DE4311761A1 - Antireflektionsfilm und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents
Antireflektionsfilm und Herstellungsverfahren dafürInfo
- Publication number
- DE4311761A1 DE4311761A1 DE4311761A DE4311761A DE4311761A1 DE 4311761 A1 DE4311761 A1 DE 4311761A1 DE 4311761 A DE4311761 A DE 4311761A DE 4311761 A DE4311761 A DE 4311761A DE 4311761 A1 DE4311761 A1 DE 4311761A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- film
- light
- refractive index
- reflection
- photolithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Antireflektionsfilm und
ein Herstellungsverfahren dafür. Insbesondere betrifft die Er
findung einen Antireflektionsfilm, der bei einer Fotolithografie
während der Schritte zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
benutzt wird.
Bei jedem Herstellungsschritt einer Halbleitervorrichtung wird
Fotolithografie eingesetzt, wobei ein Resistfilm unter Benutzung
einer Fotomaske in ein vorbestimmtes Muster bemustert wird. Dann
wird das Muster des Resistfilms auf einen Siliziumwafer
übertragen.
Nachfolgend wird eine Beschreibung des Schritts zum Bilden einer
Wortleitung vorgenommen als einem Herstellungsschritt für einen
konventionellen DRAM (Dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zu
griff).
Wie in Fig. 13 gezeigt, wird ein Isolationsfilm 51 auf einem
Halbleitersubstrat 50 gebildet. Ein Polysiliziumfilm 52a wird
auf dem Isolationsfilm 51 gebildet. Ein Isolationsfilm 52b wird
auf dem Polysiliziumfilm 52a gebildet. Auf dem Isolationsfilm
52b ist ein Resistfilm 53 gebildet. Eine Fotomaske 54 mit einem
darauf gebildeten vorbestimmten Muster ist oberhalb des Resist
films 53 vorgesehen. Eine Belichtung (Licht für eine Belichtung)
55, wie i-Linien-Licht (λ=365 nm) oder krF-Licht (λ=248 nm)
wird auf den Resistfilm 53 von oberhalb der dazwischen vorgese
henen Fotomaske 54 gerichtet.
Wie in Fig. 14 gezeigt, wird der Resistfilm 53 durch die Belich
tung 55 entlang des Musters der Fotomaske belichtet. Danach wer
den vorbestimmte Bereiche des Resistfilms 53 durch Entwickeln
entfernt.
Wie in Fig. 15 gezeigt, wird das Ätzen des Isolationsfilms 52b
und des Polysiliziumfilms 52a durch Trockenätzen 57 ausgeführt,
wobei der Resistfilm 53 als Maske benutzt wird. Wie in Fig. 16
gezeigt, wird durch Entfernen des Resistfilms 53 eine Wortlei
tung 52 fertiggestellt.
Wenn allerdings ein abgestufter Bereich in einem unterliegenden
Film, wie einer Wortleitung, vorliegt, wird Licht der Belichtung
durch den gestuften Bereich reflektiert, was zu dem Problem
führt, daß ein Resistfilm einer gewünschten Größe nicht gebildet
werden kann. Nachfolgend wird dieses Problem unter Bezug auf
Fig. 17 beschrieben. Fig. 17 ist eine Schnittansicht, bei wel
cher ein Elementisolationsbereich 56 auf einem Halbleitersub
strat 50 gebildet ist.
Der Elementisolationsbereich 56 und der Isolationsfilm 51 sind
auf dem Halbleitersubstrat 50 gebildet. Es existiert ein abge
stufter Bereich 56a an einer Verbindungsstelle des Elementisola
tionsbereichs 56 und des Isolationsfilms 51.
Der Polysiliziumfilm 52a und der Isolationsfilm 52b sind entlang
der Oberfläche des Elementisolationsbereichs 56 und des Isola
tionsfilms 51 gebildet. Der Isolationsfilm 52b weist einen ge
stuften Abschnitt 52c entlang des gestuften Bereiches 56 auf.
Der Resistfilm 53 ist auf der oberen Oberfläche des Isolations
films 52b gebildet. Der Resistfilm 53 weist eine flache Ober
fläche auf. Die Fotomaske 54 mit einem vorbestimmten Muster ist
oberhalb des Resistfilms 53 angeordnet.
Licht der Belichtung 55, wie das i-Linien-Licht (λ=365 nm)
oder krF-Licht (λ=248 nm) wird auf den Resistfilm 53 von oben
gerichtet, mit der dazwischenliegenden Fotomaske 54. Wie in Fig.
18 gezeigt, wird Licht der Belichtung 55, das den Isolationsfilm
52b erreicht, durch die Oberfläche des Isolationsfilms 52b re
flektiert. Auf einen flachen Abschnitt der Oberfläche des Isola
tionsfilms 52b gerichtetes Belichtungslicht 55a wird in Einfall
richtung reflektiert. Lichtbestandteile 55b, 55c, 55d und 55e,
die auf den gestuften Abschnitt 52c des Isolationsfilmes 52b ge
richtet sind, werden allerdings entsprechend mit einem Neigungs
winkel des gestuften Bereichs 52c, wie in der Figur gezeigt, re
flektiert. Die reflektierten Lichtbestandteile 55b, 55c, 55d und
55e der Belichtung 55 belichten einen Bereich des Resistfilms
53c, der ursprünglich nicht belichtet werden sollte.
Wie in Fig. 19 gezeigt, weist der oben beschriebene Resistfilm
53 den in der Figur gezeigten ausgehöhlten Bereich auf. Wenn ein
Polysiliziumfilm 52a und ein Isolationsfilm 52b durch Trocken
ätzen 57 unter Benutzung des Resistfilms 53 geätzt werden, wer
den Abschnitte des Polysiliziumfilms 52a und des Isolationsfilms
52b, die nicht zu ätzen sind, wie in den Fig. 20 und 21 ge
zeigt, geätzt. Als Ergebnis wird die Wortleitung 52 mit der ge
wünschten Form nicht gebildet.
Wie in Fig. 22 gezeigt, gehört das Vorsehen eines Antireflektionsfilms
58 auf dem Isolationsfilm 52b zum Verhindern einer
Reflektion des Belichtungslichts zu einer bekannten Technologie,
um das oben beschriebene Problem zu lösen. Das Reflektionsvermögen
(Reflektionsgrad), das beim Schritt der allgemeinen Foto
lithografie benötigt wird, liegt bei 10% oder weniger, und her
kömmlicherweise wurde ein Antireflektionsfilm 58, der hauptsäch
lich aus TiN besteht, benutzt.
Nachfolgend wird eine Beschreibung eines Verfahrens zum Bilden
einer Wortleitung 52 vorgenommen, bei dem ein Antireflektionsfilm
58 aus TiN benutzt wird.
Wie in Fig. 22 gezeigt, ist ein Antireflektionsfilm 58 aus TiN
auf der oberen Oberfläche des Isolationsfilms 52a durch Benut
zung eines Sputterverfahrens oder dergleichen gebildet. Der
Resistfilm 53 ist auf dem Antireflektionsfilm 58 gebildet. Eine
Fotomaske 54 mit einem vorbestimmten Muster ist oberhalb des
Resistfilms 53 vorgesehen.
Wie in Fig. 23 gezeigt, wird Belichtungslicht 55, wie das i-
Linien-Licht (λ=365 nm) oder das krF-Licht (λ=248 nm) von
oben auf den Resistfilm 53 gerichtet, mit der Fotomaske 54 da
zwischen. Zu diesem Zeitpunkt wird das Licht der Belichtung 55,
das den Isolationsfilm 52b erreicht, kaum durch den gestuften
Bereich 52a reflektiert, durch den Antireflektionsfilm 58. Dies
gestattet das Belichten genau entsprechend dem Muster des Re
sistfilms 53, und ein Resistfilm 53 der gewünschten Form kann
erhalten werden.
Wie in Fig. 24 gezeigt, wird unter Benutzung des Resistfilms 53
als Maske der Antireflektionsfilm 58, der Isolationsfilm 52b und
der Polysiliziumfilm 52a durch Ätzen 57 zum Bilden einer Wort
leitung 52 geätzt. Dann wird, wie in Fig. 25 gezeigt, durch Ent
fernen des Resistfilms 53 und des Antireflektionsfilms 58, die
auf der Wortleitung 52 verblieben, die in Fig. 26 gezeigte Wort
leitung 52 vollständig hergestellt.
Allerdings weist ein als Antireflektionsfilm benutzter TiN-Film
die folgenden Probleme auf:
- 1) Es ist schwierig, den TiN-Film trockenzuätzen, da ein Titanatom bezüglich jeder Verbindung einen niedrigen Verdamp fungsdruck aufweist.
- 2) Unter Berücksichtigung des obigen Problems (1) wird ein TiN-Film auf einem Si-Material gebildet. Wenn der TiN-Film in eine gewünschte Form durch Naßätzen unter Benutzung von H2SO4/H2O2 geätzt wird, wird das Si-Material überhaupt nicht geätzt. Allerdings werden seitliche Ätzungen durch das Naßätzen des TiN-Films bewirkt, und es ist schwierig, den TiN-Film in eine gewünschte Form zu ätzen.
- 3) Da Titan ein Niveau in einer Bandlücke von Silizium auf weist, wird ein Leckstrom oder dergleichen erhöht, was zu einer verschlechterten Halbleitercharakteristik von Si führt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Antireflektionsfilm zu
schaffen, der eine höhere Leistung aufweist. Insbesondere ist es
Aufgabe, einen Antireflektionsfilm und ein Verfahren zum Her
stellen eines solchen zu schaffen, wobei für den Antireflektionsfilm
ein komplexer Brechungskoeffizient (Brechungsindex)
vorgegeben wird.
Die Aufgabe wird durch das Verfahren nach dem Patentanspruch 1
sowie den Antireflektionsfilm nach den Patentansprüchen 2 und 3
gelöst.
Ein Verfahren zum Herstellen des Antireflektionsfilms gemäß
einer Ausführungsform umfaßt die Schritte zum Auswählen eines
komplexen Brechungsindex, der die optische Eigenschaft des Antireflektionsfilms
zur Benutzung bei einer Fotolithografie beim
Herstellungsprozeß einer Halbleitervorrichtung beschreibt, und
Auswählen weiterer Charakteristiken, die für den Antireflektionsfilm
benötigt werden. Der obige Schritt zum Auswählen des
komplexen Brechungsindex umfaßt den Schritt zum Bestimmen von
Werten eines reellen Anteils n und eines imaginären Anteils k
der Relation n-i×k (wobei i eine imaginäre Einheit ist),
wobei der komplexe Brechungsindex im Bereich von 1,0 < n < 3,0
bzw. 0,4 < k < 1,3 ist, wenn das Licht der Belichtung bei der
Fotolithografie eine Wellenlänge im Bereich der i-Linie (λ=
365 nm) bis zum krF-Licht (λ=248 um) aufweist.
Gemäß dem Herstellungsverfahren sind die Werte des reellen Teils
n und des imaginären Teils k der Beziehung n-i×k so gewählt,
daß sie jeweils den vorgegebenen Bereichen entsprechen.
Folglich kann ein geeigneter Antireflektionsfilm gebildet wer
den, ohne daß der Brechungsindex experimentell gemessen werden
muß.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Antireflektionsfilm,
der bei der Fotolithografie beim Herstellungsprozeß einer
Halbleitervorrichtung benutzt wird, einen Plasmanitridfilm
(SiXNY : X, Y sind Parameter), der durch ein Plasma-CVD-Verfahren
gebildet wurde, auf. Licht für die Belichtung bei der Fotolitho
grafie entspricht der i-Linie (λ=365 um). Die Werte des Real
teils n und des Imaginärteils k der Beziehung n-i×k (wobei i
die imaginäre Einheit ist), die den komplexen Brechungsindex des
obigen Plasmanitridfilms (SiXNY) angibt, werden auf 1,0 < n <
3,0 bzw. 0,4 < k < 1,3 gesetzt, durch Ändern der Zusammensetzung
des Materials des obigen Plasmanitridfilms (SiXNY), wobei das
Verhältnis der Parameter (X, Y) des obigen Plasmanitridfilms
(SiXNY) auf 1,0 < X/Y < 1,4 gesetzt ist.
Folglich kann ein Antireflektionsfilm, der aus dem Plasmanitrid
film gebildet ist, mit optimalem Reflektionsvermögen erhalten
werden, wenn das Licht der Belichtung bei der i-Linie (λ=365
nm) liegt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfaßt der Antireflektionsfilm,
der bei der Fotolithografie in einem Herstellungsverfahren
einer Halbleitervorrichtung benutzt wird, einen Plasmanitridfilm
(SiXNY : X, Y als Parameter), der durch eine Plasma-CVD-Methode
gebildet ist. Bei der Fotolithografie benutztes Licht für die
Belichtung ist krF-Licht (λ=248 um). Die Werte des Realteils n
und des Imaginärteils k der Beziehung n-i×k (wobei i eine
imaginäre Einheit ist) beschreiben den komplexen Brechungsindex
des obigen Plasmanitridfilms (SiXNY) und sind auf 1,0 < n < 3,0
bzw. 0,4 < k < 1,3 gesetzt, durch Ändern der Parameter (X, Y)
der Zusammensetzung des Materials des obigen Plasmanitridfilms
(SiXNY), wobei das Verhältnis der Parameter (X, Y) des obigen
Plasmanitridfilms (SiXNY) auf 0,75 < X/Y < 0,85 gesetzt ist.
