DE4402413A1

DE4402413A1 - Verfahren zum Elektroplattieren einer nichtleitenden Oberfläche

Info

Publication number: DE4402413A1
Application number: DE4402413A
Authority: DE
Inventors: Yoshihiro Sakamoto; Sachiko Nakamura
Original assignee: MEC Co Ltd
Current assignee: MEC Co Ltd
Priority date: 1993-01-29
Filing date: 1994-01-27
Publication date: 1994-08-04
Anticipated expiration: 2014-01-28
Also published as: CN1092118A; GB2274853A; GB2274853B; TW222313B; GB9401134D0; SG52489A1; CN1093892C; DE4402413C2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Elektroplattieren einer nichtleitenden Oberfläche, spezieller ein Verfahren zum direkten Elektroplattieren eines leitenden Metalls auf die Innenwände von Durchgangslöchern in gedruckten Leiter platten.

Bei gedruckten Leiterplatten wie doppelseitigen Leiterplat ten und Mehrschichtleiterplatten sind Durchgangslöcher im Substrat vorhanden. Die Innenwände der Durchgangslöcher wer den mit einem leitenden Metall elektroplattiert, um Leitung zwischen den Schaltungen zu gewährleisten.

Als Verfahren zum Elektroplattieren der nichtleitenden In nenwände von Durchgangslöchern wurde von Shortt et al. ein Verfahren zum Elektroplattieren offenbart (US -Patent 3,163,588), bei dem die Innenwände der Durchgangslöcher durch Auftragen von Teilchen aus Silber, Kupfer, Graphit oder dergleichen elektrisch leitend gemacht werden. Bei die sem Verfahren werden jedoch Fehler wie Porenlöcher in der plattierten Schicht der Durchgangsloch-Innenwand erzeugt, wenn der Überschuß der Leitschicht entfernt wird. Diese In nenwand muß erneut elektroplattiert werden, was nicht nur den Prozeß verkompliziert, sondern das Verfahren kann auch in keiner Weise auf die Herstellung zuverlässiger gedruckter Leiterplatten hoher Dichte angewandt werden, wie sie derzeit gefordert werden.

Radovsky et al. merken bei der Diskussion mehrerer Nachteile von Graphit als Leitschicht für Elektroplattierung an, daß Graphit nur zu einem schwach anhaftenden, elektroplattier ten, leitenden Metall führt und daß elektroplattierte Durch gangslöcher mit ungleichen Durchmessern gebildet werden. Radovsky et al. merken auch an, daß Graphit selbst nur einen kleinen elektrischen Widerstand aufweist (US-Patent 3,099,608).

Derzeit wird stromloses Kupferplattieren für die Metallplat tierung von Durchgangsloch-Innenwänden ausgeführt. Jedoch hat stromloses Kupferplattieren die folgenden Nachteile: (1) es erfordert eine relativ lange Zeitspanne; (2) die An zahl von Bädern muß während des Plattiervorgangs dauernd überwacht werden (erforderliche Komponenten müssen jedem Bad zugeführt werden, und es muß ausreichende Sorgfalt gewahrt werden, damit die Bäder nicht mit Komponenten verunreinigt werden, wie sie bei den vorangehenden Schritten verwendet werden, da die Bäder gegen Verunreinigung extrem empfindlich sind; (3) es ist eine Anzahl von Waschbädern erforderlich, was eine große Menge an Wasser zum Waschen verbraucht; und (4) die Abwasserentsorgung ist teuer.

Als Verfahren zum stromlosen Plattieren ohne Verwendung eines stromlosen Kupferplattierungsverfahrens mit diesen Nachteilen schlagen Randolph et al. ein Verfahren zum Elek troplattieren vor, bei dem das Elektroplattieren erfolgt, nachdem eine Rußschicht durch Auftragen einer Dispersion aus Ruß mit einem mittleren Durchmesser von weniger als ungefähr 3 µm auf die Durchgangsloch-Innenwände sowie ein oberflä chenaktives Mittel aufgebracht wurden. Ferner wird über dieser Rußschicht eine Graphitschicht dadurch ausgebildet, daß eine Dispersion aus Graphit mit einem mittleren Durch messer von weniger als ungefähr 1,5 µm sowie ein oberflä chenaktives Mittel aufgebracht werden (US-Patent 5,139,642).

Dieses Verfahren erfordert die Ausbildung von zwei Schich ten, der Rußschicht und der Graphitschicht, als Grundie rungsschichten für die Elektroplattierung, was zu kompli zierten Prozessen und erhöhten Kosten führt.

Die Erfinder haben umfangreiche Studien ausgeführt und dabei herausgefunden, daß ein Verfahren zum Elektroplattieren eines leitenden Metalls auf eine nichtleitende Fläche, ins besondere auf eine Durchgangsloch-Innenwand einer gedruckten Leiterplatte, zu größerer Zuverlässigkeit führt als ein Ver fahren, bei dem zwei Schichten, eine Rußschicht und eine Graphitschicht, als Grundierungsschichten zum Elektroplat tieren verwendet werden, und daß damit das Ziel mit geringe ren Kosten erreicht werden kann.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Elektroplattieren einer nichtleitenden Oberfläche anzugeben, das zu einer stabilen elektroplattierten Schicht führt und das billig hergestellt werden kann.

Die Erfindung ist durch die Lehre von Anspruch 1 gegeben. Sie zeichnet sich dadurch aus, daß eine spezielle Graphit/ Wasser-Dispersion mit kleinen Graphitteilchen und einem Bindemittel verwendet wird, mit deren Hilfe eine Graphit schicht auf der Oberfläche ausgebildet wird, die elektro plattiert werden soll.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Durchgangslöcher sehr zuverlässig elektroplattiert werden. Hierzu wird eine Leiterplatte, die bereits bereichsweise mindestens eine Me tallschicht aufweist, ganz mit einer Graphitschicht unter Verwendung der speziellen Graphit/Wasser-Dispersion überzo gen, dann wird die Graphitschicht in den Bereichen mit der Metallschicht dadurch entfernt, daß die Metallschicht teil weise abgeätzt wird, und dann erfolgt Elektroplattieren in den Bereichen, in denen die Graphitschicht verblieb, d. h. insbesondere an den Innenwänden von Durchgangslöchern der Leiterplatte.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die spezielle Graphit/ Wasser-Dispersion auf die nichtleitende Oberfläche, die zu elektroplattieren ist, aufgebracht, um Graphitteilchen zum Anhaften zu bringen und eine Graphitschicht auszubilden.

Die Graphitteilchen sind höchstfeine Teilchen mit einem mittleren Durchmesser von 2 µm oder weniger, vorzugsweise 1 µm oder weniger, und noch bevorzugter 0,7 µm oder weniger. Wenn der mittlere Durchmesser größer als 2 µm ist, wird nicht nur die Leitfähigkeit kleiner, sondern es ist auch das Haftvermögen eines auf die nichtleitende Oberfläche zu elek troplattierenden leitenden Metalls schlecht.

Die Menge an Graphitteilchen in der speziellen Graphit/Was ser-Dispersion beträgt weniger als 6 Gewichts-Prozent (Ge wichts-Prozent wird nachfolgend einfach als % bezeichnet), vorzugsweise 2% bis 5%. Wenn die Menge größer als 6% ist, ist das Haftvermögen des zu elektroplattierenden leitenden Metalls gegenüber der nichtleitenden Oberfläche schlecht; wenn die Menge unter 2% liegt, ist die Dichte der Graphit teilchen in der Graphitschicht zu klein, als daß das Metall ausreichend leitend sein könnte.

Es können entweder organische oder anorganische Bindemittel zum Herstellen der speziellen Graphit/Wasser-Dispersion ver wendet werden. Anorganische Binder, z. B. Natriumsilikat und Kaliumsilikat sind bevorzugt, um die Graphitteilchen fest an der Innenseite der Durchgangslöcher zum Anhaften zu bringen.

Die Menge des in der speziellen Graphit/Wasser-Dispersion enthaltenen Bindemittels liegt im allgemeinen im Bereich von 0,05 bis 5%. Wenn die Menge des Bindemittels zu groß ist, nehmen die Leitfähigkeit und das Filmbildungsvermögen ab.

Das Zumischen eines wasserlöslichen Polymers wie Carboxy methylzellulose, Stärke und Gummiarabikum ist von Vorteil, um die Stabilität der speziellen Graphit/Wasser-Dispersion zu fördern. Ferner wird die spezielle Graphit/Wasser-Disper sion vorzugsweise durch Zugabe von Ammoniak, Natriumhydroxid oder Caliumhydroxid auf einen pH-Wert von ungefähr 9-13 eingestellt. Zugabe von Ammoniak ist besonders bevorzugt. Ferner ist es erwünscht, ein anionisches oberflächenaktives Mittel vom Carbonsäuretyp, Polycarbonsäuretyp oder derglei chen zuzugeben, um das Haftvermögen zu verbessern.

Beim Herstellen der speziellen Graphit/Wasser-Dispersion werden vorzugsweise Naßpulverisierung, Dispersion und Klas sieren verwendet, um die Stabilität der Dispersion zu ver bessern und die Größenverteilung der Graphitteilchen einzu engen.

Faktoren, die allgemein für Anstriche erforderlich sind, sind die Fähigkeit, das Substrat zu benetzen, ausreichendes Fließvermögen, um einen gleichmäßigen Film zu erzeugen, gute Anhaftung beim Trocknen sowie die Fähigkeit, einen konti nuierlichen, vollständigen Film beizubehalten. Diese Eigen schaften sind auch für die spezielle Graphit/Wasser-Disper sion erforderlich, um eine Graphitschicht in den Durchgangs loch-Innenwänden auszubilden. Die Verwendung einer speziel len Graphit/Wasser-Dispersion mit diesen Eigenschaften er zeugt einen gleichmäßigen Graphitfilm an den Durchgangsloch- Innenwänden und stellt die Ausbildung einer Metallschicht durch Elektroplattieren sicher, die frei von Fehlern ist.

Für das Verfahren zum Ausbilden der Graphitschicht auf einer nichtleitenden Oberfläche bestehen keine speziellen Be schränkungen. Ein Beispiel für ein vorteilhaftes Verfahren ist es, die spezielle Graphit/Wasser-Dispersion durch Sprü hen, Tauchen oder Beschichten auf die nichtleitende Ober fläche aufzutragen und dann das Dispersionsmedium durch Auf blasen von Luft oder durch Anordnen in einem Ofen zu entfer nen.

Danach wird ein leitendes Metall unter Verwendung der Gra phitschicht als Leitschicht elektroplattiert.

Für das Elektroplattierverfahren bestehen keine speziellen Beschränkungen. Z. B. kann das Elektroplattieren bei norma ler Temperatur und 1,5 bis 3 A/dm² für 60 bis 90 Minuten in einem üblichen Elektroplattierbad ausgeführt werden. Es be stehen auch keine speziellen Beschränkungen für das beim Elektroplattieren verwendete leitende Metall. Kupfer und Nickel werden als Beispiele genannt.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann auf das Elektroplattie ren verschiedener nichtleitender Materialien angewandt wer den. Es ist besonders zum Elektroplattieren von Durchgangs loch-Innenwänden gedruckter Leiterplatten von Nutzen, die z. B. aus Phenolharz mit Papierträger/Kupfer-Laminatplatten, Epoxidharz mit Glasträger/Kupfer-Laminatplatten, Kupferver bundlaminatplatten, Polyimid/Kupfer-Laminatplatten, Fluor enthaltende Harz/Kupfer-Laminatplatten oder Kupferlaminat platten für flexible Schaltungen bestehen. Da das Haftvermö gen bei Verwenden des erfindungsgemäßen Elektroplattierver fahrens ausgezeichnet ist, kann eine gleichmäßig anhaftende und hochzuverlässige Elektroplattierung selbst auf Innenwän den von Durchgangslöchern, Verbindungslöcher genannt, aufge bracht werden, die Löcher mit einem Durchmesser von 0,3 bis 0,5 mm sind.

Typische Schritte, wie sie zum Aufbringen einer Elektroplat tierung unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens auf Durchgangsloch-Innenwände einer gedruckten Leiterplatte ergriffen werden, werden nun für den Fall veranschaulicht, daß eine Elektroplattierung auf Durchgangsloch-Innenwänden eines Substrats ausgeführt wird, auf dessen Oberfläche Kup ferfolien auflaminiert sind (Epoxidharz mit Glasträger/Kup fer-Laminatplatte).

(1) Waschen der Substratoberfläche

Dies ist eine Behandlung zum Reinigen der Durchgangsloch- Innenwände, und zu ihr gehören das Waschen der Platte mit einer schwach alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von unge fähr 9-12, die ein anionisches oberflächenaktives Mittel wie einen Phosphorsäureester enthält, bei einer Temperatur von 35-65°C für ungefähr 20 bis 60 Sekunden, sowie das Spülen in Wasser.

(2) Aufbereitungsbehandlung

Dies ist eine Behandlung zum Fördern des Anhaftens der Gra phitteilchen an den gereinigten Durchgangsloch-Innenwänden, und zu ihr gehören üblicherweise das Behandeln mit einer schwach alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von ungefähr 9-12, die ein kationisches oberflächenaktives Mittel vom Polyamintyp, Polyamidtyp oder dergleichen enthält, bei 20-60°C für ungefähr 20 bis 60 Sekunden, sowie Spülen mit Wasser.

(3) Auftragen von Graphitteilchen

Die Platte wird normalerweise bei 20-60°C für ungefähr 30 bis 90 Sekunden in die spezielle Graphit/Wasser-Dispersion getaucht.

(4) Entfernen des wäßrigen Mediums

Die Platte wird für ungefähr 30 bis 90 Sekunden mit Luft von 30-60°C beblasen.

(5) Mikroätzen

Dies ist ein Schritt zum Entfernen der Graphitschicht auf der Kupferfläche. Was die an der Kupferfläche haftende Gra phitschicht und die an der nicht leitenden Oberfläche in den Durchgangsloch-Innenwände haftende Graphitschicht betrifft, verringert die erstere das Haftvermögen des leitenden, zu elektroplattierenden Metalls an der Kupferfläche und beein trächtigt das Leitvermögen zwischen der Kupferfläche und dem leitenden Metall. Aus diesem Grund muß die Graphitschicht auf der Kupferfläche entfernt werden. Bei dieser Behandlung werden Graphitteilchen dadurch entfernt, daß die Kupferflä che unter der Graphitschicht geätzt wird, ohne daß irgend welche Auswirkung auf das Graphit selbst besteht. Diese Be handlung kann z. B. dadurch ausgeführt werden, daß das Sub strat in eine Ätzlösung vom Schwefelsäure-Wasserstoffper oxid-Typ bei einer Temperatur von 20-30°C eingetaucht wird, um mit einer ungefähren Tiefe von 0,01-1,2 µm, vor zugweise 0,1-1,2 µm zu ätzen, gefolgt von Waschen und Trocknen. Wenn die Ätztiefe kleiner als 0,01 µm ist, ver bleiben Graphitteilchen auf der Kupferfläche; wenn ein Über ätzen über 1,8 µm erfolgt, geht die Leitfähigkeit zwischen dem Kupfer und der Graphitschicht auf der nichtleitenden Oberfläche verloren, und es besteht die Neigung, daß Löcher in der Elektroplattierung entstehen.

(6) Elektroplattieren

Elektroplattieren kann unter den Bedingungen von Normaltem peratur und 1,5-3 A/dm² für 60-90 Minuten in einem üb lichen Elektroplattierbad ausgeführt werden.

Elektroplattieren mit außerordentlich hoher Zuverlässigkeit kann ausgeführt werden, wenn die obigen Schritte (2)-(4) wiederholt werden, in welchem Fall diese Schritte in der Reihenfolge (1), (2), (3), (4), (2), (3), (4), (5) und (6) ausgeführt werden.

Es ist möglich, den Schritt (1) (Waschen der Substratober fläche) und den Schritt (2) (Aufbereitungsbehandlung) zu kombinieren. In diesem Fall kann die Platte mit einer schwach alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von ungefähr 9-12 behandelt werden, die ein kationisches oberflächen aktives Mittel vom Polyamintyp, Polyamidtyp oder dergleichen sowie ein Lösungsmittel wie Ethanolamin enthält, und zwar bei 20-60°C für ungefähr 20 bis 60 Sekunden, woraufhin mit Wasser gespült wird.

Andere Merkmale der Erfindung werden im Verlauf der folgen den Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen deutlich, die zur Veranschaulichung der Erfindung erfolgt und daher diese nicht beschränken soll.

Beispiele Beispiel 1

Ein Substrat (10 × 25 cm) aus einer mit Epoxidharz impräg nierten Glasisolierschicht sowie mit Kupferfolien mit einer Dicke von 35 µm, die auf beide Seiten der Isolierschicht la miniert sind, das mit 960 Durchgangslöchern mit einem Durch messer von 0,3 bis 0,8 mm versehen ist, wurde wie folgt be arbeitet.

Das Substrat wurde für 40 Sekunden in eine Lösung von 45°C getaucht, die aus 0,5% eines kationischen oberflächenakti ven Mittels, 1,0% Amin und aus Wasser bestand (reinigendes Aufbereitungsmittel), gefolgt von Waschen mit Wasser. Dann wurde das Substrat für 60 Sekunden in eine Graphitdispersion von 25°C getaucht, die aus 4% Graphitteilchen mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 0,4 µm, 0,5% Carboxy methylzellulose, 0,5% Natriumsilikat, 1% eines kation ischen oberflächenaktiven Mittels sowie Wasser bestand, eingestellt auf den pH-Wert 10, gefolgt von einem Aufblasen von Luft von 40°C für 45 Sekunden, um das Dispersionsmedium zu entfernen. Danach wurde das Substrat erneut für 40 Sekun den in das auf 45°C befindliche reinigende Aufbereitungsmit tel eingetaucht und gewaschen, und dann wieder für 60 Sekun den in die Graphitdispersion auf 25°C eingetaucht, gefolgt von einem Aufblasen von Luft von 40°C für 45 Sekunden, um das Dispersionsmedium zu entfernen. Um Mikroätzen auszufüh ren, wurde dieses Substrat in eine Flüssigkeit aus Schwefel säure und Wasserstoffperoxid (CA-90: Handelsbezeichnung, ein Erzeugnis von MEC Co.) auf 25°C für 20 Sekunden eingetaucht, gefolgt von einem Waschen mit Wasser mit anschließendem Trocknen. Durch diese Mikroätzbehandlung wurde Kupfer mit einer Dicke von 1 µm entfernt.

Danach wurde Elektroplattieren unter Verwendung des Sub strats bei den Bedingungen normaler Temperatur und 2 A/dm² für 90 Minuten unter Verwendung eines herkömmlichen Kupfer plattierbades ausgeführt.

Als Ergebnis eines Hintergrundbeleuchtungsversuchs stellte sich heraus, daß eine gleichmäßige Elektroplattierungs schicht aus Kupfer an den Wänden der Durchgangslöcher abge schieden war und keinerlei Pore in irgendeinem Durchgangs loch vorhanden war, und zwar weder in denen mit relativ gro ßem Durchmesser von 0,6 bis 0,8 mm noch in denen mit relativ kleinem Durchmesser von 0,3 bis 0,5 mm. Ferner wurde das Haftvermögen durch einen Wärmespannungsversuch (gemäß JIS C 5012 mit der Ausnahme, daß Lösungsmittel bei einer Temperatur von 260-265°C statt Öl verwendet wurde und der Test mit 10 Zyklen ausgeführt wurde) untersucht, wobei be stätigt werden konnte, daß sich kein elektroplattiertes Kup fer von den Durchgangslochwänden abschälte.

Beispiel 2

Dasselbe Substrat, wie es beim Beispiel 1 verwendet wurde, wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 behandelt und elektroplattiert, mit der Ausnahme, daß der Anteil von Gra phitteilchen in der Graphit/Wasser-Dispersion 3,0% betrug.

Das elektroplattierte Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 beurteilt, wobei bestätigt werden konnte, daß das Substrat ausgezeichnet elektroplattiert war, mit einer gleichmäßig dicken Kupferschicht ohne Poren in irgend einem der Durchgangslöcher, einschließlich derjenigen mit einem kleinen Durchmesser von 0,3 bis 0,5 mm. Auch stellte sich als Ergebnis des Anhaftungstestes kein Abschälen elek troplattierten Kupfers von den Wänden der Durchgangslöcher heraus.

Beispiel 3

Ein Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 behandelt und elektroplattiert, mit der Ausnahme, daß eine Graphitdispersion verwendet wurde, die aus 3% Graphitteil chen mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 0,4 µm, 0,5% Kaliumsilikat, 1% eines kationischen oberflächenakti ven Mittels sowie Wasser bestand, wobei der pH-Wert auf 10 eingestellt war.

Das elektroplattierte Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 beurteilt, wobei bestätigt werden konnte, daß das Substrat ausgezeichnet elektroplattiert war, mit einer gleichmäßig dicken Kupferschicht ohne Poren in irgend einem der Durchgangslöcher, einschließlich derjenigen mit dem kleinen Durchmesser von 0,3 bis 0,5 mm. Auch stellte sich als Ergebnis des Anhaftungsversuchs heraus, daß sich kein elektroplattiertes Kupfer von den Wänden der Durch gangslöcher abschälte.

Beispiel 4

Ein Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 behandelt und elektroplattiert, mit der Ausnahme, daß eine Graphitdispersion mit 4,5% Graphitteilchen mit einem mitt leren Teilchendurchmesser von 0,5 µm verwendet wurde.

Das elektroplattierte Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 beurteilt, wobei bestätigt werden konnte, daß das Substrat ausgezeichnet mit einer gleichmäßig dicken Kupferschicht ohne Poren in irgendeinem der Durchgangslö cher, einschließlich derjenigen mit einem kleinen Durchmes ser von 0,3 bis 0,5 mm elektroplattiert war. Auch stellte sich als Ergebnis des Anhaftungsversuchs kein Abschälen elektroplattierten Kupfers von den Wänden der Durchgangs löcher heraus.

Vergleichsbeispiel 1

Ein Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 behandelt und elektroplattiert, mit der Ausnahme, daß eine Graphitdispersion mit 3,0% Graphitteilchen mit einem mitt leren Teilchendurchmesser von 3 µm verwendet wurde.

Das elektroplattierte Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 beurteilt. Poren wurden in ungefähr 70% der Durchgangslöcher mit einem Durchmesser von 0,6 bis 0,8 mm und in beinahe allen Durchgangslöchern mit einem Durchmesser von 0,3 bis 0,5 mm aufgefunden. Der Anhaftungsversuch wurde an Durchgangslöchern mit einem Durchmesser von 0,8 mm oder größer ausgeführt. Innerhalb der Löcher elektroplattiertes Kupfer schälte sich ab, was zeigte, daß das Erzeugnis nicht verwendbar war.

Vergleichsbeispiel 2

Ein Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 behandelt und elektroplattiert, mit der Ausnahme, daß eine Graphitdispersion mit 4,5% Graphitteilchen mit einem mitt leren Teilchendurchmesser von 3 µm verwendet wurde.

Das elektroplattierte Substrat wurde auf dieselbe Weise wie beim Beispiel 1 beurteilt. Poren wurden in ungefähr 50% der Durchgangslöcher mit einem Durchmesser von 0,6 bis 0,8 mm und in beinahe allen Durchgangslöchern von 0,3 bis 0,5 mm aufgefunden. Der Anhaftungsversuch wurde in Durchgangslö chern mit einem Durchmesser von 0,8 mm oder mehr ausgeführt. Innerhalb der Löcher elektroplattiertes Kupfer war abge schält, was zeigte, daß das Erzeugnis nicht verwendbar war.

Diese Ergebnisse zeigen, daß mit dem erfindungsgemäßen Ver fahren Kupfer ausgezeichnet mit starker Anhaftung auf die Wände von Durchgangslöchern elektroplattiert werden kann, im Gegensatz zum Fall, bei dem eine Graphit/Wasser-Dispersion mit Graphitteilchen mit einem mittleren Durchmesser von mehr als 2 µm verwendet wird.

Wie vorstehend veranschaulicht, gewährleistet das erfin dungsgemäße Verfahren zuverlässiges Elektroplattieren auf nichtleitende Oberflächen mit geringen Kosten. Dieses Ver fahren ist höchstzuverlässig und kann mit Vorteil insbeson dere auf mehrschichtige gedruckte Leiterplatten kleiner Ab messungen angewandt werden.

Claims

1. Verfahren zum Elektroplattieren einer nichtleitenden Oberfläche, mit den folgenden Schritten:

- Abscheiden von Graphitteilchen auf der Oberfläche, um eine Graphitschicht auf derselben auszubilden; und
- Vornehmen einer Elektroplattierung unter Verwendung der Graphitschicht als leitende Schicht;

gekennzeichnet durch folgende Schritte:

- Herstellen einer wäßrigen Dispersion mit Graphit mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 2 µm oder weniger und mit einem Bindemittel; und
- Aufbringen der wäßrigen Dispersion von Graphitteilchen auf die nichtleitende Oberfläche, um die Graphitteilchen an dieser zum Anhaften zu bringen, um dadurch die Graphit schicht auszubilden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch folgen de Schritte:

- es wird die Graphitschicht auf einer bereichsweise auf einer nichtleitenden Oberfläche ausgebildeten Metallschicht, sowie auf nicht von der Metallschicht bedeckten Berei chen der nichtleitenden Oberfläche ausgebildet;
- die auf der Metallschicht angeordnete Graphitschicht wird durch Ätzen der Metallschicht entfernt; und
- das Elektroplattieren wird auf den nichtleitenden Berei chen der Oberfläche unter Verwendung der Graphitschicht und ggf. in den anderen Bereichen unter Verwendung der verbliebenen Schicht aus dem leitenden Metall ausgeführt.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzen mit einer Ätztiefe von 0,01 bis 1,8 µm erfolgt.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine gedruckte Leiterplatte aus einem nichtleitenden Material verwendet wird, die mindestens eine Metallschicht auf ihren Oberflächen aufweist, und die Durchgangslöcher aufweist.