DE4436644A1 - Keramiksubstrat und Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramiksubstrats - Google Patents
Keramiksubstrat und Verfahren zum Herstellen eines metallisierten KeramiksubstratsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Keramiksubstrat gemäß Oberbegriff
des Anspruchs 1. Sie betrifft weiterhin ein Verfahren zum
Herstellen eines metallisierten Keramiksubstrats gemäß
Oberbegriff des Anspruchs 4.
Keramiksubstrate auf der Basis von Aluminiumoxid
(Al₂O₃) haben zwischenzeitlich in verschiedenen
Bereichen der Technik Eingang gefunden. Von besonderem
Interesse ist der Einsatz in der Elektroindustrie, speziell
auf dem Gebiet der Elektronik, wo derartige Keramiksubstrate
als Leiterplattensubstrat Verwendung finden. Das Substrat
dient hierbei als Träger, auf dem Schaltungen aufgebracht
sind. Hierzu ist es erforderlich, auf das Trägermaterial
metallische Schichten als Leiterbahnen aufzubringen und
anschließend aktive und passive Bauelemente einzusetzen.
Die Leiterbahnen bestehen aus mehr oder weniger dünnen
Schichten von Metallen, wobei je nach Anforderung in der
Regel Gold, Silber, Kupfer oder Legierungen derselben ver
wendet werden. Das Aufbringen derartiger Metallschichten auf
das Substrat bereitet häufig Schwierigkeiten, insbesondere
bei miniaturisierten Schaltungen, bei denen teilweise extrem
dünne Leiterbahnen dicht nebeneinanderliegend realisiert
werden müssen. Hierfür gibt es eine Reihe etablierter Ver
fahren, wie beispielsweise das Aufbringen einer Silber-Pal
ladium enthaltenden Paste im Siebdruckverfahren und an
schließendes Einbrennen. Eine Alternative hierzu stellt das
selektive Galvanisieren von Substraten dar, bei dem das
Substrat zunächst angeätzt und mit Palladium bekeimt werden
muß. Dies ist deshalb erforderlich, um eine ausreichende
Haftung der Metallschicht auf dem Substrat zu erzielen.
Das Problem tritt insbesondere bei der Verwendung von Alu
miniumoxid (Al₂O₃) als Basismaterial für derartige
Substrate auf, da dieses Material chemisch resistent ist und
auf herkömmliche Art und Weise nicht angeätzt werden kann.
Wegen der im übrigen jedoch äußerst vorteilhaften Eigen
schaften, wie hohe Wärmeleitfähigkeit, Temperaturwechselbe
ständigkeit und niedriger Dielektrizitätskonstante, die den
Einsatz dieses Materials als Substratmaterial geradezu
prädestinieren, wurde versucht, durch geeignete Maßnahmen
dennoch ein Anätzen zu ermöglichen. Hierzu ist es bekannt,
verunreinigtes Aluminiumoxid zu verwenden, so daß über das
Anätzen der die Verunreinigungen darstellenden Bestandteile
die gewünschte Oberflächenrauhigkeit erzielt wird. Konkret
gelingt dies beispielsweise mit einem ca. 96%igen Alumini
umoxid mit einem Restgehalt an Silikaten. Diese lassen sich
mit einer starken Flußsäure ätzen, so daß prinzipiell das
Bekeimen mit Palladium als Vorbereitung zum abschließenden
Galvanisieren möglich wird.
Es hat sich allerdings gezeigt, daß die hierdurch erzielbare
Haftfähigkeit für eine Vielzahl von Anwendungsfällen nicht
ausreichend ist. Speziell bei kritischen Anwendungen, wie
beispielsweise im Automobilbau und/oder unter rauhen Umge
bungsbedingungen, besteht die akute Gefahr, daß sich Teile
der Beschichtung von dem Substrat lösen und dadurch entweder
der Stromfluß unterbrochen wird oder aber Durchschläge und
Kurzschlüsse zu benachbarten Leiterbahnen auftreten. Der
damit verbundene Ausfall der Schaltung kann teilweise zu
katastrophalen Auswirkungen kommen, insbesondere wenn es
sich um kritische Funktionen handelt, so daß besondere
Sicherheitsmaßnahmen, wie beispielsweise die redundante
Auslegung von Systemen notwendig werden. Des weiteren sind
die mechanischen Eigenschaften eines derart verunreinigten
Al₂O₃-Substrates stark reduziert, was wiederum in
rauher Umgebung den Einsatz unmöglich macht.
Der Erfindung lag daher das Problem zugrunde, ein Keramik
substrat der eingangs genannten Art derart zu verbessern,
daß es die geschilderten Nachteile nicht mehr aufweist,
insbesondere soll es eine sichere Haftung der beim Galvani
sieren aufzubringenden Metallschichten ermöglichen, sowie
höchstmögliche mechanische Eigenschaften aufweisen.
Gleichzeitig soll ein kostengünstiges und umweltschonendes
Verfahren angegeben werden, mit dessen Hilfe metallisierte
Keramiksubstrate, insbesondere Leiterplatten, hergestellt
werden können.
Gelöst wird dieses Problem durch ein Keramiksubstrat, das
die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist. Vorteilhafte Ausfüh
rungsformen des Substrats sind durch die Merkmale der hier
von abhängigen Ansprüche angegeben.
Das Problem wird weiterhin durch das in Anspruch 4 angegebe
ne Verfahren gelöst, vorteilhafte Verfahrensvarianten sind
durch die nachgeschalteten Ansprüche definiert.
Die Erfindung basiert auf der Idee, als Ausgangswerkstoff
hochreines, d. h. nicht verunreinigtes Aluminiumoxid zu
verwenden und durch Beigabe von Zirkonoxid eine optimale
Grundlage für den Ätzvorgang zu schaffen. Dies hat den
Vorteil, daß das Keramiksubstrat eine sehr viel bessere
mechanische Festigkeit aufweist, da das hochreine Aluminium
oxid ein beinahe idealdichter Werkstoff ist. Gleichzeitig
wird die Wärmeleitfähigkeit weiter verbessert, da gegenüber
dem bisher verwendeten, verunreinigten Aluminiumoxid prak
tisch keine Poren mehr auftreten.
Das Zirkonoxid ermöglicht das Anätzen in idealer Weise.
Gegenüber den bisher bekannten Substraten auf der Basis von
verunreinigtem Aluminiumoxid ergeben sich erheblich verbes
serte Bedingungen, die ein absolut zuverlässiges Anhaften
von Metallen während des Galvanisiervorgangs gewährleisten.
Das Galvanisieren selbst einschließlich das vorbereitende
Bekeimen erfordern keine besonderen Maßnahmen und sind
zuverlässig beherrschbar. Das Zirkonoxid hat weiterhin die
äußerst vorteilhafte Eigenschaft, daß es auch von ver
gleichsweise niedrig konzentrierter Flußsäure angegriffen
wird, so daß es völlig ausreichend ist, Flußsäure mit einer
Konzentration von unter 30% zu verwenden.
Das Ätzverhalten kann innerhalb weiter Grenzen dadurch
eingestellt werden, daß mehr oder weniger Zirkonoxid beige
mengt wird. Höhere oder niedrigere Beimengungen von Zirkon
oxid beeinflussen die Oberfläche der Substrate, wodurch eine
bessere oder schlechtere Galvanisierbarkeit erzielt wird.
Ein weiterer Vorteil der beschriebenen Materialpaarung liegt
darin, daß sich die Struktur des Substrats zusätzlich durch
Variation der Korngrößen sowohl des Aluminiumoxids wie auch
des Zirkonoxids variieren läßt. Die Korngröße des Zirkon
oxids gibt die Größe der nach dem Ätzvorgang an der Oberflä
che des Substrats gebildeten Poren vor. Je nach gewünschter
Beschaffenheit der Oberfläche ist es möglich, Fehlstellen
definierter Größe zu bilden und damit eine optimale Abstim
mung auf die Bekeimung und/oder das Galvanisieren zu nehmen.
In einem konkreten Ausführungsbeispiel wurden Aluminiumoxid
mit einer Korngröße von 0,5 µ und Zirkonoxid mit einer
Korngröße von 0,3 µ als Ausgangsmaterialien verwendet.
Aufgrund des für diese Materialpaarung typischen Sinterns in
Form der sog. Festphasensinterung bleibt das Zirkonoxid als
Korn erhalten. Ein von der Oberfläche her einwirkender
Ätzvorgang löst die in diesem Bereich befindlichen Körner
vollständig auf, so daß insoweit Fehlstellen entstehen, die
hinsichtlich ihrer Größe mit den Körnern des Zirkonoxids
übereinstimmen und deshalb genau vorherbestimmbar sind.
Gegenüber dem bislang üblichen, mit Silikaten verunreinigten
Aluminiumoxid stellt diese Möglichkeit der Beeinflussung
einen erheblichen Fortschritt dar. Bei dem angesprochenen
verunreinigten Aluminiumoxid erfolgt die Sinterung in flüs
siger Phase, bei der die Aluminiumoxidkörner von den Silika
ten in Flüssigphase umgeben werden. Beim Anätzen werden
deshalb an den Korngrenzen im wesentlichen unkontrollierbar
Bereiche angeätzt, so daß sich Fehlstellen ganz unterschied
licher Größe und Struktur herauslösen, nämlich in Abhängig
keit davon, ob ein einzelnes oder aber mehrere, noch zusam
menhängende Aluminiumoxidkörner aus dem Strukturverbund
herausgelöst werden.
Optimale Festigkeitskennwerte ergeben sich bei Aluminiumoxid
mit einer Reinheit von mehr als 99%, speziell bei Alumi
niumoxid mit einer Reinheit von 99,7%. Dieser hochreine
Werkstoff verdichtet sich während des Sintervorgangs opti
mal, so daß eine praktisch ideal porenfreie Struktur ent
steht. Diese erhöht - wie bereits vorstehend beschrieben -
die Wärmeleitfähigkeit erheblich, ein Aspekt, der speziell
für den Einsatz bei hoher Leistungsdichte von besonderer
Bedeutung ist.
Ein sehr gutes Ätzverhalten ergibt sich, sofern Zirkonoxid
mit einem Volumenanteil im Bereich von 2 bis 50% beigemengt
ist. Innerhalb dieser Bandbreite kann das gewünschte Anätz
verhalten eingestellt werden, wobei die obere Bereichsgrenze
einen Wert darstellt, der die günstigen mechanischen Eigen
schaften des hochreinen Aluminiumoxids noch wesentlich
verbessert. So können beispielsweise die Biegefestigkeit
verdoppelt und die Bruchdehnung verdreifacht werden.
Auf der Basis der vorstehend beschriebenen Materialpaarung
können besonders einfach und kostengünstig metallisierte
Keramiksubstrate, insbesondere Leiterplatten, hergestellt
werden, wobei die Endprodukte hervorragende Gebrauchseigen
schaften besitzen.
Zunächst wird ein Ausgangswerkstoff, der im wesentlichen aus
hochreinem Aluminiumoxid, Zirkonoxid und einem organischen
Bindemittel besteht, im an sich bekannten Spritzgießverfah
ren zu einem Grünling geformt. Das Spritzgießen erlaubt auf
besonders vorteilhafte Art und Weise die Formgebung auch
komplexer geometrischer Gebilde mit einer äußerst homogenen
Struktur. Im Falle der Leiterplatte werden während dieses
Formgebungsvorgangs bereits sämtliche Öffnungen, Aussparun
gen, Durchbrüche und dergleichen gebildet, so daß insoweit
das Substrat nach dem Sintervorgang seine endgültige Form
besitzt. Das zeit- und kostenaufwendige Anbringen von Boh
rungen kann vollständig entfallen.
Außerdem ist es beispielsweise möglich, notwendige Kühlrip
pen bereits mit anzuspritzen.
Nach dem Sintern wird das Substrat geätzt und anschließend
bekeimt. Die eigentliche Metallisierung erfolgt durch Gal
vanisieren.
Bevorzugt wird zum Anätzen Flußsäure mit einer mittleren
Konzentration verwendet.
Die vorstehend beschriebenen Anwendungsfälle des Keramiksub
strats zur Herstellung von Leiterplatten und dergleichen,
stellen lediglich Beispiele dar, anhand derer das Wesen der
Erfindung erläutert werden soll. Hinsichtlich der Anwendung
ergeben sich jedoch noch eine Vielzahl von Variationen, wie
beispielsweise das Herstellen von Lötverbindungen auf einem
derartigen Substrat oder das Aufbringen metallischer Schich
ten zur Realisierung nicht nur von Leiterbahnen, sondern
auch von Widerständen, Kondensatoren, etc.
Claims (8)
1. Keramiksubstrat, insbesondere Leiterplattensubstrat, auf
der Basis von Aluminiumoxid (Al₂O₃), das durch
Galvanisieren metallisierbar ist, dadurch gekennzeich
net, daß das Aluminiumoxid hochreines Aluminiumoxid ist,
und das als weiteren Bestandteil Zirkonoxid (ZrO₂)
enthält.
2. Substrat nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Alumini
umoxid mit einer Reinheit von mehr als 99%, vorzugswei
se mit einer Reinheit von 99,7%.
3. Substrat nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch
Zirkonoxid mit einem Anteil von 2 bis 50 Vol.-%.
4. Verfahren zum Herstellen eines metallisierten Keramik
substrats, insbesondere einer Leiterplatte, auf der
Basis von Aluminiumoxid, gekennzeichnet durch die Ver
fahrensschritte
- a) Spritzgießen eines Grünlings unter Verwendung eines Ausgangswerkstoffs, bestehend im wesentlichen aus hochreinem Aluminiumoxid, Zirkonoxid, sowie einem organischen Bindemittel.
- b) Sintern des Grünlings zum Substrat.
- c) Ätzen, insbesondere selektives Ätzen des Substrats.
- d) Bekeimen der geätzten Bereiche.
- e) Galvanisieren.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
Aluminiumoxid mit einer Reinheit von mehr als 99%,
vorzugsweise mit einer Reinheit von 99,7% verwendet
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeich
net, daß dem Ausgangswerkstoff Zirkonoxid in einer
solchen Menge beigegeben wird, daß im Substrat Zirkon
oxid mit einem Anteil von 2 bis 50 Vol.-% vorhanden ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Ätzen Flußsäure mit einer mitt
leren Konzentration verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß Öffnungen und dergleichen beim
Spritzgießen des Grünlings unmittelbar geformt werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4436644A DE4436644C2 (de) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4436644A DE4436644C2 (de) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Verwendung von Aluminiumoxid als Leiterplattensubstrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4436644A1 true DE4436644A1 (de) | 1996-04-18 |
DE4436644C2 DE4436644C2 (de) | 1998-01-22 |
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ID=6530706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4436644C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3648156A1 (de) * | 2018-11-02 | 2020-05-06 | Infineon Technologies AG | Halbleitersubstrat |
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-
1994
- 1994-10-13 DE DE4436644A patent/DE4436644C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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Derwent Abstract zu EP 406578A * |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE4436644C2 (de) | 1998-01-22 |
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