DE4436644A1 - Keramiksubstrat und Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramiksubstrats - Google Patents

Keramiksubstrat und Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramiksubstrats

Info

Publication number
DE4436644A1
DE4436644A1 DE4436644A DE4436644A DE4436644A1 DE 4436644 A1 DE4436644 A1 DE 4436644A1 DE 4436644 A DE4436644 A DE 4436644A DE 4436644 A DE4436644 A DE 4436644A DE 4436644 A1 DE4436644 A1 DE 4436644A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
oxide
purity
aluminum oxide
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4436644A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4436644C2 (de
Inventor
Peter Hellstern
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sternplastic Hellstern & GmbH
Original Assignee
Sternplastic Hellstern & GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sternplastic Hellstern & GmbH filed Critical Sternplastic Hellstern & GmbH
Priority to DE4436644A priority Critical patent/DE4436644C2/de
Publication of DE4436644A1 publication Critical patent/DE4436644A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4436644C2 publication Critical patent/DE4436644C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111Fine ceramics
    • C04B35/117Composites
    • C04B35/119Composites with zirconium oxide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Keramiksubstrat gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1. Sie betrifft weiterhin ein Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramiksubstrats gemäß Oberbegriff des Anspruchs 4.
Keramiksubstrate auf der Basis von Aluminiumoxid (Al₂O₃) haben zwischenzeitlich in verschiedenen Bereichen der Technik Eingang gefunden. Von besonderem Interesse ist der Einsatz in der Elektroindustrie, speziell auf dem Gebiet der Elektronik, wo derartige Keramiksubstrate als Leiterplattensubstrat Verwendung finden. Das Substrat dient hierbei als Träger, auf dem Schaltungen aufgebracht sind. Hierzu ist es erforderlich, auf das Trägermaterial metallische Schichten als Leiterbahnen aufzubringen und anschließend aktive und passive Bauelemente einzusetzen.
Die Leiterbahnen bestehen aus mehr oder weniger dünnen Schichten von Metallen, wobei je nach Anforderung in der Regel Gold, Silber, Kupfer oder Legierungen derselben ver­ wendet werden. Das Aufbringen derartiger Metallschichten auf das Substrat bereitet häufig Schwierigkeiten, insbesondere bei miniaturisierten Schaltungen, bei denen teilweise extrem dünne Leiterbahnen dicht nebeneinanderliegend realisiert werden müssen. Hierfür gibt es eine Reihe etablierter Ver­ fahren, wie beispielsweise das Aufbringen einer Silber-Pal­ ladium enthaltenden Paste im Siebdruckverfahren und an­ schließendes Einbrennen. Eine Alternative hierzu stellt das selektive Galvanisieren von Substraten dar, bei dem das Substrat zunächst angeätzt und mit Palladium bekeimt werden muß. Dies ist deshalb erforderlich, um eine ausreichende Haftung der Metallschicht auf dem Substrat zu erzielen.
Das Problem tritt insbesondere bei der Verwendung von Alu­ miniumoxid (Al₂O₃) als Basismaterial für derartige Substrate auf, da dieses Material chemisch resistent ist und auf herkömmliche Art und Weise nicht angeätzt werden kann. Wegen der im übrigen jedoch äußerst vorteilhaften Eigen­ schaften, wie hohe Wärmeleitfähigkeit, Temperaturwechselbe­ ständigkeit und niedriger Dielektrizitätskonstante, die den Einsatz dieses Materials als Substratmaterial geradezu prädestinieren, wurde versucht, durch geeignete Maßnahmen dennoch ein Anätzen zu ermöglichen. Hierzu ist es bekannt, verunreinigtes Aluminiumoxid zu verwenden, so daß über das Anätzen der die Verunreinigungen darstellenden Bestandteile die gewünschte Oberflächenrauhigkeit erzielt wird. Konkret gelingt dies beispielsweise mit einem ca. 96%igen Alumini­ umoxid mit einem Restgehalt an Silikaten. Diese lassen sich mit einer starken Flußsäure ätzen, so daß prinzipiell das Bekeimen mit Palladium als Vorbereitung zum abschließenden Galvanisieren möglich wird.
Es hat sich allerdings gezeigt, daß die hierdurch erzielbare Haftfähigkeit für eine Vielzahl von Anwendungsfällen nicht ausreichend ist. Speziell bei kritischen Anwendungen, wie beispielsweise im Automobilbau und/oder unter rauhen Umge­ bungsbedingungen, besteht die akute Gefahr, daß sich Teile der Beschichtung von dem Substrat lösen und dadurch entweder der Stromfluß unterbrochen wird oder aber Durchschläge und Kurzschlüsse zu benachbarten Leiterbahnen auftreten. Der damit verbundene Ausfall der Schaltung kann teilweise zu katastrophalen Auswirkungen kommen, insbesondere wenn es sich um kritische Funktionen handelt, so daß besondere Sicherheitsmaßnahmen, wie beispielsweise die redundante Auslegung von Systemen notwendig werden. Des weiteren sind die mechanischen Eigenschaften eines derart verunreinigten Al₂O₃-Substrates stark reduziert, was wiederum in rauher Umgebung den Einsatz unmöglich macht.
Der Erfindung lag daher das Problem zugrunde, ein Keramik­ substrat der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß es die geschilderten Nachteile nicht mehr aufweist, insbesondere soll es eine sichere Haftung der beim Galvani­ sieren aufzubringenden Metallschichten ermöglichen, sowie höchstmögliche mechanische Eigenschaften aufweisen.
Gleichzeitig soll ein kostengünstiges und umweltschonendes Verfahren angegeben werden, mit dessen Hilfe metallisierte Keramiksubstrate, insbesondere Leiterplatten, hergestellt werden können.
Gelöst wird dieses Problem durch ein Keramiksubstrat, das die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist. Vorteilhafte Ausfüh­ rungsformen des Substrats sind durch die Merkmale der hier­ von abhängigen Ansprüche angegeben.
Das Problem wird weiterhin durch das in Anspruch 4 angegebe­ ne Verfahren gelöst, vorteilhafte Verfahrensvarianten sind durch die nachgeschalteten Ansprüche definiert.
Die Erfindung basiert auf der Idee, als Ausgangswerkstoff hochreines, d. h. nicht verunreinigtes Aluminiumoxid zu verwenden und durch Beigabe von Zirkonoxid eine optimale Grundlage für den Ätzvorgang zu schaffen. Dies hat den Vorteil, daß das Keramiksubstrat eine sehr viel bessere mechanische Festigkeit aufweist, da das hochreine Aluminium­ oxid ein beinahe idealdichter Werkstoff ist. Gleichzeitig wird die Wärmeleitfähigkeit weiter verbessert, da gegenüber dem bisher verwendeten, verunreinigten Aluminiumoxid prak­ tisch keine Poren mehr auftreten.
Das Zirkonoxid ermöglicht das Anätzen in idealer Weise. Gegenüber den bisher bekannten Substraten auf der Basis von verunreinigtem Aluminiumoxid ergeben sich erheblich verbes­ serte Bedingungen, die ein absolut zuverlässiges Anhaften von Metallen während des Galvanisiervorgangs gewährleisten. Das Galvanisieren selbst einschließlich das vorbereitende Bekeimen erfordern keine besonderen Maßnahmen und sind zuverlässig beherrschbar. Das Zirkonoxid hat weiterhin die äußerst vorteilhafte Eigenschaft, daß es auch von ver­ gleichsweise niedrig konzentrierter Flußsäure angegriffen wird, so daß es völlig ausreichend ist, Flußsäure mit einer Konzentration von unter 30% zu verwenden.
Das Ätzverhalten kann innerhalb weiter Grenzen dadurch eingestellt werden, daß mehr oder weniger Zirkonoxid beige­ mengt wird. Höhere oder niedrigere Beimengungen von Zirkon­ oxid beeinflussen die Oberfläche der Substrate, wodurch eine bessere oder schlechtere Galvanisierbarkeit erzielt wird.
Ein weiterer Vorteil der beschriebenen Materialpaarung liegt darin, daß sich die Struktur des Substrats zusätzlich durch Variation der Korngrößen sowohl des Aluminiumoxids wie auch des Zirkonoxids variieren läßt. Die Korngröße des Zirkon­ oxids gibt die Größe der nach dem Ätzvorgang an der Oberflä­ che des Substrats gebildeten Poren vor. Je nach gewünschter Beschaffenheit der Oberfläche ist es möglich, Fehlstellen definierter Größe zu bilden und damit eine optimale Abstim­ mung auf die Bekeimung und/oder das Galvanisieren zu nehmen.
In einem konkreten Ausführungsbeispiel wurden Aluminiumoxid mit einer Korngröße von 0,5 µ und Zirkonoxid mit einer Korngröße von 0,3 µ als Ausgangsmaterialien verwendet. Aufgrund des für diese Materialpaarung typischen Sinterns in Form der sog. Festphasensinterung bleibt das Zirkonoxid als Korn erhalten. Ein von der Oberfläche her einwirkender Ätzvorgang löst die in diesem Bereich befindlichen Körner vollständig auf, so daß insoweit Fehlstellen entstehen, die hinsichtlich ihrer Größe mit den Körnern des Zirkonoxids übereinstimmen und deshalb genau vorherbestimmbar sind.
Gegenüber dem bislang üblichen, mit Silikaten verunreinigten Aluminiumoxid stellt diese Möglichkeit der Beeinflussung einen erheblichen Fortschritt dar. Bei dem angesprochenen verunreinigten Aluminiumoxid erfolgt die Sinterung in flüs­ siger Phase, bei der die Aluminiumoxidkörner von den Silika­ ten in Flüssigphase umgeben werden. Beim Anätzen werden deshalb an den Korngrenzen im wesentlichen unkontrollierbar Bereiche angeätzt, so daß sich Fehlstellen ganz unterschied­ licher Größe und Struktur herauslösen, nämlich in Abhängig­ keit davon, ob ein einzelnes oder aber mehrere, noch zusam­ menhängende Aluminiumoxidkörner aus dem Strukturverbund herausgelöst werden.
Optimale Festigkeitskennwerte ergeben sich bei Aluminiumoxid mit einer Reinheit von mehr als 99%, speziell bei Alumi­ niumoxid mit einer Reinheit von 99,7%. Dieser hochreine Werkstoff verdichtet sich während des Sintervorgangs opti­ mal, so daß eine praktisch ideal porenfreie Struktur ent­ steht. Diese erhöht - wie bereits vorstehend beschrieben - die Wärmeleitfähigkeit erheblich, ein Aspekt, der speziell für den Einsatz bei hoher Leistungsdichte von besonderer Bedeutung ist.
Ein sehr gutes Ätzverhalten ergibt sich, sofern Zirkonoxid mit einem Volumenanteil im Bereich von 2 bis 50% beigemengt ist. Innerhalb dieser Bandbreite kann das gewünschte Anätz­ verhalten eingestellt werden, wobei die obere Bereichsgrenze einen Wert darstellt, der die günstigen mechanischen Eigen­ schaften des hochreinen Aluminiumoxids noch wesentlich verbessert. So können beispielsweise die Biegefestigkeit verdoppelt und die Bruchdehnung verdreifacht werden.
Auf der Basis der vorstehend beschriebenen Materialpaarung können besonders einfach und kostengünstig metallisierte Keramiksubstrate, insbesondere Leiterplatten, hergestellt werden, wobei die Endprodukte hervorragende Gebrauchseigen­ schaften besitzen.
Zunächst wird ein Ausgangswerkstoff, der im wesentlichen aus hochreinem Aluminiumoxid, Zirkonoxid und einem organischen Bindemittel besteht, im an sich bekannten Spritzgießverfah­ ren zu einem Grünling geformt. Das Spritzgießen erlaubt auf besonders vorteilhafte Art und Weise die Formgebung auch komplexer geometrischer Gebilde mit einer äußerst homogenen Struktur. Im Falle der Leiterplatte werden während dieses Formgebungsvorgangs bereits sämtliche Öffnungen, Aussparun­ gen, Durchbrüche und dergleichen gebildet, so daß insoweit das Substrat nach dem Sintervorgang seine endgültige Form besitzt. Das zeit- und kostenaufwendige Anbringen von Boh­ rungen kann vollständig entfallen.
Außerdem ist es beispielsweise möglich, notwendige Kühlrip­ pen bereits mit anzuspritzen.
Nach dem Sintern wird das Substrat geätzt und anschließend bekeimt. Die eigentliche Metallisierung erfolgt durch Gal­ vanisieren.
Bevorzugt wird zum Anätzen Flußsäure mit einer mittleren Konzentration verwendet.
Die vorstehend beschriebenen Anwendungsfälle des Keramiksub­ strats zur Herstellung von Leiterplatten und dergleichen, stellen lediglich Beispiele dar, anhand derer das Wesen der Erfindung erläutert werden soll. Hinsichtlich der Anwendung ergeben sich jedoch noch eine Vielzahl von Variationen, wie beispielsweise das Herstellen von Lötverbindungen auf einem derartigen Substrat oder das Aufbringen metallischer Schich­ ten zur Realisierung nicht nur von Leiterbahnen, sondern auch von Widerständen, Kondensatoren, etc.

Claims (8)

1. Keramiksubstrat, insbesondere Leiterplattensubstrat, auf der Basis von Aluminiumoxid (Al₂O₃), das durch Galvanisieren metallisierbar ist, dadurch gekennzeich­ net, daß das Aluminiumoxid hochreines Aluminiumoxid ist, und das als weiteren Bestandteil Zirkonoxid (ZrO₂) enthält.
2. Substrat nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Alumini­ umoxid mit einer Reinheit von mehr als 99%, vorzugswei­ se mit einer Reinheit von 99,7%.
3. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Zirkonoxid mit einem Anteil von 2 bis 50 Vol.-%.
4. Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramik­ substrats, insbesondere einer Leiterplatte, auf der Basis von Aluminiumoxid, gekennzeichnet durch die Ver­ fahrensschritte
  • a) Spritzgießen eines Grünlings unter Verwendung eines Ausgangswerkstoffs, bestehend im wesentlichen aus hochreinem Aluminiumoxid, Zirkonoxid, sowie einem organischen Bindemittel.
  • b) Sintern des Grünlings zum Substrat.
  • c) Ätzen, insbesondere selektives Ätzen des Substrats.
  • d) Bekeimen der geätzten Bereiche.
  • e) Galvanisieren.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß Aluminiumoxid mit einer Reinheit von mehr als 99%, vorzugsweise mit einer Reinheit von 99,7% verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeich­ net, daß dem Ausgangswerkstoff Zirkonoxid in einer solchen Menge beigegeben wird, daß im Substrat Zirkon­ oxid mit einem Anteil von 2 bis 50 Vol.-% vorhanden ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen Flußsäure mit einer mitt­ leren Konzentration verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Öffnungen und dergleichen beim Spritzgießen des Grünlings unmittelbar geformt werden.
DE4436644A 1994-10-13 1994-10-13 Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat Expired - Fee Related DE4436644C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4436644A DE4436644C2 (de) 1994-10-13 1994-10-13 Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4436644A DE4436644C2 (de) 1994-10-13 1994-10-13 Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4436644A1 true DE4436644A1 (de) 1996-04-18
DE4436644C2 DE4436644C2 (de) 1998-01-22

Family

ID=6530706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4436644A Expired - Fee Related DE4436644C2 (de) 1994-10-13 1994-10-13 Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4436644C2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19943075A1 (de) * 1999-09-03 2001-03-15 Fraunhofer Ges Forschung Poröse Aluminiumoxidstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6399528B1 (en) 2000-09-01 2002-06-04 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Porous aluminum oxide structures and processes for their production
EP3648156A1 (de) * 2018-11-02 2020-05-06 Infineon Technologies AG Halbleitersubstrat

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3536407A1 (de) * 1985-10-11 1987-04-16 Didier Werke Ag Verfahren zur herstellung von formkoerpern aus al(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts) und zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) sowie nach dem verfahren hergestellte formkoerper
EP0567095A1 (de) * 1992-04-22 1993-10-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Polykristalliner, lichtdurchlässiger Aluminiumoxidkörper und Verfahren zu seiner Herstellung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3536407A1 (de) * 1985-10-11 1987-04-16 Didier Werke Ag Verfahren zur herstellung von formkoerpern aus al(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)0(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts) und zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) sowie nach dem verfahren hergestellte formkoerper
EP0567095A1 (de) * 1992-04-22 1993-10-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Polykristalliner, lichtdurchlässiger Aluminiumoxidkörper und Verfahren zu seiner Herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Derwent Abstract zu EP 406578A *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19943075A1 (de) * 1999-09-03 2001-03-15 Fraunhofer Ges Forschung Poröse Aluminiumoxidstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6399528B1 (en) 2000-09-01 2002-06-04 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Porous aluminum oxide structures and processes for their production
EP3648156A1 (de) * 2018-11-02 2020-05-06 Infineon Technologies AG Halbleitersubstrat
US11211307B2 (en) 2018-11-02 2021-12-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor substrate

Also Published As

Publication number Publication date
DE4436644C2 (de) 1998-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1966824B1 (de) Metall-keramik-substrat
DE3041327C2 (de)
DE68927531T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte
DE69733714T2 (de) Verfahren zur kontrolle der kavitätabmessungen gebrannter vielschichtschaltungsplatinen auf einem träger
DE102005042554B4 (de) Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats
DE69529185T2 (de) Prozess zur Herstellung von metallbondiertem Keramikmaterial oder Komponente und dessen Verwendung als Substrat für eine elektronische Schaltung
DE68910155T2 (de) Mehrschichtige keramische Unterlagen und Verfahren zu ihrer Herstellung.
EP1774841B1 (de) Verfahren zum herstellen eines metall-keramik-substrates
DE3111808C2 (de) Elektrisch leitende Paste, ihr Herstellungsverfahren und ihre Verwendung
DE3612084C2 (de)
DE69837134T2 (de) Herstellung eines mehrschichtigen keramischen Substrats mit einem passiven Bauelement
DE10141910B4 (de) Glaskeramiksinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10238320A1 (de) Keramische Leiterplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2849971A1 (de) Hybrid-schaltkreis und verfahren zu seiner herstellung
DE102009015520A1 (de) Metall-Keramik-Substrat
DE69812533T2 (de) Aluminiumnitridsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69713540T2 (de) Siliziumnitrid-Platine und ihre Herstellung
DE3534886C2 (de)
DE102010035835A1 (de) Herstellungsverfahren für keramische Substrate mit großer Präzision
EP1514459B1 (de) Metall-keramik-substrat für elektische schaltkreise- oder module, verfahren zum herstellen eines solchen substrates sowie modul mit einem solchen substrat
DE10033984A1 (de) Hybridlaminat und Verfahren zur Herstellung desselben
DE4436644A1 (de) Keramiksubstrat und Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramiksubstrats
DE69728639T2 (de) Mehrschichtiges keramikteil hergestellt mit dickfilmpaste
EP1425167B1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats und keramisches substrat
DE4103294C2 (de) Verfahren zum Herstellen von keramischen Leiterplatten mit Durchkontaktierungen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee