DE4310814A1 - Verfahren zur Beschichtung von Leiterplatten - Google Patents

Verfahren zur Beschichtung von Leiterplatten

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten, insbesondere solchen mit durchkontaktierten Bohrungen, mit photostrukturierbarem, lösungsmittelfreiem, thermoplastischem Material.
Es wurden bereits Verfahren beschrieben, nach denen eine photopolymerisierbare Zusammensetzung durch Schmelzextrusion gemischt und sodann als Schmelze auf einen Träger aufgebracht wird: Research Disclosure 249019, Januar 1985; EP 00 80 665. Nach solchen Verfahren wurden bisher photopolymerisierbare Materialien, wie insbesondere Flexodruckplatten fabrikmäßig hergestellt, wobei die photopolymerisierbare Masse kontinuierlich auf die im wesentlichen glatte Oberfläche des Trägermaterials aufgetragen wird.
In der Leiterplattenherstellung werden dagegen einzelne Platten, die teilweise bereits durch Bohrungen oder Leiterbahnen eine Oberflächen-Strukturierung besitzen, vom Anwender selbst beschichtet.
Solche Beschichtungen mit Resistmaterialien dienen einerseits der Ausbildung der Leiterbahnen und andererseits ihrem Schutz bei Lötprozessen und werden während verschiedener Prozeß­ schritte benötigt, um das darunterliegende Material vor dem Angriff von Verarbeitungsbädern, wie Entwicklerlösungsmitteln, Ätz- und Galvanisiermitteln zu schützen.
Während bei geringen Anforderungen an die Präzision der Leiterbahnen das Resistmaterial im Siebdruckverfahren bildmäßig aufgetragen wird, bedient man sich bei feinen Mustern, die eine hohe Auflösung erfordern, der Photostrukturierung. Hierbei wird die Resistschicht zunächst gleichmäßig auf die ganze Fläche aufgebracht, sodann hinter einer Vorlage bildmäßig belichtet und durch Auswaschen der belichteten (bei positiv arbeitenden) oder der unbelichteten Bereiche (bei negativ arbeitenden Resistmaterialien) das Resistbild entwickelt.
Es sind verschiedene Beschichtungsverfahren bekannt, die den Eigenschaften der für verschiedene Aufgaben benötigten Photoresist-Materialien angepaßt sind:
Flüssige Photolacke, die meist auf Diazo-Basis aufgebaut sind, werden durch "Spin-Coating" oder durch Eintauchen der Unterlage aufgebracht. Sie können auch im kontinuierlichen Betrieb durch verschiedene Gießverfahren, insbesondere das Vorhanggießen (wie z. B. in US 4,230,793) oder durch Sprühverfahren, insbesondere elektrostatische Sprühverfahren aufgetragen werden.
Bei einer anderen Gruppe von Photolacken wird die Resistschicht durch elektrophoretische Abscheidung erzeugt.
Diese Verfahren eignen sich für Photolacke, die eine geringe Viskosität besitzen, die dem Lack durch Zusatz von Lösungsmitteln verliehen wird. Nach dem Beschichtungsvorgang müssen daher die Platten getrocknet werden.
Ein weiteres Auftragsverfahren ist das Roller-Coating, bei dem das flüssige Beschichtungsmaterial von Walzen an die zu beschichtende Oberfläche aufgetragen wird. Die Walzen sind üblicherweise an ihrer Oberfläche strukturiert um genügend Beschichtungsmaterial aufzunehmen (PCT/WO 92/07679).
Solche flüssigen Photolacke sind relativ preiswert und eignen sich besonders zur Herstellung dünner Schichten. Nachteilig ist dagegen, daß nicht beide Seiten der Leiterplatte gleichzeitig beschichtet werden können, daß eine gleichmäßige Beschichtung einen hohen technischen Aufwand erfordert und die ungehärtete Resistoberfläche sehr empfindlich gegen Staub und mechanische Verletzung ist. Schwierigkeiten ergeben sich auch bei der Beschichtung bestückter Leiterplatten mit Lötstopmasken, da senkrechte Flächen von dem flüssigen Resist nur ungenügend bedeckt werden. Insbesondere aber bereitet der Schutz von durchkontaktierten Bohrungen Probleme, da das flüssige Resist zwar wegen seiner niedrigen Viskosität leicht in die Bohrungen eindringt, sie aber nicht zuverlässig und vollständig ausfüllt, da die Luft aus ihnen nur schwer zu verdrängen ist. Dadurch sind Durchkontaktierungen nicht ausreichend geschützt und können beim Ätzen angegriffen oder zerstört werden.
Elektrophoretisch abgeschiedene Photolacke erzeugen eine besonders gleichmäßige Bedeckung. Sie erfordern aber leitfähige Substrate und können daher z. B. nicht als Lötstopmasken verwendet werden. Die Schichtdicke ist auf maximal ca. 15 µm begrenzt, was für die Anwendung als Galvanoresist zu dünn ist, so daß nur eine Anwendung als Ätzresist in Betracht kommt.
Wie bei den niedrigviskosen, flüssigen Photoresisten hat auch dieses Verfahren überdies besondere Nachteile bei der Beschichtung von Leiterplatten mit durchkontaktierten Bohrungen: Aufgrund der geringen Schichtdicke werden die Bohrungen nicht vollständig ausgefüllt; vielmehr werden nur ihre Wandungen bedeckt. Bei negativ arbeitenden Photoresisten müssen zum Schutz der Bohrungen die Resistschichten auf den Wandungen zuverlässig durch Belichtung gehärtet werden. Dies ist bei Bohrungen mit hohem Aspektverhältnis (Tiefe/Durchmesser) nicht sicher zu gewährleisten.
Bei positiv arbeitenden Photoresisten muß dagegen sicher verhindert werden, daß die Bohrungen während des gesamten Verarbeitungsprozesses belichtet werden, was nur unter Inkaufnahme eines Restringes bei der bildmäßigen Belichtung und einer Abschottung aller folgender Prozeßschritte gegen aktinisches Licht möglich ist.
Viele der obigen Nachteile werden von den Trockenresist-Filmen vermieden, die daher eine weite Verbreitung gefunden haben. Sie sind z. B. in den US-Patenten 3,469,982 und 3,547,730 beschrieben. Sie besitzen eine Sandwich-Struktur, bei der die photostrukturierbare Schicht zwischen einem temporären Träger und einer transparenten Folie angebracht ist. In einem Laminator wird die photostrukturierbare - meist photopolymerisierbare - Schicht auf die Leiterplatte übertragen, bildmäßig hinter dem Schaltungsmuster belichtet und nach Abziehen der Schutzfolie durch Auswaschen in einem geeigneten Lösungsmittel entwickelt.
Trockenresiste zeichnen sich durch eine besonders einfache Handhabung, eine vom Hersteller sehr genau eingestellte Schichtdicke und durch einen guten Schutz der Resistoberfläche durch eine Deckfolie aus. Ihre Konformität bei strukturierten Unterlagen ist jedoch begrenzt. Als besonders nachteilig muß angesehen werden, daß Bohrungen nur durch Ausbildung eines Restringes ("Tenting") geschützt werden können: Bei dieser Verfahrensweise wird die Bohrung von dem Photoresistfilm überspannt; bei der bildmäßigen Belichtung muß dafür Sorge getragen werden, daß nicht nur der Photoresist über der Bohrung selbst sondern auch auf einem größeren Verankerungsbereich um die Bohrung herum belichtet wird. Das nimmt zusätzlichen Platz auf der Leiterplatte in Anspruch, was bei der immer größeren Packungsdichte der Schaltungen zu Raumproblemen führen kann. Außerdem ist nicht immer gewährleistet, daß größere Bohrungen durch das "Tenting" sicher geschützt sind.
Es war daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Beschichten von insbesondere mit Bohrungen versehenen Leiterplatten mit photostrukturierbarem Material anzugeben, durch das Bohrungen ohne seitliche Überlappungen sicher geschützt werden können, das keine Trocknung benötigt, einfach und unkompliziert ausgeführt werden kann und zu Beschichtungen von guter Konformität zum ggf. strukturierten Träger mit Schichtdicken von ca. 5 bis 100 µm führt.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
Geeignete photostrukturierbare Materialien sind im Prinzip bekannt. Sie stellen photohärtbare oder photodegradierbare, negative oder positive arbeitende Systeme dar. Bevorzugt werden photopolymerisierbare Zusammensetzungen, die im wesentlichen ein thermoplastisches polymeres Bindemittel, eine additionspolymerisierbare, ethylenisch ungesättigte Verbindung und einen durch Strahlung aktivierbaren Polymerisations- Initiator, aber kein Lösungsmittel enthalten. Sie besitzen bei Raumtemperatur eine so hohe Viskosität, daß ein Fließen des Materials verhindert wird. Bei der Verarbeitungstemperatur von 100 bis 140°C beträgt sie 10 bis 1000 Pa·s, vorzugsweise zwischen 20 und 400 Pa·s.
Bei den thermoplastischen polymeren Bindemitteln handelt es sich um Copolymere olefinisch ungesättigter Carbonsäuren mit anderen Monomeren. Bevorzugt werden Copolymere aus Acrylsäure, Methacrylsäure, Maleinsäure und Itaconsäure mit Styrol und/oder Alkylacrylaten und/oder -methacrylaten verwendet. Außerdem können auch die Reaktionsprodukte von Copolymerisaten olefinisch ungesättigter Carbonsäure- und/oder Dicarbonsäureanhydride mit den obengenannten Co-Monomeren und Wasser, Alkoholen und/oder Aminen eingesetzt werden; bevorzugt werden hierbei: Maleinsäure-, Itaconsäure- und Citraconsäureanhydride.
Geeignete additionspolymerisierbare, ethylenisch ungesättigte Verbindungen, die allein oder in Kombination mit anderen Monomeren verwendet werden können, umfassen Acrylsäure- und Methacrylsäurederivate wie Acrylamide, Methacrylamide, Alkylacrylate, Alkylmethacrylate und besonders Ester der Acrylsäure und Methacrylsäure mit Diolen und Polyolen, wie Ethylenglykol, Diethylenglykol, Trimethylolpropan, Pentaerythrit, Polyethylenglykole.
Die Gesamtmenge der Monomeren in den photostrukturierbaren Zusammensetzungen beträgt 10 bis 80 Gewichtsprozent bezogen auf die gesamten Bestandteile der Gemische.
Als Photoinitiatoren oder Photoinitatorsysteme können praktisch alle für diesen Zweck bekannten Verbindungen verwendet werden. Als Beispiele seien genannt: 9-Phenylacridin, 9,10-Dimethylbenzphenazin, Benzophenon/Michlers Keton, Hexaarylbisimidazole/Mercaptobenzoxazol. Die Photoinitiatoren können in einer Menge von 0,01 bis 10 Gewichtsprozent verwendet werden.
Darüberhinaus können die photostrukturierbaren Materialien noch weitere Zusätze wie z. B. Farbstoffe, Pigmente, Weichmacher, Haftvermittler, Füllstoffe und insbesondere Stabilisatoren enthalten; letztere sorgen dafür, daß das Material eine kurzzeitige Erwärmung auf die Beschichtungstemperatur ohne chemische Veränderungen, insbesondere ohne thermische Polymerisation übersteht.
Vorzugsweise erfolgt das Auftragen des photostrukturierbaren Materials auf die Leiterplatten durch Extrusion unter Erwärmung des photostrukturierbaren Materials. Auch das Trägermaterial wird zweckmäßig vorgewärmt. Die Vorwärmtemperatur liegt zweckmäßig zwischen 80 und 180, bevorzugt zwischen 100 und 140°C. Das photostrukturierbare Material wird beispielsweise auf die Vorderkante des Trägermaterials in einer Menge aufgebracht, die ausreicht, um die gesamte Oberfläche in der gewünschten Schichtdicke zu überziehen. In einer anderen Ausführungsform wird das photostrukturierbare Material kontinuierlich in Form eines die gesamte Breite der Platte überspannenden Films aufgebracht.
Aufgrund der hohen Viskosität des photostrukturierbaren Materials kann auch die Unterseite des Trägermaterials beschichtet werden, so daß ein doppelseitiges Beschichten in einem Arbeitsgang möglich ist.
Es können für das Beschichten von Ober- und Unterseite der Leiterplatte auch unterschiedliche photostrukturierbare Materialien verwendet werden. So kann z. B. auf der Oberseite ein hochviskoses Material und auf der Unterseite ein filmförmiges Material aufgetragen werden, wobei vorzugsweise zuerst der Auftrag des hochviskosen Materials erfolgt.
Das Verteilen des photostrukturierbaren Materials auf dem Trägermaterial erfolgt unter Druck durch die Walzen eines Kalanders oder Laminators, durch die die zu beschichtende Leiterplatte hindurchgeführt wird. Die Walzen werden hierbei vorzugsweise auf eine Temperatur erwärmt, die 10 bis 50°C höher als die der Leiterplatte liegt. Bei dieser Temperatur sinkt die Viskosität des photostrukturierbaren Materials, so daß es unter dem Druck der Walzen die Luft aus allen Unebenheiten und Bohrungen der Leiterplatte verdrängt, die Oberfläche vollständig bedeckt sowie die Bohrungen ausfüllt. Durch Variation von Temperatur, Walzendruck und Walzenvorschubgeschwindigkeit kann die Dicke des Schichtauftrags reguliert werden. Die erzielbare Schichtdicken-Genauigkeit beträgt ca. +/- 10% der Gesamtdicke.
Der Druck der Kalander- bzw. Laminatorwalzen auf die Leiterplatte beträgt zweckmäßig 0,2 bis 5, bevorzugt 0,5 bis 2 kg/cm2.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird auf beiden Seiten des Trägermaterials zusammen mit dem photostrukturierbaren Material eine transparente Folie auflaminiert. Sie verhindert ein Verkleben der photostrukturierbaren Schicht mit den Kalanderwalzen oder - beim späteren Belichtungsvorgang - mit der Photovorlage und schützt gleichzeitig die photostrukturierbare Schicht vor Zutritt von Luftsauerstoff, durch den die Empfindlichkeit von photopolymerisierbaren Materialien herabgesetzt wird. Vorzugsweise werden als Schutzfolien Polyesterfolien, wie z. B. Polyethylenterephthalat verwendet.
Als Trägermaterial sind Metalle, wie Aluminium, Stahl, Zink und Kupfer oder Kunststoff-Folien, wie Polyethylenterephthalat oder Celluloseacetat sowie Glas geeignet. Für die Herstellung von Leiterplatten werden jedoch hauptsächlich mit Kupfer kaschierte Kunststoffplatten verwendet.
Bei Belichtung mit aktinischem Licht erfolgt eine Photopolymerisation, die zu einer Differenzierung der Löslichkeit zwischen belichteten und unbelichteten Bereichen führt. Die Belichtung wird hinter einer das Schaltungsmuster tragenden Vorlage vorgenommen. Diese muß nicht - wie bei anderen Verfahren erforderlich - das den Bohrungen genau entsprechenden Muster enthalten. Vielmehr genügt es, das Muster der Leiterbahnen aufzubelichten.
Mit Hilfe geeigneter Lösungsmittel werden die ungehärteten Bereiche entfernt. Dabei wird die Auswaschzeit so gewählt, daß zwar die unbelichteten Schichtanteile an der Oberfläche der Leiterplatte gelöst, das in den Bohrungen vorhandene unbelichtete oder nur teilweise belichtete Material aber nicht oder nicht vollständig gelöst wird. Das an der Oberfläche stehenbleibende Material dient als Resistschicht und schützt das darunter liegende Metall vor dem folgenden Ätz- oder Galvanoschritt. Das in den Bohrungen erhalten bleibende photostrukturierbare Material schützt die Durchkontaktierung in der Bohrung.
Abschließend wird das gesamte restliche Resist durch "Strippen" in einem hochalkalischen Bad entfernt.
Es war überraschend, daß - anders als bei den Verfahren nach dem Stand der Technik - die Bohrungen nicht belichtet zu werden brauchen, um sie zuverlässig zu schützen. Dadurch erübrigt sich die sonst erforderliche genaue Übereinstimmung zwischen Photomaske und Lage der Bohrungen, die im allgemeinen nicht sehr genau ist. Außerdem wird das unpolymerisierte photostrukturierbare Material beim Stripp-Prozeß leichter entfernt als polymerisiertes Material, was die Gefahr der Bildung von Rückständen verringert und so die nachfolgenden Schritte sicherer gestaltet.
Die Dicke der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugten Beschichtungen läßt sich in weiten Grenzen den Anforderungen des nachfolgenden Arbeitsschritts anpassen. Sie kann von 5 bis 100 µm und mehr betragen. Bei Ätzverfahren werden Schichten von 15 bis 30 µm, für galvanischen Schichtaufbau solche zwischen 30 und 50 µm bevorzugt.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch zum Auftragen einer Lötstopmaske verwendet werden. Eine Leiterplatte, die bereits Leiterbahnen enthält, wird in der oben beschriebenen Weise beschichtet, wobei durch die ausgezeichnete Konformität des Beschichtungsmaterials sowohl die Vertiefungen zwischen den Leiterbahnen als auch die Bohrungen gut ausgefüllt werden. Nach Belichtung und Entwicklung kann die Bestückung der Leiterplatte erfolgen.
Wegen des guten Kontakts des photostrukturierbaren Materials zur Leiterplatte, die durch die gute Konformität bedingt wird, kann der Lötprozeß ohne die sonst mögliche Gefahr einer Ablösung der Lötstopmaske durchgeführt werden.
Beispiele 1
Es wird ein photostrukturierbares Material aus
65 g Copolymerisat aus Methylmethacrylat/Ethylacrylat/ Methacrylsäure (51/29/20)
25 g Trimethylolpropantrimethacrylat
0,3 g Victoria Blau
4 g Ethyl-4-(dimethylamino)benzoat
6,5 g Benzophenon
2 g Michlers Keton
hergestellt. Die Bestandteile werden in einem Extruder gründlich gemischt.
Eine 100×200 mm große und 3 mm dicke, mit Bohrungen von 0,5-6 mm Durchmesser versehene Leiterplatte wird auf 100°C erhitzt. 2 g obigen Materials werden bei 120°C geschmolzen und in Form von zwei Streifen an der Vorderkante der Ober- und Unterseite der Leiterplatte mit Hilfe einer Heißkleberpistole aufgetragen. Ein Laminator (Dupont RISTON HRL) wird mit Polyethylenterephthalat-Folie MYLAR 92 A beschickt, seine Walzen werden auf 140°C erhitzt. Bei einer Vorschubgeschwindigkeit von 0,5 m/min wird die Leiterplatte durch den Laminator geführt. Dabei wird das photostrukturierbare Material zu einer ca. 25 µm dicken Schicht ausgewalzt. Alle Bohrungen sind vollständig mit dem photostrukturierbaren Material gefüllt.
Die Platte wird mit einem Linienmuster belichtet, wobei die Bohrungen ausgespart bleiben. Auch nach der Entwicklung in einer 1%igen Natriumcarbonat-Lösung, die das Linienmuster freilegt, bleiben die Bohrungen noch gefüllt. Die Leiterplatte wird anschließend in einer üblichen sauren Ätzlösung geätzt und die Resistschicht in einer 1%igen Kaliumhydroxidlösung entfernt. Auch die Bohrungen sind nun freigelegt und man erhält eine Leiterplatte mit Leiterzügen und Durchkontaktierungen.
Beispiel 2
Es wird ein photostrukturierbares Material wie in Beispiel 1 hergestellt und in einem Extruder gründlich gemischt. Eine 100×200 mm große und 3 mm dicke, mit Kupfer kaschierte und mit Bohrungen von 0,5 bis 6 mm Durchmesser versehene Epoxyharz-Platte wird auf 100°C erhitzt. 2 g der obigen Mischung werden bei 120°C aufgeschmolzen und in zwei Streifen an der Vorderkante der Leiterplatte auf ihrer Ober- und Unterseite mit Hilfe einer Heißkleberpistole aufgetragen.
Die Platte wird mit einer Vorschubgeschwindigkeit von 1,5 m/min durch einen Laminator wie in Beispiel 1 geführt und das photostrukturierbare Material zwischen der Polyesterfolie zu einer ca. 75 µm dicken Schicht ausgewalzt.
Die Platte wird mit einem Linienmuster belichtet und nach Entfernen der Polyesterfolie mit einer 1%igen Natriumcarbonat- Lösung entwickelt. Anschließend wird auf den freigelegten Stellen in einem üblichen Galvanobad Kupfer abgeschieden und sodann der Resist mit einer 1%igen Kaliumhydroxid-Lösung entfernt. Anschließend wird das Basiskupfer durch Ätzen entfernt und man erhält ein Leiterbahnenmuster.
Beispiel 3
Ein photostrukturierbares Material gemäß Beispiel 1 wird zu einem 125 µm dicken Film extrudiert und bei 120°C mit einer Geschwindigkeit von 1 m/min auf beide Seiten einer 100×200 mm großen und 3 mm dicken, mit Kupfer kaschierten und mit Bohrungen von 0,5 bis 6 mm Durchmesser versehenen Epoxyharz- Platte zu einer 40 µm dicken Schicht kalandriert.
Beispiel 4
Eine 100×200 mm große und 3 mm dicke, mit Bohrungen von 0,5 bis 6 mm Durchmesser versehene Leiterplatte wird auf 100°C erhitzt. 2 g des Materials aus Beispiel 1 werden bei 120°C geschmolzen und in Form eines Streifens an der Vorderkante der Oberseite der Leiterplatte aufgetragen und bei 120°C mit einer Geschwindigkeit von 0,5 m/min aufkalandriert. Gleichzeitig wird auf die Unterseite ein konventioneller, 25 µm dicker Trockenresistfilm auflaminiert. Die Platte wird wie in Beispiel 1 weiterverarbeitet und ergibt nach dem Ätzen eine Leiterplatte mit durchkontaktierten Bohrungen.
Beispiel 5
Eine 100×200 mm große und 3 mm dicke, mit Leiterbahnen versehene Leiterplatte wird auf 100°C erhitzt. Je 2 g der lichtempfindlichen Schicht eines handelsüblichen Lötstopmasken-Trockenfilms (Dupont VACREL 8100), werden bei 120°C geschmolzen und in Form von Streifen an der Vorderkante der Ober- und Unterseite der Leiterplatte aufgetragen und bei 120°C mit einer Geschwindigkeit von 0,5 m/min aufkalandriert. Die Platte wird an allen Stellen außer denen, die später als Lötstellen freiliegen sollen, durch eine entsprechende Photomaske belichtet und wie oben beschrieben durch Auswaschen entwickelt.
Man erhält einer Leiterplatte, bei der die Zwischenräume zwischen den Leiterbahnen durch das Material der Lötstopmaske ausgefüllt und die Leiterbahnen selbst in einer Schichtdicke von 25 µm bedeckt sind.

Claims (13)

1. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten mit photostrukturierbarem Material, das ein thermoplastisches, polymeres Bindemittel, eine additionspolymerisierbare, ethylenisch ungesättigte Verbindung und einen durch Strahlung aktivierbaren Initiator enthält, dadurch gekennzeichnet, daß das photostrukturierbare Material bei einer Temperatur von 100 bis 180°C mittels einer geeigneten heizbaren Extrusionsvorrichtung auf die Leiterplatte aufgetragen und mit Hilfe des Walzenpaares eines Kalanders oder Laminators unter Druck über ihre gesamte Oberfläche verteilt wird.
2. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte mit durchkontaktierten Bohrungen und/oder mit einem Schaltungsmuster versehen ist.
3. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das photostrukturierbare Material kein Lösungsmittel enthält und bei einer Temperatur von 100 bis 140°C eine Viskosität von 10 bis 1000 Pa·s aufweist.
4. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das photostrukturierbare Material bei einer Temperatur von 100 bis 140°C Viskosität von 20 bis 400 Pa·s aufweist.
5. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das photostrukturierbare Material und die Leiterplatte bis auf 80 bis 180°C erhitzt werden und die Walzen des Kalanders/Laminators eine Temperatur besitzen, die 10 bis 50°C über der der Leiterplatte liegt.
6. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck der Walzen und die Viskosität des photostrukturierbaren Materials so eingestellt werden, daß das photostrukturierbare Material durch die Bohrungen hindurchgedrückt wird.
7. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck der Walzen des Kalanders oder Laminators auf die Leiterplatte 0,2 bis 5 kg/cm2 beträgt.
8. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck der Walzen des Kalanders oder Laminators auf die Leiterplatte 0,5 bis 2 kg/cm2 beträgt.
9. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte gleichzeitig auf beiden Seiten beschichtet werden.
10. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß photostrukturierbare Material nach dem Auftragen auf die Leiterplatte durch eine transparente Schutzfolie abgedeckt wird.
11. Verfahren zum Beschichten von Leiterplatten nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die transparente Schutzfolie im Kalander oder Laminator auf die Oberfläche des photostrukturierbaren Materials auflaminiert wird.
12. Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen durch Beschichten einer mit durchkontaktierten Bohrungen versehenen, mit Kupfer kaschierten Leiterplatte mit einem photostrukturierbaren Material, Belichten hinter einer Maske mit den Schaltungselementen, Auswaschen der löslichen Anteile in einem Lösungsmittel zur Ausbildung eines Ätzresists, Ätzen bzw. Galvanisieren der freigelegten Kupferoberfläche und Weiterverarbeitung zu einer Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit dem photostrukturierbaren Material beschichtet wird,
  • - die Belichtung hinter dem Muster eines Schaltungsbildes vorgenommen wird, wobei die Bohrungen unbelichtet bleiben können, und
  • - die Auswaschzeit so gewählt wird, daß nur das an der Oberfläche der Leiterplatte vorhandene unbelichtete photostrukturierbare Material und nicht das in den Bohrungen vorhandene Material ausgewaschen wird.
13. Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen durch Beschichten einer mit einem Schaltungsmuster versehenen Leiterplatte mit einem photostrukturierbaren Material, Belichten hinter einer Maske mit dem Muster der Lötstellen und Auswaschen der löslichen Anteile in einem Lösungsmittel zur Ausbildung einer Lötstopmaske, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 11 mit dem photostrukturierbaren Material beschichtet wird.
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