DE60020064D1 - Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement und diese verwendende Halbleiterschaltvorrichtung - Google Patents

Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement und diese verwendende Halbleiterschaltvorrichtung

Info

Publication number
DE60020064D1
DE60020064D1 DE60020064T DE60020064T DE60020064D1 DE 60020064 D1 DE60020064 D1 DE 60020064D1 DE 60020064 T DE60020064 T DE 60020064T DE 60020064 T DE60020064 T DE 60020064T DE 60020064 D1 DE60020064 D1 DE 60020064D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
same
switching device
driver circuit
semiconductor element
power semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60020064T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60020064T2 (de
Inventor
Toshiro Karaki
Kraisorn Throngnumchai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE60020064D1 publication Critical patent/DE60020064D1/de
Publication of DE60020064T2 publication Critical patent/DE60020064T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/166—Soft switching
DE60020064T 1999-12-28 2000-12-28 Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement und diese verwendende Halbleiterschaltvorrichtung Expired - Lifetime DE60020064T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37348599 1999-12-28
JP37348599 1999-12-28
JP2000273761 2000-09-08
JP2000273761A JP3664061B2 (ja) 1999-12-28 2000-09-08 電流制御型半導体素子用駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60020064D1 true DE60020064D1 (de) 2005-06-16
DE60020064T2 DE60020064T2 (de) 2006-01-12

Family

ID=26582499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60020064T Expired - Lifetime DE60020064T2 (de) 1999-12-28 2000-12-28 Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement und diese verwendende Halbleiterschaltvorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6429701B2 (de)
EP (1) EP1115202B1 (de)
JP (1) JP3664061B2 (de)
DE (1) DE60020064T2 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1319736B1 (it) * 2000-12-29 2003-11-03 St Microelectronics Srl Circuito di pilotaggio per un elemento di potenza connesso ad uncarico induttivo
JP3685137B2 (ja) * 2002-02-06 2005-08-17 日産自動車株式会社 電流制御型半導体素子用駆動回路、および電流制御型半導体素子用駆動装置
JP3873838B2 (ja) * 2002-07-25 2007-01-31 ソニー株式会社 電池電圧動作回路
JP2004215458A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP4479990B2 (ja) * 2003-10-10 2010-06-09 学校法人慶應義塾 電力変換器及び電力変換器を用いたシステム
US6943069B2 (en) 2003-10-14 2005-09-13 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power system inhibit method and device and structure therefor
US6940320B2 (en) * 2003-10-14 2005-09-06 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power control system startup method and circuit
DE10355255A1 (de) * 2003-11-26 2005-07-07 Rexroth Indramat Gmbh Verfahren zur Ansteuerung eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP4501497B2 (ja) * 2004-03-30 2010-07-14 Ｔｄｋ株式会社 ゲート駆動回路
US7516029B2 (en) 2004-06-09 2009-04-07 Rambus, Inc. Communication channel calibration using feedback
US7274242B2 (en) * 2004-11-02 2007-09-25 Rambus Inc. Pass transistors with minimized capacitive loading
JP4337711B2 (ja) * 2004-11-17 2009-09-30 株式会社デンソー 半導体素子制御装置
JP4807577B2 (ja) * 2006-07-27 2011-11-02 株式会社デンソー トランジスタの駆動回路
DE102007013824B4 (de) 2006-03-22 2013-10-24 Denso Corporation Schaltkreis mit einem Transistor
JP4915158B2 (ja) * 2006-07-14 2012-04-11 トヨタ自動車株式会社 電力用スイッチング素子の駆動装置
US8080988B2 (en) * 2008-06-18 2011-12-20 Active-Semi, Inc. Switch driver with low impedance initial drive and higher impedance final drive
JP2012065235A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Toshiba Corp 電圧出力回路
US8471606B2 (en) * 2011-02-23 2013-06-25 Deere & Company Driver circuit for a semiconductor power switch
JP5934925B2 (ja) * 2013-06-04 2016-06-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ゲートドライバおよびこれを備えたパワーモジュール
US9548729B2 (en) * 2015-06-16 2017-01-17 Cypress Semiconductor Corporation Switching circuit
US9813055B2 (en) 2016-04-01 2017-11-07 Ixys Corporation Gate driver that drives with a sequence of gate resistances
CN111800010A (zh) * 2019-04-08 2020-10-20 华润矽威科技（上海）有限公司 开关电源电路
CN111799993A (zh) * 2019-04-08 2020-10-20 华润矽威科技（上海）有限公司 驱动电路
CN111799991B (zh) * 2019-04-08 2023-06-09 华润微集成电路(无锡)有限公司 芯片电源电路

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5844760A (en) * 1991-03-22 1998-12-01 Fuji Electric Co., Ltd. Insulated-gate controlled semiconductor device
JP2561413B2 (ja) 1993-02-23 1996-12-11 日産自動車株式会社 半導体装置
EP0620644B1 (de) 1993-04-09 1998-06-24 STMicroelectronics S.r.l. Steuerung, Verringerung und Angleichen der Verzögerungszeiten in einer Low-Side-Treiberstufe
JP3319150B2 (ja) * 1994-05-26 2002-08-26 株式会社デンソー 内燃機関用燃料ポンプの制御装置
US5563759A (en) * 1995-04-11 1996-10-08 International Rectifier Corporation Protected three-pin mosgated power switch with separate input reset signal level
JP3125622B2 (ja) * 1995-05-16 2001-01-22 富士電機株式会社 半導体装置
EP0814564A1 (de) 1996-06-20 1997-12-29 ANSALDO INDUSTRIA S.p.A. Elektronischer Schaltkreis mit reduzierten Schalttransienten
JP3421507B2 (ja) 1996-07-05 2003-06-30 三菱電機株式会社 半導体素子の駆動回路
DE19634612A1 (de) 1996-08-27 1998-03-12 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Optimierung des Abschaltvorgangs eines nichteinrastenden, abschaltbaren Leistungs-Halbleiterschalters
US5742193A (en) 1996-10-24 1998-04-21 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Driver circuit including preslewing circuit for improved slew rate control
JP3241279B2 (ja) * 1996-11-14 2001-12-25 株式会社日立製作所 保護機能付きスイッチ回路
DE19717715C2 (de) 1997-04-18 2001-10-04 Daimler Chrysler Ag Verfahren zum Ansteuern eines feldgesteuerten Leistungshalbleiterschalters
DE19740697C1 (de) 1997-09-16 1999-02-11 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern einer integrierten Leistungsendstufe
US6194951B1 (en) 1998-09-15 2001-02-27 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for diving an integrated power output stage

Also Published As

Publication number Publication date
DE60020064T2 (de) 2006-01-12
EP1115202B1 (de) 2005-05-11
EP1115202A1 (de) 2001-07-11
JP2001251173A (ja) 2001-09-14
US20010005152A1 (en) 2001-06-28
US6429701B2 (en) 2002-08-06
JP3664061B2 (ja) 2005-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60020064D1 (de) Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement und diese verwendende Halbleiterschaltvorrichtung
FI19991946A (fi) Piiri puolijohdekytkinlaitteen estotilan saattamiseksi ylivirtatapauksessa
DE69739692D1 (de) Integrierte halbleiterschaltungsvorrichtung
DE69827863D1 (de) Integriertes Halbleiterschaltkreisbauelement
DE69913399D1 (de) Schaltvorrichtung
DE19983152T1 (de) Leistungstreibervorrichtung
DE60136415D1 (de) Leistungshalbleiter-Schaltelement
DE10081481D2 (de) Getriebevorrichtung mit Schalteinrichtung
HK1068723A1 (en) Operation circuit and power switching device employing the operation circuit
DE60031198D1 (de) D/A-Wandlerschaltung und Halbleiteranordnung
DE60021678D1 (de) Gesteuertes Schaltgerät
DK1142090T3 (da) Spændingsomskifterapparat
NL1013625A1 (nl) Laterale hoogspanning halfgeleiderinrichting.
DE59804748D1 (de) Schalteinrichtung
DE60045189D1 (de) Bereichsschaltvorrichtung
DE10082050D2 (de) Getriebevorrichtung mit Schalteinrichtung
DE69839358D1 (de) Schaltvorrichtung
DE60029554D1 (de) Halbleiterbauelement mit hochspannungselement
NO20020244D0 (no) Kortslutningsinnretning
DE60138678D1 (de) Integriertes gasioliertes Schaltgerät
DE69913400D1 (de) Schaltvorrichtung
NO20006028D0 (no) Spenningssvitsjeanordning
BR9801861A (pt) Dispositivo comutador
DE60033527D1 (de) Hocheffiziente treiberschaltung für einen halbleiterschalter
DE69531754D1 (de) Gate-Treiber-Schaltungsvorrichtung für ein spannungsgesteuertes Halbleiterelement

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition