DE506071C - Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter

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DE506071C
DE506071C DES82879D DES0082879D DE506071C DE 506071 C DE506071 C DE 506071C DE S82879 D DES82879 D DE S82879D DE S0082879 D DES0082879 D DE S0082879D DE 506071 C DE506071 C DE 506071C
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DE
Germany
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copper oxide
manufacture
oxide rectifiers
heating
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DES82879D
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Dr Emil Duhme
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydgleichrichter Platten für Kupferoxydgleichrichter werden in der Weise hergestellt, daß in irgendeiner Art eine Kupferoxydulschicht auf der Oberfläche der Platten hergestellt wird, beispielsweise dadurch, daß die Platten auf eine Temperatur in der Nähe des Schmelzpunktes des Kupfers in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erhitzt werden. Erfindungsgemäß werden diese Platten dadurch verbessert, daß sie nach Herstellung der Kupferoxydulschich t längere Zeit: auf eine Temperatur von etwa 3oo bis 5oo° erhitzt werden. Die Erhitzung kann entweder in sauerstoffhaltiger Atmosphäre (Luft) oder auch in einer sauerstofffreien Atmosphäre (z. B. Stickstoff) geschehen. Man erhält nach diesem Verfahren Platten, deren Vorwärtsstrom u. U. bedeutend höhere Werte aufweist, als die Platten vor der Behandlung ergaben, ohne daß der Rückwärtsstrom nennenswert gesteigert wird. Man kann daher auch von einem Kupfer ausgehen, das an und für sich geringere Werte ergibt; man ist also nicht in demselben Maße wie früher von der Qualität des Kupfers abhängig. Außerdem gestaltet sich das Verfahren sehr viel sicherer und einfacher, da die Vorgänge bei der langen Erhitzung bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen sehr viel leichter geregelt und überwacht werden können als bei kurzzeitiger Erhitzung. Mit fortschreitender Erhitzung nimmt bis zu einer gewissen Grenze der Vorwärtsstrom zu. Der Grad der Zunahme und die zweckmäßige Dauer der Erhitzung hängt ab von den Eigenschaften des Kupfers und der Kupferoxydulschicht und ferner von der Temperatur. In einem gegebenen Fall stieg beispielsweise der Vorwärtsstrom nach zweistündiger Erhitzung auf annähernd das Doppelte des ursprünglichen Wertes, nach 15- bis 2ostündiger Erhitzung war der Wert auf das annähernd 2ofache gestiegen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daßdie zunächst mit Kupferoxydul überzogenen Platten während mehrerer Stunden auf eine Temperatur von 3oo bis 5oo° erhitzt werden.
DES82879D 1927-11-27 1927-11-27 Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter Expired DE506071C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE755790C (de) * 1935-10-23 1953-06-01 Westinghouse Brake & Signal Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Gleichrichterplatten

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE755790C (de) * 1935-10-23 1953-06-01 Westinghouse Brake & Signal Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Gleichrichterplatten

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