DE4436644C2 - Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat - Google Patents
Verwendung von Aluminiumoxid als LeiterplattensubstratInfo
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Description
Die Erfindung betrifft die Verwendungen von Aluminiumoxid als
Leiterplattensubstrat gemäß Anspruch 1.
Keramiksubstrate auf der Basis von Aluminiumoxid (Al₂O₃) haben
zwischenzeitlich in verschiedenen Bereichen der Technik Ein
gang gefunden. Von besonderem Interesse ist der Einsatz in der
Elektroindustrie, speziell auf dem Gebiet der Elektronik, wo
derartige Keramiksubstrate als Leiterplattensubstrat Verwen
dung finden. Das Substrat dient hierbei als Träger, auf dem
Schaltungen aufgebracht sind. Hierzu ist es erforderlich, auf
das Trägermaterial metallische Schichten als Leiterbahnen
aufzubringen und anschließend aktive und passive Bauelemente
einzusetzen.
Die Leiterbahnen bestehen aus mehr oder weniger dünnen Schich
ten von Metallen, wobei je nach Anforderung in der Regel Gold,
Silber, Kupfer oder Legierungen derselben verwendet werden.
Das Aufbringen derartiger Metallschichten auf das Substrat
bereitet häufig Schwierigkeiten, insbesondere bei miniaturi
sierten Schaltungen, bei denen teilweise extrem dünne Leiter
bahnen dicht nebeneinanderliegend realisiert werden müssen.
Hierfür gibt es eine Reihe etablierter Verfahren, wie bei
spielsweise das Aufbringen einer Silber-Palladium enthaltenden
Paste im Siebdruckverfahren und anschließendes Einbrennen.
Eine Alternative hierzu stellt das selektive Galvanisieren von
Substraten dar, bei dem das Substrat zunächst angeätzt und mit
Palladium bekeimt werden muß. Dies ist deshalb erforderlich,
um eine ausreichende Haftung der Metallschicht auf dem Sub
strat zu erzielen.
Das Problem tritt insbesondere bei der Verwendung von Alumini
umoxid (Al₂O₃) als Rasismaterial für derartige Substrate auf,
da dieses Material chemisch resistent ist und auf herkömmliche
Art und Weise nicht angeätzt werden kann. Wegen der im übrigen
jedoch äußerst vorteilhaften Eigenschaften, wie hohe Wärme
leitfähigkeit, Temperaturwechselbeständigkeit und niedriger
Dielektrizitätskonstante, die den Einsatz dieses Materials als
Substratmaterial geradezu prädestinieren, wurde versucht,
durch geeignete Maßnahmen dennoch ein Anätzen zu ermöglichen.
Hierzu ist es bekannt, verunreinigtes Aluminiumoxid zu verwen
den, so daß über das Anätzen der die Verunreinigungen dar
stellenden Restandteile die gewünschte Oberflächenrauhigkeit
erzielt wird. Konkret gelingt dies beispielsweise mit einem
ca. 96%igen Aluminiumoxid mit einem Restgehalt an Silikaten.
Diese lassen sich mit einer starken Flußsäure ätzen, so daß
prinzipiell das Rekeimen mit Palladium als Vorbereitung zum
abschließenden Galvanisieren möglich wird.
Es hat sich allerdings gezeigt, daß die hierdurch erzielbare
Haftfähigkeit für eine Vielzahl von Anwendungsfällen nicht
ausreichend ist. Speziell bei kritischen Anwendungen, wie
beispielsweise im Automobilbau und/oder unter rauhen Umge
bungsbedingungen, besteht die akute Gefahr, daß sich Teile
der Beschichtung von dem Substrat lösen und dadurch entweder
der Stromfluß unterbrochen wird oder aber Durchschläge und
Kurzschlüsse zu benachbarten Leiterbahnen auftreten. Der
damit verbundene Ausfall der Schaltung kann teilweise zu
katastrophalen Auswirkungen kommen, insbesondere wenn es
sich um kritische Funktionen handelt, so daß besondere
Sicherheitsmaßnahmen, wie beispielsweise die redundante
Auslegung von Systemen notwendig werden. Des weiteren sind
die mechanischen Eigenschaften eines derart verunreinigten
Al₂O₃-Substrates stark reduziert, was wiederum in rauher Umge
bung den Einsatz unmöglich macht.
Der Erfindung lag daher das Problem zugrunde, ein Keramiksub
strat der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß es
die geschilderten Nachteile nicht mehr aufweist, insbesondere
soll es eine sichere Haftung der beim Galvanisieren aufzubrin
genden Metallschichten ermöglichen, sowie höchstmögliche me
chanische Eigenschaften aufweisen.
Gelöst wird dieses Problem durch die Merkmale des Anspruchs 1.
Vorteilhafte Ausführungsformen sind durch die Merkmale der
abhängigen Ansprüche angegeben.
Die Erfindung basiert auf der Idee, als Ausgangswerkstoff
hochreines, d. h. nicht verunreinigtes Aluminiumoxid mit einer
Reinheit von mehr als 99,0-Prozent zu verwenden und durch
Beigabe von Zirkonoxid eine optimale Grundlage für den Ätz
vorgang zu schaffen.
Eine derartige Materialpaarung ist dem Grunde nach beispiels
weise aus dem Derwent Abstract zu der EP 406-578 B1 herleit
bar, in der ganz allgemein ein Sinterkörper beschrieben ist,
bei dem durch Beigabe von teilweise stabilisiertem Zirkoniumdioxid
der Sintervorgang bei niedriger Temperatur und unter
Normaldruck ablaufen kann. Als Resultat soll ein Sinterkörper
hoher Festigkeit entstehen, über dessen Verwendung keine An
gaben gemacht werden.
Aus der EP 567 095 A1 ist ein polykristallines Aluminiumoxid be
kannt, welches durch geringfügige Beimengungen verschiedener
Zuschlagstoffe, wie beispielsweise Zirkonoxid, eine verbesser
te Lichtdurchlässigkeit ermöglicht. Als Anwendungsgebiet für
dieses Material wird die Röhre einer Natrium-Entladungslampe,
also ein Leuchtmittel, genannt.
Die DE 35 36 407 A1 befaßt sich mit der Verwendung von hoch
reinem Aluminiumoxid und Zirkonoxid zur Herstellung eines
Pfannenschieberverschlusses, bei dem es auf eine besonders
hohe Temperaturwechselbeständigkeit und eine hohe Elastizität
ankommt.
Die erfindungsgemäße Verwendung von hochreinem Aluminiumoxid
in Verbindung mit Zirkonoxid als Leiterplattensubstrat hat den
Vorteil, daß es eine sehr viel bessere mechanische Festigkeit
aufweist, da das hochreine Aluminiumoxid ein beinahe ideal
dichter Werkstoff ist. Gleichzeitig wird die Wärmeleitfähig
keit weiter verbessert, da gegenüber dem bisher verwendeten,
verunreinigten Aluminiumoxid praktisch keine Poren mehr auf
treten.
Das Zirkonoxid ermöglicht das Anätzen in idealer Weise. Gegen
über den bisher bekannten Substraten auf der Basis von ver
unreinigtem Aluminiumoxid ergeben sich erheblich verbesserte
Bedingungen, die ein absolut zuverlässiges Anhaften von Metal
len während des Galvanisiervorgangs gewährleisten. Das Galva
nisieren selbst einschließlich das vorbereitende Bekeimen
erfordern keine besonderen Maßnahmen und sind zuverlässig
beherrschbar. Das Zirkonoxid hat weiterhin die äußerst vor
teilhafte Eigenschaft, daß es auch von vergleichsweise niedrig
konzentrierter Flußsäure angegriffen wird, so daß es völlig
ausreichend ist, Flußsäure mit einer Konzentration von unter
30% zu verwenden.
Das Ätzverhalten kann innerhalb weiter Grenzen dadurch einge
stellt werden, daß mehr oder weniger Zirkonoxid beigemengt
wird. Höhere oder niedrigere Beimengungen von Zirkonoxid be
einflussen die Oberfläche der Substrate, wodurch eine bessere
oder schlechtere Galvanisierbarkeit erzielt wird.
Ein weiterer Vorteil der beschriebenen Materialpaarung liegt
darin, daß sich die Struktur des Substrats zusätzlich durch
Variation der Korngrößen sowohl des Aluminiumoxids wie auch
des Zirkonoxids variieren läßt. Die Korngröße des Zirkonoxids
gibt die Größe der nach dem Ätzvorgang an der Oberfläche des
Substrats gebildeten Poren vor. Je nach gewünschter Beschaffen
heit der Oberfläche ist es möglich, Fehlstellen definierter
Größe zu bilden und damit eine optimale Abstimmung auf die
Bekeimung und/oder das Galvanisieren zu nehmen.
In einem konkreten Ausführungsbeispiel wurden Aluminiumoxid
mit einer Korngröße von 0,5 µm und Zirkonoxid mit einer Korn
größe von 0,3 µm als Ausgangsmaterialien verwendet. Aufgrund
des für diese Materialpaarung typischen Sinterns in Form der
sog. Festphasensinterung bleibt das Zirkonoxid als Korn erhal
ten. Ein von der Oberfläche her einwirkender Ätzvorgang löst
die in diesem Bereich befindlichen Körner vollständig auf, so
daß insoweit Fehlstellen entstehen, die hinsichtlich ihrer
Größe mit den Körnern des Zirkonoxids übereinstimmen und des
halb genau vorherbestimmbar sind.
Gegenüber dem bislang üblichen, mit Silikaten verunreinigten
Aluminiumoxid stellt diese Möglichkeit der Beeinflussung einen
erheblichen Fortschritt dar. Bei dem angesprochenen verunrei
nigten Aluminiumoxid erfolgt die Sinterung in flüssiger Phase,
bei der die Aluminiumoxidkörner von den Silikaten in Flüs
sigphase umgeben werden. Beim Anätzen werden deshalb an den
Korngrenzen im wesentlichen unkontrollierbar Bereiche ange
ätzt, so daß sich Fehlstellen ganz unterschiedlicher Größe und
Struktur herauslösen, nämlich in Abhängigkeit davon, ob ein
einzelnes oder aber mehrere, noch zusammenhängende Aluminium
oxidkörner aus dem Strukturverbund herausgelöst werden.
Optimale Festigkeitskennwerte ergeben sich bei Aluminiumoxid
mit einer Reinheit von 99,7%. Dieser hochreine Werkstoff
verdichtet sich während des Sintervorgangs optimal, so daß
eine praktisch ideal porenfreie Struktur entsteht. Diese er
höht - wie bereits vorstehend beschrieben - die Wärmeleit
fähigkeit erheblich, ein Aspekt, der speziell für den Einsatz
bei hoher Leistungsdichte von besonderer Bedeutung ist.
Ein sehr gutes Ätzverhalten ergibt sich, sofern Zirkonoxid
mit einem Volumenanteil im Bereich von 2 bis 50% beigemengt
ist. Innerhalb dieser Bandbreite kann das gewünschte Anätz
verhalten eingestellt werden, wobei die obere Bereichsgrenze
einen Wert darstellt, der die günstigen mechanischen Eigen
schaften des hochreinen Aluminiumoxids noch wesentlich ver
bessert. So können beispielsweise die Biegefestigkeit verdop
pelt und die Bruchdehnung verdreifacht werden.
Auf der Basis der vorstehend beschriebenen Materialpaarung
können besonders einfach und kostengünstig Leiterplatten,
hergestellt werden, wobei die Endprodukte hervorragende Ge
brauchseigenschaften besitzen.
Zunächst wird ein Ausgangswerkstoff, der im wesentlichen aus
hochreinem Aluminiumoxid, Zirkonoxid und einem organischen
Bindemittel besteht, im an sich bekannten Spritzgießverfahren
zu einem Grünling geformt. Das Spritzgießen erlaubt auf be
sonders vorteilhafte Art und Weise die Formgebung auch kom
plexer geometrischer Gebilde mit einer äußerst homogenen
Struktur. Im Falle der Leiterplatte werden während dieses
Formgebungsvorgangs bereits sämtliche Öffnungen, Aussparungen,
Durchbrüche und dergleichen gebildet, so daß insoweit das
Substrat nach dem Sintervorgang seine endgültige Form besitzt.
Das zeit- und kostenaufwendige Anbringen von Bohrungen kann
vollständig entfallen.
Außerdem ist es beispielsweise möglich, notwendige Kühlrippen
bereits mit anzuspritzen.
Nach dem Sintern wird das Substrat geätzt und anschließend
bekeimt. Die eigentliche Metallisierung erfolgt durch Galvani
sieren.
Bevorzugt wird zum Anätzen Flußsäure mit einer mittleren
Konzentration verwendet.
Die vorstehend beschriebenen Anwendungsfälle des Keramiksub
strats zur Herstellung von Leiterplatten und dergleichen,
stellen lediglich Beispiele dar, anhand derer das Wesen der
Erfindung erläutert werden soll. Hinsichtlich der Anwendung
ergeben sich jedoch noch eine Vielzahl von Variationen, wie
beispielsweise das Herstellen von Lötverbindungen auf einem
derartigen Substrat oder das Aufbringen metallischer Schichten
zur Realisierung nicht nur von Leiterbahnen, sondern auch von
Widerständen oder Kondensatoren.
Claims (3)
1. Verwendung von Aluminiumoxid mit einer Reinheit von mehr
als 99,0% mit Zirkonoxid als weiterem Bestandteil als
anätzbares und durch Galvanisieren metallisierbares Lei
terplattensubstrat.
2. Verwendung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Alumini
umoxid mit einer Reinheit von 99,7%.
3. Verwendung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch
Zirkonoxid mit einem Anteil von 2 bis 50 Vol.-%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4436644A DE4436644C2 (de) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4436644A DE4436644C2 (de) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4436644A1 DE4436644A1 (de) | 1996-04-18 |
| DE4436644C2 true DE4436644C2 (de) | 1998-01-22 |
Family
ID=6530706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4436644A Expired - Fee Related DE4436644C2 (de) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4436644C2 (de) |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| DE19943075A1 (de) * | 1999-09-03 | 2001-03-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Poröse Aluminiumoxidstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6399528B1 (en) | 2000-09-01 | 2002-06-04 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Porous aluminum oxide structures and processes for their production |
| EP3648156B1 (de) | 2018-11-02 | 2025-06-04 | Infineon Technologies AG | Halbleitersubstrat |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3536407A1 (de) * | 1985-10-11 | 1987-04-16 | Didier Werke Ag | Verfahren zur herstellung von formkoerpern aus al(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts) und zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) sowie nach dem verfahren hergestellte formkoerper |
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-
1994
- 1994-10-13 DE DE4436644A patent/DE4436644C2/de not_active Expired - Fee Related
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Derwent Abstract zu EP 406578A * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4436644A1 (de) | 1996-04-18 |
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