DE4442293A1 - Trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung wasserlos druckender Offsetplatten - Google Patents
Trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung wasserlos druckender OffsetplattenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Polysiloxane, ein
trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial mit einem
Träger und einer strahlungsempfindlichen Silikonschicht
sowie ein Verfahren zur Herstellung wasserlos druckender
Offsetplatten.
Wasserlos druckende Offsetplatten sind ebenso bekannt
wie Verfahren zu ihrer Herstellung, in denen kein flüs
siger Entwickler benötigt wird. In der DE-A 37 04 394 (=
US-A 4 755 445) ist ein Aufzeichnungsmaterial und in der
DE-A 36 05 120 das entsprechende Herstellungsverfahren
beschrieben. Das Aufzeichnungsmaterial umfaßt einen Trä
ger, eine Schicht aus Mikrokapseln, die eine photopoly
merisierbare Verbindung enthalten, und eine darüber be
findliche Silikongummischicht. Beim bildmäßigen Bestrah
len härtet der Inhalt der Mikrokapseln in den von der
Strahlung getroffenen Bereichen aus. Die Mikrokapseln in
den nichtbestrahlten Bereichen lassen sich durch mecha
nischen Druck aufbrechen. Dadurch wird ihr Inhalt frei
gesetzt und dringt in die Silikongummischicht ein. Nach
einer anschließenden vollflächigen Bestrahlung ist die
aus den Mikrokapseln stammende Verbindung in der Sili
kongummischicht polymerisiert. Die auf diese Weise ver
änderten Bereiche der Silikongummischicht ergeben ein
lipophiles, Druckfarbe annehmendes Bild.
In der DE-A 25 23 758 (= GB-A 1 471 083) ist ein Verfah
ren zur Herstellung einer wasserlos druckenden Offset
platte beschrieben, bei dem eine auf einen Träger aufge
brachte Schicht aus einem speziellen Silikon bildmäßig
betonert wird. Durch Erhitzen wird die Silikonschicht
vollständig ausgehärtet. Gleichzeitig werden die Toner
partikel mit der Silikonschicht verschmolzen. Die beto
nerten Bereiche sind anschließend farbannehmend, während
die tonerfreien Bereiche die Druckfarbe abstoßen.
In dem Verfahren zur Herstellung einer wasserlos druckenden
Offsetplatte gemäß der DE-A 24 56 539 (US-A
3 951 060) wird ebenfalls eine spezielle Silikonschicht
verwendet. Diese wird bildmäßig betonert und dann er
hitzt. Dabei zersetzt sich das Silikon in den betonerten
Bereichen. Nach dem Entfernen der Tonerpartikel und der
zersetzten Bestandteile der Silikonschicht sind allein
diese Bereiche farbannehmend, die übrigen Schichtberei
che nicht.
Ein ähnlicher Weg wurde in der DE-A 24 12 595 (US-A
4 019 437) eingeschlagen, wo durch bildmäßig aufge
brachte Tonerpartikel, die man später wieder entfernt,
Vertiefungen in einer Silikonschicht erzeugt werden. Nur
die Bereiche der Schicht, die diese Vertiefungen aufwei
sen, nehmen die Druckfarbe an.
Der wesentliche Nachteil all dieser Verfahren ist, daß
sie zur Herstellung der Druckform mehrere Schritte er
fordern und damit sehr aufwendig sind.
Ein mehrschichtiges Aufzeichnungsmaterial zur Herstel
lung von wasserlos druckenden Flachdruckplatten ist in
der DE-A 24 49 172 (= GB-A 1 454 017) beschrieben. Es
umfaßt auf einem (Aluminium-)Trägermaterial eine Sili
kongrundierung, eine Silikonkautschukschicht und eine
weitere Schicht, die eine photopolymerisierbare Verbin
dung und einen Photoinitiator enthält. Auf die oberste
Schicht ist eine Polymerfolie, beispielsweise eine
Polypropylenfolie, laminiert. Zur Herstellung der
Druckplatte wird das Aufzeichnungsmaterial bildmäßig be
strahlt. Durch die dadurch induzierte Polymerisation
haften die bestrahlten Bereiche der weiteren Schicht
fest an der darunterliegenden Silikonkautschukschicht.
Die nicht bestrahlten und dementsprechend nicht polyme
risierten Bereiche der Schicht lassen sich zusammen mit
der Polymer-Deckfolie abziehen.
Ein "peel-apart"-Verfahren zur Herstellung von wasserlos
druckenden Offsetplatten ist auch in der DE-A 28 02 085
(GB-A 1 588 063) beschrieben. Als Ausgangsmaterial dient
hier jedoch ein Aufzeichnungsmaterial mit einem Träger,
einer Schicht aus einem photohärtbaren Organopolysiloxan
und einer transparenten Deckfolie. Nach dem bildmäßigen
Bestrahlen haften die bestrahlten und damit gehärteten
Bereiche der Organopolysiloxanschicht am Träger, während
die nicht-bestrahlten Bereiche an der Deckfolie - bei
spielsweise einer Polypropylenfolie - haften und zusam
men mit ihr abgezogen werden können. Der wesentliche
Nachteil bei den Peel-apart-Verfahren ist, daß dafür
Aufzeichnungsmaterialien mit einem mehrschichtigen Auf
bau notwendig sind. Zudem bleibt dabei stets eine Folie
mit anhaftenden Schichtresten zurück.
Es bestand daher die Aufgabe, ein Aufzeichnungsmaterial
für die Herstellung von wasserlos druckenden Flachdruck
platten zur Verfügung zu stellen, das möglichst einfach
im Aufbau ist und nach dem bildmäßigen Bestrahlen auf
einfache Weise entwickelt werden kann. Bei der Entwick
lung sollen möglichst keine flüssigen oder festen Ab
fallprodukte entstehen.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein trocken entwickelbares
Aufzeichnungsmaterial mit einem Träger und einer strah
lungsempfindlichen Silikonschicht, das dadurch gekenn
zeichnet ist, daß die Silikonschicht mindestens
- - eine Verbindung, die unter der Einwirkung aktini scher Strahlung eine Säure hervorbringt, und
- - ein Polydiorganosiloxan, das mindestens 15 mol-% an Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten
enthält.
Vorzugsweise enthält die Silikonschicht noch mindestens
einen vernetzbaren Silikonkautschuk.
Unter Polydiorganosiloxanen sind hier kettenförmige
Polymere zu verstehen, in denen organische Reste direkt
oder über Sauerstoffatome an die Siliciumatome gebunden
sind.
Die Polydiorganosiloxane mit den Di-tert.-butoxy-sila
nyloxy-Einheiten können Homo- oder Copolymere sein. Die
Homopolymere sind bereits bekannt (Sakata et al., J.
Photopolym. Sci. Technol. 5 [1993] 181-190). Sie las
sen sich beispielsweise aus Diacetoxy-di-tert.-butoxy
silan herstellen. Solche Homopolymere wurden bisher nur
in der Mikrolithographie (Chem. Abstr. 119 [1993] Ab
stract No. 170341) verwendet. Ihre Verwendung in wasser
los druckenden Offsetplatten ist dagegen neu und Teil
der vorliegenden Erfindung.
Die Copolymere sind neu und ebenfalls Teil der vorlie
genden Anmeldung. Sie enthalten mindestens 15 mol-%, be
vorzugt 25 bis 95 mol-%, besonders bevorzugt 25 bis 90
mol-%, an Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten. Daneben
enthalten sie bis zu 85 mol-%, bevorzugt 5 bis 75 mol-%,
besonders bevorzugt 10 bis 75 mol-%, an weiteren Sila
nyloxy-Einheiten, die anstelle der Butoxygruppen Wasser
stoffatome oder gegebenenfalls substituierte Kohlenwas
serstoffreste enthalten. Dies sind insbesondere solche
Silanyloxy-Einheiten, in denen Wasserstoff, (C₁-C₁₂)-
Alkyl-, (C₁-C₁₂)Halogenalkyl-, (C₁-C₁₂)Alkenyl- oder
Phenylreste an die Siliciumatome gebunden sind. Die Al
kenylreste sind bevorzugt Vinyl-, Propenyl- oder Allyl
reste. Die Phenylgruppen können substituiert sein, vor
allem mit Halogenatomen. Besonders geeignet sind Copoly
mere, die neben den Einheiten mit tert.-Butoxy-Substi
tuenten nur noch Einheiten mit (C₁-C₁₂)Alkylresten tra
gen. Die (C₁-C₁₂)Alkylreste sind bevorzugt (C₁-C₄)-
Alkylreste, insbesondere Methylreste. Das mittlere
Molekulargewicht Mw der Homo- und Copolymere beträgt
allgemein mindestens 1.000, bevorzugt 1.000 bis 50.000,
besonders bevorzugt 2.000 bis 20.000.
Durch das Herstellungsverfahren bedingt, tragen die
Polydiorganosiloxane, die Di-tert.-butoxy-silanyloxy-
Einheiten enthalten, an den Kettenenden OH-Gruppen. In
einem weiteren Verfahrensschritt können diese OH-Gruppen
jedoch mit Chlorsilanen oder anderen reaktiven Silanen
umgesetzt werden, um spezifische Endgruppen an die Poly
siloxane anzufügen. Im einfachsten Fall wird dazu mit
Trimethyl-chlorsilan umgesetzt. Die so hergestellten
Polymere tragen dann Trimethylsilyl-Endgruppen. Ebenso
lassen sich auch andere funktionelle Chlorsilane verwen
den, z. B. Dimethyl-vinyl-chlorsilan, Phenyl-methyl
chlorsilan [C₆H₅-SiHCl(CH₃)], Di-tert.-butyl-chlorsilan
([(CH₃)₃C]₂SiHCl), (2-Chlor-ethyl)-dimethyl-chlorsilan
oder Triethoxychlorsilan [(C₂H₅O)₃SiCl]. Die so modifi
zierten Polysiloxane tragen an den Endgruppen entspre
chend Wasserstoff, Vinyl-, Chloralkyl-, Alkoxy- oder an
dere der genannten Reste.
Die Silikonschicht des erfindungsgemäßen Aufzeichnungs
materials enthält bis zu 85 Gew.-%, bevorzugt 20 bis 75
Gew.-%, des vernetzbaren Silikonkautschuks, der in
Gegenwart eines Katalysators bei erhöhter Temperatur zu
einem Silikongummi härtbar ist. Der Silikonkautschuk
kann durch die in der Silikonchemie üblichen Kondensa
tions- oder Additionsreaktionen gehärtet werden.
Hochmolekulare, kettenförmige oder verzweigte Polydi
organosiloxane werden allgemein als Silikonkautschuk
(silicone gum) bezeichnet, während die gehärtete (ver
netzte) Form als Silikongummi (silicone rubber) bezeich
net wird.
Bevorzugt sind mindestens 80 mol-% der Polymereinheiten
des vernetzbaren Silikonkautschuks Dimethylsilanyloxy-
Einheiten [-Si(CH₃)₂-O-]. In den übrigen Silanyloxy-Ein
heiten können beispielsweise Wasserstoff, (C₁-C₁₂)-
Alkyl-, (C₁-C₁₂)Alkenyl-, (C₁-C₁₂)Halogenalkyl- oder
Phenylreste an die Siliciumatome gebunden sein. Die Phe
nylreste können ihrerseits substituiert sein, bevorzugt
mit Halogenatomen.
Kondensationshärtenden Silikonkautschuken werden übli
cherweise ein Vernetzer und ein Katalysator zugesetzt.
Solche Vernetzer sind beispielsweise Alkyl-trialkoxysi
lane oder Alkyl-triacetoxysilane, wie Octyl-trimethoxy
silan, (3-Amino-propyl)-trimethoxysilan oder Ethyl-tri
acetoxysilan. Die Kondensationsvernetzung läßt sich
durch Katalysatoren, insbesondere Organozinnverbindun
gen, wie Dibutylzinndilaurat oder Zinnoctoat, beschleu
nigen.
Additionsvernetzende Systeme bestehen in der Regel aus
Polysiloxan-Gemischen, die sowohl Si-H als auch Si-Al
kenyl-Reste, bevorzugt Si-Vinylreste, entlang der Poly
merketten tragen. Die Additionsvernetzung läßt sich be
sonders gut durch Platinverbindungen katalysieren.
Der höheren mechanischen Stabilität wegen sind Schichten
mit vernetzten Silikonen bevorzugt. Über geeignete Sub
stituenten an den Kettenenden können gegebenenfalls auch
die Polydiorganosiloxane, die Di-tert.-butyl-silanyloxy-
Einheiten enthalten, in die Kondensations- oder Addi
tionsreaktion eingehen.
Der vernetzbare Silikonkautschuk ist insbesondere dann
entbehrlich, wenn ein Polydiorganosiloxan-Copolymer mit
15 bis 50 mol-% an Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten
und 85 bis 50 mol-% an den oben genannten anderen
Silanyloxy-Einheiten gewählt wird. Bevorzugt sind hier
Copolymere mit 20 bis 45 mol-% an Di-tert.-butoxy
silanyloxy-Einheiten.
Die Endgruppen der Copolymere sind frei wählbar. Um der
Schicht eine ausreichende, mechanische Stabilität zu
verleihen, werden jedoch bevorzugt Copolymere verwendet,
die an den Endgruppen Reste tragen, die durch eine Kon
densations- oder Additionsreaktion miteinander oder mit
Vernetzern reagieren. Dabei erfolgt eine Molekular
gewichtserhöhung und gegebenenfalls eine Vernetzung der
Schicht. Solche Reste sind insbesondere OH-Gruppen, de
ren Ether und Ester, aber auch Wasserstoff- und Vinyl-
Substituenten. Um die Kondensations- beziehungsweise
Additionsreaktion zu unterstützen, können dem Gemisch
die bereits oben erwähnten Vernetzer und Vernetzungs
katalysatoren zugegeben werden.
Die Verbindung, die unter der Einwirkung aktinischer
Strahlung eine (Brönstedt-)Säure bildet, kann aus ver
schiedenen Verbindungsklassen stammen. Vorzugsweise wer
den α-Arylsulfonyloxymethyl-benzoine, α-Alkylsulfonyl
oxymethyl-benzoine, N-Arylsulfonyloxy-pyridin-2-one, N-
Alkylsulfonyloxy-pyridin-2-one, Ester aus Aren- oder Al
kansulfonsäuren und Hydroxyaromaten, Trihalogenmethyl-s
triazine, Triarylsulfoniumsalze und Diaryliodoniumsalze
eingesetzt, speziell Trihalogenmethyl-s-triazine wie 2-
(4-Styryl-phenyl)-4,6-bis-trichlormethyl-[1,3,5]triazin.
Der Anteil der säurebildenden Verbindung(en) beträgt
allgemein 0,5 bis 15 Gew.-%, bevorzugt 1 bis 10 Gew.-%,
jeweils bezogen auf das Gesamtgewicht der nicht-flüchti
gen Bestandteile der Silikonschicht.
Die säurebildende Verbindung, die idealerweise nur bei
Bestrahlung Säure bildet, setzt in der Praxis oft auch
beim Erwärmen eine geringe Menge an Säure frei. Dies
kann zu einer schlechteren Bilddifferenzierung führen.
Deshalb enthält die strahlungsempfindliche Schicht in
einer bevorzugten Ausführungsform noch eine basische
Verbindung, die diese unerwünschten Säurespuren abfängt.
Der Anteil der basischen Verbindung soll dabei gerade so
groß sein, daß Spuren von Säure neutralisiert werden
können. Die Menge der durch Bestrahlung freigesetzten
Säure soll dadurch nur unwesentlich vermindert werden.
Darüber hinaus kann die strahlungsempfindliche Schicht
Farbstoffe oder Pigmente enthalten. Diese können als
Indikatoren wirken, die unter der Einwirkung von Strah
lung oder Säure ihre Farbe ändern, oder als Sensibilisa
toren, die die spektrale Empfindlichkeit der säurebil
denden Verbindung verschieben. Schließlich kann die
Schicht noch mechanisch verstärkend wirkende Füllstoffe,
wie hochdisperse Kieselsäure, oder andere Polymere, die
mit den übrigen Bestandteilen der Schicht mischbar sind,
enthalten.
Zur Beschichtung eines Substrats wird allgemein eine Lö
sung der obengenannten Bestandteile in einem organischen
Lösemittel verwendet. Das Lösemittel ist beispielsweise
ein aromatischer oder aliphatischer Kohlenwasserstoff,
ein Halogenkohlenwasserstoff, ein Ester, ein Keton oder
ein Aldehyd. Bevorzugte Lösemittel sind Toluol, Hexan,
Heptan, Butanon und Methylisobutylketon.
Der Anteil des Lösemittels an der Beschichtungslösung
richtet sich nach dem Beschichtungsverfahren, dem ange
strebten Schichtgewicht und dem Molekulargewicht der
einzelnen Komponenten. In dem erfindungsgemäßen Auf
zeichnungsmaterial beträgt das Schichtgewicht allgemein
0,5 bis 20 g/m², bevorzugt 1 bis 10 g/m².
Der Träger (= Substrat) ist allgemein flächenförmig und
besteht aus Metall, Kunststoff oder gegebenenfalls be
schichtetem Papier. Das Metall ist gewöhnlich Kupfer,
Aluminium, Eisen oder Zink. Aluminium ist besonders be
vorzugt. Der Träger kann mit einem Haftvermittler vorbe
handelt sein.
Nach dem Aufbringen der Beschichtungslösung auf das Sub
strat wird für einige Minuten auf 80 bis 110°C erwärmt.
Dabei entweicht der überwiegende Teil des organischen
Lösemittels aus der Schicht. Gegebenenfalls vernetzt da
bei auch der Silikonkautschuk. Die Oberfläche der strah
lungsempfindlichen Schicht fühlt sich danach trocken an.
Um die strahlungsempfindliche Silikonschicht vor Beschä
digung zu schützen, kann anschließend eine weitere
Schicht aus einem transparenten Material aufgebracht
werden. "Transparent" bedeutet in diesem Zusammenhang,
daß die zusätzliche Schicht durchlässig ist für die ver
wendete Strahlung. Sie soll sich auf einfache Weise
vollständig wieder entfernen lassen, beispielsweise
durch Abziehen. Dafür geeignet sind besonders Folien aus
Polyester oder Polypropylen, die durch Laminieren aufge
bracht werden können.
Die Art der Strahlungsquellen hängt davon ab, in welchem
Bereich des Spektrums die säurebildende Verbindung ihre
maximale Empfindlichkeit hat. Eine sensibilisierende
Verbindung kann die spektrale Empfindlichkeit
"verschieben". Allgemein werden jedoch Quecksilber-
Hochdruckdampflampen verwendet.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung der was
serlos druckenden Offsetplatten ist dadurch gekenn
zeichnet, daß das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial
bildmäßig bestrahlt und dann für etwa 30 s bis 10 min
(im allgemeinen einige Minuten) auf etwa 40 bis 200°C,
bevorzugt 80 bis 160°C, erhitzt wird. Erst danach neh
men die bestrahlten Bereiche die Druckfarbe an. Die Ur
sache dieser chemischen Veränderung wurde noch nicht
eindeutig geklärt. Infrarot-spektroskopisch läßt sich
jedoch feststellen, daß die tert.-Butylgruppen in den
bestrahlten Bereichen nicht mehr vorhanden sind. Sie
werden offensichtlich in Isobuten umgewandelt, das aus
der Schicht herausdiffundiert. Überraschend war es, daß
auf diese Weise ein ausreichender Unterschied in der
Affinität zu der Druckfarbe zwischen den bestrahlten und
den unbestrahlten Bereichen der Schicht erzielt werden
konnte.
Zu einer Lösung aus 1 mol Diacetoxy-silan-Monomer in der
15fachen Gewichtsmenge 4-Methyl-pentan-2-on ("Isobutyl
methylketon") werden etwas mehr als 2 mol Triethylamin
und 1 mol Wasser gegeben. Dabei erwärmt sich die Reak
tionslösung. Anschließend wird noch etwa 4 Stunden lang
bei etwa 80°C gerührt. Nach dem Abkühlen wird die Lö
sung mit Wasser gewaschen, über Natriumsulfat getrock
net, filtriert und dann im Vakuum eingeengt. Das poly
mere Produkt bleibt dabei in fester oder öliger Form zu
rück. Durch Änderung von Reaktionsdauer und -temperatur
läßt sich das mittlere Molekulargewicht Mw beeinflussen.
Werden nach dem Abkühlen der Reaktionslösung und vor der
wäßrigen Aufarbeitung noch eine kleine Menge (allgemein
weniger als 1/10 mol) eines Halogensilans sowie minde
stens 1 mol Triethylamin zugegeben und wird die so er
haltene Lösung dann noch etwa eine Stunde bei Raumtempe
ratur gerührt, bevor sie wie zuvor beschrieben aufgear
beitet wird, so erhält man ein Polymer mit entsprechend
modifizierten Endgruppen. War das Halogensilan Chlor
trimethyl-silan, so enthält das Polymer -O-Si(CH₃)₃ End
gruppen.
Zu einer Lösung aus 30 g Diacetoxy-di-tert.-butoxy-silan
in 200 ml 4-Methyl-pentan-2-on werden 21,1 g Triethyl
amin und 3,7 g Wasser gegeben. Danach wird gemäß allge
meiner Herstellungsvorschrift verfahren. Man erhält als
Produkt 11,6 g eines weißen Feststoffs der Formel H-(O-
Si[O-C(CH₃)₃]₂)n-OH [Poly(di-tert.-butoxy-siloxan)] mit
einem mittleren Molekulargewicht Mw von 7.400 (ermittelt
durch Gelpermeationschromatographie). Die Polydispersi
tät, d. h. das Verhältnis Mw/Mn, beträgt 2,0.
Zu einer Lösung aus 45,3 g (155 mmol) Diacetoxy-di
tert.-butoxy-silan und 9,3 g (53 mmol) Diacetoxy-dime
thyl-silan in 200 ml 4-Methyl-pentan-2-on werden 58 ml
Triethylamin und 7,2 g Wasser gegeben. Danach wird gemäß
allgemeiner Herstellungsvorschrift verfahren. Man erhält
als Produkt 16,7 g eines zähen, gelblichen Feststoffs
mit einem mittleren Molekulargewicht Mw von 4.800
(ermittelt durch Gelpermeationschromatographie), Mw/Mn =
1,9. Aus dem ¹H-Kernresonanz-Spektrum (Lösemittel: deu
teriertes Dimethylsulfoxid, DMSO-d₆) ergibt sich, daß
das Verhältnis von tert.-Butoxy- zu Methylgruppen 1:1
beträgt.
Zu einer Lösung aus 30 g (103 mmol) Diacetoxy-di-tert.-butoxy-silan
und 18,1 g (103 mmol) Diacetoxy-dimethyl
silan in 200 ml 4-Methyl-pentan-2-on werden 58 ml Tri
ethylamin und 7,2 g Wasser gegeben. Danach wird gemäß
allgemeiner Herstellungsvorschrift verfahren. Man erhält
als Produkt 15,9 g eines sehr zähen, gelblichen Öls mit
einem mittleren Molekulargewicht Mw von 3.400 (ermittelt
durch Gelpermeationschromatographie), Mw/Mn = 1,7. Aus
dem ¹H-Kernresonanz-Spektrum (Lösemittel: DMSO-d₆) er
gibt sich, daß das Verhältnis von tert.-Butoxy- zu
Methylgruppen 1 : 2,7 beträgt.
Zu einer Lösung aus 20,0 g (68,4 mmol) Diacetoxy-di
tert.-butoxy-silan und 24,1 g (136,8 mmol) Diacetoxy-di
methyl-silan in 200 ml 4-Methyl-pentan-2-on werden 58 ml
Triethylamin und 7,2 g Wasser gegeben. Danach wird gemäß
allgemeiner Herstellungsvorschrift verfahren. Man erhält
als Produkt 13,8 g eines gelblichen Öls mit einem mitt
leren Molekulargewicht Mw von 2 870 (ermittelt durch
Gelpermeationschromatographie), Mw/Mn = 1,5. Aus dem ¹H-
Kernresonanz-Spektrum (Lösemittel: deuteriertes Di
methylsulfoxid, DMSO-d₆) ergibt sich, daß das Verhältnis
von tert.-Butoxy- zu Methylgruppen 1 : 5,5 beträgt.
Eine Lösung aus
11 Gt (= Gewichtsteilen) Poly(di-tert.-butoxysil
oxan) des Herstellungsbeispiels 1,
66 Gt einer Lösung eines kondensationshärtenden Poly(dimethylsiloxans) (33gew-%ig in Toluol; Viskosität bei 25°C: 9.000 bis 15.000 mPa·s; Dehesive 810 der Wacker GmbH)
5 Gt n-Octyl-trimethoxy-silan,
2 Gt einer Lösung, die einen Organozinn-Katalysator enthält (Katalysator C80 der Wacker GmbH),
1,5 Gt 2-(4-Styryl-phenyl)-4,6-bis-trichlormethyl- [1,3,5]triazin und
190 Gt Toluol
66 Gt einer Lösung eines kondensationshärtenden Poly(dimethylsiloxans) (33gew-%ig in Toluol; Viskosität bei 25°C: 9.000 bis 15.000 mPa·s; Dehesive 810 der Wacker GmbH)
5 Gt n-Octyl-trimethoxy-silan,
2 Gt einer Lösung, die einen Organozinn-Katalysator enthält (Katalysator C80 der Wacker GmbH),
1,5 Gt 2-(4-Styryl-phenyl)-4,6-bis-trichlormethyl- [1,3,5]triazin und
190 Gt Toluol
wurde mit Hilfe einer Zugstange auf eine elektrochemisch
aufgerauhte Aluminiumplatte aufgebracht und anschließend
3 min lang bei 105°C gehärtet. Auf die gehärtete
Schicht wurde dann bei 100°C eine oPP-Folie [längs- und
querverstreckte ("orientierte") und hitzefixierte Poly
propylenfolie] laminiert. Das so hergestellte Aufzeich
nungsmaterial wurde bildmäßig unter Verwendung einer
Quecksilber-Hochdruckdampflampe bestrahlt und anschlie
ßend 5 min lang auf 105°C erhitzt. Danach wurde die
Schutzfolie abgezogen. Die so hergestellte Druckplatte
wurde in eine Druckpresse gespannt und mit Wasserlos-
Offsetfarbe eingefärbt. Sie lieferte originalgetreue
Wiedergaben der Druckvorlage. Die bestrahlten Bereiche
übertrugen dabei die Druckfarbe, während die nicht be
strahlten Bereiche sie abstießen und dadurch den Bild
hintergrund (die "Nichtbildstellen") ergaben.
Es wurde ein Aufzeichungsmaterial gemäß Anwendungs
beispiel 1 hergestellt mit der einzigen Abweichung, daß
die Beschichtungslösung 150 statt 190 Gt Toluol, 33
statt 66 Gt der Poly(dimethylsiloxan)-Lösung und 22 Gt
des Copolymers aus Herstellungsbeispiel 2 statt 11 Gt
des Homopolymers aus Herstellungsbeispiel 1 enthielt.
Auch aus diesem Aufzeichungsmaterial ließ sich eine was
serlos druckende Offsetplatte mit gutem Bildkontrast
herstellen.
Es wurde ein Aufzeichungsmaterial gemäß Anwendungs
beispiel 1 hergestellt mit der einzigen Abweichung, daß
die Beschichtungslösung 150 statt 190 Gt Toluol, 33
statt 66 Gt der Poly(dimethylsiloxan)-Lösung und 33 Gt
des Copolymers aus Herstellungsbeispiel 3 statt 11 Gt
des Homopolymers aus Herstellungsbeispiel 1 enthielt.
Die aus diesem Aufzeichungsmaterial hergestellte wasser
los druckende Offsetplatte nahm die Druckfarbe in den
belichteten Bereichen etwas weniger gut an, der Bildkon
trast war geringer.
Claims (15)
1. Polysiloxan-Copolymere mit mindestens 15 mol-% an
Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten und bis zu 85
mol-% an weiteren Silanyloxy-Einheiten, die an
stelle der Butoxygruppen Wasserstoffatome oder
gegebenenfalls substituierte Kohlenwasserstoffreste
enthalten.
2. Copolymere gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß sie 25 bis 95 mol-%, bevorzugt 25 bis 90
mol-%, an Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten so
wie 5 bis zu 75 mol-%, bevorzugt 10 bis 75 mol-%,
an weiteren Silanyloxy-Einheiten enthalten, die an
stelle der Butoxygruppen Wasserstoffatome oder
gegebenenfalls substituierte Kohlenwasserstoffreste
haben.
3. Copolymere gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß in den weiteren Silanyloxy-Einheiten
anstelle der Butoxygruppen Wasserstoff, (C₁-C₁₂)-
Alkyl-, (C₁-C₁₂)Halogenalkyl-, (C₁-C₁₂)Alkenyl- oder
Phenylreste an die Siliciumatome gebunden
sind.
4. Copolymere gemäß einem oder mehreren der Ansprüche
1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ihr mittleres
Molekulargewicht Mw mindestens 1.000, bevorzugt
1.000 bis 50.000, besonders bevorzugt 2.000 bis
20.000, beträgt.
5. Trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial mit
einem Träger und einer strahlungsempfindlichen
Silikonschicht, das dadurch gekennzeichnet ist, daß
die Silikonschicht mindestens
- - eine Verbindung, die unter der Einwirkung aktinischer Strahlung eine Säure hervorbringt und
- - ein Polydiorganosiloxan mit mindestens 15 mol-% an Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten enthält.
6. Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Silikonschicht zusätzlich
einen vernetzbaren Silikonkautschuk enthält.
7. Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Polydiorganosiloxan ein Homo
polymer aus Di-tert.-butoxy-silanyloxy-Einheiten
ist.
8. Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Polydiorganosiloxan ein Copo
lymer gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
4 ist.
9. Aufzeichnungsmaterial gemäß einem oder mehreren der
Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Silikonschicht bis zu 85 Gew.-%, bevorzugt 20 bis
75 Gew.-%, des vernetzbaren Silikonkautschuks ent
hält.
10. Aufzeichnungsmaterial gemäß Anspruch 6, dadurch ge
kennzeichnet, daß der vernetzbare Silikonkautschuk
mindestens 80 mol-% an Dimethylsilanyloxy-Einheiten
enthält.
11. Aufzeichnungsmaterial gemäß einem oder mehreren der
Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der
Anteil der säurebildenden Verbindung(en) 0,5 bis 15
Gew.-%, bevorzugt 1 bis 10 Gew.-%, jeweils bezogen
auf das Gesamtgewicht der nicht-flüchtigen Bestand
teile der Silikonschicht, beträgt.
12. Aufzeichnungsmaterial gemäß einem oder mehreren der
Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als
säurebildende Verbindungen α-Arylsulfonyloxymethyl
benzoine, α-Alkylsulfonyloxymethyl-benzoine, N-
Arylsulfonyloxy-pyridin-2-one, N-Alkylsulfonyloxy
pyridin-2-one, Ester aus Aren- oder Alkansulfon
säuren und Hydroxyaromaten, Trihalogenmethyl-s-tri
azine, Triarylsulfoniumsalze und Diaryliodonium
salze, speziell Trihalogenmethyl-s-triazine wie 2-
(4-Styryl-phenyl)-4,6-bis-trichlormethyl-[1,3,5]
triazin eingesetzt werden.
13. Verfahren zur Herstellung einer wasserlos drucken
den Offsetplatte, dadurch gekennzeichnet, daß das
erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial bildmäßig
bestrahlt und dann einige Minuten lang auf etwa 40
bis 200°C, bevorzugt 80 bis 160°C, erhitzt wird.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, dadurch gekennzeich
net, daß das Aufzeichnungsmaterial auf 80 bis 160°C
erhitzt und gegebenenfalls anschließend die
Schutzfolie abgezogen wird.
15. Verwendung von Poly(di-tert.-butoxy-siloxan) zur
Herstellung von wasserlos druckenden Offsetplatten.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944442293 DE4442293A1 (de) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | Trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung wasserlos druckender Offsetplatten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944442293 DE4442293A1 (de) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | Trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung wasserlos druckender Offsetplatten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4442293A1 true DE4442293A1 (de) | 1996-05-30 |
Family
ID=6534336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944442293 Withdrawn DE4442293A1 (de) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | Trocken entwickelbares Aufzeichnungsmaterial zur Herstellung wasserlos druckender Offsetplatten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4442293A1 (de) |
-
1994
- 1994-11-28 DE DE19944442293 patent/DE4442293A1/de not_active Withdrawn
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8141 | Disposal/no request for examination |