DE485103C - Verfahren zur Herstellung von UEberzuegen aus Beryllium auf Metallen oder Legierungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von UEberzuegen aus Beryllium auf Metallen oder Legierungen

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DE485103C
DE485103C DES75815D DES0075815D DE485103C DE 485103 C DE485103 C DE 485103C DE S75815 D DES75815 D DE S75815D DE S0075815 D DES0075815 D DE S0075815D DE 485103 C DE485103 C DE 485103C
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DE
Germany
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beryllium
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DES75815D
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English (en)
Inventor
Dr Hellmul Fischer
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Siemens and Halske AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/66Electroplating: Baths therefor from melts

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Überzügen aus Beryllitun auf 1Vletallen oder Legierungen Stock & G o 1 d s ch m i d t haben vorgeschlagen, Beryllium in kompakter Form durch Elektrolyse einer feuerflüssigen Schmelze abzuscheiden, die aus einem Gemisch von Alkali-, Erdalkali- und Berylliumhalogeniden gebildet ist. Die Temperatur soll dabei zwischen iaoo und 1300- C liegen.
  • Die Erfindung betrifft eine Weiterbildung des Verfahrens nach Stock Goldschmidt durch eine besondereTemperaturwahl, derart, daß die Erzielung von einwandfreien Berylliutnüberzügen durch Schmelzflußelektrolyse möglich ist.
  • Erfindungsgemäß verwendet man im wesentlichen die gleichen Schmelzen wie bei dem Verfahren von Stock& Goldschmidt uni führt außerdem die Elektrolyse bei einer Temperatur durch, die nahe unterhalb dem Schmelzpunkt des zu überziehenden Metallkörpers liegt. Dadurch erreicht man, daß das abgeschiedene $eryllium in den zu überziehenden Metallkörper hineindiffundiert und ein dichter, glatter und festhaftender Überzug aus einer Berylliumlegierung von hoher Härte entsteht. Das neue Zerfahren läßt sich auch zur Herstellung von reinen Bervlliumüberzügen verwenden. In diesem 1# alle wird die Temperatur der Schmelze während der Elektrolyse weit unterhalb des Schmelzpunktes des zu überziehenden Metallkörpers gehalten. Dabei entstehen dichte, glatte Überzüge aus reinem Beryllium, die fest an der Unterseite haften. Die Innehaltung der erwähnten Temperaturbedingung läßt sich beispielsweise durch entsprechende Fühlung des zu überziehenden Körpers erreichen. Bei niedriger schmelzenden Metallkörpern kann man für diesen Zweck Wasserkühlung verwenden, während bei höher schmelzenden Metallen oder Legierungen ein Anblasen durch einen kalten Luft- oder Gasstrom meist genügt. um die jeweils erforderliche Temperatur innezuhälten.
  • Es genügt im allgemeinen, die erwähnte Schmelzflußelektrolyse- nur während weniger Sekunden durchzuführen. Wünscht man einen stärkeren Berylliumüberzug zu erhalten, so kann man die Zeitdauer der Elektrolyse entsprechend verlängern, beispielsweise auf einige Minuten. An dem erhaltenen Uberzug haften zuweilen noch Teile der Salzschmelze bzw. eine leichte 0zydhaut an. Diese Verunreinigungen kann man durch Abschrecken oder auch auf mechanischem Wege durch vorsichtiges Abkratzen o. dgl. entfernen. Der sehr harte Bervlliumüberzug ist glatt und dicht und haftet sehr fest auf der metallischen I: nterlaze.
  • Die besten Ergebnisse wurden erzielt mit nicht zu niedrig schmelzenden Metallen, wie beispielsweise Aluminium, Kupfer, Eisen u. d--. Das erfindungsgemäße Verfahren ist indessen auch für zahlreiche andt:e -Metalle bzw. Metalllegierungen anwendbar. Je nach der Natur des zu überziehenden Grundmetalls kann man den Schmelzpunkt der zur Anwendung gelangenden Schmelze gegebenenfalls dadurch verändern, daß man der bzw. den BervIliumverbindungen ein oder mehrere Alkali- bzw. Erdalkalihalogenide zusetzt.
  • Als Ausführungsbeispiel der Erfindung sei die' Erzeugung eines Berylliumniederschlages auf einen Kupferkörper beschrieben. Man mischt für diesen Zweck beispielsweise Natriumfluorid und Berylliumfluorid im Verhältnis ihrer lsolekulargewichte und schmilzt das Gemisch in einem von außen geheizten Graphittiegel. Darauf bringt man den zu überziehenden Kupferkörper als Kathode in die feuerflüssige Schmelze ein und schaltet den Graphittiegel als Anode. Nach kurzer Zeit, beispielsweise einigen Sekunden, erhält man einen dichten und sehr festhaftenden Überzug aus metallischem Beryllium bzw. aus einer Kupferberylliumlegierung, den man durch vorsichtigesAbreiben oderAbkratzen von etwa anhaftenden Salzresten befreien kann.

Claims (1)

  1. PATLNTANSPRÜcIIR: x. Verfahren zur Herstellung von Berylliumüberzügen auf Metallen oder Legierungen durch Schmelzflußelektrolvse, dadurch gekennzeichnet, daß man im wesentlichen die gleichen Schmelzen wie bei dem Stock-GoldschmidtVerfahren anwendet und außerdem die Elektrolyse bei einer Temperatur durchführt, die nahe unterhalb des Schmelzpunktes des zu überziehenden Metallkörpers liegt, derart, daß das abgeschiedene Beryllium in den zu überziehenden Körper hineindiffundiert. a. Abänderung des Verfahrens nach Anspruch r zur Erzielung reiner Berylliumüberzüge, dadurch gekennzeichnet, daß die Schmelzflußelektrolyse bei einer weit unterhalb des Schmelzpunktes des zu überziehenden Metallkörpers liegenden Temperatur durchgeführt wird, derart, daß sich eine festhaftende Schicht aus reinem Beryllium auf dem Metallkörper abscheidet.
DES75815D 1926-08-20 1926-08-21 Verfahren zur Herstellung von UEberzuegen aus Beryllium auf Metallen oder Legierungen Expired DE485103C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1197178B (de) * 1958-10-24 1965-07-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Halbleiterkoerper

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1197178B (de) * 1958-10-24 1965-07-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Halbleiterkoerper

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