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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine mehrschichtige Leiterplatte,
auf die ein Halbleiter-Chip und/oder andere elektronische Bauelemente
mit gitterartig angeordneten Anschlussstellen aufgebracht werden,
sowie eine Halbleitervorrichtung, welche die mehrschichtige Leiterplatte
umfasst, auf die ein Halbleiter-Chip und/oder andere elektronische
Bauelemente aufgebracht werden.
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8 zeigt
eine Halbleitervorrichtung, die aus einer mehrschichtigen Leiterplatte 5 besteht, welche
einen Halbleiter-Chip 4 aufweist, der mittels Flip-Chip-Bonden
darauf aufgebracht worden ist. Der Halbleiter-Chip 4 weist
eine Fläche 2 mit
Elektrodenanschluss auf, die einen Umfangsbereich umfasst, in dem
Elektrodenanschlüsse 6 in
einer Reihe bzw. Linie angeordnet und die mit einem Ende der auf
der Leiterplatte 5 liegenden Zuleitungen 7 leitend
verbunden sind.
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9 zeigt
eine Flächenanordnung
der Zuleitungen 7 und der Anschlussstellen-Kontaktflächen 8,
die in zwei Reihen bzw. Linien auf der Leiterplatte 5 angeordnet
sind. Die Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 weisen die
gleiche Flächenanordnung
auf wie die Elektrodenanschlüsse 6 des
Halbleiter-Chips 4. Bei den Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 auf
der äußersten
Linie verlaufen die Zuleitungen 7 direkt nach außen, und
bei den anderen Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 verlaufen die
Zuleitungen 7 durch einen Raum, der zwischen benachbarten
Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 an
der äußersten
Linie liegt, nach außen.
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10 zeigt
eine Halbleitervorrichtung, die aus einer mehrschichtigen Leiterplatte 50 mit
vier Leiterplatten 5a bis 5d und einem darauf
aufgebrachten Halbleiter-Chip 4 besteht und viele Reihen
bzw. Linien mit Elektrodenanschlüssen 6 aufweist.
Zuleitungen 7 sind auf den einzelnen Schichten 5a bis 5d angeordnet,
um Wechselwirkungen zwischen ihnen zu vermeiden. Die vier Leiterplatten 5a bis 5d,
auf welche die jeweiligen Zuleitungen 7 aufgebracht sind, sind
beschichtet, um eine leitende Verbindung sämtlicher Elektrodenanschlüsse 5 mit
externen Anschlussstellen 9 schaffen zu können. Die
Zuleitungen 7 umfassen seitliche Abschnitte 7a,
die auf den Leiterplatten 5a bis 5d liegen, sowie
Durchkontaktierungen 7b, die eine oder mehrere der Leiterplatten 5a bis 5d durchlaufen,
wobei die Durchkontaktierungen 7b eine leitende Verbin dung
zwischen den Elektrodenanschlüssen 6 und
den seitlichen Abschnitten 7a oder den seitlichen Abschnitten 7a und
den externen Anschlussstellen 9 schaffen.
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Auf
der Fläche 2 mit
Elektrodenanschluss des Halbleiter-Chips 4 sind die Elektrodenanschlüsse 6 gewöhnlich gitterförmig, versetzt,
dicht gepackt oder dergleichen angeordnet, was insgesamt als Gitteranordnung
bezeichnet werden kann. Eine Leiterplatte, auf die ein Halbleiter-Chip 4 aufzubringen
ist, weist Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 in
einer Anordnung auf, die derjenigen der Elektrodenanschlüsse 6 auf
der Fläche 2 mit
Elektrodenanschluss des Halbleiter-Chips 4 entsprechen,
wobei der Abstand bzw. Zwischenraum zwischen benachbarten Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 so
bestimmt ist, dass wenigstens eine der Zuleitungen 7 durch
den Zwischenraum laufen kann.
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Ein
Aufrüsten
des Halbleiter-Chips erfordert eine erhöhte Anzahl von Eingangs/Ausgangs-Terminals
bzw. Anschlussstellen sowie eine erhöhte Anzahl oder Dichte von
Anschlussstellen-Kontaktflächen 8.
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11 zeigt
konkrete Kontaktflächen-Anordnungen,
d.h. (a) eine Gitterform, (b) eine versetzte Form und (c) eine dicht
gepackte Form. Direkt benachbarte Kontaktflächen 8 weisen einen
Zwischenraum s zwischen sich auf. Der Zwischenraum s muss so groß sein,
dass wenigstens eine Zuleitung 7 hindurchpasst. Andererseits
sollte der Zwischenraum s so klein wie möglich sein, damit eine erhöhte Dichte der
Kontaktflächen 8 für eine erhöhte Anzahl
von Eingangs-/Ausgangs-Terminals eines Halbleiter-Chips gegeben ist.
Die Untergrenze für
den Zwischenraum s hängt
auch von einer Prozess-Toleranz ab, die im Produktionsprozess stabil
erreicht werden kann.
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Wenn
die Kontaktflächen 8 mit
einem Zwischenraum s angeordnet sind, der so klein ist wie die Prozesstoleranz,
passt keine der Zuleitungen 7 durch den Zwischenraum s.
Genauer gesagt: Obwohl Zuleitungen 7 direkt von den Kontaktflächen 8 auf
der äußersten
Linie des Gitters wegragen können,
sind zusätzliche
Verdrahtungsschichten erforderlich, damit Zuleitungen 7 von
den Kontaktflächen 8 auf
den Innenlinien des Gitters wegragen können, um so Wechselwirkungen
zwischen Zuleitungen zu ver meiden. Dadurch wird unerwünschter
Weise die Anzahl von Verdrahtungsschichten erhöht, obwohl sie reduziert werden
sollte, um eine verbesserte Effizienz in der Produktion zu erhalten.
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Eine
Erhöhung
der Anzahl von Verdrahtungsschichten bewirkt auch ein Problem bei
der Produktausbeute, der Produktzuverlässigkeit und der Produktionskosten.
Obwohl eine erhöhte
Anzahl von Verdrahtungsschichten durch einen Aufbauprozess (Build-up-Prozess) oder
dergleichen erreicht werden kann, nehmen technologische Schwierigkeiten
mit Erhöhung
der Anzahl von Verdrahtungsschichten zu, wodurch sich ein zusätzliches
Problem der Gewährleistung
der leitenden Verbindung zwischen den Schichten ergibt, während eine
verbesserte Verdrahtungsdichte in den jeweiligen Schichten, einschließlich guter
leitender Verbindung über
die gesamte Verdrahtung gewährleistet
ist.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, eine mehrschichtige Leiterplatte
zu schaffen, auf die ein Halbleiter-Chip oder andere elektronische
Bauelemente aufgebracht werden, die Elektrodenanschlüsse oder
andere Anschlussstellen aufweisen, die gitterförmig oder versetzt in einer
verbesserten Form angeordnet sind, um eine Reduzierung der Anzahl
von Verdrahtungsschichten für
Zuleitungen zu ermöglichen,
wodurch die Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten erleichtert
und eine erhöhte Produktzuverlässigkeit
geschaffen ist.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung
zu schaffen, bei der die verbesserte mehrschichtige Leiterplatte eingesetzt
wird.
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Um
die erfindungsgemäße Aufgabe
erreichen zu können,
ist eine mehrschichtige Leiterplatte gegeben, mit:
einer Grundplatte
mit Montagefläche,
auf die ein Halbleiter-Chip und/oder andere elektronische Bauelemente
mit gitterartig angeordneten Anschlussstellen aufgebracht werden;
Anschlussstellen-Kontaktflächen, die
auf der Montagefläche
angeordnet sind, um ein Flächengitter
zu bilden, das der Gitteranordnung der Anschlussstellen entspricht
und Gitterplätze
aufweist, die jeweils von einer der Anschlussstellen-Kontaktflächen besetzt sind;
Zuleitungen,
die auf der Montagefläche
liegen und von denen ein Ende mit den Anschlussstellen-Kontaktflächen verbunden
ist und das andere Ende aus dem Flächengitter ragt; und
wobei
das besagte Flächengitter
einen Umfangsbereich aufweist, der periodisch unbesetzte Gitterbereiche
umfasst, die durch unbesetzte Gitterplätze, die von Anschlussstellen-Kontaktflächen ohne
Anschluss besetzt sind, gebildet sind.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform weisen
die unbesetzten Gitterbereiche eine offene Außenseite und eine geschlossene
Innenseite auf, die durch eine Anzahl r von Anschlussstellen-Kontaktflächen definiert
sind, die sich bildet aus: r = b(d + s)/(w +
s), d>s und d>w,wobei b eine
Anzahl unbesetzter Gitterplätze
ist, die von Anschlussstellen-Kontaktflächen ohne
Anschluss an der offenen Außenseite
besetzt sind, d ein Durchmesser der Kontaktflächen ist, w eine Breite der
Zuleitungen ist und s ein Abstand zwischen benachbarten Kontaktflächen und
auch ein Abstand zwischen benachbarten Zuleitungen ist, wobei die besagten
r Anschlussstellen-Kontaktflächen
jeweils eine Zuleitung aufweisen, von der ein Ende mit ihnen verbunden
ist und das andere Ende aus dem Flächengitter ragt.
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Typischerweise
weisen die unbesetzten Gitterbereiche die Form eines Dreiecks oder
eines Trapezes auf, deren Basis durch eine äußerste Linie der unbesetzten
Gitterplätze
definiert ist.
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Die
vorliegende Erfindung schafft ferner eine Halbleitervorrichtung,
welche die vorstehend beschriebene mehrschichtige Leiterplatte umfasst,
auf die ein Halbleiter-Chip und/oder andere elektronische Bauelemente
durch Area-Array-Bonden aufgebracht sind.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Draufsicht auf eine Anordnung von Anschlussstellen-Kontaktflächen, von
denen Zuleitungen wegragen, auf einer erfindungsgemäßen mehrschichtigen
Leiterplatte;
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2 ist
eine Draufsicht auf eine Anordnung von Anschlussstellen-Kontaktflächen, die
ein dicht gepacktes Flächengitter
bilden, wobei ein Umfangsbereich periodisch unbesetzte Gitterbereiche
in Form eines Dreiecks aufweist, wobei die Basis durch vier unbesetzte
Gitterplätze
gemäß der vorliegenden
Erfindung definiert ist;
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3 ist
eine Draufsicht auf eine weitere Anordnung von Anschlussstellen-Kontaktflächen, die ein
dicht gepacktes Flächengitter
bilden, wobei ein Umfangsbereich periodisch unbesetzte Gitterbereiche
in Form eines Dreiecks aufweist, wobei die Basis durch zwei unbesetzte
Gitterplätze
gemäß der vorliegenden
Erfindung definiert ist;
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4 ist
eine Draufsicht auf eine bevorzugte Ausführungsform eines dicht gepackten
Flächengitters
aus Anschlussstellen, von denen Zuleitungen durch periodisch unbesetzte
rechteckige Gitterbereiche auf einer ersten oder oberen Verdrahtungsschicht
einer mehrschichtigen Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung
wegragen;
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5 ist
eine Draufsicht auf ein dicht gepacktes Flächengitter von Anschlussstellen-Kontaktflächen, von
denen . Zuleitungen durch periodisch unbesetzte trapezförmige Gitterbereiche
auf einer zweiten Verdrahtungsschicht der in 4 dargestellten
mehrschichtigen Leiterplatte wegragen;
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6 ist
eine Draufsicht auf ein dicht gepacktes Flächengitter von Anschlussstellen-Kontaktflächen, von
denen Zuleitungen durch periodisch unbesetzte trapezförmige Gitterbereiche
auf einer dritten Verdrahtungsschicht der in 5 dargestellten mehrschichtigen
Leiterplatte wegragen;
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7 ist
eine Draufsicht auf ein dicht gepacktes Flächengitter von Anschlussstellen-Kontaktflächen, wobei
die rechteckigen und trapezförmigen unbesetzten
Gitterbereiche auch in den anderen Verdrahtungsschichten, die unter
der dritten Schicht von 6 liegen, vorgesehen sind;
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8 ist
eine Querschnittsansicht einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung,
die aus einer einschichtigen Leiterplatte besteht, auf die ein Halbleiter-Chip mittels Flip-Chip-Bonden
aufgebracht ist;
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9 ist
eine Draufsicht auf eine Flächenanordnung
von Zuleitungen und Anschlussstellen-Kontaktflächen, die in zwei Reihen bzw.
Linien auf der in 8 dargestellten Leiterplatte
angeordnet sind;
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10 ist
eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung, die aus einer
mehrschichtigen Leiterplatte mit vier Leiterplatten und einem darauf aufgebrachten
Halbleiter-Chip 4 besteht; und
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11 ist
eine Draufsicht auf gebräuchliche Kontaktflächenanordnungen
mit (a) einer Gitterform, (b) einer versetzten Form und (c) einer
dicht gepackten Form.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung weist eine mehrschichtige Leiterplatte Anschlussstellen-Kontaktflächen auf, die
in Form eines dicht gepackten Flächengitters
angeordnet sind und Zwischenräume
aufweisen, die ebenso klein sind wie die Prozesstoleranz, um eine so
hohe Dichte von Anschlussstellen-Kontaktflächen schaffen zu können, wie
sie praktikabel ist, wobei sich keine Zuleitungen durch die Zwischenräume hindurch
von den Kontaktflächen
auf den Innenreihen des Flächengitters
direkt aus dem Flächengitter
heraus erstrecken können.
Erfindungsgemäß können aufgrund
der unbesetzten Gitterbereiche im Um fangsbereich des Flächengitters
Zuleitungen von Kontaktflächen
auf der Innenlinie des Flächengitters direkt
nach außen
verlaufen.
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1 ist
eine Teildraufsicht auf eine Anordnung von Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 und
Zuleitungen 7 auf einer erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte
einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung. Ein (nicht dargestelltes) Flächengitter
aus Kontaktflächen 8 im Umfangsbereich
weist einen unbesetzten Gitterbereich A auf, der durch unbesetzte
Gitterplätze 10 (nur die
Plätze
auf der äußersten
gezeigten Linie) gebildet ist, die nicht von Kontaktflächen besetzt
sind. Der unbesetzte Gitterbereich A weist eine offene Außenseite
A1 und eine geschlossene Innenseite A2 auf, die durch eine Anzahl
r von Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 definiert
sind, die durch die nachstehend beschriebene Formel gebildet ist,
so dass Zuleitungen 7 von allen Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 wegragen
können,
welche die geschlossene Innenseite A2 des unbesetzten Gitterbereichs
A definieren.
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Die
Anzahl r von Zuleitungen 7, die durch die offene Außenseite
A1 des unbesetzten Gitterbereichs A verlaufen können, ist durch folgende Formel definiert: r = b(d + s)/(w + s),wobei b die Anzahl
unbesetzter Gitterplätze 10 ist, die
von Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 ohne
Anschluss an der offenen Außenseite
A1 besetzt sind, d der Durchmesser der Kontaktflächen 8 ist, w die
Breite der Zuleitungen 7 ist und s der Abstand zwischen benachbarten
Kontaktflächen 8 oder
zwischen benachbarten Zuleitungen 7 ist.
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Bei
einem dicht gepackten Flächengitter
ist der Abstand s zwischen benachbarten Kontaktflächen 8 oder
zwischen benachbarten Zuleitungen 7 ebenso klein wie die
Prozesstoleranz bzw. die Untergrenze, die stabil durch den Herstellungsprozess
erreicht werden kann, d.h. Kontaktflächen 8 oder Zuleitungen 7 können praktisch
nicht in Intervallen aufgebracht werden, die kleiner als der Abstand
s sind.
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Die
Formel besagt, dass r Zuleitungen von einem unbesetzten Gitterbereich
wegragen können, der
eine offene Außenseite
mit b unbesetzten Gitterplätzen
aufweist, d.h. dass ein unbesetzter Gitterbereich geschaffen werden
kann, der eine geschlossene Innenseite aufweist, die durch eine
Reihe von r Kontaktflächen
definiert ist, von denen Zuleitungen durch eine offene Außenseite
wegragen können,
die durch eine Reihe von b unbesetzten Gitterplätzen definiert ist.
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Der
Fachmann wird leicht erkennen, dass das Vorhandensein des unbesetzten
Gitterbereichs nur dann effektiv ist, wenn die Anzahl r von Zuleitungen,
die direkt vom unbesetzten Gitterbereich wegragen können, größer ist
als die Anzahl b von unbesetzten Gitterplätzen an der offenen Außenseite
des unbesetzten Gitterbereichs.
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Dieses
Verhältnis
zwischen der Anzahl r und der Anzahl b bedeutet auch, dass der Abstand
zwischen Kontaktflächen
des Flächengitters
auf die Prozesstoleranz oder einen für die Praxis akzeptablen Grenzwert
minimiert wird und die effizienteste Anordnung von Zuleitungen zu
den Kontaktflächen
schafft.
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Der
unbesetzte Gitterbereich ist nicht auf die rechteckige Form gemäß 1 begrenzt,
sondern kann jede andere Form aufweisen. Das Flächengitter kann gitterförmig, versetzt,
dicht gepackt oder in anderer Weise geformt sein.
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Auf
die erfindungsgemäße mehrschichtige Leiterplatte
kann ein Halbleiter-Chip und/oder andere elektronische Bauelemente
aufgebracht werden, einschließlich
einer SMT-Halbleitervorrichtung, die eine große Anzahl von gitterförmig oder
versetzt angeordneten Anschlussstellen aufweist. Der hier verwendete
Begriff „Anschlussstellen" bezieht sich auf
die Elektrodenanschlussstellen eines Halbleiter-Chips und auch auf
die Anschlussstellen anderer elektronischer Bauelemente.
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Beispiele
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2 ist
eine Draufsicht auf ein dicht gepacktes Flächengitter von Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 gemäß der vorliegenden
Erfindung, wobei das Gitter im Umfangsbereich periodisch unbesetzte Gitterbereiche
A umfasst, die durch unbesetzte Gitterplätze, die von Kontaktflächen 8 ohne
Anschluss besetzt sind, gebildet sind. Die unbesetzten Gitterbereiche
A weisen eine rechteckige Form auf, wobei deren Basis durch die
unbesetzten Gitterplätze
auf der äußersten
Reihe des Flächengitters
definiert ist. Ein Halbleiter-Chip oder andere auf die erfindungsgemäße mehrschichtige
Leiterplatte aufzubringende elektronische Bauelemente weist Elektrodenanschlussstellen
bzw. Anschlussstellen auf, die flächengitterförmig angeordnet sind und unbesetzte
Gitterplätze aufweisen,
die dem Flächengitter
und unbesetzten Gitterplätzen
der mehrschichtigen Leiterplatte entsprechen.
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Die
in 2 dargestellten unbesetzten Flächenbereiche A weisen eine
rechteckige Form auf, wobei deren Basis durch vier unbesetzte Gitterplätze auf
der äußersten
Reihe des Flächengitters
definiert ist. Die Anzahl unbesetzter Gitterplätze kann mit der gewünschten
Größe des unbesetzten
Gitterbereichs A variieren, wie in 3 beispielhaft
dargestellt, wobei die Basis dreieckig unbesetzter Gitterbereiche
A durch zwei unbesetzte Gitterplätze
definiert ist.
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Die 4 bis 6 zeigen
geschichtete Verdrahtungsschichten, von denen jede ein Flächengitter
aus Anschlussstellen-Kontaktflächen
einer mehrschichtigen Leiterplatte gemäß einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung aufweist. Die Verdrahtungsschichten weisen
jeweils Flächengitter
mit Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 auf, wobei
die Gitter entsprechend angeordnete Gitterplätze aufweisen, d.h. die entsprechenden
Gitterplätze
der verschiedenen Verdrahtungsschichten sind miteinander entlang
einer Linie ausgerichtet, die senkrecht zur Oberfläche der
Leiterplatte verläuft.
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4 zeigt
die erste bzw. oberste Verdrahtungsschicht, auf die ein Halbleiter-Chip
aufgebracht ist. Ein dicht gepacktes Flächengitter aus Anschlussstellen- Kontaktflächen 8 weist
einen Umfangsbereich auf, in dem rechteckig unbesetzte Gitterbereiche
A periodisch angeordnet sind und eine geschlossene Innenseite aufweisen,
die durch die Anschlussstellen-Kontaktflächen 8a definiert
ist, die eine äußerste Profilreihe
des Flächengitters
bilden. Zuleitungen 7 können
sich von sämtlichen
Anschlussstellen-Kontaktflächen 8a durch
einen Zwischenraum, der durch den rechteckig unbesetzten Gitterbereich
A der ersten Schicht gegeben ist, nach außen erstrecken.
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5 zeigt
die zweite Verdrahtungsschicht, die direkt unter der ersten Schicht
liegt. Ein dicht gepacktes Flächengitter
aus Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 weist
einen Umfangsbereich auf, in dem trapezförmig unbesetzte Gitterbereiche
A periodisch angeordnet sind und eine geschlossene Innenseite aufweisen,
die durch die Anschlussstellen-Kontaktflächen 8b definiert
ist, die eine Profilreihe bilden, die direkt innerhalb der äußersten
Profilreihe der ersten Schicht liegt. Zuleitungen 7 können sich
von sämtlichen
Anschlussstellen-Kontaktflächen 8b durch
einen Zwischenraum, der durch den trapezförmig unbesetzten Gitterbereich
A der zweiten Schicht gegeben ist, nach außen erstrecken.
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6 zeigt
die dritte Verdrahtungsschicht, die direkt unter der zweiten Schicht
liegt. Ein dicht gepacktes Flächengitter
aus Anschlussstellen-Kontaktflächen 8 weist
einen Umfangsbereich auf, in dem trapezförmig unbesetzte Gitterbereiche
A periodisch angeordnet sind und eine geschlossene Innenseite aufweisen,
die durch die Anschlussstellen-Kontaktflächen 8c definiert
ist, die eine Profilreihe direkt innerhalb der Profilreihe der zweiten
Schicht bilden. Zuleitungen 7 können sich von sämtlichen
Kontaktflächen 8c durch
einen Zwischenraum, der durch den trapezförmig unbesetzten Gitterbereich
A der dritten Schicht gegeben ist, nach außen erstrecken.
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Durch
die rechteckigen und trapezförmigen Formen
der unbesetzten Gitterbereiche A ist es möglich, dass sich Zuleitungen 7 in
vorteilhafter Weise von allen Anschlussstellen-Kontaktflächen 8,
welche die Profilreihe des Flächengitters
bilden, erstrecken.
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Gemäß 6 weisen
die Kontaktflächen 8d keine
Zuleitungen 7 auf, die sich von ihnen auf der dritten Schicht
erstrecken und können
Zuleitungen 7 aufweisen, die sich von ihnen auf die nächste Schicht erstrecken.
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Weitere
innere (nicht dargestellte) Kontaktflächen können ebenfalls Zuleitungen
aufweisen, die sich von ihnen auf die folgenden Schichten erstrecken,
und wenn ihre Anzahl gering ist, können sich Zuleitungen von äußersten
Kontaktflächen
in einer herkömmlichen
Art erstrecken, wie sie bei einer dicht gepackten Anordnung von
Anschlussstellen-Kontaktflächen
verwendet wird.
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7 zeigt
eine weitere Ausführungsform, bei
der die Flächengitter
auf den folgenden Schichten ebenfalls einen Umfangsbereich aufweisen,
bei dem unbesetzte Gitterbereiche periodisch wie bei den vorstehend
beschriebenen Schichten gebildet sind. Bei dieser Ausführungsform
bilden die Kontaktflächen 8d die
geschlossene Innenseite unbesetzter Gitterbereiche auf der vierten
Verdrahtungsschicht. Zuleitungen 7 können sich von sämtlichen
Kontaktflächen 8d durch
einen Abstand, der durch einen rechteckig unbesetzten Gitterbereich
gegeben ist, nach außen
erstrecken. Auf der fünften
und auf weiteren Schichten können
sich Zuleitungen in gleicher Weise nach außen erstrecken, wie vorstehend
mit Bezug auf die 5 und 6 beschrieben.
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Durch
das Vorhandensein rechteckiger oder trapezförmiger unbesetzter Gitterbereiche
auf einem dicht gepackten Flächengitter
mit Anschlussstellen ist vorzugsweise eine erhöhte Anzahl nutzbarer Kontaktflächen gegeben,
von denen sich Zuleitungen nach außen erstrecken können, gegenüber einem herkömmlichen
dicht gepackten Flächengitter,
bei dem Zuleitungen sich nur von den äußersten Kontaktflächen auf
einer linearen Profilreihe des Flächengitters nach außen erstrecken
können.
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Die
hier beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen sind nicht nur
auf eine dicht gepackte Anordnung anzuwenden, sondern auch auf gitterförmige oder
versetzte Anordnungen von Anschlussstellen-Kontaktflächen.
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Gemäß der vorliegenden
Ausführungsform ist
auch eine Halbleitervorrichtung gegeben, bei der ein Halbleiter-Chip 4 oder
ein anderes elektronisches Bauelement auf die Montagefläche der
erfindungsgemäßen mehrschichtigen
Leiterplatte mittels Bonden aufgebracht wird, wobei die Anschlussstellen
des elektronischen Elements mit den Kontaktflächen 8 der Leiterplatte
ausgerichtet sind und wobei die Kontaktflächen 8 mit den seitlich
verlaufenden Bereichen der Zuleitungen 7 über die
Durchkontaktierungen 7b leitend verbunden sind, so dass
der Halbleiter-Chip oder das andere elektronische Bauelement mit
externen Anschlussstellen der mehrschichtigen Leiterplatte zur Befestigung
an einer Hauptplatine (Motherboard) leitend verbunden ist. Die mehrschichtige
Leiterplatte kann hergestellt werden, indem Zuleitungen 7,
Kontaktflächen 8 und
Durchkontaktierungen 7b durch einen Aufbauprozess oder
dergleichen gebildet werden, so dass eine leitende Verbindung zwischen
den Schichten geschaffen ist.
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Wie
vorstehend beschrieben, ist durch die vorliegende Erfindung eine
mehrschichtige Leiterplatte geschaffen worden, bei der die wegragende Anordnung
von Zuleitungen von Anschlussstellen-Kontaktflächen am wirkungsvollsten selbst
dann erreicht wird, wenn die Kontaktflächen auf kleinstem Raum angeordnet
sind, der so klein ist wie eine Prozesstoleranz, so dass die mehrschichtige
Leiterplatte eine Reihe von Verdrahtungsschichten aufweist, die minimalisiert
worden sind, um ihre Herstellung zu erleichtern und um eine verbesserte
Produktzuverlässigkeit
schaffen zu können.
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Die
vorliegende Erfindung schafft ferner eine kompakte und zuverlässige Halbleitervorrichtung,
die entsteht, indem ein Halbleiter-Chip und/oder anderes elektronisches
Bauelement auf die mehrschichtigen Leiterplatte aufgebracht ist.