DE4442648C2 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Anti-Reflexionsschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Anti-ReflexionsschichtInfo
- Publication number
- DE4442648C2 DE4442648C2 DE4442648A DE4442648A DE4442648C2 DE 4442648 C2 DE4442648 C2 DE 4442648C2 DE 4442648 A DE4442648 A DE 4442648A DE 4442648 A DE4442648 A DE 4442648A DE 4442648 C2 DE4442648 C2 DE 4442648C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- reflection layer
- reflection
- resist layer
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/952—Utilizing antireflective layer
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Herstellung einer Halbleiter
vorrichtung, bei dem eine Anti-Reflexions-Schicht verwendet
wird, die eine Verbindung mit Metall-Silicium-Sauerstoff
enthält.
Bei einem Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
wird eine Verbindungsschicht auf einem Substrat ausgebildet,
und auf dieser Verbindungsschicht wird eine Resistschicht
(Schicht aus einem photoempfindlichem Lack o. ä.) ausge
bildet. Unter Verwendung einer vorbestimmten Lichtquelle zur Be
lichtung wird dann eine Belichtung eines vorbestimmten Musters
auf bzw. in der Resistschicht bewirkt. Danach wird zur Aus
bildung der Resistschicht mit dem vorbestimmten Muster eine
Entwicklung ausgeführt. Darüberhinaus wird unter Verwendung
dieser Resistschicht als Maske die Verbindungsschicht auf dem
Substrat geätzt.
Wenn die Belichtung des vorbestimmten Musters auf bzw. in der
Resistschicht bewirkt wird, wird jedoch die Gestalt des durch
die Belichtung der Resistschicht ausgebildeten Musters gegen
über einer gewünschten Gestalt abgeändert, falls es Niveau
unterschiede in der darunterliegenden Verbindungsschicht oder
ähnliches gibt, da das zur Belichtung verwendete Licht an dem
durch diese Niveaudifferenz an der Verbindungsschicht unter der
Resistschicht verursachten schrägen Abschnitt reflektiert
und/oder in die Resistschicht gestreut wird.
Wie in Fig. 17 gezeigt ist, ist eine Verbindungsschicht 101 auf
einem Substrat 100 ausgebildet. Auf dieser Verbindungsschicht 101
ist eine Resistschicht 102 ausgebildet. Wenn zur Belichtung ver
wendetes Licht 104 auf diese Resistschicht 102 gerichtet wird,
wird ein Bereich, der nicht für die Belichtung vorgesehen ist, an
einem schrägen Abschnitt (ein in der Figur durch den Kreis Y
gekennzeichneter Bereich) auf Grund der in der Verbindungsschicht
101 vorhandenen Niveaudifferenz der Belichtung ausgesetzt.
Wie in Fig. 18 gezeigt ist, wird die Resistschicht, falls dann
diese Resistschicht 102 entwickelt wird, nicht mit der ge
wünschten Gestalt ausgebildet. Das bedeutet, daß die Verbin
dungsschicht 101 unter Verwendung dieser Resistschicht nicht
so geätzt werden kann, daß sie eine vorbestimmte Gestalt erhält.
Ein Weg zur Lösung dieses Problems ist die Ausbildung einer
Anti-Reflexions-Schicht unter der Resistschicht zur Verhinderung
des Streuens des zur Belichtung verwendeten Lichts an dem
schrägen Abschnitt, der durch die Niveaudifferenz in der Ver
bindungsschicht verursacht wird.
Wie in Fig. 19 gezeigt ist, ist eine Verbindungsschicht 101 auf
einem Substrat 100 ausgebildet. Auf dieser Verbindungsschicht 101
ist eine Anti-Reflexions-Schicht 106 aus einem organischen
Material, daß das zur Belichtung verwendete Licht 104
absorbiert, ausgebildet. Eine Resistschicht 102 ist auf dieser
Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet.
Wenn diese Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet ist, wird das
zur Belichtung verwendete Licht 104 nicht gestreut, wie in Fig. 19
zu erkennen ist, selbst wenn das zur Belichtung verwendete
Licht 104 auf den Bereich des schrägen Abschnittes Y, der durch
die Niveaudifferenz verursacht wird, einfällt, und derart ist es
möglich, die Resistschicht 102 in einem vorbestimmten Muster zu
belichten. Danach wird, wie in Fig. 20 gezeigt ist, die Resist
schicht 102 entwickelt, so daß die Resistschicht 102 mit einem
vorbestimmten Muster erhalten werden dann.
Selbst bei dem oben beschriebenen Verfahren, bei dem die
Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet ist, wird jedoch die
Anti-Reflexions-Schicht 106, wenn das Ätzen der Resistschicht
102 ausgeführt wird, auch weggeätzt, wie in Fig. 20 gezeigt ist,
wodurch die Ausbildung eines unter- bzw. eingeschnittenen Ab
schnittes X verursacht wird, da die Resistschicht 102 und die
Anti-Reflexions-Schicht 106 beide aus einem organischem Material
ausgebildet sind. Die Ausbildung dieses unterschnittenen Ab
schnittes führt zur Ablösung bzw. zum Abschälen der Resist
schicht, wenn das Muster für die Halbleitervorrichtung kleiner
wird.
Außerdem gibt es ein Verfahren, bei dem amorphes Silizium, das
aus einem anorganischem Material besteht, anstelle der aus or
ganischem Material bestehenden Anti-Reflexions-Schicht 106
verwendet wird. Obwohl diese Anti-Reflexions-Schicht aus
amorphen Silizium die Streuung des zur Belichtung verwendeten
Lichtes reduzieren kann, wenn eine g-Linie mit einer Belichtungs
wellenlänge von 436 nm verwendet wird, kann sie jedoch die
Streuung des Belichungslichtes nicht ausreichend reduzieren,
wenn eine i-Linie mit einer Wellenlänge von 365 nm oder Licht
eines KrF-Excimer-Lasers mit einer Wellenlänge von 248 nm als
Licht zur Belichtung verwendet wird. Ein Verfahren zur Her
stellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer
Verbindung von Metall-Silizium-Nitrid als Anti-Reflexions-
Schicht ist in der japanischen Patentoffenlegungsschrift
JP 4-233719 A2 offenbart. Die Fig. 21 bis 24 sind Schnittan
sichten, die Schritte einer Herstellung einer Halbleitervor
richtung zeigen, wenn eine Schicht, die aus der Verbindung aus
Metall-Silizium-Nitrid besteht, als die oben beschriebene
Anti-Reflexions-Schicht verwendet wird.
Wie in Fig. 21 gezeigt ist, ist eine dielektrische Schicht 105
aus Siliziumoxynitrid auf einem Halbleitersubstrat 100 ausge
bildet. Eine Metallschicht 101 aus Aluminium ist auf dieser
dielektrischen Schicht 105 zum Bereitstellen eines Leitungs- bzw.
Verbindungsmusters ausgebildet. Auf dieser Metallschicht
101 ist eine Anti-Reflexions-Schicht 106 mit einer Verbindung
aus Metall-Silizium-Nitrid ausgebildet. Metalle wie Titan, Vana
dium, Chrom, Zirkon, Niob, Molybdän, Hafnium, Tantal oder Wolfram
können als das in dieser Anti-Reflexions-Schicht 106 ent
haltene Metall verwendet werden. Eine Resistschicht 102 ist auf
dieser Anti-Reflexions-Schicht 106 ausgebildet. Weiter ist eine
Photomaske 110 mit einem vorbestimmten Muster über dieser
Resistschicht 102 angeordnet bzw. positioniert. Danach wird
unter Verwendung dieser Photomaske 110 die Resistschicht 102 mit
zur Belichtung verwendetem Licht 104 bestrahlt, wodurch ein vor
bestimmtes Muster erhalten wird.
Wie in Fig. 22 gezeigt ist, wird die Resistschicht 102 zur Aus
bildung einer Öffnung 120 mit einem vorbestimmten Muster ent
wickelt. Dann werden, wie in Fig. 23 gezeigt ist, die Anti-
Reflexions-Schicht 106 und die Metallschicht 101 unter
Verwendung der Resistschicht 102 als Maske geätzt. Wie in Fig. 24
gezeigt ist, wird die Resistschicht 102 dann durch ein vor
bestimmtes Verfahren entfernt, wodurch die Ausbildung der
Metallschicht 101 mit einem Muster einer vorbestimmten Gestalt
ermöglicht wird.
Bei der oben beschriebenen Technik ist jedoch die Metallschicht
101 aus Aluminium ausgebildet, während das für die aus einer
Metall-Silizium-Nitrid-Schicht bestehende Anti-Reflexions-
Schicht verwendete Metall Titan, Vanadium, Chrom, Zirkon, Niob,
Molybdän, Hafnium, Tantal, Wolfram oder ähnliches sein kann.
Daher muß, obwohl die Metallschicht und die Anti-Reflexions-
Schicht unter Verwendung der selben Vorrichtung ausgebildet
werden können, das Target (für die Schichtausbildung) geändert
werden.
Daher erhöht sich die Anzahl der zur Herstellung der Halbleiter
vorrichtung notwendigen Schritte, wodurch die Verbesserung der
Produktivität für die Halbleitervorrichtung und eine Kostenredu
zierung behindert werden. Zusätzlich wird die Wellenlänge des
zur Belichtung verwendeten Lichts kürzer, wenn die Halbleiter
vorrichtung in einem höheren Grad integriert wird, wodurch
weiter eine Anti-Reflexions-Schicht benötigt wird, die die
Streuung des zur Belichtung verwendeten Lichtes verhindern kann.
Aus J. Vac. Sci. Technol. B 10(6), Nov./Dec. 1992, S. 2480-2485
ist ein Verfahren zur Ausbildung einer Anti-Reflexions-Schicht,
die eine MoSi-Schicht und eine darauf ausgebildete dünne MoSi-
Oxid-Schicht aufweist, bekannt. Die MoSi-Oxid-Schicht wird durch
Sputtern in einer Ar+O₂-Atmosphäre ausgebildet, wobei der O₂-
Partialdruck der Atmosphäre gesteuert wird.
Aus J. Electrochem. Soc. Vol. 136, No. 4, April 1989, S. 1181-1185
ist die Ausbildung einer Titanoxynitrid-Schicht als Anti-
Reflexions-Schicht über hoch reflektierenden Substraten aus Alu
minium oder Tantaldisilizid bekannt.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Effizienz eines
Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das
Schritte der Herstellung einer Anti-Reflexions-Schicht aufweist,
zu verbessern.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ange
geben.
Das Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung weist
die folgenden Schritte auf.
Zuerst wird eine Verbindungsschicht, die aus einem metallischem
Material ausgebildet ist, auf einem Substrat ausgebildet. Dann
wird eine Anti-Reflexions-Schicht, die eine Verbindung aus
Metall-Silizium-Sauerstoff aufweist, auf dieser Verbindungs
schicht unter Verwendung desselben metallischen Materials wie
das der Verbindungsschicht ausgebildet.
Danach wird eine Resistschicht mit einem Muster mit einer vor
bestimmten Gestalt auf dieser Anti-Reflexions-Schicht durch
Photolithographie ausgebildet. Dann wird entsprechend dem Muster
dieser Resistschicht ein Mustern der Verbindungsschicht und der
Anti-Reflexions-Schicht ausgeführt.
Bevorzugterweise ist die Anti-Reflexions-Schicht aus einer Ver
bindung ausgebildet, die zusätzlich Stickstoff enthält, d. h.
eine Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff-Stickstoff, d. h.
eine Verbindung die Metall, Silizium, Sauerstoff und Stickstoff
enthält.
Noch bevorzugter ist das metallische Material aus der Gruppe
ausgewählt, die Molybdän, Wolfram, Titan, Aluminium und
Kupfer enthält.
Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung der
Halbleitervorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung
kann die Anti-Reflexions-Schicht mit einer Vorrichtung aus
gebildet werden, die zur Ausbildung der Verbindungsschicht
verwendet wird, ohne daß deren Target ausgetauscht wird. Im
Ergebnis kann die Halbleitervorrichtung effizient herge
stellt werden. Außerdem können, da die Anti-Reflexions-Schicht
und die darunterliegende Verbindungsschicht aus einem Material
desselben Typs ausgebildet sind, die Verbindungsschicht und die
Anti-Reflexions-Schicht durch den selben Ätzschritt mit demselben
Ätzmittel gemustert werden.
Außerdem ist es, selbst wenn die Wellenlänge des zur Belichtung
verwendeten Lichts kürzer gemacht wird, möglich, eine Resist
schicht mit einem vorbestimmten Muster durch Verwendung einer
Anti-Reflexions-Schicht, die eine Verbindung aus Metall-
Silizium-Sauerstoff enthält, die einen ausreichenden Brechungs
index zur Verhinderung der Streuung des zur Belichtung
verwendeten Lichtes aufweist, auszubilden. Außerdem wird, wenn
eine Resistschicht aus einem organischem Material durch den Ätz
schritt gemustert wird, die Anti-Reflexions-Schicht durch das
Ätzmittel nicht weggeätzt, so daß kein unter- bzw. einge
schnittener Abschnitt wie bei dem Beispiel erzeugt wird. Darum
ist eine hochpräzise Musterung der Verbindungsschicht ohne
Ablösung oder Abschälen der Resistschicht möglich.
Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der
Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 bis 5 Schnittansichten, die einen ersten bis fünften
Schritt der Herstellung einer Halbleitervor
richtung nach einer ersten Ausführungsform der
Erfindung zeigen;
Fig. 6 einen Graphen, der die Beziehung zwischen einem
Partialdruck von Sauerstoff in Argongas und einem
komplexen Brechungsindex zeigt;
Fig. 7 einen Graphen, der das Reflexionsvermögen und den
komplexen Brechungsindex bei der ersten Aus
führungsform zeigt;
Fig. 8 einen Graphen, der die Beziehung zwischen einem
Partialdruck von Stickstoff in einem gemischten
Gas aus Argon und Sauerstoff und einem komplexen
Brechungsindex bei der ersten Ausführungsform
zeigt;
Fig. 9 bis 15 Schnittansichten, die einen ersten bis siebten
Schritt der Herstellung einer Halbleitervor
richtung nach einer zweiten Ausführungsform
zeigen;
Fig. 16 einen Graphen, der die Beziehung zwischen dem Reflexions
vermögen und dem komplexen Brechungsindex
bei der zweiten Ausführungsform zeigt;
Fig. 17 und 18 Schnittansichten, die einen ersten und zweiten
Schritt der Herstellung einer Halbleitervor
richtung eines ersten, bekannten Beispieles zeigen;
Fig. 19 und 20 Schnittansichten, die einen ersten und zweiten
Schritt der Herstellung einer Halbleitervorrich
tung eines zweiten, bekannten Beispieles zeigen; und
Fig. 21 bis 24 Schnittansichten, die einen ersten bis vierten
Schritt der Herstellung einer Halbleitervor
richtung eines dritten, bekannten Beispieles zeigen.
Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in
folgendem unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben.
Die Fig. 1 bis 5 sind Schnittansichten, die die Herstellungs
schritte für die Halbleitervorrichtung entsprechend einer ersten
Ausführungsform zeigen.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, wird eine Verbindungsschicht 4 durch
Ausbildung von z. B. MoSi mit einer Dicke von 200 nm
auf einem Substrat 2, das eine Niveaudifferenz an der Oberfläche
aufweist, ausgebildet. Dann wird wie in Fig. 2 gezeigt ist, eine
Anti-Reflexions-Schicht 6 durch Ausbildung einer MoSiO-Schicht
mit einer Dicke von 5 bis 100 nm auf dieser Ver
bindungsschicht 4 ausgebildet.
