Empfindlichkeit ist es besonders zu bevorzugen, dass R³ eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 7 oder weniger Kohlenstoffatomen, wie beispielsweise eine Ethylgruppe, Propylgruppe, Cyclohexylgruppe oder Benzylgruppe usw. ist; m bezeichnet eine ganze Zahl von 2 bis 4. n bezeichnet eine ganze Zahl von 1 bis 3.
Spezielle Beispiele von Phenolderivaten, die durch die oben angegebene allgemeine Formel (5) ausgedrückt werden können und erfindungsgemäß mit guter Wirkung verwendet werden können, sind nachstehend grafisch dargestellt (Vernetzungsmittel [KZ-1] bis [KZ-12]), jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf oder durch diese Beispiele beschränkt.
Vernetzungsmittel
Diese Phenolderivate können mit bekannten Verfahren synthetisiert werden. Beispielsweise kann [KZ-1] synthetisiert werden mit einem Prozessstrom, wie er wiedergegeben ist durch die nachstehende Reaktionsformel [1], d.h., indem man Phenol, Formaldehyd und ein Klasse-2-Amin, wie Dimethylamin oder Morpholin, umsetzt, um ein Tri(dialkylaminomethyl)phenol herzustellen, dann dieses mit wasserfreier Essigsäure umsetzt und letztendlich dieses mit Ethanol in Gegenwart eines schwachen Alkali, wie Kaliumcarbonat umsetzt.
[Reaktionsformel 1]
Die Synthese kann auch durchgeführt werden unter Verwendung eines anderen Verfahrens. [KZ-1] kann auch synthetisiert werden mit einem Prozessstrom, wie er durch die Reaktionsformel [2] unten wiedergegeben ist, d.h., indem man Phenol und Formaldehyd oder Paraformaldehyd in Gegenwart eines Alkali, wie KOH umsetzt, um 2,4,6-Trihydroxymethylphenol herzustellen und dieses dann mit Ethanol in Gegenwart einer Säure, wie beispielsweise Schwefelsäure, reagieren läßt.
[Reaktionsformel 2]
Diese Phenolderivate können allein oder in Kombination von zwei oder mehreren Typen verwendet werden. Wenn diese Phenolderivate synthetisiert werden, gibt es darüber hinaus Fälle, in denen die Phenolderivate selbst kondensieren und Nebenproduktverunreinigungen, wie Dimere oder Trimere usw. erzeugen, jedoch können solche so wie sie sind, die Verunreinigungen enthaltend, verwendet werden. In solchen Fällen ist es jedoch bevorzugt, dass die Verunreinigungen 30% oder weniger und vorzugsweise 20% oder weniger sind.
Erfindungsgemäß werden die Phenolderivate in Zugabemengen von 5 bis 70 Gew.-% im Feststoffteil des Bildaufzeichnungsmaterials, jedoch vorzugsweise von 10 bis 50 Gew.-%, verwendet. Wenn die Menge des als Vernetzungsmittel zugegebenen Phenolderivats hier weniger als 5 Gew.-% ist, verschlechtert sich die Filmfestigkeit im Bildbereich, wenn das Bild aufgezeichnet wird, während dann, wenn 70 Gew.-% überschritten werden, Probleme im Hinblick auf die Stabilität während der Lagerung auftreten.
(c) Alkalilösliche Polymere
Was gemeint ist mit der oben definierten Hochpolymerverbindung (c), die im wesentlichen unlöslich ist in Wasser und im wesentlichen löslich ist in einer wässrigen Alkalilösung, die erfindungsgemäß verwendet wird, sind Polymerverbindungen, die Säuregruppenstrukturen, wie die folgenden in der Hauptkette und/oder der Seitenkette haben.
Phenolische Hydroxylgruppe (-Ar-OH), Carbonsäuregruppe (-CO₃H), Sulfonsäuregruppe (-SO₃H), Phosphorsäuregruppe (-OPO₃H), Sulfonamidgruppe (-SO₂NH-R), Säuregruppe auf substituierter Sulfonamid-Basis (aktive Imidgruppe) (-SO₂NHCOR, -SO₂NHSO₂R, -CONHSO₂R).
Hier bezeichnet Ar eine zweiwertige Arylgruppe, die einen Substituenten haben kann, während R eine Kohlenwasserstoffgruppe bezeichnet, die einen Substituenten haben kann.
Was sich von diesen als bevorzugte Säuregruppen nennen lässt, schließt (c-1) phenolische Hydroxylgruppen, (c-2) Sulfonamidgruppen und (c-3) aktive Imidgruppen ein, wobei Polymerverbindungen mit der (c-1) phenolischen Hydroxylgruppe für die Verwendung besonders bevorzugt sind.

(c-1) Für die Polymerverbindungen mit einer phenolischen Hydroxylgruppe schließen Beispiele, die erwähnt werden können, Novolakharze, wie Kondensationspolymere eines Phenols und Formaldehyd (nachfolgend als "Phenol-Formaldehyd-Harze" bezeichnet), Kondensationspolymere von m-Kresol und Formaldehyd (nachfolgend als "m-Kresol-Formaldehyd-Harze" bezeichnet), Kondensationspolymere von p-Kresol und Formaldehyd, Kondensationspolymere von gemischten m-/p-Kresolen und Formaldehyd und Kondensationspolymere eines Phenols, Kresol (m-, p- oder m-/p-Mischung) und Formaldehyd, sowie Kondensationspolymere von Pyrogallol und Aceton ein. Alternativ können auch Copolymere, in denen Monomere mit Phenol in einer Seitenkette copolymerisiert sind, verwendet werden. Monomere mit einer Phenolgruppe, die verwendet werden können, schließen Acrylamide, Methacrylamide, Acrylsäureester, Methacrylsäureester und Hydroxystyrole usw., die eine Phenolgruppe haben, ein. Spezielle Beispiele davon, die mit guter Wirkung verwendet werden können, schließen ein: N-(2-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(3-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(4-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(2-Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(3-Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(4-Hydroxyphenyl)methacrylamid, o-Hydroxyphenylacrylat, m-Hydroxyphenylacrylat, o-Hydroxyphenylmethacrylat, m-Hydroxyphenylmethacrylat, p-Hydroxyphenylmethacrylat, o-Hydroxystyrol, m-Hydroxystyrol, p-Hydroxystyrol, 2-(2-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(3-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(4-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(2-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat, 2-(3-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat und 2-(4-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat, usw. Diejenigen, in denen das gewichtsmittlere Molekulargewicht des Polymers 5,0 × 10² bis 2,0 × 10⁴ und das zahlenmittlere Molekulargewicht davon 2,0 × 10² bis 1,0 × 10⁴ ist, sind im Hinblick auf die Bildbildungseigenschaften bevorzugt. Diese Harze können nicht nur alleine verwendet werden, sondern sie können auch in Kombinationen von zwei oder mehr Typen verwendet werden. Wenn Kombinationen verwendet werden, ist es auch zulässig, gemeinsam ein Kondensationspolymer von t-Butylphenol und Formaldehyd, wie das in der Beschreibung des US-Patents Nr. 4123279 beschriebene oder ein Kondensationspolymer eines Phenols und Aldehyd mit einer Alkylgruppe mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen als einen Substituenten, wie beispielsweise ein Kondensationspolymer von Octylphenol und Formaldehyd zu verwenden. Diese Polymerverbindungen mit einer phenolischen Hydroxylgruppe haben vorzugsweise ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 500 bis 20.000 und ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 200 bis 10.000. Es ist ebenso zulässig, gemeinsam ein Kondensationsprodukt eines Phenols und Formaldehyds mit einer Alkylgruppe mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen als einen Substituenten, wie beispielsweise die t-Butylphenol-Formaldehyd-Harze und Octylphenol-Formaldehyd-Harze, die in der Beschreibung des US-Patents Nr. 4123279 beschrieben sind, zu verwenden. Solche Polymerverbindungen mit einer phenolischen Hydroxylgruppe können als ein Einzeltyp oder als eine Kombination von zwei oder mehr Typen verwendet werden.
(c-2) Die Polymerverbindungen mit der Sulfonamidgruppe haben als ihre Hauptaufbaukomponente ein Monomer, das die Sulfonamidgruppe aufweist. Solche Monomere mit der Sulfonamidgruppe können Monomere sein, die aus einer Sulfonamidgruppe bestehen, in der in einem Molekül mindestens ein Wasserstoffatom an ein Stickstoffatom gebunden ist, und niedermolekulare Verbindungen, die jeweils eine oder mehrere ungesättigte Bindungen, die zur Polymerisation in der Lage sind, aufweisen. Unter diesen sind niedermolekulare Verbindungen bevorzugt, die eine Acryloylgruppe, Allylgruppe oder Vinyloxygruppe auf der einen Seite und eine substituierte oder mono-substituierte Aminosulfonylgruppe oder substituierte Sulfonyliminogruppe auf der anderen haben. As solche Verbindungen lassen sich diejenigen, die in den nachstehenden allgemeinen Formeln (5) bis (9) dargestellt sind, als Beispiele nennen.
In den Formeln bezeichnen X¹ und X² jeweils unabhängig -O- oder NR²⁷. R²¹ und R²⁴ bezeichnen jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom oder -CH₃. R²², R²⁵, R²⁹, R³² und R³⁶ bezeichnen jeweils Alkylingruppen ("alkylyn groups"), Cycloalkylingruppen ("cycloalkylyn groups"), Arylengruppen oder Aralkylengruppen mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. R²³, R²⁷ und R³³ bezeichnen jeweils unabhängig Alkylgruppen, Cycloalkylgruppen, Arylgruppen oder Aralkylgruppen mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. R²⁶ und R³⁷ bezeichnen jeweils unabhängig Alkylgruppen, Cycloalkylgruppen, Arylgruppen oder Aralkylgruppen mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können. R²⁸, R³⁰ und R³⁴ bezeichnen jeweils unabhängig Wasserstoffatome oder -CH₃. R³¹ und R³⁵ bezeichnen jeweils unabhängig Alkylengruppen, Cycloalkylengruppen, Arylengruppen oder Aralkylengruppen mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen, die Einfachbindungen oder Substituenten haben können. Y³ und Y⁴ bezeichnen jeweils unabhängig Einfachbindungen oder -CO-. Im einzelnen können m-Aminosulfonylphenylmethacrylat, N-(p-Aminosulfonylphenyl)methacrylamid und N-(p-Aminosulfonylphenyl)acrylamid usw. mit guter Wirkung verwendet werden.
(c-3) Die Polymerverbindungen mit aktiven Imidgruppen sind Verbindungen mit der in der nachstehenden Formel dargestellten aktiven Imidgruppe in ihren Molekülen. Für die Monomere mit der aktiven Imidgruppe, die die Hauptmonomere sind, die diese Polymerverbindungen aufbauen, lassen sich Monomere nennen, die in einem Molekül die durch die nachstehende Formel wiedergegebene aktive Imidgruppe und niedermolekulare Verbindungen jeweils mit einer oder mehreren ungesättigten Bindungen, die zur Polymerisation in der Lage sind, umfassen.

Spezielle Beispiele solcher Verbindungen, die mit guter Wirkung verwendet werden können, schließen N-(p-Toluolsulfonyl)methacryalamid und N-(p-Toluolsulfonyl)acrylamid usw. ein.
Die erfindungsgemäß verwendeten alkalilöslichen Polymere müssen nicht diejenigen sein, die aus einem Typ [von Monomer] bestehen, ausgewählt aus Monomeren, welche die oben erwähnten Säuregruppen von (c-1) bis (c-3) einschließen. Diejenigen, in denen zwei oder mehr Typen von Monomer mit derselben Säuregruppe oder zwei oder mehr Typen von Monomeren mit unterschiedlichen Säuregruppen vorliegen, können ebenso verwendet werden.
Das verwendete Copolymerisationsverfahren kann ein herkömmlich bekanntes Pfropf-Copolymerisationsverfahren, Blockcopolymerisationsverfahren oder Verfahren zur statistischen Copolymerisation sein.
Es ist bevorzugt, dass die zuvor beschriebenen Copolymere als die Copolymerisationskomponenten 10 mol% oder mehr der Monomere mit einer beliebigen der Säuregruppen (c-1) bis (c-3) zur Copolymerisation aufweisen, wobei 20 mol% oder größer mehr bevorzugt ist. Wenn die Monomere, welche die Säuregruppen (c-1) bis (c-3) enthalten, weniger als 10 mol% sind, ist der Effekt der Steigerung des Entwicklungsspielraums ungenügend.
Diese Copolymere können auch andere Monomere als diejenigen, die die Säuregruppen (c-1) bis (c-3) enthalten, als Copolymerisationskomponenten enthalten.
Beispiele solch anderer Monomere, die als Copolymerisationskomponenten verwendet werden können, schließen die unter (1) bis (12) unten aufgelisteten Monomere ein.

(1) Acrylsäureester und Methacrylester mit einer Fett-Hydroxylgruppe, wie beispielsweise 2-Hydroxyethylacrylat oder 2-Hydroxyethylmethacrylat.
(2) Alkylacrylate, wie Methylacrylat, Ethylacrylat, Propylacrylat, Butylacrylat, Amylacrylat, Hexylacrylat, Octylacrylat, Benzylacrylat, Acrylsäure-2-chlorethyl, Glycidylacrylat oder N-Dimethylaminoethylacrylat usw.
(3) Alkylmethacrylate, wie Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Propylmethacrylat, Butylmethacrylat, Amylmethacrylat, Hexylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Benzylmethacrylat, Methacrylsäure-2-chlorethyl, Glycidylmethacrylat und N-Dimethylaminoethylmethacrylat usw.
(4) Acrylamide oder Methacrylamide, wie Acrylamid, Methacrylamid, N-Methylolacrylamid, N-Ethylacrylamid, N-Hexylmethacrylamid, N-Cyclohexylacrylamid, N-Hydroxyethylacrylamid, N-Phenylacrylamid, N-Nitrophenylacrylamid und N-Ethyl-N-phenylacrylamid usw.
(5) Vinylether, wie Ethylvinylether, 2-Chlorethylvinylether, Hydroxyethylvinylether, Propylvinylether, Butylvinylether, Octylvinylether und Phenylvinylether usw.
(6) Vinylester, wie Vinylacetat, Vinylchloracetat, Vinylbutylat und Vinylbenzoat usw.
(7) Styrole, wie Styrol, α-Methylstyrol, Methylstyrol und Chlormethylstyrol usw.
(8) Vinylketone, wie Methylvinylketone, Ethylvinylketone, Propylvinylketone und Phenylvinylketone usw.
(9) Olefine, wie Ethylen, Propylen, Isobutylen, Butadien und Isopren usw.
(10) N-Vinylpyrrolidon, N-Vinylcarbazol, 4-Vinylpyridin, Acrylnitril, Methacrylnitril usw.
(11) Ungesättigte Imide, wie Maleimid, N-Acryloylacrylamid, N-Acetylmethacrylamid, N-Propionylmethacrylamid und N-(p-Chlorbenzoyl)methacrylamid usw.
(12) Ungesättigte Carbonsäuren, wie Acrylsäure, Methacrylsäure, wasserfreie Maleinsäure und Itaconsäure usw.

Es ist für die erfindungsgemäßen alkalilöslichen Polymere, ob Einzelpolymere oder Copolymere, im Hinblick auf die Filmfestigkeit bevorzugt, dass das gewichtsmittlere Molekulargewicht 2.000 oder größer ist und dass das zahlenmittlere Molekulargewicht 500 oder größer ist. Es ist noch mehr bevorzugt, dass das gewichtsmittlere Molekulargewicht 5.000 bis 300.000 ist, dass das zahlenmittlere Molekulargewicht 800 bis 250.000 ist und dass der Dispersionsgrad ((gewichtsmittleres Molekulargewicht)/(zahlenmittleres Molekulargewicht)) 1,1 bis 10 ist.
In den zuvor beschriebenen Copolymeren sollte das gewichtsbezogene Mischungsverhältnis zwischen den Monomeren mit einer beliebigen der Säuregruppen (c-1) bis (c-3) und anderen Monomeren im Interesse der Entwicklungsfreiheit innerhalb eines Bereichs von 50:50 bis 5:95 sein, wobei ein Bereich von 40:60 bis 10:90 mehr bevorzugt ist.
Diese alkalilöslichen Polymere können jeweils als Einzeltypen oder als Kombinationen von zwei oder mehr Typen verwendet werden und die zugegebene Menge sollte 30 bis 99 Gew.-% des Gesamtfeststoffteils des Bildaufzeichnungsmaterials sein, jedoch bevorzugt 40 bis 95 Gew.-% und noch mehr bevorzugt 50 bis 90 Gew.-%. Wenn die Menge dieses zugegebenen alkalilöslichen Polymers weniger als 30 Gew.-% ist, verschlechtert sich die Dauerhaftigkeit der fotoempfindlichen Schicht, wohingegen, wenn 99 Gew.-% überschritten wird, dies sowohl im Hinblick auf die Empfindlichkeit als auch Dauerhaftigkeit unerwünscht ist.
Andere Komponenten
Erfindungsgemäß sind die zuvor beschriebenen vier Komponenten zwingend, jedoch können, je nach Notwendigkeit, verschiedene andere Verbindungen hinzugefügt werden.
Farbstoffe, die ein großes Absorptionsvermögen im Bereich des sichtbaren Lichts aufweisen, können beispielsweise als Bildfärbemittel verwendet werden.
Im einzelnen schließen diese solche Farbstoffe, wie Ölgelb #101, Ölgelb #103, Ölpink #312, Ölgrün BG, Ölblau BOS, Ölblau #603, Ölschwarz BY, Ölschwarz BS, Ölschwarz T-505 (die alle hergestellt werden von Orient Kagaku Kogyo KK), Viktoria-Pure-Blau, Kristallviolett (CI42555), Methylviolett (CI42535), Ethylviolett, Rhodamin B (CI145170B), Malachitgrün (CI42000), Methylenblau (CI52015) usw. oder die in JP-A Nr. 62-293247 beschriebenen Farbstoffe ein.
Es ist bevorzugt, dass diese Farbstoffe hinzugefügt werden, weil sie es leichter machen, zwischen den Bild- und Nichtbildbereichen zu unterscheiden, nachdem das Bild gebildet ist. Die zugefügte Menge sollte 0,01 bis 10 Gew.-% relativ zum Gesamtfeststoffteil des Bildaufzeichnungsmaterials sein.
Darüber hinaus können im erfindungsgemäßen Bildaufzeichnungsmaterial vom Negativ-Typ, um die Prozessstabilität für die Entwicklungsbedingungen zu verbreitern, nichtionische Tenside, wie beschrieben in JP-A Nr. 62-251740 oder JP-A Nr. 3-208514 oder amphotere Tenside, wie beschrieben in JP-A Nr. 59-121044 oder JP-A Nr. 4-13149 zugegeben werden.
Spezielle Beispiele der oben erwähnten nichtionischen Tenside schließen Sorbitantristearat, Sorbitanmonopalmitat, Sorbitantrioleat, Stearinsäuremonoglycerid und Polyoxyethylennonylphenylether usw. ein.
Spezielle Beispiele der zuvor erwähnten amphoteren Tenside schließen ein: Alkyldi(aminoethyl)glycin, Alkylpolyaminoethylglycinchlorid, 2-Alkyl-N-carboxyethyl-N-hydroxyethylimadazoliniumbetain oder N-Tetradecyl-N,N-betain-Typen (wie beispielsweise das Produkt mit dem Namen Amogen K, hergestellt von Dai-ichi Kogyo KK). Das Verhältnis solcher nichtionischer Tenside und amphoterer Tenside im Bildaufzeichnungsmaterial sollte 0,05 bis 15 Gew.-% und vorzugsweise 0,1 bis 5 Gew.-% sein.
Darüber hinaus werden je nach Notwendigkeit dem erfindungsgemäßen Bildaufzeichnungsmaterial Weichmacher, um den Beschichtungsfilmen usw. Flexibilität zu verleihen, zugegeben. Beispiele solcher zulässiger Additive schließen Polyethylenglycol, Tributylcitrat, Diethylphthalat, Dibutylphthalat, Dihexylphthalat, Dioctylphthalat, Tricresylphosphat, Tributylphosphat, Trioctylphosphat, Tetrahydrofurfuryloleat und Acrylsäure- und Methacrylsäure-Oligomere und Polymere usw. ein.
Außer diesen können Epoxyverbindungen und Vinylether und dergleichen zugegeben werden.
Das erfindungsgemäße Bildaufzeichnungsmaterial, das aufgebaut ist, wie zuvor beschrieben, kann mit guter Wirkung in Platten für den Flachdruck (planographic printing plates) verwendet werden. Platten für den Flachdruck, in denen die erfindungsgemäßen Bildaufzeichnungsmaterialien verwendet werden, werden nunmehr beschrieben. In dieser Beschreibung ist darüber hinaus mit Druckplatte für den Flachdruck ein Plattenmaterial gemeint, das in einem Zustand ist, in dem kein Bildmuster mit farbaufnehmenden Bereichen und nicht-farbaufnehmenden Bereichen gebildet ist, während mit Flachdruckplatte (planographic plate) ein Plattenmaterial gemeint ist, auf dem ein Bildmuster mit farbaufnehmenden Bereichen und nicht-farbaufnehmenden Bereichen gebildet wurde und das in diesem Zustand für das Drucken verwendet werden kann.
Die Platte für den Flachdruck hat eine fotoempfindliche Schicht, die das erfindungsgemäße Bildaufzeichnungsmaterial, das zuvor beschrieben wurde, auf einem Tragekörper und ebenso, je nach Bedarf, weitere Schichten enthält.
Die fotoempfindliche Schicht kann gewöhnlich hergestellt werden durch Auflösen der zuvor beschriebenen Komponenten in einem Lösungsmittel und dessen Aufbringung auf einem geeigneten Tragekörper. Beispiele der Lösungsmittel, die hier verwendet werden, schließen ein, sind jedoch nicht beschränkt auf: Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketone, Methanol, Ethanol, Propanol, Ethylenglycolnomomethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 2-Methoxyethylacetat, 1-Methoxy-2-propylacetat, Dimethoxyethan, Methyllactat, Ethyllactat, N,N-Dimethylacetamid, N,N-Dimethylformamid, Tetramethylharnstoff, N-Methylpyrrolidon, Dimethylsulfoxid, Sulfolan, γ-Butyllacton, Toluol und Wasser usw. Diese Lösungsmittel werden allein oder in Mischungen verwendet. Die Konzentration der zuvor angeführten Komponenten (Gesamtfeststoffteil einschließlich Additive) in dem Lösungsmittel sollte 1 bis 50 Gew.-% sein.
Die Menge der Beschichtung (Feststoffteil) auf dem Tragekörper, die nach dem Beschichten und Trocknen erhalten wird, unterscheidet sich je nach der Applikation, sie sollte jedoch für Flachdruckplatten allgemein 0,5 bis 5,0 g/m² sein. Unterschiedliche Verfahren zur Beschichtung können verwendet werden, wie Stabbeschichter-Beschichtung, Rollbeschichtung, Sprühbeschichtung, Vorhangbeschichtung, Tauchbeschichtung, Luftmesserbeschichtung, Rakelbeschichtung, Walzenbeschichtung usw. Wenn die Beschichtungsmenge geringer wird, verschlechtern sich die oben erwähnten Beschichtungsfilmdigenschaften der fotoempfindlichen Schicht, obowohl die scheinbare Empfindlichkeit größer wird.
Tenside können zur oben beschriebenen fotoempfindlichen Schicht hinzugegeben werden, um die Beschichtungsfähigkeit zu verbessern, wie beispielsweise die in JP-A Nr. 62-170950 beschriebenen Tenside auf Fluorbasis. Der bevorzugte Bereich der zugegebenen Menge ist 0,01 bis 1 Gew.-% im Gesamt-Feststoffteil der fotoempfindlichen Schicht, jedoch ist 0,05 bis 0,5 Gew.-% noch mehr bevorzugt.
Der erfindungsgemäß verwendete Tragekörper ist ein dimensionsstabiles Material in Plattenform, wie beispielsweise Papier, Papier, auf das ein Kunststoff (wie beispielsweise Polyethylen, Polypropylen oder Polystyrol usw.) laminiert ist, Metallplatte (einschlossen Aluminium, Zink, Kupfer usw.), Plastikfolie (wie beispielsweise Cellulosediacetat, Cellulosetriacetat, Cellulosepropionat, Cellulosebutyrat, Celluloseacetat-Butyrat, Cellulosenitrat, Polyethylenterephthalat, Polyethylen, Polystyrol, Polypropylen, Polycarbonat oder Polyvinylacetal usw.) und Papier- oder Kunststofffilme, auf die Metalle, wie die oben erwähnten, laminiert oder dampfabgeschieden sind.
Polyesterfolien oder Aluminiumplatten sind gut für den erfindungsgemäß verwendeten Tragekörper, wobei die Aluminiumplatte, die dimensionsstabil und vergleichsweise preiswert ist, besonders gut ist. Ideale Aluminiumplatten schließen eine Platte aus reinem Aluminium und eine Legierungsplatte, die Aluminium als die Hauptkomponente zusammen mit geringsten Mengen anderer Elemente enthält, ein, jedoch ist auch eine Plastikfolie, auf der Aluminium laminiert oder aus der Dampfphase abgeschieden wurde, gut. Die anderen, in den Aluminiumlegierungen enthaltenen Elemente schließen Silicium, Eisen, Mangan, Kupfer, Magnesium, Chrom, Zink, Bismuth, Nickel und Titan usw. ein. Der Gehalt dieser anderen Elemente in der Legierung sollte höchstens 10 Gew.-% oder weniger sein. Besonders ideales Aluminium ist reines Aluminium, jedoch ist es im Hinblick auf die Veredelungstechnologie schwierig, vollständig reines Aluminium herzustellen, weshalb das, welches geringe Menge anderer Elemente enthält, verwendet werden kann. Die Zusammensetzung der zuvor beschriebenen Aluminiumplatte ist nicht besonders definiert, und eine Aluminiumplatte aus herkömmlich bekanntem und verwendetem Material kann geeignet verwendet werden. Die Dicke der Aluminiumplatte sollte 0,1 bis 0,6 mm sein, jedoch bevorzugt 0,15 bis 0,4 mm und noch mehr bevorzugt 0,2 bis 0,3 mm.
Vor der Aufrauung der Oberfläche der Aluminiumplatte wird sie gewünschtenfalls einer Entfettungsbehandlung unter Verwendung eines Tensids, organischen Lösungsmittels oder einer alkalischen wässrigen Lösung oder dergleichen unterzogen, um Pressenöl (pressing oil) von der Oberfläche zu entfernen.
Das Verfahren der Oberflächenaufrauhung der Oberfläche der Aluminiumplatte kann mit einer beliebigen von unterschiedlichen Verfahren durchgeführt werden, wie beispielsweise mit einem mechanischen Oberflächenaufrauhungsverfahren, einem Verfahren, bei dem die Oberfläche elektrochemisch schmelzaufgerauht wird oder einem Verfahren, bei dem die Oberfläche selektiv chemisch geschmolzen wird. Das verwendete mechanische Verfahren kann ein bekanntes Kugelpolierverfahren, Bürstenpolierverfahren, Strahlpolierverfahren oder Scheibenpolierverfahren usw. sein. Ein elektrochemisches Oberflächenaufrauhungsverfahren wird mit Wechselstrom oder Gleichstrom in einem Salzsäure- oder Salpetersäureelektrolyten durchgeführt. Oder es kann ein Verfahren verwendet werden, das die zwei kombiniert, wie es offenbart ist in JP-A Nr. 54-63902.
Die auf diese Weise oberflächenaufgerauhte Aluminiumplatte wird, nachdem sie gegebenenfalls einem Alkaliätzungsprozess und Neutralisationsprozess unterzogen wurde, einer Kationenoxidationsbehandlung unterzogen, um die Wasserbeständigkeit und Abriebfestigkeit der Oberfläche wie gewünscht zu erhöhen. Für den bei der Anodenoxidationsbehandlung der Aluminiumplatte verwendeten Elektrolyten können verschiedene Elektrolyten verwendet werden, die einen porösen Oxidationsfilm bilden, jedoch werden üblicherweise Schwefelsäure, Phosphorsäure, Oxalsäure oder Chromsäure oder eine Mischung solcher Säuren verwendet. Die Konzentration dieser Elektrolyte wird abhängig von dem Typ des verwendeten Elektrolyten geeignet festgelegt.
Die Bedingungen des Anoden-Oxidationsprozesses variieren je nach dem verwendeten Elektrolyten und können somit nicht einheitlich definiert werden. Dennoch sollte im allgemeinen die Elektrolytkonzentration eine 1 bis 80 Gew.-% Lösung mit einer Temperatur der Lösung von 5 bis 70°C unter Verwendung einer Stromdichte von 5 bis 60 A/dm², eine Spannung von 1 bis 100 V und einer Elektrolysezeit innerhalb eines Bereichs von 10 Sekunden bis 5 Minuten sein.
Wenn die Menge des Anoden-Oxidationsbeschichtungsfilms weniger als 1,0 g/m² ist, ist die Fähigkeit, beim Drucken Bestand zu haben, inadäquat, die Nichtbildbereiche der Flachdruckplatte werden leicht beschädigt, was oft zur sogenannten "Beschädigungskontamination" führt, womit beim Drucken Farbe an die beschädigten Bereiche anhaftet.
Nach der Anodenoxidationsbehandlung wird die Aluminiumoberfläche gegebenenfalls einer Behandlung unterzogen, um sie hydrophil zu machen. Solche Hydrophilisierungsbehandlungen schließen das Alkalimetall- Silikat-Verfahren (beispielsweise unter Verwendung wässriger Lösungen von Natriumsilikat), die offenbart sind in den Beschreibungen der US-Patente Nrn. 2,714,066, 3,181,461, 3,280,734 und 3,902,734, ein. Bei diesen Verfahren wird der Tragekörper durch Elektrolyse oder Eintauchen in eine wässrige Lösung von Natriumsilikat behandelt. Zusätzlich werden die Behandlung unter Verwendung von Kaliumzirkonatfluorid, das offenbart ist in der japanischen Patentveröffentlichung Nr. S36-22063/1961, und die Behandlungen unter Verwendung von Polyvinylphosphonsäure, wie in den Beschreibungen der US-Patente Nrn. 3,276,868, 4,153,461 und 4,689,272, verwendet.
Die zuvor beschriebene Platte für den Flachdruck kann gegebenenfalls eine Unterschicht auf dem Tragekörper haben.
Als Verbindungen der Unterschicht werden verschiedene organische Verbindungen verwendet, die ausgewählt sein können aus Carboxymethylcellulose, Dextrin, Gummi arabicum, Phosphonen mit einer Aminogruppe, solchen organischen Phosphonsäuren, die einen Substituenten haben können, wie Phenylphosphonsäure, Naphthylphosphonsäure, Alkylphosphonsäure, Glycerophosphonsäure, Methylendiphosphonsäure und Ethylendiphosphonsäure usw., solchen organischen Phosphorsäuren, die einen Substituenten haben können, wie Phenylphosphorsäure, Naphthylphosphorsäure, Alkylphosphorsäure und Glycerophosphorsäure usw., solchen organischen Phosphinsäuren, wie Phenylphosphinsäure, Naphthylphosphinsäure, Alkylphosphinsäure und Glycerophosphinsäure usw., solchen Aminosäuren, wie Glycin oder β-Alanin und solchen Aminchloriden mit einer Hydroxygruppe, wie Triethanolaminchloriden usw. Diese können ebenso in Mischungen von zwei oder mehreren Typen verwendet werden.
Die Beschichtungsmenge für die Unterschicht sollte 2 bis 200 mg/m² sein.
Die Platte für den Flachdruck, in der das erfindungsgemäße Bildaufzeichnungsmaterial verwendet wird, kann hergestellt werden, wie zuvor beschrieben.
Die Belichtungs- und Entwicklungsprozesse werden nunmehr beschrieben.
Die erhaltene Platte für den Flachdruck wird mit einem Feststofflaser und Halbleiterlaser, die Infrarotlicht mit einer Wellenlänge von 760 bis 1.200 nm emittieren, belichtet. Erfindungsgemäß kann die Entwicklungsverarbeitung sofort nach der Laserbelichtung durchgeführt werden, jedoch ist es bevorzugt, dass eine Wärmebehandlung zwischen dem Laserbelichtungsprozess und dem Entwicklungsprozess durchgeführt wird. Die Wärmebehandlung sollte durchgeführt werden unter Bedingungen von 80 bis 150°C für einen Zeitraum von 10 Sekunden bis 5 Minuten. Durch diese Wärmebehandlung kann die für die Aufzeichnung während der Laserbestrahlung erforderliche Laserenergie verringert werden.
Nach Durchführen der Wärmebehandlung je nach Notwendigkeit wird die Platte für den Flachdruck in einer wässrigen alkalischen Lösung entwickelt.
Für die Entwicklungsflüssigkeit und Nachfüllflüssigkeit, die auf der Platte für den Flachdruck verwendet werden, kann eine herkömmlich bekannte wässrige Alkalilösung verwendet werden. Solche schließen [Lösungen von] solche [en] anorganischen Alkalisalzen ein, wie Natriumsilicat, Kaliumsilicat, Natriumhypophosphit, Kaliumhypophosphit, Ammoniumhypophosphit, Natriumphosphit, Kaliumphosphit, Ammoniumphosphit, Natriumcarbonat, Kaliumcarbonat, Ammoniumcarbonat, Natriumhydrogencarbonat, Kaliumhydrogencarbonat, Ammoniumhydrogencarbonat, Natriumborat, Kaliumborat, Ammoniumborat, Natriumhydroxid, Ammoniumhydroxid, Kaliumhydroxid und Lithiumhydroxid usw.
Ebenso können solche organischen Alkalimittel, wie Monomethylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Monoisopropylamin, Diisopropylamin, Triisopropylamin, n-Butylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, Monoisopropanolamin, Diisopropanolamin, Ethylenimin, Ethylendiamin und Pyridin verwendet werden. Diese Alkalimittel können allein verwendet werden oder zwei oder mehr Typen können zusammen verwendet werden.
Von diesen Alkalimitteln sind diejenigen, die für die Entwicklungsflüssigkeit besonders bevorzugt sind, wässrige Lösungen solcher Silicatsalze, wie Natriumsilicat und Kaliumsilicat. Der Grund, warum sich dies so verhält, ist, dass es dann möglich ist, die Entwicklungseigenschaften durch die Konzentration von und den Anteil zwischen dem Alkalimetalloxid M₂O und dem Siliciumoxid SiO₂, d.h. einer Komponente des Silicats einzustellen, und die in JP-A Nr. 54-62004 und der japanischen Patentveröffentlichung Nr. S57-7427 beschriebenen Alkalimetallsilicate können wirksam verwendet werden.
Wenn die Entwicklung durchgeführt wird unter Verwendung einer automatischen Entwicklungsmaschine, ist es darüber hinaus bekannt, dass durch Zugabe einer wässrigen Lösung (Nachfüllflüssigkeit) mit stärkerer Alkalinität als die Entwicklungsflüssigkeit zu der Entwicklungsflüssigkeit die Verarbeitung der Platte für den Flachdruck in hohem Volumen durchgeführt werden kann, ohne für einen langen Zeitraum die Entwicklungsflüssigkeit in dem Entwicklungstank zu ändern. Eine solche Nachfüllflüssigkeit kann erfindungsgemäß auch mit guter Wirkung verwendet werden.
Zu der Entwicklungsflüssigkeit und Nachfüllflüssigkeit können gegebenenfalls verschiedene Tenside und organische Lösungsmittel zugegeben werden, um die Entwicklung zu fördern oder zu unterdrücken, Entwicklungsrückstände zu dispergieren oder die Farbaffinität der Bildbereiche der Flachdruckplatte zu erhöhen. Bevorzugte Tenside schließen anionische, kationische, nichtionische und amphotere Tenside ein.
Zu der Entwicklungsflüssigkeit und Nachfüllflüssigkeit können auch, je nach Notwendigkeit, Reduktionsmittel, wie Hydroxinon, Resorcin und Natrium- und Kaliumsalze solcher anorganischer Säuren, wie schwefelige Säure und hydroschwefelige Säure usw., sowie auch organische Carbonsäuren, Entschäumungsmittel und Wasserenthärtungsmittel hinzugefügt werden.
Die Flachdruckplatte, die einem Entwicklungsprozess unter Verwendung der zuvor beschriebenen Entwicklungsflüssigkeiten und Nachfüllflüssigkeiten unterzogen wurde, wird mit Waschwasser, einer Spüllösung, die Tenside usw. enthält, sowie einer desensibilisierenden ölenden Flüssigkeit, die Gummi arabicum oder ein Stärkederivat enthält, nachbehandelt. Für die Nachbehandlung, die verwendet wird, wenn das erfindungsgemäße Bildaufzeichnungsmaterial für das Druckplattenmaterial verwendet wird, können diese Prozesse in unterschiedlichen Kombinationen verwendet werden.
In den letzten Jahren werden infolge der Rationalisierung und Standardisierung der Plattenherstellungsoperationen in der Plattenherstellungs- und Druckindustrie automatische Entwicklungsmaschinen verbreitet zum Bedrucken von Plattenmaterialien verwendet. Diese automatischen Entwicklungsmaschinen bestehen üblicherweise aus einer Entwicklungseinheit und einer Nachbearbeitungseinheit und umfassen Mechanismen für den Transport des Druckplattenmaterials, unterschiedliche Verarbeitungsflüssigkeitstanks und Sprühmechanismen, womit die Entwicklungsverarbeitung, während die belichtete Druckplatte horizontal bewegt wird, durchgeführt wird, indem die Verarbeitungsflüssigkeiten, die durch Pumpen gefördert werden, aus Sprühdüsen versprüht werden. In den vergangenen Jahren entstanden darüber hinaus Verfahren der Verarbeitung, bei denen untergetauchte Führungswalzen oder dergleichen in Verarbeitungsflüssigkeitstanks, die mit Verarbeitungsflüssigkeit gefüllt sind, verwendet werden, um die Druckplattenmaterialien zu transportieren, während sie untergetaucht sind. Bei einer solchen automatischen Verarbeitung wie dieser kann die Verarbeitung durchgeführt werden, während die Verarbeitungsflüssigkeit mit der Nachfüllflüssigkeit, je nach dem Volumen der Verarbeitung und Operationszeit usw. nachgefüllt wird.
Das sogenannte Use-and-Discard-Verarbeitungsverfahren, in dem die Verarbeitung durchgeführt wird mit im wesentlichen ungebrauchter Verarbeitungsflüssigkeit, kann ebenso angewandt werden.
Die Flachdruckplatten, die wie vorgehend beschrieben, erhalten wurden, können gewünschtenfalls mit einem desensibilisierenden ölenden Gummi beschichtet werden und dann in Druckprozessen verwendet werden, jedoch wird eine Brennbehandlung durchgeführt, wenn die Druckplatte eine noch größere Fähigkeit haben muss, beim Drucken Bestand zu haben.
Wenn die Flachdruckplatte gebrannt wird, ist es bevorzugt, vor dem Brennen eine Behandlung mit einer Oberflächenvorbereitungslösung, wie sie beschrieben ist in den japanischen Patentveröffentlichungen Nrn. 61-2518 und 55-28062 und JP-A Nrn. 62-318597 und 61-159655, durchzuführen.
Für das Verfahren, eine solche durchzuführen, kann die Flachdruckplatte unter Verwendung eines Schwamms oder entfetteter Baumwolle, die mit der Oberflächenvorbereitungslösung imprägniert ist, beschichtet werden, oder die Beschichtung kann durchgeführt werden durch Eintauchen der Druckplatte in eine Wanne, die mit der Oberflächenvorbereitungslösung gefüllt ist, oder die Beschichtung kann durchgeführt werden unter Verwendung eines automatischen Beschichters. Noch wünschenswertere Resultate werden erhalten, wenn die Beschichtungsmenge nach der Beschichtung mit einer Druckrakel- oder Quetschwalze gleichmäßig gemacht wird.
Für die Menge der applizierten Oberflächenvorbereitungslösung ist ein Bereich von 0,03 bis 0,8 g/m² (Trockengewicht) üblicherweise geeignet.
Die Flachdruckplatte, auf die die Oberflächenvorbereitungslösung aufgebracht wurde, wird gegebenenfalls getrocknet und dann in einem Brennprozessor (wie beispielsweise dem BP-1300 Brennprozessor, verkauft von Fuji Photo Film Co., Ltd.) auf eine hohe Temperatur erhitzt. Die Heiztemperatur und Heizzeit hängt von dem Typ der Komponenten, die das Bild bilden, ab, jedoch sind Bereiche von 100 bis 300°C und 1 bis 20 Minuten bevorzugt.
Die brennbearbeitete Flachdruckplatte kann geeignet und je nach Notwendigkeit solchen Prozessen unterzogen werden, die herkömmlich durchgeführt werden, wie beispielsweise Waschen mit Wasser und Gummientfernung. In Fällen, in denen eine Oberflächenvorbereitungslösung, die hydrophile Polymerverbindungen enthält, verwendet wurde, können sogenannte desensibilisierende Ölungsprozesse (desensitizing oiling processes), wie beispielsweise Gummientfernung, weggelassen werden.
Die mit solchen Prozessen wie diesem erhaltene Flachdruckplatte wird in eine Offset-Druckpresse oder dergleichen eingesetzt und für das Drucken vieler Seiten verwendet.
BEISPIELE
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nunmehr beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf oder durch diese Ausführungsformen beschränkt.
Beispiel 1
Plattenherstellung
Nach dem Waschen und Entfetten einer Aluminiumplatte (Material 1050) mit einer Dicke von 0,3 mm mit Trichlorethylen wurde der Aluminiumplatte unter Verwendung einer Nylonbürste und einer Suspension von 400 mesh Bimsstein-Wasser eine Sandkörnungsoberfläche gegeben und dann gut in Wasser gewaschen. Diese Aluminiumplatte wurde durch Eintauchen für 9 Sekunden in eine 25% wässrige Lösung von Natriumhydroxid bei 45°C der Ätzung unterzogen, mit Wasser gewaschen, dann für 20 Sekunden in 20% Salpetersäure eingetaucht und erneut mit Wasser gewaschen. Die Menge der Ätzung auf dieser sandgekörnten Oberfläche war dabei 3 g/m². Als nächstes wurde, nachdem ein 3 g/m² Direktstrom-Anodenoxidations-Beschichtungsfilm unter Verwendung von 7% Schwefelsäure als der Elektrolyt und einer Stromdichte von 15 A/dm² angewandt wurde, die Aluminiumplatte mit Wasser gewaschen und getrocknet. Dann wurde die folgende Unterschichtlösung aufgebracht und der Beschichtungsfilm für 1 Minute bei 90°C getrocknet. Die Menge der Beschichtung der Überzugsschicht nach dem Trocknen war 10 mg/m². Zusammensetzung der Unterschichtlösung:

β-Alanin 0,5 g

Methanol 95 g

Wasser 5 g
Flachdruckplattenherstellung Zusammensetzung der fotoempfindlichen Lösung:
Diese fotoempfindliche Lösung wurde auf die oben beschriebene Platte (den Tragekörper) als Schicht aufgebracht und 1 Minute bei 100°C getrocknet, um die Platte für den Flachdruck der Ausführungsform 1 zu ergeben. Das Gewicht der Beschichtung nach dem Trocknen war 1,3 g/m².
Beispiele 2 bis 15
Platten für den Flachdruck in den Ausführungsformen 2 bis 15 wurden erhalten, wie in Ausführungsform 1, außer dass das in der fotoempfindlichen Lösung verwendete anionische Infrarot-absorbierende Mittel ersetzt wurde durch die in den Tabellen 1 und 2 unten aufgelisteten anionischen Infrarot-absorbierenden Mittel.
Vergleichsbeispiele 1 und 2
Platten für den Flachdruck in Vergleichsbeispielen 1 und 2 wurden wie in Beispiel 1 erhalten, außer dass das in der fotoempfindlichen Lösung verwendete anionische Infrarot-absorbierende Mittel durch die anionischen Infrarot-absorbierenden Mittel B-1 und B-2, die wiedergegeben sind durch die folgenden Strukturformeln, ersetzt wurde.
Bewertung der Empfindlichkeit und des Entwicklungsspielraums
Die Platten für den Flachdruck von Beispielen 1 bis 15 und Vergleichsbeispielen 1 und 2 wurden unter Verwendung eines Halbleiterlasers mit einer Wellenlänge von 840 nm und eines YAG-Lasers mit einer Wellenlänge von 1.064 nm, wie in den nachfolgenden Tabellen 1 und 2 angegeben ist, belichtet. Welcher dieser zwei Laser zu verwenden ist, wurde geeignet bestimmt je nach den Wellenlängen, die von den enthaltenen Infrarot-absorbierenden Farbstoffen absorbiert werden. Nach der Belichtung wurde die Wärmebehandlung in einem Ofen bei 140°C durchgeführt, nach der die Entwicklung durchgeführt wurde unter Verwendung einer automatischen Entwicklungsmaschine ("PS Processor 900VR", Handelsname, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd.), die beschickt war mit Entwicklungsflüssigkeit DP-4 und Spüllösung FR-3 (1:7), hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd. Die Entwicklungslösung DP-4 wurde in zwei Stärken hergestellt, nämlich derjenigen, die auf 1:6 verdünnt war und derjenigen, die auf 1:12 verdünnt war.
Die Linienbreite in den Nichtbildbereichen, die mit der auf 1:6 verdünnten DP-4-Entwicklungslösung erhalten wurde, wurde gemessen und die Lasereinstrahlungsenergie, die zu dieser Linienbreite korrespondierte, wurde bestimmt und als ein Empfindlichkeitsindex (mJ/cm²) verwendet. Je kleiner dieser gemessene Wert (mJ/cm²) war, umso höher ist die angegebene Empfindlichkeit der Druckplatte.
Als nächstes wurden die Linienbreiten in dem Nichtbildbereich, die erhalten wurden mit der auf 1:6 verdünnten Standardentwicklungslösung und der stärker verdünnten, auf 1:12 verdünnten Entwicklungslösung, gemessen, die Lasereinstrahlungsenergie, die zu diesen Linienbreiten korrespondiert, bestimmt, und die Differenz zwischen den zwei Empfindlichkeiten wurde als Index des Entwicklungsspielraums genommen. Je kleiner diese Differenz, umso besser der Entwicklungsspielraum, wobei 20 mJ/cm² oder weniger ein praktisches Niveau ist.
Bewertung der Lagerungsstabilität
Die Platten für den Flachdruck in Ausführungsformen 1 bis 15 und Vergleichsbeispielen 1 und 2 wurden für 3 Tage in einer Umgebung mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit von einer Temperatur von 45°C und einer relativen Luftfeuchtigkeit von 75% aufbewahrt. Dann wurde die Laserbelichtung und Entwicklung mit denselben Verfahren durchgeführt, wie zuvor beschrieben, die Empfindlichkeiten in derselben Weise bestimmt, Vergleiche mit den früheren Resultaten gezogen, und die gefundenen Differenzen wurden zu Indizes der Lagerungsstabilität gemacht. Wenn die Variation der Empfindlichkeit 20 mJ/cm² oder weniger war, wurde die Lagerungsstabilität als gut angesehen, was ein praktisches Niveau darstellt.
Die Resultate der Bewertungen sind in den Tabellen 1 und 2 angegeben.
Diese Resultate zeigen, dass die Platten für den Flachdruck der Beispiele 1 bis 15, verglichen mit den Platten für den Flachdruck der Vergleichsbeispiele 1 und 2, eine höhere Empfindlichkeit für Infrarotlaser zeigen, eine sehr geringe Differenz der Empfindlichkeit zeigen, wenn jeweils die zwei zuvor erwähnten Stärken der Entwicklungslösung verwendet werden, und einen Entwicklungsspielraum bieten, der ausreichend für die Praxis ist.
Alle Platten für den Flachdruck der Beispiele 1 bis 15 zeigen im Vergleich zu den Platten für den Flachdruck der Vergleichsbeispiele 1 und 2 eine extrem geringe Variation der Empfindlichkeit vor und nach der Lagerung, ragen in der Lagerungsstabilität hervor und genügen [was erforderlich ist bei] einem praktischen Niveau.
Beispiele 16 bis 19
Platten für den Flachdruck in den Beispielen 16 bis 19 wurde erhalten, wie in Beispiel 1, außer dass das in der fotoempfindlichen Lösung 1 verwendete Infrarot-absorbierende Mittel durch die in Tabelle 3 aufgelisteten Infrarot-absorbierenden Mittel ersetzt wurde und dass das Vernetzungsmittel durch das Vernetzungsmittel KZ-3, das wiedergegeben ist durch die unten angegebene Strukturformel, ersetzt wurde, und sie wurden bewertet, wie zuvor beschrieben.
Vergleichsbeispiele 3 und 4
Platten für den Flachdruck in Vergleichsbeispielen 3 und 4 wurden erhalten, wie in Beispiel 1, außer dass das in der fotoempfindlichen Lösung 1 verwendete Infrarot-absorbierende Mittel ersetzt wurde entweder durch das Infrarot-absorbierende Mittel B-1, wiedergegeben durch die oben angegebene Strukturformel, oder durch das Infrarot-absorbierende Mittel B-3, wiedergegeben durch die unten angegebene Strukturformel, und sie wurden, wie zuvor beschrieben, bewertet. Die Resultate sind in Tabelle 3 unten gezeigt.
Tabelle 3
Diese Resultate zeigen, dass die Platten für den Flachdruck von Beispielen 16 bis 19, verglichen mit den Platten für den Flachdruck von Vergleichsbeispielen 3 und 4, höhere Empfindlichkeit gegenüber Infrarotlasern zeigen, extrem geringe Empfindlichkeitsschwankung vor und nach der Lagerung zeigen, in der Lagerungsstabilität hervorragend sind, selbst nach der Lagerung keinen verbleibenden Film in den Nichtbildbereichen entwickeln und vollständig [was erforderlich ist in] einem praktischen Niveau genügen.
Beispiel 20 Zusammensetzung der fotoempfindlichen Lösung:
Säure erzeugende Verbindung
Vernetzungsmittel
Die Platte für den Flachdruck in Beispiel 20 wurde erhalten, wie in Beispiel 1, außer dass die oben beschriebene fotoempfindliche Lösung 2 anstelle der fotoempfindlichen Lösung 1 verwendet wurde.
Beispiele 21 bis 23
Platten für den Flachdruck in den Beispielen 21 bis 23 wurden erhalten, wie in Beispiel 20, außer dass das in der fotoempfindlichen Lösung 2 verwendete Infrarot-absorbierende Mittel geändert wurde in die in Tabelle 4 erwähnten Infrarot-absorbierenden Mittel.
Vergleichsbeispiele 5 und 6
Platten für den Flachdruck in Vergleichsbeispielen 5 und 6 wurden wie in Beispiel 20 erhalten, außer dass das in der fotoempfindlichen Lösung 2 verwendete Infrarot-absorbierende Mittel geändert wurde in die Infrarot-absorbierenden Mittel B-1 und B-3, die wiedergegeben sind durch die zuvor angegebenen Strukturformeln.
Die Platten für den Flachdruck von Beispielen 20 bis 23 und Vergleichsbeispielen 5 und 6 wurden auf ihre Empfindlichkeit und Lagerungsstabilität in derselben Weise wie in Beispiel 1 hin bewertet.
Die Resultate sind in Tabelle 4 angegeben.
Tabelle 4
Diese Resultate zeigen, dass die Platten für den Flachdruck von Beispielen 20 bis 23, verglichen mit den Platten für den Flachdruck von Vergleichsbeispielen 5 und 6 höhere Empfindlichkeit gegenüber Infrarotlasern zeigen, extrem geringe Empfindlichkeitsvariation vor und nach der Lagerung zeigen, in der Lagerungsstabilität hervorragen, selbst nach der Lagerung keinen verbleibenden Film in den Nichtbildbereichen entwickeln und vollständig [was erforderlich ist in] einem praktischen Niveau genügen.
Auf Basis der vorliegenden Erfindung können Bildaufzeichnungsmaterialien zur Verfügung gestellt werden, mit denen unter Verwendung von Festkörperlasern und Halbleiterlasern, die Infrarotlicht emittieren, die direkte Plattenherstellung möglich ist durch Aufzeichnen von Digitaldaten aus einem Computer oder dergleichen, wobei diese Bildaufzeichnungsmaterialien hohe Empfindlichkeit für Infrarotlaser, sowie auch einen guten Entwicklungsspielraum und Lagerungsstabilität zeigen.

Claims

Bildaufzeichnungsmaterial, das folgendes umfasst: (a) eine Verbindung, die durch Licht oder Wärme zersetzbar ist und die eine Säure erzeugt, wenn sie hierdurch zersetzt wird; (b) ein Vernetzungsmittel, das in der Gegenwart einer Säure vernetzt; (c) eine Hochpolymerverbindung, die im wesentlichen unlöslich ist in Wasser und im wesentlichen löslich ist in einer wässrigen Alkalilösung; und (d) ein Infrarot-absorbierendes Mittel, ausgewählt aus der Gruppe der allgemeinen Formeln, bestehend aus der allgemeinen Formel (I) oder der allgemeinen Formel (II), wie folgt:
worin in der allgemeinen Formel (I) M eine konjugierte Kette bezeichnet; G_a ^– einen anionischen Substituenten bezeichnet; G_b einen neutralen Substituenten bezeichnet; und X^m+ ein Wasserstoffion oder ein Kation der Wertigkeit m bezeichnet, wo m eine ganze Zahl von 1 bis 6 bezeichnet; und in der allgemeinen Formel (II) R¹ bis R⁴ jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe oder eine Arylgruppe bedeuten; R⁵ und R⁶ jeweils unabhängig eine Alkylgruppe, substituierte Oxygruppe oder ein Halogenatom bedeuten; n und m jeweils unabhängig eine ganze Zahl von 0 bis 4 bezeichnen; entweder R¹ und R² oder R³ und R⁴ unter Bildung eines Ringes verbunden sein können oder R¹ und/oder R² mit R⁵ verbunden sein können oder R³ und/oder R⁴ mit R⁶ verbunden sein können, um so einen Ring zu bilden und darüber hinaus entweder R⁵-Gruppen unter Bildung eines Ringes verbunden sein können oder R⁶-Gruppen unter Bildung eines Ringes verbunden sein können; Z¹ und Z² jeweils unabhängig ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe oder Arylgruppe sind und mindestens eine Gruppe von Z¹ und Z²-entweder ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe bezeichnet; Q ist eine Trimethingruppe oder Pentamethingruppe, die einen Substituenten haben kann und eine Ringstruktur zusammen mit einer zweiwertigen organischen Gruppe bilden kann; und X^– bezeichnet ein Gegenanion; die Hochpolymerverbindung (c) ist eine Hochpolymerverbindung mit Ausnahme eines phenolischen Polymers, das an einem Polymerrückgrat mindestens eine Struktureinheit mit der folgenden allgemeinen Formel I-(1) hat und ein Molekulargewicht von 1000 oder mehr hat
worin Ar¹ einen aromatischen Kohlenwasserstoffring bezeichnet, der eine Substituentengruppe haben kann; R¹ und R², die gleich oder verschieden voneinander sein können, jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen bezeichnen; n eine ganze Zahl von 1 bis 3 ist; r eine ganze Zahl ist, die dem Molekulargewicht gemäß ausgewählt ist; X eine zweiwertige Verknüpfungsgruppe bezeichnet; Y entweder eine zwei- bis vierwertige Verknüpfungsgruppe mit mindestens einer Teilstruktur, ausgewählt aus den folgenden Gruppen Y¹, oder eine Endgruppe, die durch ein Wasserstoffatom terminiert ist, bedeutet; und Z abwesend ist, wenn Y eine Endgruppe ist, Z jedoch entweder eine ein- bis vierwertige Verknüpfungsgruppe oder eine Endgruppe bedeutet, wenn Y eine Verknüpfungsgruppe ist:
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem das durch die allgemeine Formel (I) wiedergegebene Infrarot-absorbierende Mittel (d) ein Oniumsalz als Gegenkation hat.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 2, in dem das Gegenkation ein sich thermisch zersetzendes Oniumsalz ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem das durch X^– wiedergegebene Gegenanion in dem durch die allgemeine Formel (II) wiedergegebenen Infrarot-absorbierenden Mittel (d) ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus SbF₆- und SbF₆(OH)-.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem das Infrarot-absorbierende Mittel (d) in einer Menge von 0,01 bis 50 Gew.-% der Gesamtfeststoffe des Bildaufzeichnungsmaterials zugegeben ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem die Säure erzeugende Verbindung (a) kationisch ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem die Säure erzeugende Verbindung (a) ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus den Verbindungen mit den nachstehenden allgemeinen Formeln (i) bis (viii):
Allgemeine Formel (vi) Ar³-I⁺-Ar⁴X^– Allgemeine Formel (vii)
Allgemeine Formel (viii) Ar³-N₂ ⁺X^– worin R¹, R², R⁴, R⁵ und R⁷, die gleich oder verschieden sein können, Kohlenwasserstoffgruppen mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können, bezeichnen; R³ ein Halogenatom, eine Kohlenwasserstoffgruppe mit 10 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, oder eine Alkoxygruppe mit 10 oder weniger Kohlenstoffatomen bezeichnet; Ar¹, Ar², Ar³ und Ar⁴, die gleich oder verschieden sein können, Arylgruppen mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können, bezeichnen; R⁶ eine zweiwertige Kohlenwasserstoffgruppe mit 20 oder weniger Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, bezeichnet; R⁸, R⁹ und R¹⁰, die gleich oder verschieden sein können, Kohlenwasserstoffgruppen mit 18 oder weniger Kohlenstoffatomen, die Substituenten haben können, bezeichnen; X^– ein Halogenverbindungsion, ClO₄ ^–, PF₆ ^–, SbF₆ ^–, BF₄ ^– oder R⁷-SO₃ ^– bezeichnet; und n einen ganze Zahl von 0 bis 4 bezeichnet.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem die Säure erzeugende Verbindung (a) in einer Menge von 0,01 bis 50 Gew.-% der Gesamtfeststoffe des Bildaufzeichnungsmaterials zugesetzt ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem das Vernetzungsmittel (b) ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus (i) aromatischen Verbindungen (ausgenommen Resol) mit einer substituierten Alkoxymethylgruppe oder Hydroxymethylgruppe, (ii) Verbindungen mit einer N-Hydroxymethylgruppe, N-Alkoxymethylgruppe oder N-Acyloxymethylgruppe, und (iii) einer Epoxyverbindung.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 9, in dem das Vernetzungsmittel (b) in einer Menge von 5 bis 80 Gew.-% der Gesamtfeststoffe des Bildaufzeichnungsmaterials zugesetzt ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem das Vernetzungsmittel (b) ein Phenolderivat mit der folgenden allgemeinen Formel (5) ist:
worin Ar¹ einen aromatischen Kohlenwasserstoffring bezeichnet, der einen Substituenten haben kann; R¹ und R², die gleich oder verschieden sein können, jeweils Wasserstoffatome oder Kohlenwasserstoffgruppen mit 12 oder weniger Kohlenstoffatomen bezeichnen; m eine ganz Zahl von 2 bis 4 bedeutet; und n eine ganze Zahl von 1 bis 3 bedeutet.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 11, in dem das Vernetzungsmittel (b) in einer Menge von 5 bis 70 Gew.-% der Gesamtfeststoffe des Bildaufzeichnungsmaterials zugesetzt ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem die Alkali-lösliche Hochpolymerverbindung (c) in der Hauptkette und/oder der Seitenkette Säuregruppen aufweist, die ausgewählt sind aus der Gruppe, bestehend aus (c-1) phenolischen Hydroxygruppen, (c-2) Sulfonamidgruppen und (c-3) aktiven Imidgruppen.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 13, in dem die Alkali-lösliche Hochpolymerverbindung (c) ein Copolymer ist, das 10 mol-% oder mehr Monomere mit einer der Säuregruppen (c-1) bis (c-3) umfasst.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem die Alkali-lösliche Hochpolymerverbindung (c) ein gewichtsmittleres Molekulargewicht von 2000 oder größer und ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 500 oder größer aufweist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 14, in dem in der Alkali-löslichen Hochpolymerverbindung (c) das gewichtsbezogene Mischungsverhältnis zwischen Monomeren mit einer der Säuregruppen (c-1) bis (c-3) und anderen, in der Alkali-löslichen Hochpolymerverbindung (c) enthaltenen Monomeren im Bereich von 50:50 bis 5:95 ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1; in dem die Alkali-lösliche Hochpolymerverbindung (c) in einer Menge von 30 bis 99 Gew.-% der Gesamtfeststoffe des Bildaufzeichnungsmaterials zugesetzt ist.
Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1, in dem die Hochpolymerverbindung (c) ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Kondensationspolymeren eines Phenols und Formaldehyd, Kondensationspolymeren von m-Kresol und Formaldehyd, und Copolymeren, in denen Monomere mit Phenol in einer Seitenkette copolymerisiert sind.
Flachdruckplatte, umfassend: (i) einen Tragekörper; und (ii) eine photoempfindliche Schicht, welche das Bildaufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 1 enthält.