DE4425711A1 - Oberflächenemittierendes Laserdiodenfeld, sowie Verfahren zum Betreiben hiervon, Photodetektor, Photodetektorfeld, optisches Verbindungssystem und optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem - Google Patents
Oberflächenemittierendes Laserdiodenfeld, sowie Verfahren zum Betreiben hiervon, Photodetektor, Photodetektorfeld, optisches Verbindungssystem und optisches Mehrfachwellenlängen-KommunikationssystemInfo
- Publication number
- DE4425711A1 DE4425711A1 DE4425711A DE4425711A DE4425711A1 DE 4425711 A1 DE4425711 A1 DE 4425711A1 DE 4425711 A DE4425711 A DE 4425711A DE 4425711 A DE4425711 A DE 4425711A DE 4425711 A1 DE4425711 A1 DE 4425711A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- light
- wavelength
- laser
- laser diodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4075—Beam steering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein oberflächenemit
tierendes Laserdiodenfeld nach dem Oberbegriff des An
spruchs 1 bzw. 9 bzw. 13, sowie ein Verfahren zum Betreiben
hiervon, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 8. Weiterhin
betrifft die vorliegende Erfindung einen Photodetektor nach
dem Oberbegriff des Anspruches 21 bzw. 22, ein Photodetek
torfeld nach dem Oberbegriff des Anspruches 21, ein opti
sches Verbindungssystem nach dem Oberbegriff des Anspruches
25 und ein Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem nach
dem Oberbegriff des Anspruches 27.
Oberflächenemittierende Laserdioden (nachfolgend als
oberflächenemittierende LDs bezeichnet) werden aufgrund der
Formgebung der Hohlraumresonatoren in drei Grundsatztypen
klassifiziert: oberflächenemittierende LDs mit vertikalem
Hohlraum, oberflächenemittierende LDs mit horizontalem
Hohlraum und oberflächenemittierende LDs mit gebogenem
Hohlraum. Hierzu sei auch auf "Journal of Electronic Infor
mation Communication Institute" C-I, Vol. J75-C-I, No. 5,
Seiten 245-256 (Mai 1992) verwiesen. Diese oberflächen
emittierenden LDs emittieren Laserlicht in einer Richtung
senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Substrates, wohinge
gen herkömmliche LDs Laserlicht aus einer Facette oder Kri
stallfläche des Substrates emittieren.
Von diesen drei Typen von oberflächenemittierenden La
serdioden ist die oberflächenemittierende LD mit horizonta
lem Hohlraum in einem vergleichsweise einfachen Verfahren
unter Verwendung einer Technik herstellbar, bei der ein
Diffraktionsgitter in einem optischen Wellenleiter herge
stellt wird, wobei diese Technik für gewöhnlich bei der
Herstellung einer DFB-Laserdiode (DFB = Distributed Feed
back) oder einer DBR-Laserdiode (DBR = Distributed Bragg
Reflector) verwendet wird. Genauer, die LD mit horizontalem
Hohlraum wird so hergestellt, daß das Diffraktionsgitter in
zweiter Ordnung ausgebildet wird, d. h. mit einer Periode,
welche λ₀ (Wellenlänge des Laserlichts)/n(effektiver Bre
chungsindex des Wellenleiters) erfüllt. In der nachfolgen
den Beschreibung wird dieses Diffraktionsgitter zweiter
Ordnung als sekundäres Diffraktionsgitter bezeichnet.
Fig. 15 ist eine perspektivische Darstellung eines
oberflächenemittierenden DBR-Lasers nach dem Stand der
Technik, wie er in "Applied Physics Letters", 50(24), 15.
Juni 1987, Seiten 1705-1707 beschrieben ist. In der Dar
stellung gemäß Fig. 15 beinhaltet ein oberflächenemittie
render DBR-Laser 150 ein GaAs-Substrat 52 des n-Typs. Auf
dem GaAs-Substrat 52 des n-Typs sind aufeinanderfolgend ei
ne GaAs-Pufferschicht 53 des n-Typs, eine AlGaAs-Plattie
rungsschicht 52 des n-Typs und eine Lichtleiterschicht 55
des MQW-Typs (MQW = Multiquantum Well = Mehrfachquanten-
Wanne oder Übergitter). Die MQW-Lichtleiterschicht 55 weist
abwechselnd GaAs-Wannenschichten und AlGaAs-Sperr- oder
Barriereschichten auf. Eine AlGaAs-Plattierungsschicht 56
des p-Typs mit einem streifenförmigen sekundären Diffrakti
onsgitter 58 ist auf der Lichtleiterschicht 55 angeordnet.
Eine GaAs-Kontaktschicht 59 des p-Typs ist auf einem Teil
des sekundären Diffraktionsgitters 58 in einem Laser-Oszil
lationsbereich 150A angeordnet. Isolierende Filme 57 sind
auf der Plattierungsschicht 56 auf einander gegenüberlie
genden Seiten des streifenförmigen sekundären Diffraktions
gitter 58 und auf der oberen Oberfläche des Diffrationsgit
ters 58 mit Ausnahme des Laser-Oszillationsbereiches 150A
und auf den gegenüberliegenden seitlichen Oberflächen des
Diffraktionsgitters 58 und der Kontaktschicht 59 in dem La
ser-Oszillationsbereich 150A angeordnet. Eine Seitenelek
trode 61 des p-Typs ist auf dem isolierenden Film 57 und
der Kontaktschicht 59 in dem Laser-Oszillationsbereich 150A
angeordnet. Eine Facette des Laser-Oszillationsbereiches
150A ist mit einem hoch reflektierenden Film 60 beschich
tet.
Nachfolgend wird die Arbeitsweise dieser bekannten An
ordnung beschrieben.
Wenn durch die p-Seitenelektrode 61 ein Strom in den
Laser-Oszillationsbereich 150A eingebracht wird, erfolgt
eine Laser-Grundschwingung. Wenn das Laserlicht in die Al-
GaAs-Plattierungsschicht 56 des p-Typs inklusive des sekun
dären Diffraktionsgitters 58, d. h. des optischen Wellenlei
ters hineinreicht, wird eine maximale Reflektivität bei ei
ner Wellenlänge erhalten, die durch die Periode des sekun
dären Diffraktionsgitters 58 bestimmt ist und zwischen der
Lichtleiterschicht 55 und dem hoch reflektierendem Film 60
wird ein Resonator erzeugt, wodurch der Laser in einer ein
zigen und longitudinalen Mode oszilliert. Das sekundäre
Diffraktionsgitter 58 wandelt das Laserlicht parallel zur
Oberfläche des Substrates 52 in ein Laserlicht senkrecht
zur Oberfläche des Substrates um und gibt das Laserlicht
aus.
Wenn eine Mehrzahl von LDs mit horizontalem Hohlraum,
beispielsweise wie die oben beschriebenen oberflächenemit
tierenden DBR-LDs 150 zweidimensional auf dem gleichen
Substrat integriert werden, wird ein oberflächenemittieren
des DBR-LD-Feld realisiert.
Fig. 16 zeigt eine perspektivische Darstellung eines
oberflächenemittierenden DBR-LD-Feldes, wie es in
"Electronics Letters", Vol. 24, No. 5, 1988, S. 283 be
schrieben ist. In der Fig. 16 bezeichnen gleiche Bezugs
zeichen wie in Fig. 15 gleiche oder einander entsprechende
Teile. Ein zweidimensionales oberflächenemittierendes DBR-
LD-Feld 160 umfaßt drei oberflächenemittierende DBR-LDs mit
jeweils sekundären Diffraktionsgittern 58a, 58b und 58c,
welche parallel zueinander auf dem gleichen Substrat 52 an
geordnet sind, wodurch die Ausgangsleistung des Laserlichts
erhöht wird.
In diesem oberflächenemittierenden LD-Feld 160 nach dem
Stand der Technik weist ein Ausgangslaserlicht von dem LD-
Feld 160 Laserlichtanteile auf, welche von den entsprechen
den Laserresonatoren emittiert werden, so daß im Vergleich
zu der oberflächenemittierenden LD 150 mit dem einzigen La
serresonator gemäß Fig. 15, (sekundäres Diffrationsgitter)
eine höhere Ausgangsleistung erhalten wird. Da jedoch eine
Mehrzahl von Laser-Oszillationsbereichen nahe aneinander
angeordnet ist, wächst die Temperatur dieser Vorrichtung
erheblich an, wenn die Laser kontinuierlich oszillieren, so
daß der Brechungsindex in dem optischen Wellenleiter, d. h.
in der Lichtleiterschicht und in der Plattierungsschicht
sich in nachteiliger Weise ändert. Diese Änderungen in dem
Brechungsindex bewirken eine Differenz zwischen der Bragg-
Wellenlänge des sekundären Diffraktionsgatters, das in dem
optischen Wellenleiter hergestellt wird und in der Laseros
zillations-Wellenlänge, was zu einem unstabilen Strahlaus
gangswinkel führt. Die Fig. 17(a) bis 17(c) zeigen ein
oberflächenemittierendes DBR-LD-Feld mit einem kreisförmi
gen Diffraktionsgitter wie es in der veröffentlichten japa
nischen Patentanmeldung Nr. Hei. 3-257888 beschrieben ist,
wobei Fig. 17(a) eine perspektivische Darstellung des DBR-
LD-Feldes ist, Fig. 17(b) eine Schnittdarstellung entlang
Linie 17b-17b in Fig. 17(a) ist und Fig. 17(c) eine
Schnittdarstellung entlang Linie 17c-17c in Fig. 17(a)
ist. In den Figuren beinhaltet ein oberflächenemittierendes
DBR-LD-Feld 170 ein InP-Substrat 70 des n-Typs mit einander
gegenüberliegenden vorderen und hinteren Oberflächen. Eine
InGaAsP-Wellenleiterschicht 83 des n-Typs mit einer Band
lückenenergie gleich einer Wellenlänge von 1.3 µm, eine In-
GaAsP-Aktivschicht 82 mit einer Bandlückenenergie gleich
einer Wellenlänge von 1.55 µm, eine InP-Plattierungsschicht 81
des p-Typs und eine InGaAsP-Kappenschicht 80 des p-Typs
sind aufeinanderfolgend auf dem InP-Substrat des n-Typs an
geordnet. Teile dieser Schichten 80, 81 und 82 in der Mitte
der Struktur werden selektiv entfernt und ein kreisförmiges
sekundäres Diffraktionsgitter 59 wird auf der freiliegenden
Oberfläche der InGaAsP-Wellenleiterschicht 83 des n-Typs
hergestellt. Weiterhin werden diese Schichten 80, 81, 82
und 83 in einer Mehrzahl von streifenförmigen Mesas über
das Diffrationsgitter 79 hinweg ausgebildet. Genauer ge
sagt, gemäß Fig. 17(a) werden vier streifenförmige Laser
resonatoren 71, 72, 73 und 74, die jeweils den Querschnitt
gemäß Fig. 17b haben, durch selektives Entfernen von Be
reichen dieser Schichten 80 bis 83 hergestellt. Wie in Fi
gur 17(c) gezeigt, ist eine halbisolierende InP-Schicht 84
auf dem Substrat 70 angeordnet und kontaktiert einander ge
genüberliegende Seiten eines jeden Laserresonators. Eine
Seitenelektrode 78 den n-Typs ist auf der rückwärtigen
Oberfläche des Substrates 70 ausgebildet. Eine Seitenelek
trode 75 des p-Typs ist auf den streifenförmigen Resonato
ren 70 bis 74 und auf der halbisolierenden InP-Schicht 84
ausgebildet. Mit den Bezugszeichen 81a sind Facetten oder
Kristallflächen bezeichnet, mit den Bezugszeichen 76 ein
isolierender Film und dem Bezugszeichen 77 ein Metallfilm.
Bei diesem oberflächenemittierenden DBR-LD-Feld nach
dem Stand der Technik werden Laserlichtanteile, die durch
Laseroszillationen der jeweiligen Resonatoren 71 bis 74 er
zeugt werden, von dem kreisförmigen Diffraktionsgitter 79
nach oben ausgegeben, so daß von der einzigen Apertur eine
hohe Ausgangsleistung erhalten wird, die proportional zu
der Anzahl der Laserresonatoren ist. Zusätzlich ist der
Raum zwischen benachbarten Resonaten größer als bei dem LD-
Feld gemäß Fig. 16. Von daher wird der unerwünschte Tempe
raturanstieg in der Vorrichtung während einer kontinuierli
chen Laseroszillation unterdrückt, wodurch die Instabilität
in dem Strahlausgangswinkel auf einen bestimmten Betrag
verringerbar ist.
Da das oberflächenemittierende DBR-LD-Feld nach dem
Stand der Technik ein Laserlicht mit hoher Leistung in ei
ner Richtung senkrecht zur Hauptfläche des Substrates aus
sendet, wird es als lichtemittierendes Halbleiterelement
zur optischen Kopplung von Signalen zwischen einer Mehrzahl
von Computern oder zur optischen Kopplung in einem Compu
ter, d. h. von Signalen zwischen einer Mehrzahl von Schalt
kreiskarten oder auf einer jeden Schaltkreiskarte oder von
Signalen zwischen einer Mehrzahl von Chips verwendet. Die
ses optische Verbindungssystem macht Mittel notwendig, mit
den elektrische Signale in Licht umwandelbar sind, Mittel
zum Übertragen des optischen Signales und Mittel zum Wie
dererhalt des elektrischen Signales aus dem optischen Si
gnal. Ein lichtemittierendes Halbleiterelement
(beispielsweise ein Halbleiterlaser), ein optischer Wellen
leiter und ein lichtempfindliches Halbleiterelement sind
die hierfür verwendeten Mittel. Fig. 18(a) ist eine sche
matische Darstellung eines optischen Verbindungssystems,
das einen optischen Wellenleiter verwendet (nachfolgend als
optische Wellenleiterverbindung bezeichnet) und Fig. 18(b)
ist eine schematische Darstellung eines optischen Verbin
dungssystems, das keinen Wellenleiter verwendet
(nachfolgend als optische räumliche Verbindung bezeichnet).
Gemäß den Fig. 18(a) und 18(b) wird bei der opti
schen Wellenleiterverbindung bzw. der optischen räumlichen
Verbindung die Richtung, in der von einem Halbleiterlaser
immitiertes Laserlicht geführt wird, durch einen optischen
Wellenleiter bzw. einen Reflektionsspiegel geändert. Wenn
daher gemäß Fig. 19 die Richtungen von Laserlichtanteilen
92a bis 92c, welche von oberflächenemittierenden LD-Feldern 90a
bis 90c ausgegeben werden, die auf einem Übertragerchip
190a angeordnet sind, separat für jedes oberflächenemittie
rende LD-Feld gesteuert werden, kann auf physische Mittel
zum Ändern des optischen Pfades, also beispielsweise auf
den Wellenleiter oder den Reflektionsspiegel verzichtet
werden. Zusätzlich werden Informationen von den drei ober
flächenemittierenden LD-Feldern 90a bis 90c von sechs Pho
todioden 91a bis 91f empfangen, die auf einem Empfängerchip
190b angeordnet sind, so daß die Bauelementgröße erheblich
verkleinert wird. In dem oberflächenemittierenden LD-Feld
gemäß Fig. 16 ist jedoch eine Mehrzahl von Oszillations
teilen der Laserresonatoren parallel und eng benachbart an
geordnet und jeder Laserresonator wird durch Lecklicht von
dem benachbarten Resonator nachteilig beeinflußt. Selbst
wenn daher die jeweiligen Laserresonatoren mit unterschied
lichen Treiberströmen oszilliert werden und eine phasenge
mischte Welle erzeugt wird, arbeiten die jeweiligen Laser
resonatoren nicht stabil, so daß die Ausgangsrichtung der
erhaltenen phasengemischten Welle nicht beliebig gesteuert
werden kann. Da andererseits in dem oberflächenemittieren
den LD-Feld gemäß Fig. 17 eine Mehrzahl von Laserlichtan
teilen von den Oszillatoren der jeweiligen Laserresonatoren
71 bis 74 miteinander an dem ringförmigen Diffraktionsgit
ter 79 in Interferenz geraten bzw. einander stören oder be
einflussen, wird keine phasengemischte Welle erhalten, so
daß die Ausgangsrichtung des zusammengesetzten Ausgangs
lichts mit den Laserlichtanteilen von den jeweiligen Laser
lichtresonatoren nicht beliebig gesteuert werden kann.
In der Zwischenzeit wird mehr und mehr eine optische
Mehrfachwellenlängen-Kommunikation angewendet, bei der
Mehrfachwellenlängen-Licht mit Laserlichtanteilen unter
schiedlicher Wellenlängen durch eine optische Faser geführt
wird. Wenn bei dem oberflächenemittierenden LD-Feld gemäß
Fig. 16 die Teilungen der jeweiligen sekundären Diffrakti
onsgitter 58a bis 58c von einander unterschiedlich sind,
werden Laserlichtanteile mit unterschiedlichen Wellenlängen
gleichzeitig ausgegeben. Bei dem oberflächenemittierenden
LD-Feld gemäß Fig. 16 sind jedoch die sekundären Diffrak
tionsgitter 58a bis 58c zueinander parallel und eng benach
bart angeordnet, so daß Laserlichtanteile von den jeweili
gen Diffrationsgittern miteinander in Interferenz geraten,
so daß ein Mehrfachwellenlängen-Laserlicht mit einer vorbe
schriebenen Wellenlänge nicht stabil ausgegeben werden
kann. Bei dem oberflächenemittierenden LD-Feld gemäß Fig.
17 geraten Laserlichtanteile mit unterschiedlichen Wellen
längen miteinander an dem ringförmigen Diffraktionsgitter
79 in Interferenz, so daß ein Mehrfachwellenlängen-Laser
licht mit einer bestimmten Wellenlänge nicht stabil ausge
geben werden kann.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein oberflächenemittierendes LD-Feld zu schaffen, welches
stabile Ausgangswinkel von Laserlichtanteilen von entspre
chenden Laserresonatoren (Laserdioden) im kontinuierlichen
Betrieb bei Raumtemperatur ermöglicht, bei dem die jeweili
gen Laserresonatoren separat gesteuert werden und bei dem
ein zusammengesetztes Laserlicht bestehend aus Laserlicht
anteilen von Laserresonatoren mit hoher Steuerbarkeit in
eine beliebige Richtung lenkbar ist.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es,
ein Verfahren zum Betrieb eines derartigen oberflächenemit
tierenden LD-Feldes bereit zu stellen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es,
ein räumliches, optisches Verbindungssystem zu schaffen,
welches das oberflächenemittierende LD-Feld verwendet.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es,
ein oberflächenemittierendes LD-Feld zu schaffen, bei dem
eine Mehrzahl von Laserresonaten (Laserdioden) separat von
einander steuerbar ist, und bei dem ein zusammengesetztes
Laserlicht mit Laserlichtanteilen unterschiedlicher Wellen
länge von den jeweiligen Laserresonaten in einer bestimmten
Richtung ausgegeben wird, wobei die Ausgabe mit hoher Sta
bilität erfolgt und keine gegenseitige Beeinflussung der
Laserlichtanteile unterschiedlicher Wellenlänge erfolgt.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es,
einen Photodetektor zu schaffen, der nur Licht mit einer
bestimmten Wellenlänge aus dem oben erwähnten Mehrfachwel
lenlängen-Laserlicht erkennt.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es,
ein optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem zu
schaffen, mit einem Übertrager aus dem oben beschriebenen
oberflächenemittierenden LD-Feld und einem Empfänger, der
das Mehrfachwellenlängen-Licht von dem Übertrager bei jeder
Wellenlänge erkennt.
Die Lösung dieser Aufgaben erfolgt durch die im An
spruch 1 bzw. 8 bzw. 9 bzw. 13 bzw. 21 bzw. 22 bzw. 23 bzw.
25 bzw. 27 angegebenen Merkmale.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegen
stand der jeweiligen Unteransprüche.
Gemäß eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung
weist ein oberflächenemittierendes LD-Feld eine Mehrzahl
von oberflächenemittierenden LDs auf, welche jeweils sekun
däre Diffraktionsgitter beinhalten, welche mit der gleichen
Unterteilung erzeugt werden. Diese LDs werden radial auf
einem Substrat mit einem bestimmten Punkt des Substrates
als Mittelpunkt der radialen Anordnung angeordnet, so daß
die sekundären Diffraktionsgitter in Richtung des Mittel
punktes weisen. In dieser Anordnung sind die Laseroszilla
tionsbereiche der benachbarten oberflächenemittierenden LDs
voneinander beabstandet, so daß die jeweiligen oberfläche
nemittierenden LDs jeweils individuell mit hoher Stabilität
betrieben werden. Im Ergebnis wird, wenn diese oberflächen
emittierenden LDs mit dem gleichen Treiberstrom oszilliert
werden, ein Laserlicht mit hoher Leistung mit einer Mehr
zahl von Laserlichtanteilen, die von den jeweiligen LDs
ausgegeben werden, und gleiche Phase und Wellenlänge haben,
stabil in einer bestimmten Richtung ausgesendet. Wenn ande
rerseits diese oberflächenemittierenden LDs mit unter
schiedlichen Treiberströmen oszilliert werden, wird eine
phasenzusammengesetzte Welle, in der eine Mehrzahl von La
serlichtanteilen mit gleicher Phase und unterschiedlicher
Wellenlängen vorhanden sind, stabil in einer bestimmten
Richtung ausgesendet.
Gemäß eines zweiten Aspektes der vorliegenden Erfindung
sind in dem oben erwähnten oberflächenemittierenden LD-Feld
die oberflächenemittierenden LDs so angeordnet, daß Vor
sprünge der sekundären Diffraktionsgitter einander benach
barte LDs nicht konzyklisch mit dem Mittelpunkt auf dem
Substrat als Mitte sind. Wenn daher diese oberflächenemit
tierenden LDs mit unterschiedlichen Treiberströmen oszil
liert werden, um eine phasenzusammengesetzte Welle zu er
zeugen, wird die gegenseiteige Interferenz von Lecklicht
mit unterschiedlichen Phasen zwischen den benachbarten
oberflächenemittierenden LDs aufgehoben, wodurch die pha
senzusammengesetzte Welle stabil in einer bestimmten Rich
tung ausgesendet wird.
Gemäß eines dritten Aspektes der vorliegenden Erfindung
ist bei dem oben erwähnten oberflächenemittierenden LD-Feld
eine Mehrzahl von Kerben zur Wärmeabstrahlung zwischen ein
ander benachbarten LDs angeordnet. Eine gegenseitige ther
mische Beeinflussung einander benachbarter oberflächenemit
tierender LDs wird hierdurch verhindert, wodurch die jewei
ligen LDs mit hoher Zuverlässigkeit betrieben werden kön
nen.
Gemäß eines vierten Aspektes der vorliegenden Erfindung
werden bei dem Verfahren zum Betreiben eines oberflächene
mittierenden LD-Feldes die jeweiligen oberflächenemittie
renden LDs mit unterschiedlichen Betriebs strömen angesteu
ert, um diese LDs individuell zu steuern, wodurch die Aus
gangsrichtung eines zusammengesetzten Laserlichts mit La
serlichtanteilen von den jeweiligen oberflächenemittieren
den LDs in eine beliebige Richtung geändert werden kann,
ohne einen Reflektionsspiegel oder einen optischen Wellen
leiter benutzen zu müssen.
Gemäß eines fünften Aspektes der vorliegenden Erfindung
werden bei dem oberflächenemittierenden LD-Feld die sekundä
ren Diffraktionsgitter der jeweiligen LDs mit unterschied
lichen Teilungen hergestellt. Die jeweiligen oberflächene
mittierenden LDs werden daher mit unterschiedlichen Oszil
lationswellenlängen oszilliert und ein Mehrfachwellenlän
gen-Laserlicht bestehend aus einer Mehrzahl von Laserlicht
anteilen mit unterschiedlichen Wellenlängen wird erhalten.
Gemäß eines sechsten Aspektes der vorliegenden Erfin
dung ist ein oberflächenemittierendes LD-Feld vorgesehen
mit einem Substrat, das eine Durchgangsbohrung hat, wobei
eine Mehrzahl von oberflächenemittierenden LDs radial auf
dem Substrat so angeordnet ist, daß die laseremittierenden
Kristallflächen der entsprechenden LDs in Richtung der
Durchgangsbohrung weisen, wobei eine Einrichtung vorgesehen
ist, um Laserlichtanteile von den jeweiligen LDs zu sammeln
und das zusammengefaßte Laserlicht in Richtung senkrecht
zur Oberfläche des Substrates auszugeben. Die Vorrichtung
zum Sammeln des Laserlichtes ist in der Durchgangsbohrung
des Substrates angeordnet. Von daher kann der gleiche Be
trieb wie bei dem oben beschriebenen oberflächenemittieren
den LD-Feld ohne Verwendung von oberflächenemittierenden
LDs erhalten werden.
Gemäß eines siebten Aspektes der vorliegenden Erfindung
weist ein Photodetektor eine optische Wellenleiterschicht,
einen lichtempfindlichen Teil mit einem sekundären Diffrak
tionsgitter, das Licht mit einer bestimmten Wellenlänge zu
der optischen Wellenleiterschicht führt, und einen Lichtde
tektionsteil zum Wandeln des Lichtes mit einer bestimmten
Wellenlänge, das durch die optische Wellenleiterschicht
wandert in einen photoelektrischen Strom und zum Ausgeben
des photoelektrischen Stromes auf. Von daher wird Licht mit
einer bestimmten Wellenlänge aus dem Mehrfachwellenlängen-
Licht mit hoher Präzision herausdetektiert.
Gemäß eines achten Aspektes der vorliegenden Erfindung
weist ein Photodetektorfeld eine Mehrzahl der erwähnten
Photodetektoren auf. Diese Photodetektoren sind radial auf
einem Substrat angeordnet, wobei eine bestimmter Punkt auf
dem Substrat der Mittelpunkt der radialen Anordnung derart
ist, daß die sekundären Diffraktionsgitter der jeweiligen
Photodetektoren in Richtung des Mittelpunktes weisen. Wenn
daher die sekundären Diffraktionsgitter der jeweiligen Pho
todetektoren mit unterschiedlichen Teilungen erzeugt wer
den, wird Mehrfachwellenlängen-Licht mit jeder Wellenlänge
mit hoher Präzision ohne die Verwendung von Vorrichtungen
zum Unterteilen des Mehrfachwellenlängen-Lichtes in Si
gnallichtanteile der jeweiligen Wellenlänge erkannt.
Gemäß eines neunten Aspektes der vorliegenden Erfindung
weist ein räumliches optisches Verbindungssystem als lich
temittierendes Halbleiterelement zur Übertragung ein ober
flächenemittierendes LD-Feld auf, bei dem die sekundären
Diffraktionsgitter der jeweiligen oberflächenemittierenden
LDs mit der gleichen Teilung erzeugt werden. Wenn daher die
Treiberströme für die jeweiligen oberflächenemittierenden
LDs gesteuert werden, wird ein zusammengesetztes Laserlicht
mit Laserlichtanteilen von den jeweiligen LDs in einer be
liebigen Richtung ausgesendet, wodurch Signallichtanteile
zu einer Mehrzahl von lichtempfangenden Elementen übertra
gen werden können.
Gemäß eines zehnten Aspektes der vorliegenden Erfindung
weist ein optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssy
stem ein oberflächenemittierendes LD-Feld auf, bei dem die
sekundären Diffraktionsgitter der oberflächenemittierenden
LDs mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt sind, ein
Photodektorfeld, bei dem die sekundären Diffraktionsgatter
der jeweiligen Photodetektoren mit unterschiedlichen Tei
lungen hergestellt werden und eine optische Faser, welche
das LD-Feld und das Photodetektorfeld verbindet. Von daher
wird Mehrfachwellen-Licht der optischen Faser mit hoher
Stabilität übertragen und ein Signallicht mit einer be
stimmten Wellenlänge wird aus dem übertragenen Mehrfachwel
lenlängen-Licht mit hoher Präzision herausdetektiert und
empfangen.
Weitere Einzelheiten und Aspekte und Vorteile der vor
liegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Be
schreibung von Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die
Zeichnung.
Es zeigt:
Fig. 1(a) eine Draufsicht auf ein oberflächen
emittierendes LD-Feld gemäß einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 1(b) eine perspektivische Darstellung einer
LD in dem LD-Feld, das in dem strichpunktierten Bereich A
in Fig. 1(a) angeordnet ist;
Fig. 2 und 3 schematische Schnittdarstellungen
zur Erläuterung der Arbeitsweise des oberflächenemittieren
den LD-Feldes von Fig. 1;
Fig. 4 eine perspektivische Darstellung einer
oberflächenemittierenden LD gemäß Fig. 1(b) mit einer Pha
sensteuerfunktion;
Fig. 5 eine Draufsicht zur Darstellung von Teilen
sekundärer Diffraktionsgatter in einem oberflächenemittie
renden LD-Feld gemäß einer zweiten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung;
Fig. 6 eine Draufsicht auf ein oberflächenemit
tierendes LD-Feld gemäß einer dritten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine perspektivische Darstellung einer
oberflächenemittierenden LD in dem LD-Feld gemäß Fig. 6;
Fig. 8 eine Draufsicht auf ein oberflächenemit
tierendes LD-Feld gemäß einer vierten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 9 und Fig. 10 Schnittdarstellungen des LD-
Feldes von Fig. 8;
Fig. 11 eine Draufsicht auf ein oberflächenemit
tierendes LD-Feld gemäß einer fünften Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 12(a) und Fig. 12(b) eine perspektivische
Darstellung und eine Schnittdarstellung eines Photodetek
tors gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 13 eine Draufsicht auf ein Photodetektorfeld
gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung;
Fig. 14 eine schematische Darstellung eines opti
schen Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystems gemäß ei
ner achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 15 eine perspektivische Darstellung einer
oberflächenemittierenden LD nach dem Stand der Technik;
Fig. 16 eine perspektivische Darstellung eines
oberflächenemittierenden LD-Feldes nach dem Stand der Tech
nik;
Fig. 17(a) bis 17(c) perspektivische Darstellun
gen bzw. Schnittdarstellungen eines oberflächenemittieren
den LD-Feldes nach dem Stand der Technik;
Fig. 18(a) und 18(b) schematische Darstellungen
von herkömmlichen optischen Verbindungssystemen; und
Fig. 19 eine schematische Darstellung eines räum
lichen optischen Verbindungssystems mit einem lichtemittie
renden Halbleiterelement, welches die Richtung des Aus
gangslichtes ändern kann.
Fig. 1(a) ist eine Draufsicht auf ein oberflächenemit
tierendes LD-Feld gemäß einer ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung und Fig. 1(b) ist eine perspektivi
sche Darstellung einer LD, die in diesem LD-Feld in dem
strichpunktierten Bereich A in Fig. 1(a) angeordnet ist.
Gemäß den Fig. 1(a) und 1(b) weist ein oberflächenemit
tierendes LD-Feld 100 ein InP-Substrat 10 des n-Typs auf.
Eine Mehrzahl von oberflächenemittierenden LDs 101a bis
101l des DBR-Typs (DBR = Distributed Bragg Reflector) mit
je einem sekundären Diffraktionsgitter 16 ist radial auf
dem InP-Substrat 10 angeordnet, wobei ein bestimmter Punkt
auf dem Substrat 10 der Mittelpunkt der radialen Anordnung
ist, so daß die sekundären Diffraktionsgitter 16 in Rich
tung des Mittelpunktes weisen. Die sekundären Diffraktions
gitter 16 der LDs 101a bis 101l werden mit gleicher Teilung
oder Unterteilung hergestellt. Obgleich in Fig. 1(a) nicht
dargestellt, sind die oberflächenemittierenden LDs 101a bis
101l so angeordnet, daß die Vorsprünge einander benachbar
ter sekundärer Diffraktionsgitter 16 nicht konzyklisch mit
dem Mittelpunkt der radialen Anordnung als Mitte sind.
Die oberflächenemittierenden LDs 101a bis 101l weisen
die gleichen Halbleiterschichten auf. Genauer gesagt, gemäß
Fig. 1b ist auf dem Substrat 10 des n-Typs eine InP-Plat
tierungsschicht 11 des n-Typs mit einer Dicke von 1 µm an
geordnet. Eine InGaAsP Lichtleiterschicht 12 mit einer
Dicke von 300 Å ist auf der Plattierungsschicht 11 angeord
net. Eine aktive MQW-Schicht 13 (MQW = Multiquantum Well)
ist auf der Lichtleiterschicht 12 angeordnet. Die MQW-
Schicht weist abwechselnd angeordnet fünf bis zehn 100 Å
dicke InGaAsP-Barriereschichten und fünf bis zehn 70 Å
dicke InGaAsP-Wannenschichten auf. Eine InGaAsP-Lichtlei
terschicht 14 mit einer Dicke von 300 Å ist auf der MQW-
Schicht 13 angeordnet. Eine InP-Plattierungsschicht 15 des
p-Typs mit einer Dicke von 0,5 µm ist auf der Lichtleiter
schicht 14 angeordnet. Ein sekundäres InGaAsP-Diffraktions
gitter 16 ist auf der Plattierungsschicht 11 angeordnet.
Die Schichten 11 bis 16 sind in einer streifenförmigen Me
sastruktur 30 ausgebildet. Eine Fe-dotierte InP-Schicht 17
ist auf der Paltierungsschicht 11 des n-Typs angeordnet und
kontaktiert die einander gegenüberliegenden Seiten der Me
sastruktur 30 mit Ausnahme des Diffraktionsgitters 16. Eine
InGaAsP-Kontaktschicht 18 des p-Typs ist auf einem Teil des
Diffraktionsgitters 16 in einem Laseroszillationsbereich
101A vorgesehen. Ein isolierender Film 19 ist aufeinander
gegenüberliegenden Seiten des Diffraktionsgitters 16 und
der Kontaktschicht 18 in dem Laseroszillationsbereich 101A
und auf einem Teil der Fe-dotierten Schicht 17 im Nahbe
reich des Diffraktionsgitters 16 angeordnet. Eine Seiten
elektrode 20 des p-Typs mit Cr/Au ist über dem isolierenden
Film 19 und der oberen Oberfläche der Kontaktschicht 18 an
geordnet. Laserlicht wird von dem sekundären Diffraktions
gitter 16 in dem Laserlicht-Emissionsbereich 101B in einer
Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrates 10 ausge
geben. Eine Seitenelektrode 22 des n-Typs mit AuGe/Ni/Au
ist auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrates 10 ange
ordnet. Ein hoch reflektierender Film 21 ist an einem Ende
des sekundären Diffraktionsgitters 16 und einem Teil der
Plattierungsschicht 15 des p-Typs angeordnet, der von der
Seitenelektrode 20 des p-Typs vorragt. Der hoch reflektie
rende Film 21 kann über der Fe-dotierten Schicht 17 ange
ordnet sein.
Ein Herstellungsverfahren für das oberflächenemittie
rende LD-Feld 100 gemäß den Fig. 1(a) und 1(b) wird nun
beschrieben.
Der Herstellungsprozeß für die LDs 101a bis 101l in
dem LD-Feld 100 ist im wesentlichen gleich dem Herstel
lungsprozeß einer oberflächenemittierenden LD nach dem
Stand der Technik. In dem Herstellungsprozeß des sekundären
Diffraktionsgitters inklusive abscheiden und aushärten ei
nes Photoresist-Films in Form eines Diffraktionsgitters mit
bestimmter Teilung unter Verwendung eines zweistrahl-Inter
ferenzbelichtungsverfahrens einer Laserquelle und Ausbilden
des sekundären Diffraktionsgitters als Halbleiterschicht
unter Verwendung des Photoresist-Musters als Maske erzeugt
ein Belichtungsprozeß jedoch nur ein Diffraktionsgitter-
Photoresistmuster in einer Richtung. Daher wird in der vor
liegenden Erfindung unter Verwendung der Tatsache, daß das
oberflächenemittierende LD-Feld 100 eine rotationssymmetri
sche Struktur bezüglich des Mittelpunktes der Vorrichtung
hat, das Substrat 10 nur teilweise maskiert, so daß die
oberflächenemittierenden LDs, auf denen die sekundären Dif
fraktionsgitter in gleicher Richtung verlaufen, belichtet
werden und das Substrat wird einer Mehrfachstrahl-Interfe
renzbelichtung unterworfen. Das Substrat 10 oder die opti
sche Quelle für die Interferenzbelichtung (nicht darge
stellt) wird um den Mittelpunkt der Vorrichtung herum ge
dreht und sekundäre Diffraktionsgitter, welche in die glei
che Richtung verlaufen, werden aufeinanderfolgend durch
Mehrfachstrahl-Interferenzbelichtung erzeugt. Alternativ
hierzu kann der Photoresist-Film in einer radialen Diffrak
tionsgitterung unter Verwendung einer Elektronenstrahlbe
lichtung gemustert werden, oder das Diffraktionsgittermu
ster kann direkt auf der Halbleiterschicht unter Verwendung
einer FIBE-Technik (Focused Ion Beam Etching) ohne Verwen
dung des Photoresist-Filmes gebildet werden.
Bei dem LD-Feld 100 gemäß der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung sind die entsprechenden LDs 101a
bis 101l voneinander durch Mesa-Ätzen getrennt. Bei dem Me
sa-Ätzvorgang für herkömmliche InGaAsP-InP LDs wird ein
Naß-Ätzverfahren unter Verwendung einer basischen Br-Lösung
verwendet. Dieses Naß-Ätzen hängt jedoch sehr stark von der
Oberflächenausrichtung des Substrates ab, so daß unter
schiedliche Ebenen und Formen abhängig von den Richtungen
erzeugt werden, in welchen die Muster erzeugt werden. Das
bevorzugte Verfahren zum Trennen der LDs voneinander ist
daher nicht das Naß-Ätzen. In der dargestellten Ausfüh
rungsform in der vorliegenden Erfindung wird ein Trocken-
Ätzvorgang - beispielsweise RIE (Reactive Ion Etching) oder
FIBE (Focus Ion Beam Etching) - verwendet, um die Element
trennung unabhängig von der Oberflächenausrichtung zu er
möglichen.
Nachfolgend wird die Arbeitsweise der beschriebenen und
dargestellten Ausführungsform erläutert.
Wenn die jeweiligen LDs 101a bis 101l in dem oberflä
chenemittierenden LD-Feld 100 mit Strömen der gleichen
Größe oszilliert werden, wie in Fig. 2 dargestellt, werden
Laserlichtanteile 23a und 23b von den sekundären Diffrakti
onsgittern 16 der oberflächenemittierenden LDs 101a bis
101l emittiert, wobei diese Lichtanteile gleiche Wellen
länge und gleich Phase haben und diese Lichtanteile geraten
im Mittelpunkt der Vorrichtung miteinander in Interferenz,
was zu einem Laserlicht 23 mit hoher Energie führt. Fig. 2
zeigt eine Schnittdarstellung entlang den gegenüberliegen
den LDs 101a und 101g und es sind nur Laserlichtanteile 23a
und 23b in der Figur gezeigt. Es versteht sich, daß Laser
lichtanteile gleicher Wellenlänge und gleicher Phase von
allen LDs 101a bis 101l emittiert werden.
Wenn andererseits die jeweiligen LDs 101a bis 101l in
dem oberflächenemittierenden LD-Feld 100 mit Strömen unter
schiedlicher Größe oszilliert werden, wird, da die Laser
lichtanteile 24a und 24b von den sekundären Diffraktions
gittern 16 der entsprechenden LDs 101a bis 101l gleiche
Wellenlänge aber unterschiedliche Phasen haben, wie in Fi
gur 3 gezeigt, ein Weitfeld-Laserlicht 24 (far-field laser
light), das vom Mittelpunkt des LD-Feldes ausgegeben wird,
eine phasenzusammengesetzte Welle der jeweiligen LDs. Daher
ist es möglich, den Intensitätsspitzenwinkel R zu variie
ren, der durch die Differenz der Phasen zwischen den jewei
ligen LDs 101a bis 101l bestimmt wird. In dem die Treiber
ströme zu den jeweiligen LDs 101a bis 101l gesteuert wer
den, um die Phase des von dem LD emittierten Laserlichtes
zu ändern. Der Spitzenwinkel R, der in seiner Richtung va
riabel ist, ist bezüglich der Lichtemissionsrichtung ko
nisch, d. h. bezüglich der Richtung senkrecht zum Substrat,
da die oberflächenemittierenden LDs 101a bis 101l radial um
einen bestimmten Punkt des Substrates herum als Mittelpunkt
angeordnet sind. Fig. 3 ist eine Schnittdarstellung ent
lang einander gegenüberliegenden LDs 101a bis 101g und es
sind nur zwei Laserlichtanteile 24a und 24b dargestellt. Es
versteht sich jedoch, daß Laserlichtanteile von allen LDs
101a bis 101l emittiert werden.
In dem oben beschriebenen Ablauf kann als Verfahren zur
Steuerung der Oszillationsphase eines jeden LD eine Phasen
steuervorrichtung verwendet werden, die in einem hinsicht
lich der Wellenlänge variablen Dreielektroden-DBR-Laser
enthalten ist, wie er in "Electronics Letters", Vol. 23, S.
404, 1987 beschrieben ist. Genauer gesagt, ein Phasensteu
erbereich ist in einem bestimmten Abschnitt eines optischen
Wellenleiters ausgebildet und ein Strom wird in diesen Pha
sensteuerbereich eingebracht, um die Ladungsträgerkonzen
tration in diesem Bereich zu ändern. Die Änderung in der
Ladungsträgerkonzentration bewirkt, daß sich der Brechungs
index in diesem Bereich ändert. Die Änderungen in der
Phase, welche durch Änderungen in der Laser-Oszillations
wellenlänge bewirkt werden, wird durch die Änderung im Bre
chungsindex kompensiert und gesteuert.
Fig. 4 ist eine perspektivische Darstellung, die einen
Teil einer oberflächenemittierenden LD mit einer derartigen
Phasensteuereinrichtung zeigt. In Fig. 4 bezeichnen glei
che Bezugszeichen wie in Fig. 1(b) gleiche oder einander
entsprechende Teile. Der Aufbau der Anordnung gemäß Fig. 4
ist identisch zu dem Aufbau gemäß Fig. 1(b) mit der Aus
nahme, daß ein Phasensteuerbereich 101c mit einem zusätzli
chen isolierenden Film 19a und einer zusätzlichen Seiten
elektrode 20a des p-Typs zwischen dem Laseroszillationsbe
reich 101a und dem laserlichtemittierenden Bereich 101B an
geordnet ist. Der isolierende Film 19a und die Seitenelek
trode 20a werden gleichzeitig mit dem isolierenden Film 19
und der Seitenelektrode 20 in dem Laseroszillationsbereich
101A ausgebildet.
Bei dem oberflächenemittierenden LD-Feld 100 gemäß der
ersten Ausführungsform der Erfindung ist eine Mehrzahl von
voneinander getrennten oberflächenemittierenden LDs 101a
bis 101l mit je einem sekundären Diffraktionsgitter 16 mit
gleicher Unterteilung radial auf dem Halbleitersubstrat 10
so angeordnet, daß ein bestimmter Punkt des Substrates 10
der Mittelpunkt der radialen Anordnung ist und die sekundä
ren Diffraktionsgitter 16 der jeweiligen LDs zu diesem Mit
telpunkt hinweisen. Da die oberflächenemittierenden LDs
101a bis 101l voneinander getrennt sind und die einander
benachbarten Laseroszillationsbereiche äquidistant zueinan
der angeordnet sind, werden, wenn die jeweiligen oberflä
chenemittierenden LDs 101a bis 101l kontinuierlich bei
Raumtemperatur mit Strömen gleicher Größe betrieben werden,
die jeweiligen LDs stabil oszilliert, ohne daß sie durch
Lecklicht der benachbarten LDs nachteilig beeinflußt wer
den. Im Ergebnis kann ein Laserlicht hoher Leistung oder
Energie stabil mit einem bestimmten Ausgangswinkel abgege
ben werden.
Wenn die jeweiligen oberflächenemittierenden LDs 101a
bis 101l mit Strömen unterschiedlicher Größe betrieben wer
den, wird, da die jeweiligen LDs voneinander getrennt sind
und die benachbarten Laseroszillationsbereiche und die be
nachbarten sekundären Diffraktionsgitter gleichmäßig von
einander beabstandet sind, eine thermische Interferenz und
gegenseitige Störung aufgrund von Lecklicht zwischen be
nachbarten LDs verhindert. Im Ergebnis geben die jeweiligen
LDs 101a bis 101l stabil Laserlicht mit bestimmten Phasen
ab und eine phasenzusammengesetzte Welle mit bestimmter
Phase wird in einer vorherbestimmten Richtung mit hoher Zu
verlässigkeit ausgegeben. Weiterhin kann der Intensitäts
spitzenwinkel R der phasenzusammengesetzten Welle dadurch
geändert werden, daß der den oberflächenemittierenden LDs
101a bis 101l zugeführte Strom geändert wird, um die Oszil
lationsphase der LD zu ändern. Wenn beispielsweise das
oberflächenemittierende LD-Feld 100 auf einem Übertrager
chip angeordnet ist, ist es möglich, Informationen von dem
LD-Feld 100 auf dem Übertragerchip jeder Photodiode aus ei
ner Vielzahl von Photodioden, die in Matrixform auf einen
Empfängerchip angeordnet sind zuzuführen, ohne daß irgend
ein physisches Mittel zur Änderung des optischen Pfades
verwendet werden muß, also beispielsweise ein optischer
Wellenleiter oder der Reflektionsspiegel gemäß Fig. 19.
Weiterhin sind die oberflächenemittierenden LDs 101a
bis 101l radial so angeordnet, daß die Vorsprünge der se
kundären Diffraktionsgitter 16 einander benachbarter LDs
nicht mit einem bestimmten Punkt auf dem Substrat 10 des n-
Typs als Mittelpunkt konzyklisch sind, so daß gegenseitige
Interferenzen oder Störungen von Phasen von Lecklicht ein
ander benachbarter LDs einander aufheben. Im Ergebnis kön
nen die jeweiligen LDs 101a bis 101l mit gewünschten Oszil
lationswellenlängen und -phasen mit hoher Zuverlässigkeit
betrieben werden.
Fig. 5 ist eine schematische Darstellung eines Teiles
eines oberflächenemittierenden LD-Feldes im Nahbereich der
sekundären Diffraktionsgitter gemäß einer zweiten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung. In Fig. 5 bezeichnen
gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 1(a) gleiche oder einan
der entsprechende Teile. Mit den Bezugszeichen 16a bis 16c
sind sekundäre Diffraktionsgitter bezeichnet, welche zuein
ander unterschiedliche Unterteilungen oder Teilungen haben.
Das oberflächenemittierende LD-Feld gemäß dieser zweiten
Ausführungsform ist im wesentlichen identisch zu demjenigen
gemäß den Fig. 1(a) und 1(b) mit der Ausnahme, daß die
jeweiligen oberflächenemittierenden LDs sekundäre Diffrak
tionsgitter mit unterschiedlichen Teilungen haben.
In den oberflächenemittierenden DBR-LD hat das ausgege
bene Laserlicht eine einzige Wellenlänge, die durch die
Teilung der sekundären Diffraktionsgitter bestimmt wird,
was sich eindeutig aus dem Arbeitsprinzip ergibt. Von daher
ist das von dem oberflächenemittierenden LD-Feld gemäß der
zweiten Ausführungsform ausgegebene Laserlicht ein Mehr
fachwellenlängen-Licht, das aus einer Mehrzahl von Laser
lichtanteilen mit unterschiedlichen Wellenlängen zusammen
gesetzt ist. Die Anzahl der Wellenlängen ist gleich der An
zahl der oberflächenemittierenden LDs, die maximal auf dem
Substrat angeordnet sind.
Bei der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung wird, da die sekundären Diffraktionsgitter der jewei
ligen LDs mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt wer
den, ein Mehrfachwellenlängen-Ausgangslicht mit Laserlicht
anteilen unterschiedlicher Wellenlängen erhalten, wodurch
eine Mehrzahl von Informationen zur gleichen Zeit übertra
gen werden kann.
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf ein oberflächenemittie
rendes LD-Feld gemäß einer dritten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung und Fig. 7 eine perspektivische Dar
stellung einer oberflächenemittierenden LD, die in dem Feld
gemäß Fig. 7 angeordnet ist. In diesen Figuren bezeichnen
gleiche Bezugszeichen wie in den Fig. 1(a) und 1(b)
gleiche oder einander entsprechende Teile. Ein oberfläche
nemittierendes LD-Feld 200 weist eine Mehrzahl von oberflä
chenemittierenden LD-Chips 201a bis 201l auf, die radial
auf einem isolierenden Substrat 40 angeordnet sind, wobei
ein gegebener Punkt auf dem Substrat 40 als Mittelpunkt der
radialen Anordnung definiert ist, so daß die sekundären
Diffraktionsgitter 16 der jeweiligen LDs in Richtung dieses
Mittelpunktes weisen. Obgleich in Fig. 7 nur eine oberflä
chenemittierende LD 201a gezeigt ist, haben die verbleiben
den LDs 201b bis 201l den gleichen Aufbau. Die sekundären
Diffraktionsgitter 16 werden alle mit gleicher Teilung her
gestellt.
In den oberflächenemittierenden LD-Feld 200 gemäß der
dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die
LD-Chips 201a bis 201l, die individuell hergestellt werden
auf dem isolierenden Substrat 40 angeordnet. Jeder der LD-
Chips 201a bis 201l oder das isolierende Substrat 40 weist
ein Elektrodenkissen zur Leitung der n-Seitenelektroden
auf.
Auch mit dem oberflächenemittierenden LD-Feld 200 las
sen sich die gleichen Effekte wie unter Bezugnahme auf die
erste Ausführungsform beschrieben erzielen. Da weiterhin
die jeweiligen LDs 201a bis 201l voneinander beabstandet
sind, werden optische und thermische Störungen oder Inter
ferenzen zwischen benachbarten LDs verhindert, wodurch die
jeweiligen LDs stabil mit den gewünschten Oszillationswel
lenlängen und Phasen betrieben werden können.
Fig. 8 ist eine Draufsicht auf ein oberflächenemittie
rendes LD-Feld gemäß einer vierten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung und Fig. 9 ist eine Schnittdarstellung
entlang Linie 9-9 in Fig. 8. Auch in dieser Figur bezeich
nen gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 1(a) gleiche oder
einander entsprechende Teile. Ein oberflächenemittierendes
LD-Feld 300 weist ein InP-Substrat 10 des n-Typs mit einer
Durchgangsbohrung 10a auf. Eine Mehrzahl von DBR-LDs 301a
bis 301l mit einem primären Diffraktionsgitter 31 ist ra
dial auf dem Substrat 10 des n-Typs angeordnet, wobei die
primären Diffraktionsgitter 31 der jeweiligen LDs in Rich
tung der Durchgangsbohrung 10a des Substrates 10 weisen.
Gemäß Fig. 9 ist eine optische Faser 32 mit einem um 45°
geneigten konischen Reflektionsspiegel 32a in der Durch
gangsbohrung 10a des Substrates 10 so angeordnet, daß das
von den jeweiligen LDs 301a bis 301l emittierte Laserlicht
auf den Reflektionsspiegel 32a trifft. Der Reflektionsspie
gel 32a wird durch mechanische Bearbeitung hergestellt. Ein
zusammengesetztes Licht aus den von den jeweiligen LDs 301a
bis 301l emittierten Laserlichtanteilen wird in einer Rich
tung senkrecht zur Oberfläche des Substrates nach oben aus
gegeben, wie in Fig. 9 durch die Pfeile dargestellt.
Da in dieser vierten Ausführungsform der Erfindung die
optische Faser 32 zum Sammeln der Laserlichtanteile von den
jeweiligen primären Defraktionsgittern in der Durchgangs
bohrung 10a des Substrates 10 angeordnet ist, läßt sich ein
LD-Feld mit der gleichen Funktion wie das oberflächenemit
tierende LD-Feld 100 gemäß der ersten Ausführungsform er
halten. Anstelle der optischen Faser 32 kann auch ein opti
sches Ankopplungselement mit Quarzglas und einer um 45° ge
neigten konischen Ausnehmung 33a gemäß Fig. 10 verwendet
werden. Die konische Ausnehmung 33a wird ebenfalls auf me
chanischem Weg hergestellt.
Anstelle der konischen Ausnehmung 33a kann das optische
Kopplungselement 33 einen Bereich aufweisen, wo der Bre
chungsindex sich konisch ändert. Wenn eine Er-dotierte op
tische Faser oder ein optisches Ankopplungselement verwen
det wird, kann das oberflächenemittierende LD-Feld gemäß
dieser Ausführungsform als Faserverstärker arbeiten.
Auch bei diesem oberflächenemittierenden LD-Feld kön
nen, wenn die LDs 301a bis 301l so angeordnet sind, daß die
Vorsprünge der primären Diffraktionsgitter benachbarter LDs
nicht konzyklisch zu der Durchgangsbohrung 10a des Substra
tes 10 sind, die jeweiligen LDs 301a bis 301l stabil mit
bestimmten Oszillationswellenlängen und Phasen betrieben
werden.
Fig. 11 ist eine Draufsicht auf ein oberflächenemit
tierendes LD-Feld gemäß einer fünften Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. Auch in dieser Figur bezeichnen
gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 1(a) gleiche oder einan
der entsprechende Teile. Ein oberflächenemittierendes LD-
Feld 400 gemäß der fünften Ausführungsform ist im wesentli
chen identisch zu demjenigen gemäß der ersten Ausführungs
form mit der Ausnahme, daß eine Mehrzahl von Trennkerben 41
zur Wärmeabstrahlung in der Fe-dotierten Schicht 17 zwi
schen benachbarten LDs ausgebildet ist. Genauer gesagt,
drei Kerben, d. h. eine mittige Kerbe, die so lang ist wie
die Gesamtlänge der LD und zwei Kerben, die so lang sind
wie der Laseroszillationsbereich der LD und welche links
und rechts von der mittigen Kerbe liegen sind zwischen zwei
benachbarten LDs ausgebildet. Die Kerben 41 reichen bis in
den Bereich des Substrates 10 des n-Typs oder in den Nahbe
reich hiervon.
Da in dem LD-Feld 400 der fünften Ausführungsform die
Trennkerben 41 zur Wärmeabstrahlung in der InP-Schicht 17
zwischen benachbarten LDs ausgebildet sind, wird der Ober
flächenbereich zwischen benachbarten LDs erhöht. Von daher
wird die Wärmeabstrahlung in den Raum oberhalb des Elemen
tes verbessert, so daß die jeweiligen LDs mit keiner ther
mischen Belastung und mit keiner wechselseitigen thermi
schen Beeinflussung zwischen benachbarten LDs betrieben
werden können. Im Ergebnis wird Laserlicht mit einer be
stimmten Wellenlänge und Phase mit hoher Zuverlässigkeit
ausgegeben.
Fig. 12(a) ist eine perspektivische Darstellung eines
Photodetektors gemäß einer sechsten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung und Fig. 12(b) ist eine Schnittdar
stellung entlang Linie 12b-12b in Fig. 12(a). In der Figur
bezeichnen gleiche Bezugszeichen wie in Fig. 1(b) gleiche
oder einander entsprechende Teile. Ein Photodetektor 120
umfaßt ein InP-Substrat 10 des n-Typs. Eine InP-Puffer
schicht 42 des n-Typs mit einer Dicke von 1000 Å ist auf
dem Substrat 10 ausgebildet. Eine optische Wellenleiter
schicht 43 ist auf der Pufferschicht 42 ausgebildet. Die
optische Wellenleiterschicht 43 hat eine MQW-Struktur (MQW
= Multiquantum Well), bei der abwechselnd fünf bis zehn 100
Å dicke InGaAsP-Barriereschichten und fünf bis zehn 70 Å
dicke InGaAsP-Wannenschichten angeordnet sind. Eine InP-
Pufferschicht 44 des p-Typs mit einer Dicke von 1000 Å ist
auf der optischen Wellenleiterschicht 43 angeordnet. Die
Schichten 42, 43 und 44 sind auf dem Substrat 10 in Form
eines streifenförmigen Mesas aufgebaut. Ein Teil der InP-
Pufferschicht 44 des p-Typs in dem lichtempfindlichen Be
reich des Photodetektors ist so gemustert, daß ein sekundä
res Diffraktionsgitter 16 gebildet ist. Eine Fe-dotierte
InP-Schicht 17 ist auf der Pufferschicht 42 angeordnet und
kontaktiert die einander gegenüberliegenden Seiten der Me
sastruktur mit Ausnahme der Pufferschicht des p-Typs. Eine
InGaAsP-Kontaktschicht 18 des p-Typs ist auf einem Teil der
Pufferschicht 44 in dem lichtempfangenden Bereich des Pho
todetektors angeordnet. Ein isolierender Film 19 ist auf
den gegenüberliegenden Seitenoberflächen der InGaAsP-Kon
taktschicht 18 des p-Typs und auf der oberen Oberfläche der
Fe-dotierten InP-Schicht 17 in dem lichtempfangenden Be
reich angeordnet. Eine Seitenelektrode 20 des p-Typs mit
Cr/Au ist auf der oberen Oberfläche der Kontaktschicht 18
des p-Typs angeordnet, sowie auf dem isolierenden Film 19.
Die Energiebandlücke der optischen Wellenleiterschicht 43
in dem lichtempfangenden Bereich unterhalb des sekundären
Diffraktionsgitter 16 ist breiter als die Wellenlänge des
von dem lichterkennenden Bereich zu erkennenden Lichtes und
die Energiebandlücke der optischen Wellenleiterschicht 43
unterhalb der Elektrode 20 ist enger als die Wellenlänge
des zu erkennenden Lichtes.
Zur Herstellung der optischen Wellenleiterschicht 43
wird ein Teil der Pufferschicht 42, welche der lichterken
nende Bereich werden soll, d. h. der unter der Seitenelek
trode 20 des p-Typs zu liegen kommt mit SiO₂ oder SiN-Fil
men eingeschlossen und die NQW-Schicht 43 wird epitaxial
auf der Pufferschicht 42 aufgewachsen, wodurch die Dicke
der Wannenschichten der MQW-Struktur in dem lichterkennen
den Bereich erhöht wird. Die oben erwähnte Differenz in den
Energiebandlücken wird auf diese Weise hergestellt.
Nachfolgend wird die Arbeitsweise dieser Ausführungs
form beschrieben.
Wenn beispielsweise ein 1,55 µm-Band Mehrfachwellenlän
gen-Kommunikationslaserlicht mit einer Mehrzahl von Si
gnallichtanteilen unterschiedlicher Wellenlängen (Intervall
zwischen den Wellenlängen zwischen einigen Å bis einigen
0, . . . Å) in den lichtempfindlichen Bereich des Photodetek
tors 120 in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des
Substrates 10 eingegeben wird, wird nur Licht einer einzi
gen Wellenlänge, das von dem sekundären Diffraktionsgitter
16 ausgewählt wird (Teilung des Gitters 16 ungefähr 4400 Å)
in Längsrichtung des Diffraktionsgitters 16 umgesetzt, d. h.
in die horizontale Richtung bezüglich der Oberfläche des
Substrates 10 und dieser Lichtanteil wird durch die opti
sche Wellenleiterschicht 43 in den lichterkennenden Bereich
übertragen. Die optische Wellenleiterschicht 43 hat in dem
lichterkennenden Bereich eine Energiebandlücke enger als
die Wellenlänge des zu erkennenden Lichtes, so daß das
Licht von der optischen Wellenleiterschicht 43 absorbiert
und in einen photoelektrischen Strom umgewandelt wird. An
dererseits werden Lichtanteile, die nicht der ausgewählten
einzigen Wellenlänge entsprechen, von dem sekundären Dif
fraktionsgitter 16 reflektiert oder hierdurch übertragen
oder in Richtungen abgelenkt welche nicht der oben erwähn
ten horizontalen Richtung entsprechen. Auf jeden Fall wer
den diese Lichtanteile nicht dem lichterkennenden Bereich
übertragen.
In den Photodetektor 20 gemäß der sechsten Ausführungs
form der Erfindung wird Licht einer bestimmten Wellenlänge
aus einem Mehrfachwellenlängen-Signallicht ohne nachteilige
Beeinflussung von Lichtanteilen anderer Wellenlängen er
kannt, wodurch eine Signalerkennung mit einem hohem Si
gnal/Rausch-Abstandsverhältnis erhalten wird.
In dem Aufbau gemäß den Fig. 12(a) und 12(b) kann
ein Antireflektionsfilm, der die Reflektivität an der er
kannten Wellenlänge zu Null macht, auf der Oberfläche des
sekundären Diffraktionsgitters 16 angeordnet werden. In
diesem Fall wird der erkannte photoelektrische Strom er
höht, wodurch der Signal/Rausch-Abstand weiter verbessert
werden kann.
Das Licht einer einzigen Wellenlänge, das durch das se
kundäre Diffraktionsgitter 16 horizontal umgelenkt wird und
durch die optische Wellenleiterschicht 43 läuft, wird in
beiden Richtungen, nämlich in Richtung des lichterkennenden
Bereiches und in Richtung der Endstirnfläche des Elementes
geführt. Wenn daher die Endfläche der Vorrichtung vertikal
geformt ist und ein Antireflektionsfilm, der die Reflekti
vität bei der erkannten Wellenlänge zu 100% macht, an der
Endfläche angeordnet ist, wird das Licht einer einzigen
Wellenlänge, das zu dem lichterkennenden Bereich geführt
wird, weiter erhöht, wodurch der Signal/Rausch-Abstand noch
weiter verbessert werden kann.
Fig. 13 ist eine Draufsicht auf ein Photodetektorfeld
gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung. In Fig. 13 bezeichnen gleiche Bezugszeichen wie in
den Fig. 12(a) und 12(b) gleiche oder einander entspre
chende Teile. Das Photodetektorfeld 130 weist ein InP-
Substrat 10 des n-Typs auf. Eine Mehrzahl von Photodetekto
ren 120a bis 120l mit jeweils dem Aufbau gemäß den Fig.
12(a) und 12(b) sind radial auf dem Substrat 10 angeordnet,
wobei ein bestimmter Punkt des Substrates 10 der Mittel
punkt der radialen Anordnung ist, so daß die sekundären
Diffraktionsgitter 16 der jeweiligen Photodetektoren in
Richtung des Mittelpunktes weisen. Die sekundären Diffrak
tionsgitter 16 der jeweiligen Photodetektoren 120a bis 120l
haben unterschiedliche Teilungen.
Wenn dieses Photodetektorfeld 131 als Empfänger für ei
ne optische Mehrfachwellenlängen-Kommunikation unter Ver
wendung einer optischen Faser eingesetzt wird, wird Signal
licht jeder Wellenlänge aus dem Mehrfachwellenlicht ohne
Verwendung von irgendwelchen Vorrichtungen zum Aufteilen
der Signallichtanteile der entsprechenden Wellenlängen aus
der optischen Faser heraus erkannt. Zusätzlich wird, da die
Größe des Photodetektorfeldes 130 verringert ist, die Her
stellung des Photodetektor-Feldes preiswerter. Da weiterhin
die optischen Wellenleiterschichten zweier benachbarter Ph
otodetektoren nicht parallel zueinander verlaufen, wird ein
Überlappen von Wellenoberflächen von Signallichtanteilen,
die durch benachbarte Wellenleiterschichten laufen, ver
nachlässigbar, so daß gegenseitige Beeinflussungen aufgrund
von Austreten von optischen Signalen zwischen benachbarten
optischen Wellenleiterschichten minimal ist. Im Ergebnis
wird der Signal/Rausch-Abstand eines erkannten Signales er
höht, wodurch hochreine Signale möglich sind.
Wenn weiterhin die Photodetektoren 120a bis 120l so an
geordnet sind, daß die Vorsprünge der sekundären Diffrakti
onsgitter benachbarter Photodetektoren nicht konzyklisch
mit dem bestimmten Punkt auf dem Substrat, also dem Mittel
punkt sind, werden die Phasen von Lichtaustrittsanteilen
aus den optischen Wellenleiterschichten der jeweiligen Pho
todetektoren verschoben und heben sich gegenseitig auf, wo
durch eine gegenseitige Beeinflussung verhindert wird.
Wenn weiterhin die Teilungen der zweiten Diffraktions
gitter wenigstens zwei der Photodetektoren 120a bis 120l
gleich sind, kann ein Licht einer einzigen Wellenlänge
durch eine Mehrzahl von Photodetektoren mit der gleichen
Teilung der Diffraktionsgitter erkannt werden, wodurch das
Signal/Rausch-Abstandsverhältnis des optischen Signales mit
einer bestimmten Wellenlänge, die zu erkennen ist, weiter
erhöht werden kann. Gewöhnlich wird bei Licht, dessen
Schwingungsrichtung um 90° gedreht wird, d. h. in die hori
zontale Richtung gedreht wird, die Intensität des Lichtes
im Vergleich zu senkrecht schwingend sich ausbreitendem
Licht reduziert, obwohl die Monochromatizität der Wellen
länge des Lichtes erhöht wird. Die oben beschriebenen Mit
tel beseitigen jedoch diese Intensitätsverringerung.
Fig. 14 ist eine schematische Darstellung eines opti
schen Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystems gemäß ei
ner achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wel
che ein oberflächenemittierendes LD-Feld gemäß der zweiten
Ausführungsform als Übertrager und ein Photodetektorfeld
gemäß der siebten Ausführungsform als Empfänger verwendet.
In dem optischen Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem
140 gemäß Fig. 14 ist ein oberflächenemittierendes LD-Feld
140a das Mehrfachwellenlängen-Laserlicht aus gibt und das
unter Bezug auf die zweite Ausführungsform beschrieben
wurde, mit einem Ende einer optischen Faser 47 unter Ver
wendung einer gewöhnlichen optischen Kopplungsvorrichtung
46 verbunden, und ein Photodetektorfeld 130 mit einer Mehr
zahl von Photodetektoren, von denen jeder Licht in einer
bestimmten Wellenlänge erkennt (siebte Ausführungsform) ist
mit dem anderen Ende der optischen Faser 47 unter Verwen
dung einer weiteren optischen Kopplungsvorrichtung verbun
den.
Als optische Kopplungsvorrichtung 46 kann beispielswei
se eine konfokale Kopplungsvorrichtung mit zusammengesetz
ten Linsen verwendet werden, bei der zwei Linsen mit rela
tiv langen Brennweiten, beispielsweise eine spärische Linse
und eine GRIN-Linse (GRIN = Graded Index) in konfokalen Po
sitionen angeordnet sind. Diese Anordnung wird für gewöhn
lich als optische Kopplungsvorrichtung zwischen einer LD
und einer optischen Faser verwendet.
In dem optischen Mehrfachwellenlängen-Kommunikations
system gemäß Fig. 14 werden Laserlichtanteile unterschied
licher Wellenlänge gleichzeitig von dem oberflächenemittie
renden LD-Feld 140a in die optische Faser 47 ohne Verwen
dung von Laserlicht-Zusammenführeinrichtungen eingegeben
und das Photodetektor-Feld 130 erkennt Laserlicht jeder
Wellenlänge aus dem durch die optische Faser 47 übertrage
nen Mehrfachwellenlängen-Laserlicht ohne die Verwendung von
irgendwelchen Lichtaufteilvorrichtungen. Der Aufbau dieses
Systems ist daher im Vergleich zu herkömmlichen Kommunika
tionssystemen dieser Art vereinfacht, und die Kosten sind
verringert.
In der obigen Beschreibung der ersten, zweiten, drit
ten, fünften und achten Ausführungsformen ist als oberflä
chenemittierende LD eine DBR-LD verwendet worden; genauso
gut und mit den gleichen Effekten und Vorteilen kann eine
DFB-LD verwendet werden.
Claims (27)
1. Oberflächenemittierendes Laserdioden-Feld mit:
einem Substrat (10) mit einem vorgeschriebenen Mittel punkt; und
einer Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laserdioden (101a bis 101l), die jeweils sekundäre Diffraktionsgit ter (16) aufweisen, die mit gleicher Teilung herge stellt sind und die radial auf dem Substrat so angeord net sind, daß die sekundären Diffraktionsgitter (16) in Richtung des Mittelpunktes des Substrates weisen (Fig. 1(a) und 1(b)).
einem Substrat (10) mit einem vorgeschriebenen Mittel punkt; und
einer Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laserdioden (101a bis 101l), die jeweils sekundäre Diffraktionsgit ter (16) aufweisen, die mit gleicher Teilung herge stellt sind und die radial auf dem Substrat so angeord net sind, daß die sekundären Diffraktionsgitter (16) in Richtung des Mittelpunktes des Substrates weisen (Fig. 1(a) und 1(b)).
2. Laserdioden-Feld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die oberflächenemittierenden Laserdioden (101a
bis 101l) so angeordnet sind, daß Vorsprünge der sekun
dären Diffraktionsgitter (16) einander benachbarter La
serdioden nicht konzyklisch mit dem vorgeschriebenen
Mittelpunkt auf dem Substrat als Mitte sind.
3. Laserdioden-Feld nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Substrat ein Halbleitersubstrat
ist und daß die oberflächenemittierenden Laserdioden
gleichzeitig auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet
werden.
4. Laserdioden-Feld nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich
net, daß eine Mehrzahl von Kerben (41) zur Wärmeab
strahlung zwischen einander benachbarten oberflächen
emittierenden Laserdioden angeordnet ist (Fig. 11).
5. Laserdioden-Feld nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Substrat ein isolierendes
Substrat ist und daß die oberflächenemittierenden La
serdioden individuell hergestellt und auf dem isolie
renden Substrat angeordnet werden (Fig. 6).
6. Laserdioden-Feld nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß die oberflächenemittierenden
Laserdioden mit dem gleichen Treiberstrom betrieben
werden und Laserlichtanteile mit gleicher Wellenlänge
und gleicher Phase ausgeben.
7. Laserdioden-Feld nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da
durch gekennzeichnet, daß die oberflächenemittierenden
Laserdioden mit unterschiedlichen Treiberströmen be
trieben werden und Laserlichtanteile mit gleicher Wel
lenlänge und unterschiedlichen Phasen ausgeben.
8. Verfahren zum Betreiben eines oberflächenemittierenden
Laserdioden-Feldes, insbesondere eines Dioden-Feldes
nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die den
jeweiligen oberflächenemittierenden Laserdioden zuge
führten Treiberströme gesteuert werden, um die Aus
gangsrichtung eines zusammengesetzten Laserlichtes in
eine beliebige Richtung zu ändern, wobei das zusammen
gesetzte Laserlicht Laserlichtanteile beinhaltet, die
von den jeweiligen Laserdioden ausgegeben werden.
9. Oberflächenemittierendes Laserdioden-Feld mit:
einem Substrat mit einem vorgeschriebenen Mittelpunkt; und
einer Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laserdi oden, die jeweils sekundäre Diffraktionsgitter (16, 16a bis 16c) aufweisen, welche unterschiedliche Teilungen haben, mit unterschiedlichen Oszillationswellenlängen oszillieren und radial auf dem Substrat so angeordnet sind, daß die sekundären Diffraktionsgitter in Richtung des Mittelpunktes des Substrates weisen (Fig. 5).
einem Substrat mit einem vorgeschriebenen Mittelpunkt; und
einer Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laserdi oden, die jeweils sekundäre Diffraktionsgitter (16, 16a bis 16c) aufweisen, welche unterschiedliche Teilungen haben, mit unterschiedlichen Oszillationswellenlängen oszillieren und radial auf dem Substrat so angeordnet sind, daß die sekundären Diffraktionsgitter in Richtung des Mittelpunktes des Substrates weisen (Fig. 5).
10. Laserdioden-Feld nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich
net, daß das Substrat ein Halbleitersubstrat ist und
daß die oberflächenemittierenden Laserdioden gleichzei
tig auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet werden.
11. Laserdioden-Feld nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich
net, daß eine Mehrzahl von Kerben (41) zur Wärmeab
strahlung zwischen einander benachbarten oberflächene
mittierenden Laserdioden angeordnet ist.
12. Laserdioden-Feld nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich
net, daß das Substrat ein isolierendes Substrat ist und
daß die oberflächenemittierenden Laserdioden individu
ell hergestellt und auf dem isolierenden Substrat ange
ordnet werden.
13. Oberflächenemittierendes Laserdioden-Feld mit:
einem Substrat (10) mit einer Hauptoberfläche und einer Durchgangsbohrung (10a), die senkrecht zu der Haupt oberfläche verläuft;
einer Mehrzahl von Laserdioden (301a bis 301l), die je weils eine Kristallfläche aufweisen, von der Laserlicht in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Substrates emittiert wird und die radial auf der Haupt oberfläche des Substrates so angeordnet sind, daß die laseremittierenden Kristallflächen der jeweiligen La serdioden in Richtung der Durchgangsbohrung des Substrates weisen; und
Einrichtungen (32) zum Sammeln der Laserlichtanteile von den jeweiligen Laserdioden und zum Ausgeben eines gesammelten Laserlichtes nach oben in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Substrates (Fig. 8, 9, 10).
einem Substrat (10) mit einer Hauptoberfläche und einer Durchgangsbohrung (10a), die senkrecht zu der Haupt oberfläche verläuft;
einer Mehrzahl von Laserdioden (301a bis 301l), die je weils eine Kristallfläche aufweisen, von der Laserlicht in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Substrates emittiert wird und die radial auf der Haupt oberfläche des Substrates so angeordnet sind, daß die laseremittierenden Kristallflächen der jeweiligen La serdioden in Richtung der Durchgangsbohrung des Substrates weisen; und
Einrichtungen (32) zum Sammeln der Laserlichtanteile von den jeweiligen Laserdioden und zum Ausgeben eines gesammelten Laserlichtes nach oben in einer Richtung senkrecht zur Hauptoberfläche des Substrates (Fig. 8, 9, 10).
14. Laserdioden-Feld nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich
net, daß die Laserdioden distributed feedback-Laserdi
oden oder distributed Bragg-Reflektorlaserdioden mit
primären Diffraktionsgittern sind.
15. Laserdioden-Feld nach Anspruch 14, dadurch gekennzeich
net, daß die primären Diffraktionsgitter der jeweiligen
Laserdioden mit der gleichen Teilung hergestellt werden
und mit gleichen Oszillationswellenlängen oszillieren.
16. Laserdioden-Feld nach Anspruch 14, dadurch gekennzeich
net, daß die primären Diffraktionsgitter der jeweiligen
Laserdioden mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt
werden und mit unterschiedlichen Oszillationswellenlän
gen oszillieren.
17. Laserdioden-Feld nach Anspruch 14 oder 16, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Laserdioden so angeordnet sind,
daß die Vorsprünge der primären Diffraktionsgitter be
nachbarter Laserdioden nicht konzyklisch zu der Durch
gangsbohrung des Substrates als Mittelpunkt sind.
18. Laserdioden-Feld nach einem der Ansprüche 13 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein Halblei
tersubstrat ist und daß die Laserdioden gleichzeitig
auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet werden.
19. Laserdioden-Feld nach Anspruch 18, dadurch gekennzeich
net, daß eine Mehrzahl von Kerben (41) zur Wärmeab
strahlung zwischen einander benachbarten Laserdioden
angeordnet ist.
20. Laserdioden-Feld nach einem der Ansprüche 13 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein isolieren
des Substrat ist und daß die Laserdioden individuell
hergestellt und auf dem isolierenden Substrat angeord
net werden.
21. Ein Photodetektor zum Empfang eines Mehrfachwellenlän
gen-Lichtes bestehend aus Signallichtanteilen unter
schiedlicher Wellenlängen und zum Erkennen eines Si
gnallichtes einer bestimmten Wellenlänge aus dem Mehr
fachwellenlängen-Licht, mit:
einer optischen Wellenleiterschicht (43);
einem lichtempfindlichen Teil mit einem sekundären Dif fraktionsgitter (16) an der Oberfläche, wobei das se kundäre Diffraktionsgitter das Signallicht der bestimm ten Wellenlänge zu der optischen Wellenleiterschicht überträgt; und
einem lichterkennenden Teil, der das Signallicht der bestimmten Wellenlänge, welches durch die optische Wel lenleiterschicht läuft, in einen photoelektrischen Strom umwandelt und den photoelektrischen Strom aus gibt (Fig. 12(a) und 12(b)).
einer optischen Wellenleiterschicht (43);
einem lichtempfindlichen Teil mit einem sekundären Dif fraktionsgitter (16) an der Oberfläche, wobei das se kundäre Diffraktionsgitter das Signallicht der bestimm ten Wellenlänge zu der optischen Wellenleiterschicht überträgt; und
einem lichterkennenden Teil, der das Signallicht der bestimmten Wellenlänge, welches durch die optische Wel lenleiterschicht läuft, in einen photoelektrischen Strom umwandelt und den photoelektrischen Strom aus gibt (Fig. 12(a) und 12(b)).
22. Ein Photodetektor zum Empfang eines Mehrfachwellenlän
gen-Lichtes bestehend aus Signallichtanteilen unter
schiedlicher Wellenlängen und zum Erkennen eines Si
gnallichtes einer bestimmten Wellenlänge aus dem Mehr
fachwellenlängen-Licht, mit:
einem Halbleitersubstrat (10);
einer optischen Wellenleiterschicht (43), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und einen ersten Teil mit einer Energiebandlücke größer als die vorgeschrie bene Wellenlänge und einen zweiten Teil mit einer Ener giebandlücke kleiner als die vorgeschriebene Wellenlän ge aufweist;
einem sekundären Diffraktionsgitter (16), das auf dem ersten Teil der optischen Wellenleiterschicht angeord net ist und nur Signallicht der bestimmten Wellenlänge zu der optischen Wellenleiterschicht überträgt; und
einer Elektrode (20) zum Ausgeben photoelektrischen Stromes, der durch Absorption des Lichtes der bestimm ten Wellenlänge in dem zweiten Teil der optischen Wel lenleiterschicht erzeugt wurde (Fig. 12(a) und 12(b)).
einem Halbleitersubstrat (10);
einer optischen Wellenleiterschicht (43), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und einen ersten Teil mit einer Energiebandlücke größer als die vorgeschrie bene Wellenlänge und einen zweiten Teil mit einer Ener giebandlücke kleiner als die vorgeschriebene Wellenlän ge aufweist;
einem sekundären Diffraktionsgitter (16), das auf dem ersten Teil der optischen Wellenleiterschicht angeord net ist und nur Signallicht der bestimmten Wellenlänge zu der optischen Wellenleiterschicht überträgt; und
einer Elektrode (20) zum Ausgeben photoelektrischen Stromes, der durch Absorption des Lichtes der bestimm ten Wellenlänge in dem zweiten Teil der optischen Wel lenleiterschicht erzeugt wurde (Fig. 12(a) und 12(b)).
23. Ein Photodetektorfeld mit einer Mehrzahl von Photode
tektoren (120a bis 120l), die ein Mehrfachwellenlängen-
Licht bestehend aus Signallichtanteilen unterschiedli
cher Wellenlängen empfangen und ein Signallicht einer
bestimmten Wellenlänge aus dem Mehrfachwellenlängen-
Licht erkennen, wobei jeder der Photodetektoren auf
weist:
ein Halbleitersubstrat (10);
eine optische Wellenleiterschicht (43), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und einen ersten Teil mit einer Energiebandlücke größer als die vorgeschrie bene Wellenlänge und einen zweiten Teil mit einer Ener giebandlücke kleiner als die vorgeschriebene Wellenlän ge aufweist;
ein sekundäres Diffraktionsgitter (16), das auf dem er sten Teil der optischen Wellenleiterschicht angeordnet ist und nur Signallicht der bestimmten Wellenlänge zu der optischen Wellenleiterschicht überträgt; und
eine Elektrode (20) zum Ausgeben photoelektrischen Stromes, der durch Absorption des Lichtes der bestimm ten Wellenlänge in dem zweiten Teil der optischen Wel lenleiterschicht erzeugt wurde; und
wobei die Photodetektoren (120a bis 120l) radial ange ordnet sind, wobei die sekundären Diffraktionsgitter in Richtung eines bestimmten Punktes auf dem Halbleiter substrat weisen.
ein Halbleitersubstrat (10);
eine optische Wellenleiterschicht (43), die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und einen ersten Teil mit einer Energiebandlücke größer als die vorgeschrie bene Wellenlänge und einen zweiten Teil mit einer Ener giebandlücke kleiner als die vorgeschriebene Wellenlän ge aufweist;
ein sekundäres Diffraktionsgitter (16), das auf dem er sten Teil der optischen Wellenleiterschicht angeordnet ist und nur Signallicht der bestimmten Wellenlänge zu der optischen Wellenleiterschicht überträgt; und
eine Elektrode (20) zum Ausgeben photoelektrischen Stromes, der durch Absorption des Lichtes der bestimm ten Wellenlänge in dem zweiten Teil der optischen Wel lenleiterschicht erzeugt wurde; und
wobei die Photodetektoren (120a bis 120l) radial ange ordnet sind, wobei die sekundären Diffraktionsgitter in Richtung eines bestimmten Punktes auf dem Halbleiter substrat weisen.
24. Photodetektor-Feld nach Anspruch 23, dadurch gekenn
zeichnet, daß die sekundären Diffraktionsgitter (16)
der jeweiligen Photodetektoren (120a bis 120l) mit un
terschiedlichen Teilungen erzeugt werden.
25. Ein räumliches optisches Verbindungssystem mit einem
lichtempfangenden Halbleiterelement, welches elektri
sche Signale in optische Signale umsetzt und die opti
schen Signale in den Raum abstrahlt und einem Photode
tektor, der die abgestrahlten optischen Signale emp
fängt und die optischen Signale in elektrische Signale
zurückverwandelt, dadurch gekennzeichnet,
daß das lichtemittierende Halbleiterelement eine Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laserdioden aufweist, die jeweils ,sekundäre Diffraktionsgitter haben, die mit gleicher Teilung hergestellt sind und die auf einem Substrat so angeordnet sind, daß die sekundären Dif fraktionsgitter auf einen bestimmten Punkt auf dem Substrat zuweisen; und
daß die Laserdioden mit unterschiedlichen Treiberströ men betrieben werden und Laserlichtanteile mit gleicher Wellenlänge und unterschiedlichen Phasen ausgeben.
daß das lichtemittierende Halbleiterelement eine Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laserdioden aufweist, die jeweils ,sekundäre Diffraktionsgitter haben, die mit gleicher Teilung hergestellt sind und die auf einem Substrat so angeordnet sind, daß die sekundären Dif fraktionsgitter auf einen bestimmten Punkt auf dem Substrat zuweisen; und
daß die Laserdioden mit unterschiedlichen Treiberströ men betrieben werden und Laserlichtanteile mit gleicher Wellenlänge und unterschiedlichen Phasen ausgeben.
26. Räumliches optisches Verbindungssystem nach Anspruch
25, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberströme der
jeweiligen Laserdioden so geändert werden, daß die Aus
gangsrichtung eines zusammengesetzten Ausgangslichtes
bestehend aus Laserlichtanteilen von den jeweiligen La
serdioden in eine beliebige Richtung geändert wird.
27. Optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem
mit:
einem oberflächenemittierenden Laserdioden-Feld (140a) mit einer Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laser dioden, die sekundäre Diffraktionsgitter haben welche mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt sind und die auf einem Substrat radial so angeordnet sind, daß die sekundären Diffraktionsgitter auf einem bestimmten Punkt auf dem Substrat hinweisen, wobei die oberfläche nemittierenden Laserdioden mit unterschiedlichen Oszil lationswellenlängen arbeiten;
einer optischen Faser (47), welche von dem Laserdioden- Feld emittiertes Mehrfachwellenlängen-Licht überträgt; und
einem Photodetektor-Feld (130) mit einer Mehrzahl von Photodetektoren, wobei jeder Photodetektor aufweist:
eine optische Wellenleiterschicht; einen lichtempfangenden Teil mit einem sekundären Dif fraktionsgitter, das nur Licht einer bestimmten Wellen länge aus dem Mehrfachwellenlängen-Licht überträgt, das auf den lichtempfangenden Teil fällt; und
einen lichterkennenden Teil, der das Licht bestimmter Wellenlänge, das durch die optische Wellenleiterschicht läuft, in einen photoelektrischen Strom umwandelt und den photoelektrischen Strom ausgibt, wobei die sekundä ren Diffraktionsgitter der jeweiligen Photodetektoren mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt sind, wobei weiterhin die Photodetektoren radial auf dem Substrat so angeordnet sind, daß die sekundären Diffraktionsgit ter in Richtung eines bestimmten Punktes auf dem Substrat weisen (Fig. 14).
einem oberflächenemittierenden Laserdioden-Feld (140a) mit einer Mehrzahl von oberflächenemittierenden Laser dioden, die sekundäre Diffraktionsgitter haben welche mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt sind und die auf einem Substrat radial so angeordnet sind, daß die sekundären Diffraktionsgitter auf einem bestimmten Punkt auf dem Substrat hinweisen, wobei die oberfläche nemittierenden Laserdioden mit unterschiedlichen Oszil lationswellenlängen arbeiten;
einer optischen Faser (47), welche von dem Laserdioden- Feld emittiertes Mehrfachwellenlängen-Licht überträgt; und
einem Photodetektor-Feld (130) mit einer Mehrzahl von Photodetektoren, wobei jeder Photodetektor aufweist:
eine optische Wellenleiterschicht; einen lichtempfangenden Teil mit einem sekundären Dif fraktionsgitter, das nur Licht einer bestimmten Wellen länge aus dem Mehrfachwellenlängen-Licht überträgt, das auf den lichtempfangenden Teil fällt; und
einen lichterkennenden Teil, der das Licht bestimmter Wellenlänge, das durch die optische Wellenleiterschicht läuft, in einen photoelektrischen Strom umwandelt und den photoelektrischen Strom ausgibt, wobei die sekundä ren Diffraktionsgitter der jeweiligen Photodetektoren mit unterschiedlichen Teilungen hergestellt sind, wobei weiterhin die Photodetektoren radial auf dem Substrat so angeordnet sind, daß die sekundären Diffraktionsgit ter in Richtung eines bestimmten Punktes auf dem Substrat weisen (Fig. 14).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5179314A JPH0738205A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 面発光レーザダイオードアレイ及びその駆動方法,光検出素子,光検出素子アレイ,空間光接続システム,並びに波長多重光通信システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4425711A1 true DE4425711A1 (de) | 1995-02-02 |
Family
ID=16063671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4425711A Ceased DE4425711A1 (de) | 1993-07-20 | 1994-07-20 | Oberflächenemittierendes Laserdiodenfeld, sowie Verfahren zum Betreiben hiervon, Photodetektor, Photodetektorfeld, optisches Verbindungssystem und optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5602863A (de) |
JP (1) | JPH0738205A (de) |
DE (1) | DE4425711A1 (de) |
GB (1) | GB2283613A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10026734A1 (de) * | 2000-05-30 | 2001-12-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102004003696A1 (de) * | 2004-01-24 | 2005-08-11 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co.Kg | Vorrichtung zum simultanen Laserschweißen |
US6954479B2 (en) | 2000-05-30 | 2005-10-11 | Osram Gmbh | Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5652813A (en) * | 1995-03-31 | 1997-07-29 | The Whitaker Corporation | Line bi-directional link |
JPH0918087A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Nec Corp | マルチビーム半導体レーザ装置 |
US5727016A (en) * | 1996-03-26 | 1998-03-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Spatially coherent diode laser with lenslike media and feedback from straight-toothed gratings |
WO1997050109A2 (en) * | 1996-06-13 | 1997-12-31 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Vertical-cavity surface-emitting laser array |
US5896480A (en) * | 1996-10-22 | 1999-04-20 | Stewart Connector Systems, Inc. | Optical interconnection system |
JPH10176305A (ja) | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | タイヤローラ |
US6327289B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof |
JPH11327482A (ja) | 1998-05-08 | 1999-11-26 | Olympus Optical Co Ltd | 情報記録媒体及び該情報記録媒体を用いた情報伝達方法 |
US6341118B1 (en) * | 1998-06-02 | 2002-01-22 | Science Applications International Corporation | Multiple channel scanning device using oversampling and image processing to increase throughput |
US6584052B1 (en) | 1998-06-02 | 2003-06-24 | Science Applications International Corporation | Method and apparatus for controlling the focus of a read/write head for an optical scanner |
JP3792408B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | シリアルパラレル変換装置、半導体装置、電子機器及びデータ伝送システム |
JP2000114580A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Seiko Epson Corp | フォトダイオードおよび光通信システム |
US6606175B1 (en) * | 1999-03-16 | 2003-08-12 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multi-segment light-emitting diode |
WO2001014929A1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-01 | The Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of The University Of Arizona | Integrated hybrid optoelectronic devices |
US6963597B2 (en) * | 2000-04-28 | 2005-11-08 | Photodigm, Inc. | Grating-outcoupled surface-emitting lasers |
US6714575B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-03-30 | Photodigm, Inc. | Optical modulator system |
US6633421B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-10-14 | Xanoptrix, Inc. | Integrated arrays of modulators and lasers on electronics |
US6731665B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-05-04 | Xanoptix Inc. | Laser arrays for high power fiber amplifier pumps |
US6724794B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-04-20 | Xanoptix, Inc. | Opto-electronic device integration |
US6790691B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-09-14 | Xanoptix, Inc. | Opto-electronic device integration |
US6775308B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-08-10 | Xanoptix, Inc. | Multi-wavelength semiconductor laser arrays and applications thereof |
US6753199B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-06-22 | Xanoptix, Inc. | Topside active optical device apparatus and method |
US6753197B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-06-22 | Xanoptix, Inc. | Opto-electronic device integration |
US7831151B2 (en) * | 2001-06-29 | 2010-11-09 | John Trezza | Redundant optical device array |
JP2003152284A (ja) | 2001-11-14 | 2003-05-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光デバイスおよび光伝送装置 |
CA2363149A1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-05-16 | Photonami Inc. | Surface emitting dfb laser structures for broadband communication systems and array of same |
US6870195B2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Array of discretely formed optical signal emitters for multi-channel communication |
JP4554242B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-09-29 | 三井造船株式会社 | レーザ光照射装置およびそれを用いた蛍光観察装置 |
US7313158B2 (en) * | 2005-02-08 | 2007-12-25 | Photodigm, Inc. | Integrated high speed modulator for grating-outcoupled surface emitting lasers |
JP4839662B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-12-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム |
US8537873B2 (en) * | 2011-07-20 | 2013-09-17 | Jds Uniphase Corporation | High power surface mount technology package for side emitting laser diode |
JP5884532B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2016-03-15 | 三菱電機株式会社 | フォトダイオード、波長センサ、波長測定装置 |
JP5912653B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-04-27 | 日本放送協会 | 発光素子 |
DE102012215487B4 (de) * | 2012-08-31 | 2017-03-23 | Continental Automotive Gmbh | Zündeinrichtung für eine Brennkammer einer Brennkraftmaschine |
US20140367816A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. | Photodetector device having light-collecting optical microstructure |
US9618698B2 (en) * | 2014-11-06 | 2017-04-11 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Optical waveguide crossings |
US10615575B2 (en) * | 2016-11-17 | 2020-04-07 | Nanyang Technological University | Light source and method for controlling the same |
CN109038216B (zh) * | 2018-10-29 | 2023-10-31 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种多光束垂直腔面发射激光芯片及其制作方法 |
CN110661172A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-07 | 南京邮电大学 | 一种表面发射的dfb半导体激光器阵列及制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4163953A (en) * | 1977-07-07 | 1979-08-07 | Northern Telecom Limited | Double heterostructure laser for direct coupling to an optical fiber |
US5060237A (en) * | 1990-12-24 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Multi-beam laser diode array |
US5062115A (en) * | 1990-12-28 | 1991-10-29 | Xerox Corporation | High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser/light emitting diode arrays |
US5070508A (en) * | 1986-05-07 | 1991-12-03 | General Electric Company | Semiconductor laser with adjustable light beam |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3701044A (en) * | 1970-06-29 | 1972-10-24 | Bell Telephone Labor Inc | Optical coupling of adjacent stripe contact geometry semiconductor lasers |
US4360921A (en) * | 1980-09-17 | 1982-11-23 | Xerox Corporation | Monolithic laser scanning device |
GB2169134B (en) * | 1984-11-16 | 1988-11-16 | Canon Kk | Multibeam emitting device |
EP0464869A1 (de) * | 1985-01-07 | 1992-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithisch integrierter WDM-Demultiplexmodul und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls |
JPS6244711A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Fujitsu Ltd | 光路変換スイツチ |
US4751705A (en) * | 1986-10-07 | 1988-06-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Single-element optical injection locking of diode-laser arrays |
US4799223A (en) * | 1987-08-06 | 1989-01-17 | Xerox Corporation | Split contact phased array lasers |
US4961198A (en) * | 1988-01-14 | 1990-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
JPH03257888A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 面発光半導体レーザ |
US5122852A (en) * | 1990-04-23 | 1992-06-16 | Bell Communications Research, Inc. | Grafted-crystal-film integrated optics and optoelectronic devices |
US5109386A (en) * | 1990-09-10 | 1992-04-28 | Tacan Corporation | Rugate filter on grating coupled surface emitting laser array |
DE69024959T2 (de) * | 1990-10-30 | 1996-11-14 | Ibm | Integrierte optische Kopfstruktur |
JPH04233291A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
US5164956A (en) * | 1991-10-21 | 1992-11-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Multiperiod-grating surface-emitting lasers |
US5408105A (en) * | 1992-02-19 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optoelectronic semiconductor device with mesa |
US5373173A (en) * | 1992-05-20 | 1994-12-13 | Sony Corporation | Apparatus for semiconductor laser |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP5179314A patent/JPH0738205A/ja active Pending
-
1994
- 1994-07-19 US US08/276,655 patent/US5602863A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-19 GB GB9414546A patent/GB2283613A/en not_active Withdrawn
- 1994-07-20 DE DE4425711A patent/DE4425711A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4163953A (en) * | 1977-07-07 | 1979-08-07 | Northern Telecom Limited | Double heterostructure laser for direct coupling to an optical fiber |
US5070508A (en) * | 1986-05-07 | 1991-12-03 | General Electric Company | Semiconductor laser with adjustable light beam |
US5060237A (en) * | 1990-12-24 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Multi-beam laser diode array |
US5062115A (en) * | 1990-12-28 | 1991-10-29 | Xerox Corporation | High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser/light emitting diode arrays |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
IGA, U.: Surface Emitting Semiconductor Lasers and Surface Operating Functional Devices. In US-Z.: Journal of Electronic Information Commu- nication Institute C-I, Vol. J 75-C-I, No. 5, 1992, pp. 245-256 * |
KOJIMA, K. et al.: Contimans ware operation of a Surfaceemitting AlGaAs/GaAs multiquantum well distrituted Bragg reflector laser. In US-Z.: Appl.Phys.Lett., Vol. 50, No. 24, 1987, pp. 1705-1707 * |
KOJIMA, K. et al.: High Efficiency Surface- Emitting Distrituted Bragg Reflector Laser Array. In GB-Z.: Electronics Letters, Vol. 24, No. 5, 1988, pp. 283-284 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10026734A1 (de) * | 2000-05-30 | 2001-12-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
US6954479B2 (en) | 2000-05-30 | 2005-10-11 | Osram Gmbh | Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof |
US7300808B2 (en) | 2000-05-30 | 2007-11-27 | Osram Gmbh | Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof |
US7653111B2 (en) | 2000-05-30 | 2010-01-26 | Osram Gmbh | Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof |
US8592236B2 (en) | 2000-05-30 | 2013-11-26 | Osram Gmbh | Method for manufacture of optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device |
DE102004003696A1 (de) * | 2004-01-24 | 2005-08-11 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co.Kg | Vorrichtung zum simultanen Laserschweißen |
US7368681B2 (en) | 2004-01-24 | 2008-05-06 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Apparatus for simultaneous laser welding |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9414546D0 (en) | 1994-09-07 |
JPH0738205A (ja) | 1995-02-07 |
US5602863A (en) | 1997-02-11 |
GB2283613A (en) | 1995-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4425711A1 (de) | Oberflächenemittierendes Laserdiodenfeld, sowie Verfahren zum Betreiben hiervon, Photodetektor, Photodetektorfeld, optisches Verbindungssystem und optisches Mehrfachwellenlängen-Kommunikationssystem | |
DE102005016052B4 (de) | Selbstüberwachende Licht emittierende Vorrichtung | |
DE60128970T2 (de) | Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator und eingebauter Mikrolinse | |
DE69838761T2 (de) | Optischer Datenübertragungspfad enthaltend eine oberflächenemittierende Laserdiode mit Vertikalresonator und eine Photodiode mit Resonanzkavität | |
DE19614901B4 (de) | VCSEL-Vorrichtung und hiermit versehene optische Aufnehmereinrichtung | |
EP0498169B1 (de) | Optoelektronisches Bauelement zum Aus- und Einkoppeln von Strahlung | |
EP0600267B1 (de) | Bidirektionaler optischer Sende- und Empfangsmodul | |
DE69531322T2 (de) | Nachweis von Chemikalien in einer Probe | |
DE69432502T2 (de) | Leitungsungebundenes optisches Übertragungssystem | |
DE10214120B4 (de) | Optisch pumpbare oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung | |
DE10349608B4 (de) | Optische Vorrichtung und Verfahren zum Koppeln von Ausgangslicht von einer Lichtquelle zu einem Lichtwellenleiter | |
DE60012704T2 (de) | Abstimmbarer laser mit einer integrierten vorrichtung zur wellenlängenüberwachung und zugehöriges betriebsverfahren | |
DE4332633A1 (de) | Durch einen externen Resonator gesteuerter Halbleiterlaser | |
DE112018001247T5 (de) | Wellenlängen kombinierende laservorrichtung | |
DE112011102307T5 (de) | Optisches Verbindungssystem | |
DE102022127877A1 (de) | Oszillatorschaltung und verfahren | |
DE19810624A1 (de) | Elektrooptisches Modul | |
DE102020123559B4 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement, optoelektronische halbleitervorrichtung, verfahren zum betreiben eines optoelektronischen halbleiterbauelements und biosensor | |
DE19608026A1 (de) | Optische integrierte Schaltkreisvorrichtung und Ansteuerverfahren dafür | |
DE3934865A1 (de) | Hochfrequent modulierbarer halbleiterlaser | |
DE102020123560A1 (de) | Laserquelle, lidar-system und verfahren zur regelung einer laserquelle | |
DE4416717C1 (de) | Anordnung als bidirektionales Sende- und Empfangsmodul | |
DE19548647A1 (de) | Durchstimmbare, justierstabile Halbleiterlaserlichtquelle sowie ein Verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen Durchstimmung von Halbleiterlasern | |
GB2313234A (en) | Laser diode array | |
WO2023094378A1 (de) | Optoelektronisches bauelement, lidar-modul und verfahren zum betrieb eines lidar-moduls |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01S 3/25 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 4447656 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 4447656 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 4447655 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 4447655 |
|
8131 | Rejection |