Diese Anti-Reflexions-Schicht 6 kann durch Sputtern (Zerstäubung),
CVD (Chemical Vapor Deposition = Chemische Dampfphasenabscheidung)
oder Dampfphasenabscheidung ausgebildet werden. Wenn Sputtern
verwendet wird, kann die Anti-Reflexions-Schicht 6 z. B. durch
Sputtern von MoSi mit Ar+O₂ ausgebildet werden. Durch
Einstellen des Verhältnisses von Ar und O₂ derart, daß zu
dieser Zeit 50-95% Ar und 5-50% O₂ vorhanden sind, kann der
komplexe Brechungsindex der Reflexions-Schicht 6 auf einen ent
sprechenden bzw. passenden Wert eingestellt werden.
Fig. 6 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Partial
druck von Sauerstoff in Argongas und den Werten n, k des
komplexen Brechungsindexes (n - i × k) der Anti-Reflexions-
Schicht 6 zeigt. Aus diesem Graph ist zu entnehmen, daß durch
Einstellen des Partialdruckes von Sauerstoff in Argongas auf
5 bis 50% der Bereich der Werte n, k des komplexen Brechungs
indexes (n - i × k) der Anti-Reflexions-Schicht 6 so einge
stellt werden kann, daß n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2,0 ist.
Die Werte n, k des komplexen Brechungsindexes (n - i × k) werden
auf n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2 eingestellt, da das Reflexions
vermögen an der Grenzfläche zwischen der Resistschicht und der Anti-
Reflexions-Schicht von dem komplexen Brechungsindex (n - i × k)
abhängt. Falls n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2 beträgt, ist es möglich, das Reflexionsvermögen
der Anti-Reflexionsschicht 6 auf 20% oder
niedriger zu drücken. Darüber hinaus ist es durch Hinzufügen von
ungefähr 0 bis ungefähr 50% N₂ zu dem Sputtergas möglich, nur
den Wert von k unabhängig zu ändern, so daß die Anti-Reflexions-
Schicht 6 mit optimalen Werten n, k ausgebildet werden kann
(Fig. 8).
Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird eine Resistschicht 8 auf der
Anti-Reflexions-Schicht 6 durch Schleuderbeschichtung ausge
bildet. Danach wird, wie in Fig. 4 gezeigt ist, zur Belichtung
verwendetes Licht auf einem vorbestimmten Abschnitt der
Resistschicht gerichtet. Dann wird durch Entwicklung eine
Resistschicht 8 mit dem vorbestimmten Muster ausgebildet. Zu
dieser Zeit wird das zur Belichtung verwendete Licht nicht ge
streut, da die oben beschriebene Anti-Reflexions-Schicht 6 vor
gesehen ist. Darum kann die Resistschicht mit einer vorbe
stimmten Gestalt ausgebildet werden.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, werden die Anti-Reflexions-Schicht 6
und die Verbindungsschicht (die zur Ausbildung von Verbindungen
vorgesehene Schicht) 4 unter Verwendung der Resistschicht 8 als
Maske gemustert. Für diese Musterung wird Trockenätzen einge
setzt. Dieses Trockenätzen macht es möglich, die Anti-Reflexions-
Schicht 6, die aus der MoSiO-Schicht ausgebildet ist, und die
Verbindungsschicht 4, die aus der MoSi-Schicht ausgebildet ist,
gleichzeitig durch Cl₂+BCl₃-Gas oder ähnliches zu ätzen. Die
Resistschicht 8 wird dann durch Einäschern entfernt.
Obwohl es notwendig ist, die Anti-Reflexions-Schicht 6, die auf
der Verbindungsschicht 4 verblieben ist, zu entfernen, kann sie
ebenfalls durch das Trockenätzen oder ähnliches entfernt werden,
da das sie bildende Metall von demselben Typ wie das die Ver
bindungsschicht 4 bildende Metall ist. Wie oben dagelegt ist,
ist es möglich, die Verbindungsschicht 4 und die Anti-
Reflexions-Schicht 6 mit der selben Vorrichtung zur Ausbildung
einer Schicht ohne Änderung des Targets auszubilden, indem die
Verbindungsschicht 4 und die Anti-Reflexions-Schicht 6 so aus
gebildet werden, daß sie Metalle desselben Typs enthalten.