Folglich wird ein aus einem Plasmanitridfilm gebildeter Antireflektionsfilm
geschaffen, der ein optimales Reflektionsvermögen
aufweist, wenn zur Belichtung krF-Licht (λ=248 um) benutzt
wird.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich
aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figu
ren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Schemadiagramm zum Ermitteln eines allge
meinen Reflektionsvermögens (Reflektanz);
Fig. 2 ein Schemadiagramm zum Verdeutlichen einer
Phasenänderung von Licht, die auf eine vor
bestimmte Substanz trifft;
Fig. 3 ein Diagramm mit einem Reflektionsfaktor (R)
und dem Zusammenhang zwischen dem Realteil n
und dem Imaginärteil k eines komplexen Bre
chungsindex zum Zeitpunkt des Auftreffens der
i-Linie (λ=365 nm);
Fig. 4 ein Diagramm mit dem Reflektionsgrad (R) und
dem Zusammenhang zwischen dem Realteil n und
dem Imaginärteil k des komplexen Brechungs
index zum Zeitpunkt des Auftreffens des krF-
Lichts (λ=248 nm);
Fig. 5 ein Schemadiagramm zum Messen des Reflektionsgrades
von mehrfach reflektiertem Licht;
Fig. 6 ein Schemadiagramm zum Ermitteln des Reflektionsgrades,
wenn Licht der Belichtung auf
ein vorbestimmtes Halbleitersubstrat gerich
tet ist;
Fig. 7 ein Diagramm mit dem Zusammenhang zwischen
der Wert des Imaginärteils k des komplexen
Brechungsindex und der Dicke des Oxidfilms
zum Zeitpunkt des Auftreffens der i-Linie;
Fig. 8 ein Diagramm mit dem Zusammenhang zwischen
dem Wert des Imaginärteils k des komplexen
Brechungsindex und der Dicke des Oxidfilms
zum Zeitpunkt des Auftreffens des krF-Lichts;
Fig. 9 ein Diagramm mit dem Zusammenhang zwischen
dem Verbindungsverhältnis von Si und N und
der optischen Charakteristik eines Plasma
nitridfilms zum Zeitpunkt des Auftreffens der
i-Linie;
Fig. 10 ein Diagramm mit dem Zusammenhang zwischen
dem Realteil n und dem Imaginärteil k, den
der Plasmanitridfilm annimmt zum Zeitpunkt
des Auftreffens der i-Linie;
Fig. 11 ein Diagramm mit dem Zusammenhang des Verbin
dungsverhältnisses von Si und N sowie den
optischen Eigenschaften des Plasmanitridfilms
zum Zeitpunkt des Auftreffens des krF-Lichts;
Fig. 12 ein Diagramm mit dem Zusammenhang zwischen
den Werten des Realteils n und des Imaginär
teils k, den der Plasmanitridfilm annimmt zum
Zeitpunkt des Auftreffens des krF-Lichts;
Fig. 13 bis 16 Schnittansichten mit dem ersten bis vierten
Schritt bei der Fotolithografie beim Herstel
lungsprozeß einer herkömmlichen Halbleiter
vorrichtung;
Fig. 17 eine Schnittansicht mit einem Problem der
Fotolithografie beim Herstellungsprozeß für
die herkömmliche Halbleitervorrichtung;
Fig. 18 eine detaillierte teilweise Schnittansicht
mit dem Problem bei der Fotolithografie beim
Herstellungsprozeß der herkömmlichen Halblei
tervorrichtung;
Fig. 19 bis 21 Schnittansichten mit dem ersten bis dritten
Schritt beim Verdeutlichen des Problems der
Fotolithografie beim Herstellungsprozeß der
herkömmlichen Halbleitervorrichtung; und
Fig. 22 bis 26 Schnittansichten mit dem ersten bis fünften
Schritt bei der Fotolithografie beim Herstel
lungsprozeß der Halbleitervorrichtung, bei
der das herkömmliche Problem überwunden
wurde.
Es folgt die Beschreibung eines Verfahrens zum Auswählen eines
Antireflektionsfilms unter Bezug auf die Fig. 1 bis 12.
Das Verfahren zum Herstellen des Antireflektionsfilms ist grob
eingeteilt in den Schritt zum Auswählen eines komplexen Bre
chungsindex als optischer Eigenschaft des Antireflektionsfilms
und den Schritt zum Auswählen anderer Eigenschaften, die für den
Antireflektionsfilm nötig sind. Die vorliegende Erfindung be
trifft den ersten Schritt des Auswählens des komplexen Bre
chungsindex als optischer Eigenschaft des Antireflektionsfilms.
Daher betrifft die nachfolgende Beschreibung den Auswahlschritt
des komplexen Brechungsindex.
Wie in Fig. 1 gezeigt, wird ein Reflektionsgrad R beschrieben.
Fig. 1 ist ein Schemadiagramm, bei dem ein Resistfilm 1 mit un
endlicher Dicke auf einem Antireflektionsfilm 2 mit unendlicher
Dicke gebildet ist. Der Reflektionsgrad R von Licht einer Be
lichtung 3 drückt sich in diesem Fall wie folgt aus:
wobei (nr-i·kγ) ein komplexer Brechungsindex des Resistfilms
1 und (n-i·k) ein komplexer Brechungsindex des Antireflektionsfilms
2 ist.
Der komplexe Brechungsindex wird nachfolgend beschrieben. Der
Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient sind wichtige
physikalische Größen bei der Betrachtung des Eintritts oder der
Übertragung von Licht in eine Substanz. Der Brechungsindex und
der Absorptionskoeffizient werden im allgemeinen als optische
Konstanten bezeichnet. Der Brechungsindex wird durch das Ver
hältnis der Lichtgeschwindigkeit im Vakuum zu der von Licht in
der Substanz bezeichnet. Der Absorptionskoeffizient bezeichnet
das Verhältnis, mit welchem Lichtenergie in der Substanz absor
biert wird. Beide Größen ändern sich in Abhängigkeit von der
Wellenlänge oder der Anzahl der Lichtschwingungen.
Substanz besteht im allgemeinen aus Atomen. Ein Atom besteht aus
einem positiv geladenen Atomkern und negativ geladenen Elektro
nen. Die Lichtwelle von außerhalb der Substanz ist eine externe
Kraft mit einer Sinusschwingung bezüglich auf das Atom. Diese
externe Kraft interagiert mit der in dem Atom auftretenden eige
nen Schwingung und induziert eine neue Schwingung.
Es wird angenommen, daß ein Elektron mit einer Masse m und einer
negativen Ladung -q mit einer Feder mit einem Atomkern an einer
festen Position verbunden ist (da der Atomkern eine Masse auf
weist, die 1800mal oder mehr der Masse des Elektrons ent
spricht). Wenn das Elektron um x versetzt wird, wird eine Rück
stellkraft K x x (wobei K ein Elastizitätsmodul ist) proportio
nal zur Versetzung ausgeübt. Es wird ein eindimensionales
Schwingungsmodell betrachtet, bei welchem die Rückstellkraft
K x x wirkt. Wenn ein externes elektrisches Schwingungsfeld E
(=EOeJωT) aus Licht an das Schwingungssystem angelegt wird, be
ginnt das Elektron eine erzwungene Schwingung durch das Schwin
gungsfeld E. Die Bewegungsgleichung des Elektrons bezüglich auf
die x-Koordinate ist zu diesem Zeitpunkt wie folgt:
Bei dieser Gleichung ist die rechte Seite die äußere Kraft, und
der dritte Term auf der linken Seite ist eine elastische Rück
stellkraft der Feder, deren Frequenz ω0=(K/m) entspricht.
Der zweite Term auf der linken Seite ist die Dämpfung,
wenn die Absorption von Licht durch die Substanz in Betracht
gezogen wird. γ ist ein Dämpfungskoeffizient. Die Lösung der
Gleichung (2) ist:
Die rechte Seite der obigen Gleichung ist in der Form der kom
plexen Funktion von ω. Das mit der Feder verbundene Elektron
schwingt dieselbe Anzahl von Schwingungen wie das externe elek
trische Schwingungsfeld aus Licht. Allerdings ändert sich die
Amplitude in Abhängigkeit von ω, und die Phase des Elektrons
verschiebt sich von der des Lichts durch das γ, das die Bewegung
des Elektrons verlangsamt.
Nachfolgend wird die Bewegung des Elektrons als Bewegung der ne
gativen Ladung betrachtet. Es wird angenommen, daß die negative
Ladung um x von ihrer Parallelposition durch Wirkung des elek
trischen Feldes versetzt wird. Das induzierte Dipolmoment durch
das elektrische Lichtfeld der negativen Ladung wird zu
q x x (t). Wenn eine Substanz aus n Atomen oder Molekülen pro
Volumeneinheit gebildet ist, entspricht die Polarisierung
P=nqx. Die Polarisierung P ist proportional dem elektrischen
Lichtfeld, wenn nicht ein stärkeres elektrisches Feld, wie
Laserlicht, betrachtet wird. Die folgende Gleichung gilt zwi
schen der Polarisierung P und der Dielektrizitätskonstante εr
des Dielektrikums:
wobei ε0 die Dielektrizitätskonstante im Vakuum ist.
Da der Zusammenhang n2=εr zwischen dem Brechungsindex n und
der Dielektrizitätskonstante der Substanz gilt, folgt unter
Anwendung des Zusammenhangs auf εr und P der Gleichung (4):
Der Brechungsindex wird als komplexe Funktion von ω entsprechend
zu x angezeigt. Genauer gesagt, wenn der Realteil und der Imagi
närteil des Brechungsindex durch n bzw. k dargestellt werden,
wird der komplexe Brechungsindex n′ zu:
Wie in Fig. 2 gezeigt, wird nachfolgend eine Beschreibung des
Falles vorgenommen, bei dem Licht der Wellenlänge λ und der
Amplitude I0 durch den Film der Dicke d und des Brechungsindex n
verläuft, und in Licht der Wellenlänge λ und der Amplitude I
verwandelt wird.
Der Zusammenhang zwischen der Amplitude I0 und der Amplitude I
ist:
(e-i. R ist der Index, der den Änderungszustand der Amplitude
zeigt, wenn die Phase um R in der Substanz I₀ gedreht wird).
R setzt sich wie folgt zusammen:
(wobei n′ der komplexe Brechungsindex ist).
Daher gilt entsprechend der Gleichungen (a), (b) und (6) das
folgende:
Wenn bei der Gleichung (1) die i-Linie (λ=365 nm) als Licht
der Belichtung benutzt wird, wird der Brechungsindex des Resist
films 1 zu 1,72-0,02i. Fig. 3 ist eine Grafik mit dem Ergebnis
der Berechnung, wobei die Ordinate und die Abszisse den Realteil
n bzw. den Imaginärteil k des Reflektionsgrades R des Antireflektionsfilms
zeigen.
In Fig. 3 ist der Reflektionsgrad bezüglich n und k aufgetragen,
wobei n und k Variablen sind und der Reflektionsgrad durch
Linien beschrieben ist (in der Figur bezeichnet 0,1 den Reflektionsgrad
10% und 0,2 den Reflektionsgrad 20%.
Entsprechend zeigt Fig. 4 das Ergebnis einer Berechnung des Reflektionsgrades
R, wobei krF-Licht (λ=248 nm) als Licht der
Belichtung benutzt wird. In diesem Fall wird der komplexe Bre
chungsindex des Resistfilms zu 1,83-0,01i.
In den allgemeinen Fotolithografieschritten kann eine Lichtreflektion
durch einen abgestuften Bereich ignoriert werden, wenn
der Reflektionsgrad R 10% oder weniger beträgt.
Wie in den Fig. 3 und 4 gezeigt, wenn Bereiche, wo der Reflektionsgrad
10% oder weniger ist, durch die gestrichelten
Linien gezeigt werden, stellt sich heraus, daß in diesen Be
reichen die Werte n und k 1 < n < 3 bzw. 0 < k < 1,3 sind.
Der Grund, warum die i-Linie (λ=365 nm) und das krF-Licht (λ=
248 nm) bei der obigen Belichtung als Licht benutzt werden,
liegt darin, daß der Brechungsindex bezüglich der Substanz sich
nicht wesentlich im Bereich von der Wellenlänge der i-Linie (λ=
365 nm) bis zum krF-Licht (λ=248 nm) in einer allgemeinen Sub
stanz ändert. Daher kann festgestellt werden, daß die oben be
schriebenen Werte von n und k ebenfalls für Licht der Wellen
länge im Bereich zwischen der i-Linie bis zum krF-Licht gelten.
Wenn allerdings der Wert von k zu klein ist, ist das Übertra
gungsverhältnis von Licht der Belichtung 3 durch den Antireflektionsfilm
2 hoch. Daher muß der Film sehr dick sein, um als
Antireflektionsfilm 2 benutzt werden zu können.
Nachfolgend wird die Bedingung, unter welcher das Licht zur
Belichtung nicht durch den Antireflektionsfilm hindurchtritt,
beschrieben.
Unter Bezug auf Fig. 5 wird die Reflektion von Licht, das auf
einen dreischichtigen Film der Substanzen 0, 1 und 2 gerichtet
ist, beschrieben. Das auf den oben beschriebenen dreischichtigen
Film auftreffende Licht führt zu Licht γ01, das an einem Über
gang zwischen der Substanz 0 und der Substanz 1 reflektiert
wird, und Lichtstrahlen a1, a2, . . ., an, die zu einer Multireflektion
in der Substanz 1 führen. Der Reflektionsgrad an dieser
Lichtbestandteile einschließlich γ01 ergibt sich aus der folgen
den Gleichung, wobei tÿ den Übertragungsgrad von der Substanz i
bis zur Substanz j beschreibt, γÿ den Reflektionsgrad an dem
Übergang beschreibt, wenn das Licht von der Substanz i in die
Substanz j eintritt, und Δ die Phasendifferenz darstellt, wenn
das Licht in die Substanz 1 eintritt und aus dieser zurückre
flektiert wird:
wobei
Daher gilt, daß
t₀₁ · t₁₀ = 1 - γ₀₁²,
und es gilt ferner, daß
Der Reflektionsgrad R von mehrfach reflektiertem Licht beträgt
Durch Einsetzen der Gleichung (8) in die obige Gleichung gilt:
Daher kann der Reflektionsgrad R wie folgt dargestellt werden:
Wie in Fig. 6 gezeigt, wird der Fall betrachtet, bei dem ein
Oxidfilm 4 auf einem Halbleitersubstrat 5 gebildet ist, ein
Antireflektionsfilm 2 auf dem Oxidfilm 4 gebildet ist, und ein
Resistfilm 1 mit einer unendlichen Dicke auf dem
Antireflektionsfilm 2 gebildet ist.
In Fig. 6 ist der Fresnel-Koeffizient (γ) der Reflektion zwi
schen den jeweiligen Filmen wie folgt:
auf Si-Substrat (unter Oxidfilm)
auf Si-Substrat (unter Oxidfilm)
auf Oxidfilm (unter einem Antireflektionsfilm)
auf Antireflektionsfilm (ARC) (unter Resistfilm)
Bei der obigen Gleichung beschreibt n den komplexen Brechungs
index, und Indizes bezeichnen die Art des Films.
Der Betrag der Phasenänderung (δ) durch den Lauf des Lichts
hinein und zurück aus jedem Film ist wie folgt:
in Oxidfilm
in Oxidfilm
in Antireflektionsfilm (ARC)
Bei den obigen Gleichungen steht d für die Dicke des Films und
steht für die Wellenlänge des Belichtungslichts in Vakuum.
Entsprechend der oben beschriebenen Gleichung (9) beträgt der
Reflektionsgrad R, wenn das Licht im Film mehrfach reflektiert
wird:
"Oben" beschreibt den Reflektionsgrad zwischen einem Film und
einem Film darauf.
"Unten" bezeichnet den Reflektionsgrad zwischen einem Film und
einem Film darunter.
"Δ" bezeichnet den Betrag der Phasenänderung durch den Verlauf
des Lichts hinein und aus dem Film.
Aus dem obigen ergibt sich der Reflektionsgrad Rsio des Oxid
films, wenn das Licht im Film mehrfach reflektiert wird, zu:
Der Reflektionsgrad RARC des Antireflektionsfilms beträgt:
Wie in den Fig. 3 und 4 gezeigt, beträgt der Optimalwert von
nARC etwa 2,2, und der Optimalwert von dARC beträgt etwa 600 Å,
wobei die Ätzcharakteristik und dergleichen in Betracht gezogen
wurde. Beim Antireflektionsfilm ist kARC (der Imaginärteil des
komplexen Brechungsindex des Antireflektionsfilms) unbekannt,
und in Silizium, da der komplexe Brechungsindex bekannt ist (für
die i-Linie als 6,55-2,65i, und für das krF-Licht 1,58-
3,64i) und das Substrat unendliche Dicke aufweist, gibt es keine
Unbekannten. Beim Oxidfilm ist der komplexe Brechungsindex be
kannt (für die i-Linie 1,47, und für das krF-Licht 1,51), und
die Filmdicke (dsio) ist unbekannt. Da für das Resist der kom
plexe Brechungsindex bekannt ist (für die i-Linie 1,72-0,02i,
und für das krF-Licht 1,83-0,01i) und die obere Schicht unend
lich dick ist, gibt es keine Unbekannten. Daher sind für RASC
die Unbekannten kARC und dsio.
Dementsprechend zeigen die Fig. 7 und 8 den Wert von RARC in
einem Diagramm von Umfangslinien bezüglich zweier Achsen von
kARC und dsio.
Aus den Fig. 7 und 8 stellt sich heraus, daß der Bereich von
k, in welchem der Reflektionsgrad 10% oder weniger gilt, selbst
wenn die Filmdicke des unterliegenden Oxidfilms veränderlich ist
(selbst wenn eine Änderung in einer longitudinalen Richtung in
der Figur auftritt), 0,4 < k < 1,3 beträgt.
Das Bestimmen des oben beschriebenen Werts von k wurde unter Be
rücksichtigung des Aufbaus als Antireflektionsfilm/Oxidfilm/Si
durchgeführt. Allerdings kann dasselbe Ergebnis mit einem belie
bigen unterliegenden Film erreicht werden, da Licht deutlich im
Antireflektionsfilm gedämpft wird, selbst wenn die Filmdicke des
Oxidfilms unter dem Antireflektionsfilm sich ändert. Der Grund,
warum der Oxidfilm als Beispiel benutzt wurde, liegt darin, daß
der Oxidfilm die strengste Bedingung von k=0 erfüllt. Daher
kann gesagt werden, daß die aus der obigen Gleichung erhaltenen
Daten allgemein gültig sind.
Wie mit dem obigen Ausführungsbeispiel gezeigt, ist es möglich,
einen optimalen Antireflektionsfilm durch Wahl der Bereiche der
Werte von n und k des als Antireflektionsfilm benutzten Filmes
auszuwählen, beim Schritt des Auswählens des komplexen
Brechungsindex.
Eine Ausführungsform des Antireflektionsfilms wird nachfolgend
beschrieben.
Herkömmlicherweise ist es möglich, den Brechungsindex eines
Plasmanitridfilms (P-SiXNY), der durch ein Plasma-CVD-Verfah
ren gebildet wurde, durch Ändern der Parameter (X, Y) der Mate
rialzusammensetzung zu ändern.
Der Plasmanitridfilm kann bei einer niedrigen Temperatur von 200
bis 400°C gebildet werden, mit überragenden Charakteristiken
bezüglich einer Abschirmung gegen Feuchtigkeit und Alkali-Ionen,
bezüglich mechanischer Stärke und Abdeckung einer Stufe.
Fig. 9 zeigt den Zusammenhang zwischen dem Verbindungsverhältnis
von Si zu N des Plasmanitridfilms und der optischen Charakteri
stik zum Zeitpunkt des Auftreffens der i-Linie (λ=365 nm). In
der Figur sind die Fälle gezeigt, wo die Verhältnisse von Si zu
N ∞, 1,35, 0,82 sowie 0,75 betragen. Wie aus der Figur hervor
geht, erfüllen der Aufbau des Plasmanitridfilms am Punkt A (n=
2,8, k=1,3) und der Aufbau des Plasmanitridfilms am Punkt B (n
=2,2, K=0,07) im wesentlichen die Bedingung des komplexen
Brechungsindex von 1,0 < n < 3,0 sowie 0,4 < k < 1,3. Si/N
(=X/Y) beträgt 1,35 und 0,82. Bezüglich des Punktes B, da der
Wert von k klein ist, scheint Si/N < 1,0 entsprechend k < 0,4 zu
sein, wenn Dateninterpolation durchgeführt wird.
Daher ist das Verbindungsverhältnis der Parameter (X, Y) des
Plasmanitridfilms der 1,0 < n < 3,0 sowie 0,4 < k < 1,3 des kom
plexen Brechungsindex erfüllt, 1,0 < X/Y < 1,4.
Wie in Fig. 10 gezeigt, zeigt ein Bereich E1 eine Spanne der
Werte n und k, die für den Antireflektionsfilm benötigt werden.
Eine durchgezogene Linie G1 zeigt die Spanne der Werte von n und
k, die das Plasma SiN annehmen kann. Dementsprechend zeigt die
Spanne, in welcher der Bereich E1 die durchgezogene Linie G1
schneidet, die Bedingung des Antireflektionsfilms auf dem Oxid
film zum Zeitpunkt der i-Linien-Belichtung.
Wie in Fig. 11 gezeigt, wird nachfolgend eine Beschreibung des
Zusammenhangs zwischen dem Verbindungsverhältnis von Si zu N des
Plasmanitridfilms sowie den optischen Eigenschaften zum Zeit
punkt des Auftreffens des krF-Lichts vorgenommen. In den Figuren
sind die Fälle gezeigt, bei denen die Verhältnisse von Si zu N
sind: ∞, 1,35, 0,82 sowie 0,75. Wie aus der Figur hervorgeht,
können durch die obere Randbedingung von k < 1,3 nur die Verbin
dungsverhältnisse von Si/N = 0,82 und 0,75 Lösungen sein. Der
Wert von Si/N, 0,75, ist die untere Grenze des Verhältnisses von
Si zu N. Daher stellt sich heraus, daß das Verbindungsverhältnis
der Parameter des Plasmanitridfilms, die 1,0 < n < 3,0
sowie 0,4 < k < 1,3 des komplexen Brechungsindex erfüllen,
0,75 < X/Y < 0,8 beträgt. Fig. 12 ist eine Grafik, bei welcher
die Abszisse den Realteil n zeigt und die Ordinate den Imaginär
teil k zeigt, auf der Basis der Daten aus Fig. 11.
In Fig. 12 ist ein Bereich E2 im Bereich der Werte von n und k,
die für den Antireflektionsfilm benötigt werden. Ein Bereich G2
ist im Bereich der Werte n und k, die das Plasma SiN annehmen
kann. Aus dem obigen zeigt der Rahmen, in welchem der Bereich E2
den Bereich G2 schneidet, die Bedingung des Antireflektionsfilms
auf dem Oxidfilm zum Zeitpunkt der Belichtung durch krF-Licht.
Wie oben beschrieben, ist es durch Ändern von Parametern der
Materialzusammensetzung des Plasmanitridfilms (SiXNY), der durch
das Plasma-CVD-Verfahren gebildet wird, möglich, die Werte des
Realteils n und des Imaginärteils k des komplexen Brechungs
index, der die optische Charakteristik eines Antireflektions
films beschreibt, in einen vorbestimmten Bereich zu setzen, wo
durch ein gewünschter Antireflektionsfilm zu erhalten ist.
Entsprechend einem Verfahren zum Herstellen eines Antireflektionsfilms
ist es möglich, den Antireflektionsfilm durch Aus
wählen der Werte des Realteils n und des Imaginärteils k des
Zusammenhanges n-i×k, der den Brechungsindex als optische
Eigenschaft des Antireflektionsfilms beschreibt, herzustellen.
Als Ergebnis ist es möglich, einen idealen Antireflektionsfilm
zu erhalten, nur durch Untersuchen des komplexen Brechungsindex
des Materials, ohne experimentelles Bilden eines Antireflektionsfilms
auf einem Halbleiterwafer und Messen des Reflektionsgrades.
Durch das Verfahren zum Herstellen des Antireflektionsfilms kann
ein beliebiger Antireflektionsfilm durch Setzen der Werte des
Realteils n und des Imaginärteils k des komplexen Brechungsindex
n-i×k des Plasmanitridfilms (SiXNY) durch Ändern von Para
metern (X, Y) der Materialverbindung gebildet werden, wobei der
Plasmanitridfilm (SiXNY) durch das Plasma-CVD-Verfahren gebildet
wird.
Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen eines Antireflektionsfilms, mit den
Schritten:
Auswählen eines komplexen Brechungsindex als optische Charakte ristik des Antireflektionsfilms, der bei einer Fotolithografie in Herstellungsschritten einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, und
Auswählen anderer Charakteristiken als den Antireflektionsfilm, wobei
der Schritt zum Auswählen des komplexen Brechungsindex den Schritt zum Bestimmen von Werten eines Realteils n und eines Imaginärteils k der Beziehung n-i×k (wobei i eine imaginäre Einheit ist) im Bereich von 1,0 < n < 3,0 und 0,4 < k < 1,3 auf weist, und die Beziehung den komplexen Brechungsindex anzeigt, wenn eine Belichtung in der Fotolithografie eine Wellenlänge im Bereich zwischen einer i-Linie (λ=365 nm) bis zu krF-Licht (λ=248 nm) aufweist.
Auswählen eines komplexen Brechungsindex als optische Charakte ristik des Antireflektionsfilms, der bei einer Fotolithografie in Herstellungsschritten einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, und
Auswählen anderer Charakteristiken als den Antireflektionsfilm, wobei
der Schritt zum Auswählen des komplexen Brechungsindex den Schritt zum Bestimmen von Werten eines Realteils n und eines Imaginärteils k der Beziehung n-i×k (wobei i eine imaginäre Einheit ist) im Bereich von 1,0 < n < 3,0 und 0,4 < k < 1,3 auf weist, und die Beziehung den komplexen Brechungsindex anzeigt, wenn eine Belichtung in der Fotolithografie eine Wellenlänge im Bereich zwischen einer i-Linie (λ=365 nm) bis zu krF-Licht (λ=248 nm) aufweist.
2. Antireflektionsfilm zur Benutzung in Fotolithografie bei Her
stellungsschritten einer Halbleitervorrichtung, mit einem
Plasmanitridfilm (SiXNY: wobei X, Y Parameter sind), der durch
eine Plasma-CVD-Methode gebildet wurde,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der Fotolithografie benutztes
Licht zur Belichtung eine i-Linie (λ=365 nm) ist, und durch
Ändern von Parametern (X, Y) einer Materialverbindung des
Plasmanitridfilms (SiXNY) auf gesetzte Werte eines Realteils n
und eines Imaginärteils k der Beziehung n-i×k (i als imagi
näre Einheit), die einen komplexen Brechungsindex des Plasma
nitridfilms (SiXNY) angibt, auf 1,0 < n < 3,0 sowie
0,4 < k < 1,3, wobei das Verhältnis der Parameter (X, Y) der
Materialverbindung des Plasmanitridfilms (SiXNY) auf
1,0 < X/Y < 1,4 gesetzt wird.
3. Antireflektionsfilm zur Benutzung in Fotolithografie bei Her
stellungsschritten einer Halbleitervorrichtung, mit einem
Plasmanitridfilm (SiXNY: wobei X, Y Parameter sind), der durch
eine Plasma-CVD-Methode gebildet wurde,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der Fotolithografie benutztes
Licht zur Belichtung eine krF-Licht (λ=248 nm) ist, und durch
Ändern von Parametern (X, Y) einer Materialverbindung des
Plasmanitridfilms (SiXNY) auf gesetzte Werte eines Realteils n
und eines Imaginärteils k der Beziehung n-i×k (i als imagi
näre Einheit), die einen komplexen Brechungsindex des Plasma
nitridfilms (SiXNY) angibt, auf 1,0 < n < 3,0 sowie
0,4 < k < 1,3, wobei das Verhältnis der Parameter (X, Y) der
Materialverbindung des Plasmanitridfilms (SiXNY) auf
0,75 < X/Y < 0,85 gesetzt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4096678A JP2791525B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4311761A1 true DE4311761A1 (de) | 1993-10-21 |
DE4311761C2 DE4311761C2 (de) | 2000-08-31 |
Family
ID=14171461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4311761A Expired - Lifetime DE4311761C2 (de) | 1992-04-16 | 1993-04-08 | Verfahren zur Herstellung einer Antireflektionsschicht |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5872054A (de) |
JP (1) | JP2791525B2 (de) |
DE (1) | DE4311761C2 (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0588087A2 (de) * | 1992-08-20 | 1994-03-23 | Sony Corporation | Verfahren zur Bestimmung der optimalen optischen Eigenschaften einer Antireflexionsschicht und Verwendung eines Verfahrens zur Bildung eines Lackmusters |
EP0638922A1 (de) * | 1993-07-06 | 1995-02-15 | Motorola, Inc. | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltungsmusters auf einem Halbleitersubstrat mit Verwendung einer anti-reflektierenden Schicht |
WO1997033201A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
US5918147A (en) * | 1995-03-29 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device with an antireflective layer |
US6274295B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-08-14 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
US6323079B1 (en) | 1998-04-24 | 2001-11-27 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
DE10138909A1 (de) * | 2001-08-08 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer mittels einer Photomaske zu strukturierenden siliziumhaltigen Schicht |
SG115320A1 (en) * | 1997-06-04 | 2005-10-28 | Ibm | Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07201700A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100245033B1 (ko) * | 1996-09-25 | 2000-02-15 | 전주범 | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 |
US6599682B2 (en) | 2000-04-26 | 2003-07-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for forming a finely patterned photoresist layer |
JP2002214793A (ja) | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 反射防止膜及び半導体装置の製造方法 |
JP2004153073A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN100383934C (zh) * | 2004-11-15 | 2008-04-23 | 旺宏电子股份有限公司 | 控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3234066A1 (de) * | 1981-09-14 | 1983-03-31 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur bildung eines musters aus einem duennen film mit metallischem glanz auf einem substrat |
EP0379604A1 (de) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Siliziumnitridschicht, wie sie als Antireflexschicht in Photolithographieprozessen bei der Herstellung hochintegrierter Halbleiterschaltungen verwendet wird |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6047202B2 (ja) * | 1976-01-13 | 1985-10-21 | 東北大学金属材料研究所長 | 超硬高純度の配向多結晶質窒化珪素 |
US4158717A (en) * | 1977-02-14 | 1979-06-19 | Varian Associates, Inc. | Silicon nitride film and method of deposition |
JPS57195207A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Olympus Optical Co Ltd | Light absorbing film |
JPS58220477A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Japan Solar Energ Kk | 太陽電池の製造方法 |
US4451969A (en) * | 1983-01-10 | 1984-06-05 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
CA1186070A (en) * | 1983-06-17 | 1985-04-23 | Iain D. Calder | Laser activated polysilicon connections for redundancy |
US4545646A (en) * | 1983-09-02 | 1985-10-08 | Hughes Aircraft Company | Process for forming a graded index optical material and structures formed thereby |
US4545823A (en) * | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Hewlett-Packard Company | Grain boundary confinement in silicon-on-insulator films |
US4668365A (en) * | 1984-10-25 | 1987-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition |
US4618541A (en) * | 1984-12-21 | 1986-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article |
JPH0234012B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1990-08-01 | Canon Kk | Kamerayoadaputa |
US4691077A (en) * | 1985-05-13 | 1987-09-01 | Mobil Solar Energy Corporation | Antireflection coatings for silicon solar cells |
US4606115A (en) * | 1985-05-14 | 1986-08-19 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing optically sensitive semiconductor devices including anti-reflective coatings |
US4820611A (en) * | 1987-04-24 | 1989-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Titanium nitride as an antireflection coating on highly reflective layers for photolithography |
US4751191A (en) * | 1987-07-08 | 1988-06-14 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating |
US4863755A (en) * | 1987-10-16 | 1989-09-05 | The Regents Of The University Of California | Plasma enhanced chemical vapor deposition of thin films of silicon nitride from cyclic organosilicon nitrogen precursors |
JP2859288B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1999-02-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2953468B2 (ja) * | 1989-06-21 | 1999-09-27 | 三菱化学株式会社 | 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法 |
US4968147A (en) * | 1989-09-01 | 1990-11-06 | Shoemaker Jack W | Laser target pipe insert apparatus |
US5106786A (en) * | 1989-10-23 | 1992-04-21 | At&T Bell Laboratories | Thin coatings for use in semiconductor integrated circuits and processes as antireflection coatings consisting of tungsten silicide |
US5126289A (en) * | 1990-07-20 | 1992-06-30 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor lithography methods using an arc of organic material |
US5091244A (en) * | 1990-08-10 | 1992-02-25 | Viratec Thin Films, Inc. | Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating |
JP2678400B2 (ja) * | 1990-11-14 | 1997-11-17 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子 |
JP3342164B2 (ja) * | 1993-04-16 | 2002-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5378659A (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-03 | Motorola Inc. | Method and structure for forming an integrated circuit pattern on a semiconductor substrate |
JPH07201700A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP4096678A patent/JP2791525B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-08 DE DE4311761A patent/DE4311761C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-03 US US08/725,383 patent/US5872054A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3234066A1 (de) * | 1981-09-14 | 1983-03-31 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zur bildung eines musters aus einem duennen film mit metallischem glanz auf einem substrat |
EP0379604A1 (de) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Siliziumnitridschicht, wie sie als Antireflexschicht in Photolithographieprozessen bei der Herstellung hochintegrierter Halbleiterschaltungen verwendet wird |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0588087A2 (de) * | 1992-08-20 | 1994-03-23 | Sony Corporation | Verfahren zur Bestimmung der optimalen optischen Eigenschaften einer Antireflexionsschicht und Verwendung eines Verfahrens zur Bildung eines Lackmusters |
EP0588087A3 (de) * | 1992-08-20 | 1995-08-02 | Sony Corp | Verfahren zur Bestimmung der optimalen optischen Eigenschaften einer Antireflexionsschicht und Verwendung eines Verfahrens zur Bildung eines Lackmusters. |
EP0638922A1 (de) * | 1993-07-06 | 1995-02-15 | Motorola, Inc. | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltungsmusters auf einem Halbleitersubstrat mit Verwendung einer anti-reflektierenden Schicht |
US5918147A (en) * | 1995-03-29 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device with an antireflective layer |
WO1997033201A1 (en) * | 1996-03-07 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
US6042992A (en) * | 1996-03-07 | 2000-03-28 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Bottom antireflective coatings through refractive index modification by anomalous dispersion |
US5733714A (en) * | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Antireflective coating for photoresist compositions |
US6274295B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-08-14 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Light-absorbing antireflective layers with improved performance due to refractive index optimization |
SG115320A1 (en) * | 1997-06-04 | 2005-10-28 | Ibm | Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings |
US6323079B1 (en) | 1998-04-24 | 2001-11-27 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
DE19980980B4 (de) * | 1998-04-24 | 2005-05-19 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung |
DE10138909A1 (de) * | 2001-08-08 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer mittels einer Photomaske zu strukturierenden siliziumhaltigen Schicht |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4311761C2 (de) | 2000-08-31 |
JP2791525B2 (ja) | 1998-08-27 |
JPH05299338A (ja) | 1993-11-12 |
US5872054A (en) | 1999-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4311761C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Antireflektionsschicht | |
DE60301297T2 (de) | Polarisierendes optisches Element und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69328220T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Phasenschiebermaske oder eines Phasenschiebermasken-Rohlings | |
DE10165034B4 (de) | Halbton-Phasenverschiebungsmaske und -maskenrohling | |
DE69131497T2 (de) | Photomaske, die in der Photolithographie benutzt wird und ein Herstellungsverfahren derselben | |
DE69518345T2 (de) | Photomaske | |
DE69324636T2 (de) | Lithographische Phasenverschiebungsmasken mit verschiedenen Schichtzusammensetzungen | |
DE69729913T2 (de) | Ätzverfahren zum Herstellen von Metallfilmstrukturen mit abgeschrägten Seitenwänden | |
DE4318688C2 (de) | Herstellungsverfahren für einen Feldeffekttransistor | |
DE102014222028A1 (de) | Maskenstrukturen und Herstellungsverfahren | |
EP0662243B1 (de) | Antireflexschicht und verfahren zur lithografischen strukturierung einer schicht | |
DE69307609T2 (de) | Selbstausrichtendes Verfahren zur Herstellung von Phasenverschiebungsmasken, die drei oder mehr Phasenverschieber besitzen | |
DE69132303T2 (de) | Maske für Photolithographie | |
DE4138999C2 (de) | Belichtungsverfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE19525745A1 (de) | Verfahren zur Bildung eines Abdeckungsmusters | |
WO2003017342A2 (de) | Verfahren zum herstellen einer selbstjustierten struktur auf einem halbleiter-wafer | |
DE69606979T2 (de) | Phasenverschiebungsmaske, Rohteil für eine solche Maske und Verfahren zur Herstellung einer solchen Maske | |
DE69419186T2 (de) | Verfahren zur Ätzung eines halbleitenden Substrats | |
DE4413821A1 (de) | Phasenschiebemaske und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE68925398T2 (de) | Ausbilden eines vorgeschriebenen Musters auf einer Schicht eines Halbleiterelements | |
DE3428565A1 (de) | Antireflexionsueberzug fuer optische lithographie | |
DE19709246B4 (de) | Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zum Herstellen derselben | |
WO2009056615A1 (de) | Licht blockierende schichtenfolge mit einem oder für einen integrierten schaltkreis und verfahren zur herstellung der schichtenfolge | |
DE3856441T2 (de) | Methode zur Erzeugung eines feinen Musters | |
DE69324524T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Speicherbauteils |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |