DE487394C - Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Platten fuer Gleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Platten fuer Gleichrichter

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oxide plates
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Platten für Gleichrichter Oxydierte Kupferplatten, die für Gleichrichter verwendet werden sollen, zeigen nicht immer die gleichen guten Eigenschaften. Es treten beispielsweise Unterschiede auf, je nach der Geschwindigkeit, mit der die Temperatur von der Erhitzungstemperatur auf die gewöhnliche Temperatur herabgesetzt wird. Diese Unterschiede lassen sich bei der Fabrikation zum= Teil nur schwer vermeiden. Erfindungsgemäß wird nun die Qualität der Platten wesentlich verbessert und auch bei unvorsichtiger Abkühlung gleichmäßiger gestaltet dadurch, daß die Platten nach der Abkühlung für kurze Zeit einer relativ hohen Spannung ausgesetzt werden. Die Spannung kann beispielsweise etwa 2o Volt pro Platte betragen, so da.ß ein Stromstoß von zehn oder mehr Ampere pro qcm Plattenoberfläche auftreten kann. Zweckmäßig wird dafür eine Gleichspannung verwendet, die in solchem Sinne wirkt, daß keine Verriegelung eintritt. Es ist aber auch an sich zulässig, Wechselstrom zu verwenden.

Claims (1)

  1. PATEN TANSPRUCIi Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Platten für Gleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die oxydierten Platten kurze Zeit der Einwirkung einer relativ hohen Spannung (beispielsweise 15 bis 25 Volt pro Platte) ausgesetzt werden.
DES82384D 1927-10-25 1927-10-25 Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Platten fuer Gleichrichter Expired DE487394C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0190605A2 (de) * 1985-01-31 1986-08-13 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Änderung der lokalen, atomaren Zusammensetzung von Festkörpern, insbesondere Halbleitern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0190605A2 (de) * 1985-01-31 1986-08-13 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Änderung der lokalen, atomaren Zusammensetzung von Festkörpern, insbesondere Halbleitern
EP0190605A3 (de) * 1985-01-31 1989-07-12 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Änderung der lokalen, atomaren Zusammensetzung von Festkörpern, insbesondere Halbleitern

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