Zusätzlich kann bei dem Schritt des Musterns der Verbindungs
schicht 4 und der Anti-Reflexions-Schicht 6 die Musterung unter
Verwendung desselben Ätzmittels ausgeführt werden.
Obwohl Mo als das metallische Material für die Verbindungs
schicht und die Anti-Reflexions-Schicht in der oben beschrie
benen ersten Ausführungsform verwendet worden ist, ist diese An
gabe nicht begrenzend. Zum Beispiel kann ein Material, das aus der
Gruppe, die aus W, Ti, Al und Cu besteht, ausgewählt wird, auch zum
Erhalten derselben Wirkung verwendet werden. Darüber hinaus kann
dieselbe Wirkung auch durch Ausbildung der Resistschicht 8 auf
der Anti-Reflexions-Schicht 6, nachdem die SiO₂-Schicht durch
CVD ausgebildet worden ist, erhalten werden.
Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird
unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben. Die Fig. 9 bis 15
sind Schnittansichten, die Schritte der Herstellung einer Halb
leitervorrichtung entsprechend der zweiten Ausführungsform
zeigen.
Wie in Fig. 9 gezeigt ist, wird eine Verbindungsschicht 4 auf
einem Substrat 2 durch Abscheiden von WSi mit 200 nm
Dicke ausgebildet. Dann wird eine SiO₂-Schicht auf dieser
Verbindungsschicht 4 bis zu einer Dicke von 100 nm
durch CVD abgeschieden, wodurch eine Isolierschicht 12 aus
gebildet wird. Wie in Fig. 10 gezeigt ist, wird eine Anti-
Reflexions-Schicht 6 dann auf der Isolierschicht 12 durch Ab
scheiden einer WSiO-Schicht mit einer Dicke von ungefähr 5
bis ungefähr 100 nm durch Sputtern in einer zu der ersten
Ausführungsform vergleichbaren Art und Weise ausgebildet.
Wie in Fig. 11 gezeigt ist, wird eine Resistschicht 8 auf der
Anti-Reflexions-Schicht 6 durch Schleuderbeschichtung ausge
bildet. Durch Photolithographie wird zur Belichtung ver
wendetes Licht auf diese Resistschicht gerichtet. Wie in Fig. 12
gezeigt ist, wird dann die Resistschicht entwickelt, wodurch ein
vorbestimmtes Resistmuster (Muster aus einem entwickelten
belichteten photoempfindlichem Lack) ausgebildet wird. Dabei
verhindert die Anti-Reflexions-Schicht 6, selbst wenn eine
Neigung oder Schräge durch eine Niveaudifferenz an der Ober
fläche des Substrates 2 verursacht wird, die Streuung des zur
Belichtung verwendeten Lichtes, so daß es möglich ist, die
Resistschicht 8 in eine vorbestimmte Gestalt zu mustern.
Wie in Fig. 13 gezeigt ist, wird die Anti-Reflexions-Schicht 6
einem Trockenätzen unter Verwendung der Resistschicht 8 als
Maske unterworfen. Bei diesem Ätzen wird Cl₂+BCl₃-Gas oder
ähnliches als Ätzgas verwendet. Weiter wird unter Verwendung
der Resistschicht 8 und der Anti-Reflexions-Schicht 6 als Maske
die Isolierschicht 12 geätzt. Das Ätzgas für dieses Ätzen ist
CHF₃+O₂.
Wie in Fig. 14 gezeigt ist, wird die Resistschicht 8 dann durch
Einäschern entfernt. Danach wird, wie in Fig. 15 gezeigt ist,
die Isolierschicht 12 als Maske zum Ätzen der Verbindungsschicht
4 verwendet, so daß diese ein vorbestimmtes Muster aufweisen
wird, wobei dasselbe Ätzmittel wie das zum Ätzen der Anti-
Reflexions-Schicht 6 verwendete Ätzmittel verwendet wird, d. h.
Cl₂+BCl₃. Da die oben erwähnte Anti-Reflexions-Schicht 6 zu
dieser Zeit gleichzeitig durch das Ätzgas Cl₂+BCl₃ entfernt
wird, ist es nicht notwendig den Schritt zum Entfernen der Anti-
Reflexions-Schicht 6 gesondert vorzusehen.
Wie oben dargelegt worden ist, können die Verbindungsschicht 4
und die Anti-Reflexions-Schicht 6 auch bei dieser zweiten Aus
führungsform durch dieselbe Vorrichtung und mit demselben Target
ausgebildet werden. Zusätzlich kann das Mustern der Verbin
dungsschicht 4 unter Verwendung desselben Ätzgases ausgeführt
werden. Weiter ist es, wenn die Verbindungsschicht 4 gemustert
wird, möglich, die Anti-Reflexions-Schicht zur selben Zeit zu
entfernen.
Obwohl W bei der obigen Ausführungsform als das in der Ver
bindungsschicht und der Anti-Reflexions-Schicht enthaltene
metallische Material verwendet worden ist, ist diese Angabe
nicht begrenzend. Mo, Ti, Al oder Cu können auch zu derselben
Wirkung führen. Darüber hinaus machen es die Werte n, k des
komplexen Brechungsindex (n - i × k) für die WSiO-Schicht, die in
der obigen zweiten Ausführungsform als die Anti-Reflexions-
Schicht verwendet wird, möglich, das Reflexionsvermögen auf 20% oder
weniger zu drücken, falls n = 0,8 bis 4,5 und k = 0 bis 2,0 ist,
wie in Fig. 16 gezeigt ist.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit den
Schritten:
Ausbilden einer Verbindungsschicht (4), die ein metallisches Material aufweist oder aus diesem besteht, auf einem Substrat (2), Ausbilden einer Anti-Reflexions-Schicht (6), die eine Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff enthält, auf der Verbindungs schicht (4) unter Verwendung desselben metallischen Materials wie das für die Verbindungsschicht (4) verwendete Material, Ausbilden einer Resistschicht (8) mit einem Muster einer vorbe stimmten Gestalt auf der Anti-Reflexions-Schicht (6) durch Photolithographie, und
Mustern der Verbindungsschicht (4) und der Anti-Reflexions- Schicht (6) entsprechend des Musters der Resistschicht (8).
Ausbilden einer Verbindungsschicht (4), die ein metallisches Material aufweist oder aus diesem besteht, auf einem Substrat (2), Ausbilden einer Anti-Reflexions-Schicht (6), die eine Verbindung mit Metall-Silizium-Sauerstoff enthält, auf der Verbindungs schicht (4) unter Verwendung desselben metallischen Materials wie das für die Verbindungsschicht (4) verwendete Material, Ausbilden einer Resistschicht (8) mit einem Muster einer vorbe stimmten Gestalt auf der Anti-Reflexions-Schicht (6) durch Photolithographie, und
Mustern der Verbindungsschicht (4) und der Anti-Reflexions- Schicht (6) entsprechend des Musters der Resistschicht (8).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
das die Anti-Reflexions-Schicht (6) aus einer Verbindung mit
Metall-Silizium-Sauerstoff-Stickstoff ausgebildet ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das metallische Material aus der Gruppe ausgewählt ist, die
aus Molybdän, Wolfram, Titan, Aluminium und Kupfer besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5337105A JPH07201700A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4442648A1 DE4442648A1 (de) | 1995-06-29 |
DE4442648C2 true DE4442648C2 (de) | 1996-08-22 |
Family
ID=18305487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4442648A Expired - Fee Related DE4442648C2 (de) | 1993-12-28 | 1994-11-30 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Anti-Reflexionsschicht |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5595938A (de) |
JP (1) | JPH07201700A (de) |
DE (1) | DE4442648C2 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2791525B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1998-08-27 | 三菱電機株式会社 | 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜 |
US6699530B2 (en) * | 1995-07-06 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method for constructing a film on a semiconductor wafer |
US5918147A (en) * | 1995-03-29 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device with an antireflective layer |
US5841179A (en) * | 1996-08-28 | 1998-11-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Conductive layer with anti-reflective surface portion |
US6090674A (en) * | 1998-11-09 | 2000-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming a hole in the sub quarter micron range |
JP2002189304A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
US7504008B2 (en) * | 2004-03-12 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of sputtering targets |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070125646A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
US8968536B2 (en) * | 2007-06-18 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target having increased life and sputtering uniformity |
US7901552B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with grooves and intersecting channels |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4557797A (en) * | 1984-06-01 | 1985-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Resist process using anti-reflective coating |
JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
JPH061366B2 (ja) * | 1987-02-19 | 1994-01-05 | 三菱電機株式会社 | フオトマスク材料 |
JP2590133B2 (ja) * | 1987-09-10 | 1997-03-12 | 日本板硝子株式会社 | 導電性反射防止膜を有する透明板 |
JPH0734109B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1995-04-12 | 三菱電機株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
JP2732903B2 (ja) * | 1989-08-12 | 1998-03-30 | 宮城沖電気株式会社 | 半導体集積回路装置の電極配線の製造方法 |
US5106786A (en) * | 1989-10-23 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Thin coatings for use in semiconductor integrated circuits and processes as antireflection coatings consisting of tungsten silicide |
JP3072114B2 (ja) * | 1990-05-30 | 2000-07-31 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
JPH0775221B2 (ja) * | 1990-08-06 | 1995-08-09 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 半導体集積回路の製造方法 |
JP3037763B2 (ja) * | 1991-01-31 | 2000-05-08 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
JP2811124B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1998-10-15 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法 |
JP2791525B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1998-08-27 | 三菱電機株式会社 | 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜 |
JPH05341385A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | レンズシート |
JPH06232273A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Sony Corp | アルミニウム配線形成方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5337105A patent/JPH07201700A/ja active Pending
-
1994
- 1994-11-22 US US08/345,734 patent/US5595938A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-30 DE DE4442648A patent/DE4442648C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5595938A (en) | 1997-01-21 |
JPH07201700A (ja) | 1995-08-04 |
DE4442648A1 (de) | 1995-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112004000591B4 (de) | Herstellungsverfahren für Photomaske | |
DE10164189B4 (de) | Halbton-Phasenverschiebungsmaske und -maskenrohling | |
DE60104766T2 (de) | Halbton-Phasenschiebermaske sowie Maskenrohling | |
DE10307518B4 (de) | Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE19958904C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Hartmaske auf einem Substrat | |
EP0012859B1 (de) | Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf ein Substrat | |
DE112005001588B4 (de) | Fotomaskenrohling, Fotomaskenherstellungsverfahren und Halbleiterbausteinherstellungsverfahren | |
DE4320033B4 (de) | Verfahren zur Bildung eines Metallmusters bei der Herstellung einer Halbleitereinrichtung | |
DE4442648C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Anti-Reflexionsschicht | |
DE4236609A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung einer Struktur in der Oberfläche eines Substrats | |
EP0662243A1 (de) | Antireflexschicht und verfahren zur lithografischen strukturierung einer schicht | |
DE4138842A1 (de) | Gateelektrode einer halbleitervorrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
DE112006003495B4 (de) | Maskenrohling und Maske | |
DE4102422A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer in mehreren ebenen angeordneten leiterstruktur einer halbleitervorrichtung | |
DE4413821A1 (de) | Phasenschiebemaske und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102004064328B3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Substraten für Fotomaskenrohlinge | |
DE102008046985B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Maske | |
DE4138999A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE3428565A1 (de) | Antireflexionsueberzug fuer optische lithographie | |
DE60014842T2 (de) | Rohling für gedämpfte Phasenschiebermaske sowie entsprechende Maske | |
DE19709246B4 (de) | Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE102020102450B4 (de) | EUV-Fotomasken und Herstellungsverfahren von diesen | |
DE60007208T2 (de) | Reflexionsvermindernde Schicht zur Kontrolle von kritischen Dimensionen | |
DE19508749C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske | |
DE19838847B4 (de) | Verfahren zum Vermindern der Intensität von während des Prozesses der Photolithographie auftretenden reflektierten Strahlen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |