DE4423987C2 - Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren
zur Herstellung von kubischem Bornitrid aus hexagonalem Bor
nitrid.
Kubisches Bornitrid wird in bezug auf die Härte nur von Dia
mant übertroffen, weist jedoch eine höhere chemische Stabili
tät auf und gewinnt daher zunehmend an Bedeutung als
Schleif-, Polier- und Schneidematerial. Es wurden verschie
dene Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid vor
geschlagen. Das bekannteste und in großem Umfang industriell
eingesetzte Verfahren besteht in der Umwandlung von hexagona
lem Bornitrid in kubisches Bornitrid unter Bedingungen von
hoher Temperatur und hohem Druck, d. h. etwa 5,5 GPa und
1600°C, in Gegenwart eines Lösungsmittels (Katalysators). Be
kannte Lösungsmittel (Katalysatoren) für dieses Verfahren
sind herkömmlicherweise Nitride und Bornitride von Alkalime
tallen und Erdalkalimetallen. Darunter wurden Lösungsmittel
(Katalysatoren) vom Lithiumtyp gründlich untersucht. Lithi
umnitrid und Lithiumbornitrid gelten als besonders wirksame
Lösungsmittel (Katalysatoren); vgl. beispielsweise US-Patent
3 772 428.
Jedoch werden bei Verwendung der vorerwähnten Lösungsmittel
(Katalysatoren) keine ausreichenden Ausbeuten erzielt. Infol
gedessen sind die vorerwähnten Verfahren für eine großtechni
sche Durchführung unbefriedigend.
Angesichts dieser Sachlage besteht eine Aufgabe der Erfindung
darin, ein Verfahren zur Umwandlung von hexagonalem Bornitrid
in kubisches Bornitrid, das mit einer hohen Umwandlungsrate
verläuft, bereitzustellen.
Zur Lösung der vorerwähnten Aufgabe wird erfindungsgemäß ein
Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid bereitge
stellt, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man hexagonales
Bornitrid unter Temperatur- und Druckbedingungen innerhalb
des Stabilitätsbereichs von kubischem Bornitrid in Gegenwart
von einer oder mehreren Verbindungen, die unter Amiden und
Imiden von Elementen der Gruppen Ia und IIa des Periodensy
stems ausgewählt sind, oder in Gegenwart von sowohl einer
oder mehreren Verbindungen, die unter Amiden und Imiden von
Elementen der Gruppen Ia und IIa des Periodensystems ausge
wählt sind, als auch von einem oder mehreren Metallen, die
unter Elementen der Gruppen Ia, IIa, IIIa, VIa, VIIa, VIII,
IIb und IIIb des Periodensystems ausgewählt sind, behandelt,
um es in kubisches Bornitrid überzuführen.
Bei dem als Ausgangsmaterial zu verwendenden hexagonalen Bor
nitrid kann es sich um handelsübliches hexagonales Bornitrid
(hBN) -Pulver handeln. Sauerstoffverunreinigungen in Form von
Boroxid und dergl. verlangsamen die Umwandlung von hBN zu ku
bischem Bornitrid (cBN), so daß Materialien mit geringem Sau
erstoffgehalt bevorzugt werden. Hinsichtlich der Körnung gibt
es keine speziellen Beschränkungen, jedoch ist im allgemeinen
ein Produkt von 105 µm (150 mesh) oder weniger geeignet. Dies
ist darauf zurückzuführen, daß eine zu hohe Korngröße zu
einer geringeren Reaktivität mit dem Lösungsmittel
(Katalysator) führen kann.
Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die
Umwandlung von hBN zu cBN in Gegenwart von mindestens einer
Verbindung, die unter Amiden und Imiden von Elementen der
Gruppen Ia und IIa ausgewählt ist, oder in Gegenwart von so
wohl mindestens einer Verbindung, die unter Amiden und Imiden
von Elementen der Gruppen Ia und IIa ausgewählt ist, und min
destens einem oder mehreren Metallen, die unter Elementen der
Gruppen Ia, IIa, IIIa, VIa, VIIa, VIII, IIb und IIIb ausge
wählt sind, durchgeführt wird. Es wurde festgestellt, daß die
Umwandlung in Gegenwart dieser Verbindungen allein oder zu
sammen mit den Metallen im Vergleich zum Verfahren des Stands
der Technik zu einer erheblichen Verbesserung der Umwand
lungsrate führt. Es wird im allgemeinen angenommen, daß hBN
mit Alkalimetallen, Erdalkalimetallen oder deren Verbindun
gen, die als Lösungsmittel oder Katalysator dienen, unter
Förderung der Umsetzung zu cBN reagiert. Ferner wird angenom
men, daß die erfindungsgemäße Amid- oder Imidverbindung oder
deren Kombination mit den vorerwähnten Metallen auf die glei
che Weise als Lösungsmittel oder Katalysator dient.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist unter dem Perioden
system das Langperiodensystem zu verstehen. Folgende Elemente
kommen für die einzelnen Gruppen in Frage:
Ia: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr
IIa: Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra
IIIa: Sc, Y, Lanthanoiden (Atomzahlen 57-71), Actinoiden (Atomzahlen 89-103)
VIa: Cr, Mo, W
VIIa: Mn, Tc, Re
VIII: Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt
IIb: Zn, Cd, Hg
IIIb: B, Al, Ga, In, Tl
Ia: Li, Na, K, Rb, Cs, Fr
IIa: Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra
IIIa: Sc, Y, Lanthanoiden (Atomzahlen 57-71), Actinoiden (Atomzahlen 89-103)
VIa: Cr, Mo, W
VIIa: Mn, Tc, Re
VIII: Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt
IIb: Zn, Cd, Hg
IIIb: B, Al, Ga, In, Tl
Sowohl das Amid oder Imid von Elementen der Gruppen Ia oder
IIa (nachstehend einfach als "Amid oder Imid" bezeichnet) als
auch das unter den Elementen der Gruppen Ia, IIa, IIIa, VIa,
VIIa, VIII, IIb und IIIb ausgewählte Metall enthalten vor
zugsweise nur geringe Sauerstoffverunreinigungen, wie es auch
beim hBN-Ausgangsmaterial der Fall ist. Üblicherweise wird
ein Pulver von 150 mesh (105 µm) oder weniger verwendet.
Die zu verwendende Menge des Amids oder Imids bzw. des Amids
oder Imids und des Metalls ist so beschaffen, daß die Gesamt
zahl der das Additiv bildenden Metallatome (Amid oder Imid
bzw. Amid oder Imid und Metall) 2 Teile oder mehr und vor
zugsweise 5-50 Teile auf 100 Teile der Anzahl der das hBN
bildenden Boratome ausmacht. Beträgt die Menge des Additivs
weniger als 2 Teile, so ist zur Erzielung einer ausreichenden
Umwandlungsrate eine lange Zeitspanne erforderlich. Anderer
seits führt eine Menge von mehr als 50 Teilen zu keiner Ver
besserung der Umwandlungsrate und ist daher unwirtschaftlich.
Somit wird keine der beiden genannten Situationen bevorzugt.
Werden eine oder mehrere Verbindungen, die unter Amiden oder
Imiden der Elemente der Gruppen Ia und IIa ausgewählt sind,
mit einem oder mehreren Metallen, die unter den Elementen der
Gruppen Ia, IIa, IIIa, VIa, VIIa, VIII, IIb und IIIb ausge
wählt sind, kombiniert, so kann dies in beliebigen gewünsch
ten Mengenverhältnissen erfolgen, wobei aber das Atomverhält
nis der Metallelemente vorzugsweise 95 : 5 bis 5 : 95 beträgt.
Außerhalb dieses Bereichs wird die Wirkung der gleichzeitigen
Zugabe der vorerwähnten Verbindungen und Metalle nicht in
ausreichendem Maße erreicht, so daß es schwierig ist, eine
ausreichend hohe Umwandlungsrate zu erzielen.
Wird außerdem ein Amid oder Imid in Kombination mit einem Me
tall verwendet, ist es möglich, cBN in einer im Vergleich zur
alleinigen Verwendung eines Amids oder Imids höheren Umwand
lungsrate selbst bei niedrigeren Temperaturen und Drücken zu
erhalten.
Eine bevorzugte Ausführungsform zur Kombination der vorer
wähnten Additive mit dem hexagonalen Bornitrid besteht darin,
ihre Pulver miteinander zu vermischen. Jedoch können auch
Schichten von hexagonalem Bornitrid und der Additive abwech
selnd schichtförmig in einem Reaktionsbehälter angeordnet
werden.
Tatsächlich werden das hBN und das Amid oder Imid bzw. das
Amid oder Imid und ein Metall vorzugsweise bei einem Druck
von etwa 1-2 t/cm² verdichtet, entweder getrennt oder nach
Einfüllen in den Reaktionsbehälter. Dies bewirkt eine Verbes
serung der Handhabbarkeit der rohen Pulver unter Erhöhung der
Produktivität durch eine Verringerung des Schrumpfungsanteils
im Reaktionsbehälter.
Beim Reaktionsbehälter kann es sich um einen Hochtemperatur-
Hochdruck-Generator handeln, der dazu befähigt ist, rohe Pul
ver (hBN und Additive) oder deren Verdichtungsprodukte und
dergl. unter Temperatur- und Druckbedingungen im Bereich der
Stabilität von cBN zu halten. Dieser Stabilitätsbereich
(Temperatur und Druck) wird von P. Bundy und R. H. Wentorf in
J. Chem. Phys., Bd. 38 (5) (1963), S. 1144-1149 angegeben. In
den meisten Fällen sind eine minimale Temperatur von 1100°C
und ein minimaler Druck von 3,8 GPa wirksam. Jedoch können
diese Bedingungen von den Typen und der Kombination der Addi
tive (Lösungsmittel, Katalysator) abhängen. Die Umwandlung zu
cBN ist auch bei Werten unter 1100°C und 3,8 GPa möglich. Die
Retentionszeit unterliegt keinen speziellen Beschränkungen
und soll ausreichend sein, um die gewünschte Umwandlungsrate
zu erreichen. In den meisten Fällen liegt sie im Bereich von
etwa 1 Sekunde bis 6 Stunden.
Das hBN wird in cBN umgewandelt, indem man es im vorerwähnten
Stabilitätsbereich hält. Wenn die Temperatur- und Druckbe
dingungen extrem hoch sind, läßt sich eine nahezu 100-%ige
Umwandlungsrate erreichen. Im allgemeinen werden jedoch
grobstückige Verbundprodukte, die aus einem Gemisch aus hBN
und cBN bestehen, erhalten.
Die grobstückigen Verbundprodukte werden zur Isolierung von
cBN zerkleinert. Zur Isolierung kann das in JP-A-49-27757 be
schriebene Verfahren herangezogen werden, wo beispielsweise
ein grobstückiges Verbundprodukt auf eine Größe von 5 mm oder
weniger und vorzugsweise 1 mm oder weniger zerkleinert wird.
Nach Zugabe von Natriumhydroxid und einer geringen Wasser
menge wird auf etwa 300°C erwärmt, um selektiv das hBN zu lö
sen. Nach Abkühlen, Säurereinigung und Filtration erhält man
das cBN. Ferner kann im Fall eines Restanteils von einem Me
tall, das als Additiv verwendet worden ist, zu dessen Entfer
nung Salzsäure, Salpetersäure oder dergl. verwendet werden.
Fig. 1, zeigt eine Schnittansicht eines in den Beispielen zur
Umwandlung von hBN zu cBN verwendeten Reaktionsbehälters.
Lithiumamid wurde zu hexagonalem Bornitrid mit einer Körnung
von 105 µm (150 mesh) oder weniger, das als Verunreinigungen
0,8 Gew.-% Sauerstoff und 0,2 Gew.-% von Alkalimetallen oder
Erdalkalimetallen abweichende Metallverunreinigungen ent
hielt, in einem Atomverhältnis von 20 Teilen Lithium auf 100
Teile Boratome in der Verbindung gegeben. Dieses Gemisch
wurde einem Druck von 1,5 t/cm² unter Bildung eines Preßlings
von 26 mm ⌀ × 32 mm Höhe unterworfen. Der Preßling wurde in
den in Fig. 1 gezeigten Reaktionsbehälter gegeben.
In dem in Fig. 1 gezeigten Reaktionsbehälter besteht die zy
lindrische Außenwand aus Pyrophyllit als Drucküberträger,
während die Innenwand eine aus einem Graphitzylinder beste
hende Heizvorrichtung 2 und Pyrophyllit 8 als Trennmaterial
aufweist. Ferner sind die oberen und unteren Enden des Behäl
ters jeweils mit einem leitenden Stahlring 3 und einer lei
tenden Stahlplatte 4 versehen, wobei deren Innenseiten mit
einer gesinterten Aluminiumplatte 5 und Pyrophyllit 6 als
Drucküberträger versehen sind. Der vom Pyrophyllit 6 und vom
Pyrophyllit 8 als Trennmaterial umgebene Raum wird als Halte
kammer 7 für die der Umsetzung zu unterziehenden Rohmateria
lien verwendet.
Der vorerwähnte Preßling wird 10 Minuten in diesem Reaktions
behälter unter Bedingungen von 4,5 GPa und 1400°C behandelt.
Die Probe wird in einem Mörser zerkleinert. Durch ein Pulver-
Röntgenbeugungsgerät wird die Umwandlungsrate zu kubischem
Bornitrid aus dem Intensitätsverhältnis der gebeugten Strah
len (CuK α-Strahlen) des kubischen Bornitrids (111) und des
hexagonalen Bornitrids (002) bestimmt. Es wird eine Umwand
lungsrate von 84% festgestellt.
Das kubische Bornitrid kann isoliert (gereinigt) werden, in
dem man Natriumhydroxid und eine geringe Wassermenge zu der
in einem Mörser oder dergl. auf eine Korngröße von etwa 1 mm
oder weniger zerkleinerten Probe gibt, die Probe auf 300°C
erwärmt, anschließend abkühlt, mit destilliertem Wasser und
Salzsäure wäscht, filtriert und sodann den Filterrückstand
trocknet.
Magnesiumamid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomver
hältnis von 20 Teilen Magnesiumatomen zu 100 Teilen Boratomen
in der Verbindung gegeben, um auf die gleiche Weise wie in
Beispiel 1 kubisches Bornitrid herzustellen. Die Umwandlungs
rate zu kubischem Bornitrid beträgt 88%.
Calciumamid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomver
hältnis von 20 Teilen Calciumatomen zu 100 Teilen Boratomen
in der Verbindung gegeben, um kubisches Bornitrid auf die
gleiche Weise wie in Beispiel 1 herzustellen. Die Umwand
lungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt 82%.
Lithiumamid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomver
hältnis von 20 Teilen Lithiumatomen auf 100 Teile Boratome in
der Verbindung gegeben, um kubisches Bornitrid auf die glei
che Weise wie in Beispiel 1 herzustellen. Die Umwandlungsrate
zu kubischem Bornitrid beträgt 83%.
Magnesiumimid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomver
hältnis von 20 Teilen Magnesiumatomen auf 100 Teile Boratome
in der Verbindung gegeben, um kubisches Bornitrid auf die
gleiche Weise wie in Beispiel 1 herzustellen. Die Umwand
lungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt 85%.
Calciumimid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomver
hältnis von 20 Teilen Calciumatomen auf 100 Teile Boratome in
der Verbindung gegeben, um kubisches Bornitrid auf die glei
che Weise wie in Beispiel 1 herzustellen. Die Umwandlungsrate
zu kubischem Bornitrid beträgt 85%.
Lithiumamid und Magnesiumamid werden zu hexagonalem Bornitrid
in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium- und Magne
siumatomen auf 100 Teile Boratome in der Verbindung gegeben,
um kubisches Bornitrid auf die gleiche Weise wie in Beispiel
1 herzustellen. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 93%.
Lithiumnitrid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomver
hältnis von 20 Teilen Lithiumatomen auf 100 Teile Boratome in
der Verbindung gegeben, um kubisches Bornitrid auf die glei
che Weise wie in Beispiel 1 herzustellen. Die Umwandlungsrate
zu kubischem Bornitrid beträgt 7%.
Lithiumbornitrid wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atom
verhältnis von 20 Teilen Lithiumatomen auf 100 Teile Boratome
in der Verbindung gegeben, um kubisches Bornitrid auf die
gleiche Weise wie in Beispiel 1 herzustellen. Die Umwand
lungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt 14%.
Magnesium wird zu hexagonalem Bornitrid in einem Atomverhält
nis von 20 Teilen auf 100 Teile Boratome in der Verbindung
gegeben, um kubisches Bornitrid auf die gleiche Weise wie in
Beispiel 1 herzustellen. Die Umwandlungsrate zu kubischem
Bornitrid beträgt 54%.
Hexagonales Bornitrid, das als Verunreinigungen 0,8 Gew.-%
Sauerstoff und 0,2 Gew.-% Metalle enthält, wird mit gewogenen
Anteilen an Lithiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen
Lithium und mit Magnesium in einem Atomverhältnis von 10 Tei
len auf 100 Teile der Boratome in der Verbindung gegeben. Das
Gemisch wird unter einem Druck von 1,5 t/cm² zu einem Preß
ling von 26 mm ⌀ × 32 mm Höhe verarbeitet. Der Preßling wird
wie in Beispiel 1 in den in Fig. 1 gezeigten Reaktionsbehäl
ter gegeben.
Der Preßling wird 10 Minuten in diesem Reaktionsbehälter unt
er 4,0 GPa und 1200°C behandelt.
Die Probe wird in einem Mörser zerkleinert. Durch ein Pulver-
Röntgenbeugungsgerät wird die Umwandlungsrate zu kubischem
Bornitrid aus dem Intensitätsverhältnis der gebeugten Strah
len (CuK α-Strahlen) des kubischen Bornitrids (111) und des
hexagonalen Bornitrids (002) bestimmt. Die Umwandlungsrate
beträgt 96%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit metallischem Lithium in einem Atomverhältnis von 10 Tei
len auf 100 Teile der Boratome in der Verbindung vermischt.
Das Produkt wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid ge
mäß Beispiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem
Bornitrid beträgt 73%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium und
Chrom in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100 Teile der
Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch wird zur
Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 verwen
det. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt 80%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium und
mit Mangan in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 81%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Eisen in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100 Teile
der Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch wird
zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 ver
wendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
79%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Kobalt in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 80%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Nickel in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 88%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Zink in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100 Teile
der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Gemisch wird
zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 ver
wendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
85%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Aluminium in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 72%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Lanthan in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 76%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Cer in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100 Teile
der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Gemisch wird
zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 ver
wendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
77%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Praseodym in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 78%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Neodym in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 77%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Samarium in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 76%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Gadolinium in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Ge
misch wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Bei
spiel 8 verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid
beträgt 76%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium, mit
Magnesium in einem Atomverhältnis von 10 Teilen und mit
Nickel in einem Atomverhältnis von 5 Teilen auf 100 Teile
Boratome in der Verbindung vermischt. Dieses Gemisch wird zur
Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 verwen
det. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt 95%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium, mit
Magnesiumamid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Magnesium
sowie mit Mangan in einem Atomverhältnis von 5 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch
wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8
verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
86%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Li
thiumimid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium sowie
mit Magnesium in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100
Teile der Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch
wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8
verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
74%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Lithium
nitrid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium auf 100
Teile Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch wird
zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 ver
wendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
0%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Lithium
bornitrid in einem Atomverhältnis von 10 Teilen Lithium auf
100 Teile Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch
wird zur Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8
verwendet. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt
0%.
Hexagonales Bornitrid wird mit gewogenen Anteilen an Magne
sium in einem Atomverhältnis von 10 Teilen auf 100 Teile
Boratome in der Verbindung vermischt. Das Gemisch wird zur
Herstellung von kubischem Bornitrid gemäß Beispiel 8 verwen
det. Die Umwandlungsrate zu kubischem Bornitrid beträgt 0%.
Erfindungsgemäß ist es möglich, die Umwandlungsrate bei Ver
fahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid unter Verwen
dung von hexagonalem Bornitrid als Ausgangsmaterial erheblich
zu verbessern.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid, da
durch gekennzeichnet, daß man hexagonales Bornitrid unter
Temperatur- und Druckbedingungen innerhalb des Stabilitätsbe
reichs von kubischem Bornitrid in Gegenwart von einer oder
mehreren Verbindungen, die unter Amiden und Imiden von Ele
menten der Gruppen Ia und IIa des Periodensystems ausgewählt
sind, behandelt, um es in kubisches Bornitrid überzuführen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
man das oder die Amide und Imide in einer solchen Menge ver
wendet, daß die Gesamtzahl der die Verbindung bildenden Me
tallatome 2 Teile oder mehr auf 100 Teile der Gesamtzahl der
Boratome des hexagonalen Bornitrids beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man das oder die Amide und Imide von Metallen in einer sol
chen Menge verwendet, daß die Gesamtzahl der Metallatome der
Verbindungen 5 bis 50 Teile auf 100 Teile der Gesamtzahl der
Boratome des hexagonalen Bornitrids beträgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stabilitätsbereich von kubischem
Bornitrid eine Temperatur von 1100°C oder darüber und einen
Druck von 3, 8 GPa oder darüber umfaßt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß das umgewandelte kubische Bornitrid
zerkleinert wird, anschließend mit Natriumhydroxid und Wasser
versetzt wird und sodann erwärmt wird, um selektiv
hexagonales Bornitrid in Lösung zu bringen, wonach sich eine
Abkühlung, Säurereinigung und Filtration anschließt, um das
kubische Bornitrid zu isolieren.
6. Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid, da
durch gekennzeichnet, daß man hexagonales Bornitrid unter
Temperatur- und Druckbedingungen im Stabilitätsbereich von
kubischem Bornitrid in Gegenwart von sowohl einer oder mehre
ren Verbindungen, die unter Amiden und Imiden von Elementen
der Gruppen Ia und IIa des Periodensystems ausgewählt sind,
als auch von einem oder mehreren Metallen, die unter Elemen
ten der Gruppen Ia, IIa, IIIa, VIa, VIIa, VIII, IIb und IIIb
des Periodensystems ausgewählt sind, behandelt, um es in ku
bisches Bornitrid überzuführen.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
man das oder die Amide und Imide von Elementen der Gruppen Ia
und IIa und das oder die Metalle der Gruppen Ia, IIa, IIIa,
VIa, VIIa, VIII, IIb und IIIb in solchen Mengen verwendet,
daß die Gesamtzahl der Metallatome der Verbindungen und der
letztgenannten Metalle 2 Teile oder mehr auf 100 Teile der
Anzahl der Boratome des hexagonalen Bornitrids ausmacht.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
man das oder die Amide und Imide von Elementen der Gruppen Ia
und IIa und das oder die Metalle der Gruppen Ia, IIa, IIIa,
VIa, VIIa, VIII, IIb und IIIb in solchen Mengen verwendet,
daß die Gesamtzahl der Metallatome der Verbindungen und der
letztgenannten Metalle 5 bis 50 Teile oder mehr auf 100 Teile
der Anzahl der Boratome des hexagonalen Bornitrids ausmacht.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stabilitätsbereich des kubischen
Bornitrids eine Temperatur von 1100°C oder darüber und einen
Druck von 3, 8 GPa oder darüber umfaßt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß das umgewandelte kubische Bornitrid
zerkleinert wird, anschließend mit Natriumhydroxid und Wasser
versetzt wird und sodann erwärmt wird, um selektiv
hexagonales Bornitrid zu lösen, wonach eine Abkühlung,
Säurereinigung und Filtration durchgeführt werden, um das
kubische Bornitrid zu isolieren.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17053793 | 1993-07-09 | ||
JP01950894A JP3400842B2 (ja) | 1993-07-09 | 1994-02-16 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4423987A1 DE4423987A1 (de) | 1995-01-12 |
DE4423987C2 true DE4423987C2 (de) | 1996-09-05 |
Family
ID=26356341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4423987A Expired - Lifetime DE4423987C2 (de) | 1993-07-09 | 1994-07-07 | Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3400842B2 (de) |
KR (1) | KR100351712B1 (de) |
DE (1) | DE4423987C2 (de) |
IE (1) | IE80824B1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011009834A1 (de) | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Georg Vogt | Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3565615B2 (ja) * | 1995-06-12 | 2004-09-15 | 昭和電工株式会社 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
JP3471167B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2003-11-25 | 昭和電工株式会社 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
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JP4183317B2 (ja) * | 1997-11-25 | 2008-11-19 | 昭和電工株式会社 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2947617A (en) * | 1958-01-06 | 1960-08-02 | Gen Electric | Abrasive material and preparation thereof |
NL302348A (de) * | 1963-01-17 | |||
SU674372A1 (ru) * | 1977-07-05 | 1983-11-15 | Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Абразивов И Шлифования | Способ получени кубического нитрида бора |
-
1994
- 1994-02-16 JP JP01950894A patent/JP3400842B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-30 IE IE940533A patent/IE80824B1/en not_active IP Right Cessation
- 1994-07-07 DE DE4423987A patent/DE4423987C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-08 KR KR1019940016500A patent/KR100351712B1/ko not_active IP Right Cessation
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DE102011009834A1 (de) | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Georg Vogt | Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR960013987A (ko) | 1996-05-22 |
DE4423987A1 (de) | 1995-01-12 |
JP3400842B2 (ja) | 2003-04-28 |
JPH0768153A (ja) | 1995-03-14 |
KR100351712B1 (ko) | 2002-11-02 |
IE940533A1 (en) | 1995-01-11 |
IE80824B1 (en) | 1999-03-10 |
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Legal Events
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R071 | Expiry of right |