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Die
Erfindung betrifft eine neue flankengesteuerte Ausgabepufferschaltung
für integrierte
Schaltkreise. Die Erfindung vermindert die Amplitude des Rauschens
oder der Störsignale
in der Leistungsschiene (in der Netzschiene bzw. im Netz) einschließlich Prellen
(Bounce) und Unterschreiten (Undershoot) der Masse auf der Masseschienenseite
der Ausgabepufferschaltung, ohne Verluste der Schaltgeschwindigkeit.
Auf ähnliche
Weise vermindert die Erfindung VCC-Abfall
(Droop) und -Überschwingen
(Overshoot) auf der Versorgungsschienenseite der Ausgabepufferschaltung
unter Beibehaltung der Schaltgeschnwindigkeit. Dies wird durch gesteuertes
Speichern und Abgeben von Ladung am Ausgang mit neuen, mit dem Ausgang
verbundenen Ladungsspeicher- und Entlade-Kondensatorschaltungen
erreicht.
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1 zeigt eine Ausgabepufferschaltung 40 zum
Vermindern von durch Schalten induzierten Störsignalen oder Rauschen gemäß der US-PS
4,961,010. 1 entspricht
der 4 dieser Patentschrift.
Ein NMOS-Transistorelement N3 mit hoher Belastbarkeit (zulässiger Stromstärke) zieht
einen Entladestrom vom Ausgang VOUT zur
Niederspannungs-Leistungsschiene GND. N3 ist das primäre Pulldown-Transistorelement zum
Herstellen eines logischen Niederspannungspegel-Signales am Ausgang.
(In der nachfolgenden Beschreibung sind zur Vereinfachung mit "Pulldown" das Herabsetzen
oder Herabziehen und mit "Pullup" das Hochsetzen oder
Hochziehen einer Spannung bezeichnet.) Ein PMOS-Transistorelement
P3 mit relativ hoher Belastbarkeit speist einen Ladestrom von der
Hochspannungs-Leistungsschiene VCC zum Ausgang
VOUT. P3 ist das primäre Pullup-Transistorelement zum Einrichten eines
logischen Hochspannungspegel-Signals am Ausgang. Bei diesem Beispiel
ist der Ausgabepuffer 40 eine nichtinvertierende Dreistufen
(Tristate)-Ausgabevorrichtung, und Datensignale mit logisch hohen
und niedrigen Spannungspegeln breiten sich mit einer Signallaufzeitverzögerung vom
Datensignaleingang VIN zum Augang VOUT aus. Die Dreistufenausgabe-Freigabe- und -Sperrsignale
werden an den OE-Eingang angelegt.
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Ein
Datensignal am Eingang VIN geht durch zwei
invertierende Stromverstärkerstufen 12, 14 und
wird dann mit derselben Polarität
wie am Eingang an ein NAND-Glied (negiertes UND) 15 und
an ein NOR-Glied (ODER-NICHT) 16 angelegt. Das NAND-Glied 15 steuert
letztlich das primäre
Pullup-Transistorelement P3 an. Das NOR-Glied 16 steuert
letztlich das primäre
Pulldown-Transistorelement N3 an. Der zweite Eingang jedes der logischen
Gatter 15, 16 wird von der Eingabe am OE-Anschluß abgeleitet.
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Ein
Ausgangs-Freigabesignal OE wird mit invertierter Polarität OE am Dreistufen-OE-Anschluß angelegt. Dieses Dreistufen-Signal
geht durch die erste und die zweite invertierende Stromverstärkerstufe 18, 20 und
wird mit derselben Polarität
wie das OE-Signal an den Eingang
des NOR-Gliedes 16 angelegt. Das Dreistufen-Signal passiert
ferner die erste und die zweite invertierende Stufe 18, 20 und
eine dritte Inverterstufe 22, bevor es an den Eingang des
NAND-Gliedes 15 angelegt wird. Das an den Eingang des NAND-Gliedes 15 angelegte
Dreistufen-Signal hat also zum OE-Signal
entgegengesetzte Polarität
und ist mit dem Ausgangs-Freigabesignal OE in Phase.
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Die
logische Gatteranordnung des Ausgabepuffers 40 von 1 gibt Ausgangsdatensignale
mit logisch hohen und niedrigen Spannungspegeln am Ausgang VOUT aus, die während des Zweistufen-Betriebs
mit Datensignalen am Eingang VIN in Phase sind, wenn das Ausgangs-Freigabesignal
OE hoch ist (OE niedrig). Wenn
das OE-Signal während
des hochohmigen, dritten Zustandes niedrig ist (OE hoch), sind die Ausgangstransistorelemente,
einschließlich
des primären
Pullup-Transistorelementes P3 und des primären Pulldown-Transistorelementes
N3, gesperrt. Der Dreistufen-Betrieb am Ausgang VOUT erscheint
anderen Ausgabepuffern auf einem gemeinsamen Bus als hohe Impedanz.
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Gemäß den Verbesserungen
der US-PS 4,961,010 weist die Ausgabepufferschaltung 40 Flankenraten-
oder Flankengrößensteuerschaltungen
zum Steuern des Einschaltens der Ausgangs-Pullup- und Pulldown-Transistorelemente
auf. Ein sekundäres
Pullup-PMOS-Transistorelement P1 mit relativ geringer Belastbarkeit
(zulässiger
Stromstärke)
ist zum primären
Pullup-Transistorelement P3 parallel geschaltet. Ein sekundäres NMOS-Pulldown-Transistorelement
N1 mit relativ geringer Belastbarkeit ist zum primären Pulldown-Transistorelement
N3 parallel geschaltet. Das Verhältnis
der Belastbarkeiten oder zulässigen
Stromstärken
des primären
zum sekundären
Pulldown-Transistorelement N3/N1 und vom primären zum sekundären Pullup-Transistorelement
P3/P1 ist vorzugsweise mindestens 4 zu 1 oder darüber und
normalerweise im Bereich von 4/1 bis 7/1. Bei MOS-Transistoren ist
die Belastbarkeit oder zulässige
Stromstärke
unter anderem eine Funktion des Kanalwiderstandes und daher der
Kanalbreite. Eine typische Kanalbreite von primären Ausgangs-Transistorelementen
liegt im Bereich von 80μ bis
1400μ (Mikrometer),
während
die Kanalbreite der sekundären
Ausgangstransistorelemente beispielsweise bei 200μ liegen kann.
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Ein
Widerstand RD1 ist zwischen den Steuergate-Knotenpunkten des sekundären und
des primären Pulldown-Transistorelementes
angeschlossen. Der Widerstand RD1 schafft eine konstante Zeitverzögerung zwischen
dem frühen
Einschalten des sekundären
Pulldown-Transistorelementes N1 und dem späteren Einschalten des primären Pulldown-Transistorelementes
N3. Ein Widerstand RD2 ist zwischen den Steuergate-Knotenpunkten des
sekundären
und des primären
Pullup-Transistorelementes
angeschlossen. Der Widerstand RD2 schafft eine konstante Zeitverzögerung zwischen
dem frühen
Einschalten des sekundären
Pullup-Transistorelementes P1 und dem späteren Einschalten des primären Pullup-Transistorelementes
P3. Typische Widerstandswerte für
RD1 und RD2 sind 5 K Ohm bzw. 1 K Ohm.
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Das
frühe Einschalten
des sekundären
Pulldown-Transistorelementes N1 mit der geringen zulässigen Stromstärke löst das Abziehen
von Strom vom Ausgang VOUT bei einem nur
geringen Stromabzugspegel aus. Die Anfangsgröße des abgezogenen Stromes
und die Ladungsbeschleunigung werden von der Größe und dem Innenwiderstand
des Transistorelementes N1 mit geringer zulässiger Stromstärke begrenzt.
Der positive Spannungsanstieg der Masse oder das Prellen (Spannungssprung)
der Masse ist proportional zu L di/dt, wobei L die parasitäre Induktivität LG der
Masseanschlußleitung
ist. Dieses erste Auftreten des Masse-Prellens ist auf einen niedrigeren
Pegel begrenzt, in der Regel weniger als die Hälfte der Spitzenamplitude des
Masse-Prellens bei
herkömmlichen
Ausgabepufferschaltungen.
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Der
Verzögerungswiderstand
RD1 und die parasitäre
Kapazität
des primären
Pulldown-Transistorelementes N3 bilden ein RC-Verzögerungsnetz,
das das Einschalten von N3 verzögert.
Beim Einschalten des primären
Pulldown-Transistorelementes N3 mit großer zulässiger Stromstärke tritt
ein zweiter positiver Spannungsanstieg der Masse auf. Dieses zweite
Masse-Prellen wird nun jedoch durch die Ladungsverminderung der
Ausgangslastkapazität
begrenzt und ist ebenfalls auf die Hälfte der herkömmlichen
Spitzenamplitude des Masse-Prellens vermindert.
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Die
US-PS 4,961,010 sieht ähnliche
Flankenraten-Steuerungsverfahren zum Vermindern von Störungen auf
der Versorgungsschienenseite der Ausgabepufferschaltung vor. Das
sekundäre
Pullup-Transistorelement P1 löst
einen relativ kleinen Ladestrom von der Versorgungsschiene VCC zum Ausgang VOUT aus,
bevor der relativ große
Ladestrom des primären
Pullup-Transistorelementes P3 eingeschaltet wird. Demzufolge werden
eine erste und eine zweite VCC-Spannungsspitze mit
abfallender Flanke (Dachschräge)
erzeugt und auf einen Wert begrenzt, der normalerweise weniger als
halb so groß ist
wie bei herkömmlichen
Ausgabepufferschaltungen.
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Mit
den typischen Bauteilwerten für
den Schaltkreis von 1 erhöht die Flankensteuerung
durch sequentielles Einschalten des sekundären und dann des primären Ausgangstransistors,
mit den passiven Verzögerungswiderständen RD1
und RD2, die Signal-Laufzeitverzögerung
um beispielsweise 1,5 ns bei einem Betrieb mit einer Standard-Ausgangslastkapazität von 50
pF. Eine zusätzliche
Verzögerung
von 1,5 ns erhöht die
normale Grund-Laufzeitverzögerung
der Ausgabepufferschaltung von beispielsweise 4 ns auf 5,5 ns. Zum schnellen
Ausschalten der primären
Ausgangs-Transistorelemente
N3, P3, ohne die Flankensteuerung und ohne zusätzliche Verzögerung während der
entsprechenden entgegengesetzten Übergänge am Ausgang, sind, wie in 1 gezeigt, Pulldown- und
Pullup-Verzögerungs-Umgehungsschaltungen
mit Umgehungs- oder Bypass-Transistorelementen N2, P2 vorgesehen.
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Die
Verzögerungs-Umgehungsschaltung
zum Abschalten des Pulldown-Transistorelements N3 wird von einem
NMOS-Umgehungstransistor N2 und einem MOS-Inverter 42 gebildet,
der zwischen den Steuerknotenpunkten des sekundären Pulldown-Transistorelementes
N1 und des primären
Pulldown-Transistorelementes
N3 angeschlossen ist. Die Verzögerungs-Umgehungsschaltung
umgeht den Verzögerungswiderstand RD1
zum schnellen Abschalten von N3 während des Übergangs von einem niedrigen
auf ein hohes Potential am Ausgang VOUT. Ähnlich wie
bei der Versorgungsseite, ist eine Pullup-Verzögerungs-Umgehungsschaltung vorgesehen,
mit einem PMOS-Umgehungs- oder Bypass-Transistor P2 und einem MOS-Inverter 44,
der zwischen den Steuerknoten des sekundären Pullup-Transistorelementes
P1 und des primären
Pullup-Transistorelementes P3 angeschlossen ist. Die Versorgungs-Verzögerungs-Umgehungsschaltung
umgeht den Verzögerungswiderstand
RD2, um das primäre
Pullup-Transistorelement während
des Übergangs
von einer hohen auf eine niedrige Spannung am Ausgang VOUT schnell
abzuschalten.
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Eine
weitere Entwicklung für
eine verbesserte Flankenraten-Steuerung von in der US-PS 4,961,010 gezeigten
Ausgabepufferschaltungen nach Art eines "abgestuften Einschaltens" oder "verzweigten Einschaltens" ist in der US-PS
5,036,222 beschrieben. Eine Ausgabepufferschaltung 40a gemäß der US-PS
5,036,222 ist in 2 gezeigt.
Zwischen den Steueranschlußleitungen
des sekundären
und des primären
Pulldown-Transistorelementes N1 und N3 ist anstelle des passiven
Verzögerungswiderstandes
RD1 von 1 ein aktiver Schaltkreis
mit einer die Ausgangsspannung aufnehmenden Pulldown-Steuerung in
Reihe geschaltet. Dieser aktive Schaltkreis mit Pulldown-Steuerung
wird von einem PMOS-Schalttransistor P4 gebildet.
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Bei
einem Übergang
von einer hohen auf eine niedrige Spannung am Ausgang VOUT tritt
am Steuergate-Knotenpunkt des sekundären Pulldown-Transistorelementes
N1 ein Signal mit hohem Potential auf. N1 wird eingeschaltet, um
den relativ kleinen Verbraucherstrom auszulösen und das Entladen der Ausgangslastkapazität zu starten.
Der Steuergate-Knotenpunkt des die Ausgangsspannung abfühlenden
Schalttransistors P4 fühlt
den Abfall der Spannung am Ausgang VOUT ab
und folgt diesem. Wenn die Spannung am Ausgang um die Einschaltschwellen-Spannungsdifferenz
für den
Transistor P4 fällt,
schaltet der Pulldown-Steuertransistor P4 ein und gibt das Signal
mit hohem Spannungspegel an das Gate des primären Pulldown-Transistorelementes
N3 weiter. Das primäre
Pulldown-Transistorelement N3 wird leitend und schließt das Entladen
der Ausgangslastkapazität
ab.
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Das
Abziehen des Stroms vom Ausgang und Entladen der Ausgangslastkapazität wird also
in zwei Schritten erreicht. Das verzweigte Einschalten erzeugt zwei
Spannungssprünge
der Masse mit der halben Amplitude der herkömmlichen Störspitzen des Masseanstiegs.
Durch Verwendung des aktiven Pulldown-Steuerungs-Schalttransistors
P4 im Schaltkreis von 2 wird
eine Flankensteuerung mit größerer Geschwindigkeit als
mit dem passiven Verzögerungswiderstand
RD1 der Schaltung von 1 erreicht.
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Auf ähnliche
Weise ist auf der Leistungsversorgungsseite der Ausgabepufferschaltung 40a von 2 ein aktiver Schaltkreis
mit einer die Ausgangsspannung aufnehmenden Pullup-Steuerung zwischen
den Steuerknoten des sekundären
und des primären
Pullup-Transistorelementes P1 und P3 in Reihe geschaltet. Der die
Ausgangsspannung aufnehmende Pullup-Steuerungs-Schaltkreis wird
von einem NMOS-Schalttransistor N4 gebildet. Bei einem Übergang
von einer niedrigen auf eine hohe Spannung am Ausgang VOUT kommt
ein Signal mit niedrigem Potential am Steuergate-Knoten des sekundären Pullup-Transistorelementes
P1 an. Das Transistorelement P1 schaltet ein und bewirkt dadurch,
daß der
relativ kleine Speisestrom die Ausgangslastkapazität zu laden
beginnt.
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Der
Steuergate-Knoten des die Ausgangsspannung aufnehmenden Transistors
N4 ist mit der Ausgangsspannung VOUT verbunden
und fühlt
den Anstieg der Spannung am Ausgang ab und folgt diesem. Wenn der
Spannungsanstieg am Ausgang gleich der Einschalt-Schwellwert-Spannungsdifferenz
für den
Transistor N4 ist, schaltet N4 ein und gibt das Signal mit dem geringen
Potential an den Steuergate-Knoten des primären Pullup-Transistorelementes
P3 weiter. Das primäre
Pullup-Transistorelement P3 schließt das Aufladen der Ausgangslastkapazität mit dem
relativ großen
Speisestrom ab. Der Übergang
von niedriger zu hoher Spannung am Ausgang wird also in zwei Schritten
erreicht, mit einem verzweigten Einschalten der Ausgangs-Pullup-Transistorelemente
und mit zwei entsprechenden VCC-Dachschrägen, deren
Störspitzen
halb so groß wie bei
herkömmlichen
Schaltkreisen sind. Mit Hilfe des aktiven Pullup-Steuerungs-Schalttransistors
N1 erreicht der Schaltkreis von 4 eine
Flankensteuerung mit größerer Geschwindigkeit
als mit dem passiven Verzögerungstransistor
RD2 der Ausgabepufferschaltung von 1.
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Andere
Abwandlungen der aktiven Pulldown- und Pullup-Flankensteuerungs-Schaltkreise sind
in der US-PS 5,036,222 beschrieben. Beispielsweise kann der die
Ausgangsspannung aufnehmende aktive Pulldown-Steuerungs-Schalttransistor
P4 zu dem Pulldown-Verzögerungswiderstand
RD1 zwischen den Steuerknotenpunkten der sekundären und primären Pulldown-Transistorelemente
N1 und N3 parallel geschaltet sein. Ähnlich kann auf der Versorgungsseite
der aktive, die Ausgangsspannung aufnehmende Pullup-Steuerungs-Schalttransistor
N4 zu dem passiven Verzögerungswiderstand
RD2 zwischen den Steuerknoten der sekundären und primären Pullup-Transistorelemente
P1 und P3 parallel geschaltet sein.
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Diese
und andere, alternative passive und aktive Verzögerungs-Schaltkreisanordnungen
nach dem Stand der Technik zur Flankensteuerung eines hoch-auf-niedrig Übergangs
auf der Masseschienenseite, wie eine Ausgabepufferschaltung mit
flankengesteuertem verzweigtem Einschalten, sind im Schaltkreis
von 3 generell in dem
mit VERZ1 bezeichneten Schaltungsblock zusammengefaßt. Die
Zwischen- und Vortreiber-Schaltelemente, beispielsweise der 1 und 2, sind in dem mit VORTREIBERSCHALTUNG
bezeichneten Schaltungsblock zusammengefaßt. Ferner ist am Ausgang VOUT eine Ausgangs-LAST angeschlossen, die durch
die Lastkapazität
CL und den Lastwiderstand RL dargestellt ist.
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Ein
weiteres Merkmal eines Schaltkreises mit Stör- oder Rauschunterdrückung zum
Vermindern des Unterschwingens der Masse bei einer Ausgabepufferschaltung
ist in 3 gezeigt. Dieser
Unterschwingung-Unterdrückungs-Schaltkreis
von 3 und Abänderungen
dieses Schaltkreises sind in der US-PS 5,049,763 und der US-Pa 615,077
vom 19. November 1990 beschrieben. Die verschiedenen Unterschwingung-Unterdrückungs-Schaltkreis-Ausgestaltungen
weisen ein "Anti-Undershoot-Circuit"-Transistorelement AUCT
auf, dessen Primärstromweg-Source-
und Drain-Knotenpunkte in einem Unterschwingung-Unterdrückungs-Schaltkreis
zwischen einer Stromquelle, wie der Netzversorgung VCC,
und dem Ausgangsmasseanschluß über die
parasitäre
Anschlußinduktivität LG der
Ausgangsmasse mit der externen Masse GND verbunden sind. Bei dem
Ausführungsbeispiel
des Schaltkreises von 3 ist
dieser Anschluß des
Transistorelementes AUCT an Masse über den Ausgang VOUT und
das primäre
Pulldown-Transistorelement
N3 erreicht.
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Eine
AUCT-Steuerschaltung ist so aufgebaut, daß sie nach dem Übergang
von einem hohen zu einem niedrigen Potential am Ausgang den momentanen
Fluß eines
Opferstromes durch den Primärstrompfad
des AUCT von der Versorgung VCC durch die
Ausgangsmasse-Leitungsinduktivität
LG zur externen Masse GND einrichtet. Das primäre Pulldown-Transistorelement
N3 wird dann leitend. Die Parameter und Dimensionen des AUCT, einschließich der
Kanalbreite und des Kanalwiderstandes, sind so ausgelegt, daß sie einen
ausgewählten
Widerstandswert im primären
Strompfad des AUCT schaffen. Der "Anti-Undershoot-Circuit"-Transistor AUCT
dissipiert daher die in der Ausgangsmasse-Leitungsinduktivität LG gespeicherte
elektrische Unterschwing-Energie. Dieser Energieverlust dämpft das
Unterschreiten oder Unterschwingen der Massespannung und nachfolgende
Schwingungen der Ausgangs-Masseschiene.
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In
der US-PS 5,049,763 sind mehrere verschiedene AUCT-Steuerschaltungen
beschrieben. Gemäß einer
Ausgestaltung ist die AUCT-Steuerschaltung eine Detektorschaltung
für Unters
chwingen oder Unterschreiten, die ein transientes oder vorübergehendes
Masse-Unterschreitungssignal ausgewählten Schwellwert hinaus vorübergehend
unterschritten wird. Das Masse-Unterschreitungssignal
ist mit dem AUCT-Steuerknoten verbunden, um den vorübergehenden
oder transienten Fluß des
Opferstromes durch den Kanalwiderstand des Primärstromweges des AUCT beim Auftreten
eines Unterschreitens der Masse zu bewirken. In der parasitären Ausgangsmasse-Leitungsinduktivität LG gespeicherte
Energie wird daher während
des vorübergehenden
oder transienten Auftretens der Unterschreitung der Masse dissipiert.
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Gemäß einer
weiteren Ausgestaltung der AUCT-Steuerschaltung ist ein Steuerpfad-Widerstand
in Reihe zwischen dem Steuergate-Knoten des primären Pullup-Transistorelementes
P3 und dem Steuergate-Knoten des AUCT angeschlossen. Daher arbeitet
der AUCT im wesentlichen parallel zum primären Pullup-Transistorelement P3, jedoch mit einer
Einschwingverzögerung
beim Abschalten des AUCT aufgrund des Steuerweg-Widerstandes. Der
verlängerte
leitende Zustand des AUCT folgt dem Übergang von einem hohen zu
einem niedrigen Potential am Ausgang und stellt den momentanen Opferstromfluß von der
Netzversorgung VCC dar. Bei allen Ausgestaltungen
wird der zusätzliche
Strom für
die Korrektur des Unterschreitens oder Unterschwingens von der Netzversorgung
VCC gezogen. Der Betrieb des Unterschwingung-Unterdrückungs-Schaltkreises
erfordert daher eine erhöhte
Leistungsaufnahme.
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Es
ist daher eine Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte flankenratengesteuerte
Ausgabepufferschaltung zu schaffen, bei der das Rauschen oder Störungen der
Leistungsschiene vermindert sind und gleichzeitig die Schaltgeschwindigkeit
aufrecht erhalten bleibt. Erfindungsgemäß sollen Prellen oder Spannungssprünge sowie
Unterschreiten oder Unterschwingen der Masseschiene und Dachschrägen oder
Abfallen und Überschwingen
oder Übersteuern
der Versorgungsschiene verhindert werden, ohne deshalb Abstriche
bei der dynamischen Schaltgeschwindigkeit machen zu müssen und
ohne die Signallaufzeitverzögerung
weiter zu erhöhen.
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Gemäß eines
weiteren Aspektes der Erfindung sollen mit dem Ausgang gekoppelte,
neue gesteuerte Ladungsspeicherschaltungen vorgesehen werden, um
parasitäre
Ladungen und parasitäre
Energie (Störladungen
und Störenergie)
gesteuert zu speichern und abzugeben, um Schaltkreis-Rauschen oder
-Störungen zu
vermindern.
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Weiter
soll erfindungsgemäß eine Gegenmaßnahme oder
ein Opferstrom und "Gegenenergie" vorgesehen werden,
um das Unterschreiten oder Unterschwingen der Masseschiene zu vermindern,
ohne zusätzliche
Energie von der Netzversorgung zu ziehen und zu dissipieren. Erfindungsgemäß kann dies
unter Verwendung der gesteuerten Speicherung und Freigabe parasitärer Ladungen
und parasitärer
Energie erreicht werden.
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Die
Erfindung sieht daher ein neues Verfahren zum Vermindern von Rauschen
oder Störungen
der Leistungsschiene in einer flankenratengesteuerten Ausgabepufferschaltung
mit einem Ausgang zum Abgeben von Ausgangssignalen mit niedrigen
und hohen Spannungspegeln vor, bei dem ein Strom vom Ausgang zu einer
Niederspannungs-Leistungsschiene gezogen wird und ein Strom von
einer Hochspannungs-Leistungsschiene zum Ausgang gespeist wird,
um jeweils eine mit dem Ausgang verbundene Lastkapazität zu entladen und
zu laden. Die Erfindung sieht den neuen Verfahrensschritt vor, einen
Teil der Ladung vom Entladen der Ausgangslastkapazität während eines Übergangs
von einem hohen zu einem niedrigen Spannungspegel am Ausgang in
einem ersten Sonderladungsspeicher-Kondensator zu speichern, um
Spannungssprünge
der Masse zu vermindern. Ferner ist vorgesehen, die vorübergehend
oder transient gespeicherte Ladung von dem ersten Sonderladungsspeicher-Kondensator
zu der Niederspannungs-Leistungsschiene beim Übergang auf einen niederen
Spannungspegel am Ausgang zu entladen, um dem Unterschreiten der
Masse entgegenzuwirken.
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Erfindungsgemäß werden
diese Schritte erreicht, indem ein erster elektrischer Pfad zwischen
dem Ausgang und dem ersten Ladungsspeicherkondensator während des Übergangs
von dem hohen zum niedrigen Spannungspegel am Ausgang eingeschaltet
wird, um den Bruchteil der Ladung von der Ausgangslastkapazität zu speichern,
und dann diesen ersten elektrischen Pfad auszuschalten. Das Verfahren
wird weiter realisiert, indem ein zweiter elektrischer Pfad zwischen
dem ersten Kondensator und der Niederspannungs-Leistungsschiene
beim Erreichen eines niedrigen Potentialpegels am Ausgang eingeschaltet
wird, um die vorübergehend
gespeicherte Ladung zu entladen, wobei Störgeräuschen der Leistungsschiene
auf der Masseschienenseite weiter entgegengewirkt wird.
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Zum
Vermindern von Leistungsschienen-Rauschen oder -Störungen auf
der Versorgungsschienenseite der Ausgabepufferschaltung sieht die
Erfindung den Verfahrensschritt vor, während eines Übergangs
von einem niedrigen zu einem hohen Spannungspegel am Ausgang die
Ausgangslastkapazität
vorübergehend
mit einem Teil der benötigten
Ladung von einem zweiten Sonderladungsspeicher-Kondensator zu laden,
um dem Absinken von VCC entgegenzuwirken.
Ferner ist vorgesehen, den zweiten Sonderladungsspeicher-Kondensator
beim Übergang
auf einen hohen Spanungspegel am Ausgang über die Hochspannungs-Leistungsschiene zu
laden, um dem Überschwingen
von VCC entgegenzuwirken.
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Dies
wird dadurch erreicht, daß ein
dritter elektrischer Pfad zwischen dem Ausgang und dem zweiten Ladungsspeicherkondensator
während
des niedrig-auf-hoch Übergangs
des Spannungspegels am Ausgang eingeschaltet wird, um die Ausgangslastkapazität vorübergehend
mit einem Bruchteil der benötigten
Ladung zu laden, und daß dann
der dritte elektrische Pfad wieder ausgeschaltet wird. Die Erfindung
sieht ferner vor, einen vierten elektrischen Pfad zwischen dem zweiten
Ladungsspeicherkondensator und der Hochspannungs-Leistungsschiene
einzuschalten, wenn ein hoher Spannungspegel am Ausgang erreicht
ist, um den zweiten Kondensator aufzuladen.
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Bei
dem erfindungsgemäßen neuen
Schaltkreis ist zwischen dem Ausgang und einer ersten Konstantspannungsquelle
ein erster getrennter Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator
angeschlossen. Ein erstes Schaltelement verbindet den ersten Kondensator
mit dem Ausgang. Das erste Schaltelement wird von der Ausgabepufferschaltung
gesteuert, um während
des Übergangs
von einem hohen zu einem niedrigen Spannungspegel am Ausgang einen
elektrischen Pfad zum Ausgang einzuschalten, um vorübergehend
einen Bruchteil der Ladung in dem ersten Ladungsspeicherkondensator
zu speichern, die vom Entladen der Ausgangslastkapazität stammt,
um so, wie beschrieben, das Masse-Prellen zu vermindern.
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Ein
zweites Schaltelement verbindet den ersten Ladungsspeicherkondensator
mit der Niederspannungs-Leistungsschiene. Ein erster Steuerkreis
der Ausgabepufferschaltung ist mit dem ersten und dem zweiten Schaltelement
verbunden. Der erste Steuerkreis ist so aufgebaut, daß er das
erste und das zweite Schaltelement gemäß dem beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren
steuert, um Störgeräusche der
Leistungsschiene auf der Masseschienenseite der Ausgabepufferschaltung
zu vermindern.
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Zum
Vermindern von Störgeräuschen der
Leistungsschiene auf der Versorgungsschienenseite der Ausgabepufferschaltung
weist die Schaltung einen zweiten getrennten Ausgangslade-Kondensator auf,
der zwischen dem Ausgang und einer zweiten Konstantspannungsquelle
angeschlossen ist. Ein drittes Schaltelement verbindet den zweiten
Kondensator mit dem Ausgang. Das dritte Schaltelement wird von der
Ausgabepuf ferschaltung gesteuert, um einen elektrischen Pfad zum
Ausgang einzuschalten, um die Ausgangslastkapazität vorübergehend
mit einem Bruchteil der benötigten
Ladung von dem zweiten Kondensator zu laden und so abfallende VCC-Spannungsspitzen
zu vermindern.
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Der
Schaltkreis zum Vermindern von Störgeräuschen der Leistungsschiene
weist ein viertes Schaltelement auf, das den zweiten Ausgangslade-Kondensator
mit der Hochspannungs-Leistungsschiene
verbindet. Ein zweiter Steuerkreis ist mit dem dritten und dem vierten
Schaltelement verbunden. Der zweite Steuerkreis ist zum Steuern
des dritten und vierten Schaltelementes ausgelegt, um das beschriebene
erfindungsgemäße Verfahren
umzusetzen. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist der erste Ladungsspeicherkondensator
zwischen dem Ausgang und der Hochspannungsschiene angeschlossen,
während
der zweite Ausgangslade-Kondensator zwischen dem Ausgang und der
Niederspannungsschiene angeschlossen ist.
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Die
Erfindung sieht einen Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator
mit einem ersten und einem zweiten Knotenpunkt vor, dessen erster
Knoten mit der Hochspannungs-Leistungsschiene verbunden ist. Eine
erste Durchgangstorschaltung (passgate) ist zwischen dem zweiten
Knoten des Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensators und dem Ausgang
angeschlossen. Die erste Durchgangstorschaltung hat einen in der
Ausgabepufferschaltung angeschlossenen Steuerknoten zum Einschalten
der Durchgangstorschaltung während
des Übergangs
von einem hohen zu einem niedrigen Spannungspegel am Ausgang. Ein
Merkmal der gesteuerten Ladungsspeicherschaltung nach der Erfindung
ist, daß sie
eine vorübergehende
Speicherung der Entladeenergie von der Ausgangslastkapazität vorsieht,
um das Masse-Prellen zu ver mindern und gleichzeitig die hohe Schaltgeschwindigkeit
aufrechtzuerhalten. Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß sie demzufolge die
gespeicherte Ladung abgibt und so einen Opferstrom oder Gegenstrom
einspeist, um das Unterschreiten oder Unterschwingen der Masse auf
der Niederspannungs-Leistungsschiene auszugleichen oder abzumildern.
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Bei
der bevorzugten Ausgestaltung ist ein erster Steuerschaltkreis oder
Steuerkreis mit dem Steuerknoten der ersten Durchgangstorschaltung
verbunden. Der erste Steuerkreis ist mit dem Datensignaleingang und
-ausgang der Ausgabepufferschaltung verbunden, um den leitenden
Zustand der ersten Durchgangstorschaltung nach Maßgabe der
Datensignale am Eingang und am Ausgang zu steuern. Der erste Steuerkreis
ist so aufgebaut, daß er
die erste Durchgangstorschaltung vorübergehend einschaltet, wenn
der Ausgang während
des Übergangs
von einem hohen zu einem niedrigen Spannungspegel am Ausgang noch
auf dem hohen Spannungspegel ist. Der Steuerkreis gewährleistet,
daß der
zweite Knoten des Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensators am
Anfang auf Masse oder der Niederspannung ist, um Ladung von der
Ausgangslastkapazität
zu empfangen und zu speichern.
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Die
Erfindung sieht ferner eine zweite Durchgangstorschaltung vor, die
zwischen dem zweiten Knoten des Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator
und der Niederspannungs-Leistungsschiene angeschlossen ist. Ein
Steuerknoten der zweiten Durchgangstorschaltung ist mit dem ersten
Steuerkreis verbunden, um den leitenden Zustand der zweiten Durchgangstorschaltung
nach Maßgabe
des Datensignals am Ausgang zu steuern. Der erste Steuerkreis ist
so aufgebaut, daß er
die zweite Durchgangstorschaltung einschaltet, wenn der Ausgang
beim Übergang
auf dem niedrigen Spannungspegel liegt. Die zweite Durchgangstorschaltung
schafft den Gegenstrompfad zum Entladen des Ladungsspeicherkondensators
und Dissipieren der Unterschwing-Energie der Masse.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausgestaltung weist der erste Steuerkreis ein NOR-Glied
mit einem mit dem Datensignaleingang der Ausgabepufferschaltung
verbundenen ersten Eingang auf. Ein zweiter Eingang ist über einen
ersten Inverter mit dem Ausgang der Ausgabepufferschaltung verbunden.
Der Ausgang des NOR-Gatters ist mit dem Steuerknoten der ersten
Durchgangstorschaltung verbunden. Ein zweiter Inverter ist zwischen
den Ausgang der Ausgabepufferschaltung und einem Steuerknoten der
zweiten Durchgangstorschaltung angeschlossen. Daraus ergibt sich,
daß die
erste und die zweite Durchgangstorschaltung in einer Zweiphasenfolge
gesteuert werden. In der ersten Phase sieht der Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator
die vorübergehende
Speicherung der Entladeenergie vom Ausgang vor, um Masse-Prellen
zu vermindern, während
die erste Durchgangstorschaltung leitend ist. In der zweiten Phase
entlädt
sich der Ladungsspeicherkondensator und speist einen Gegenstrom
zum Dissipieren der Energie des Masse-Unterschwingens, wobei die zweite Durchgangstorschaltung
leitend ist. Der Steuerkreis fügt
eine kleine Verzögerung
zwischen die erste und die zweite Phase ein.
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Auf
der Versorgungsseite der Ausgabepufferschaltung sind ähnliche
Schaltkreisanordnungen vorgesehen, um abfallende Spannungsspitzen
(Dachschrägen)
und Überschwingen
oder Übersteuern
von VCC zu vermindern und gleichzeitig die
hohe Schaltgeschwindigkeit aufrecht zu erhalten. Ein Ausgangslade-Speicherkondensator
mit einem dritten und einem vierten Knoten ist vorgesehen, wobei
der dritte Knoten mit der Niederspannungs-Leistungsschiene verbunden
ist. Eine dritte Durchgangstorschaltung ist zwischen dem vierten Knoten
des Ausgangslade-Speicherkondensator und dem Ausgang angeschlossen.
Ein Steuerknoten der dritten Durchgangstorschaltung ist mit der
Ausgabepufferschaltung verbunden, um die dritte Durchgangstorschaltung
während
des Übergang
von einer niedrigen auf eine hohe Spannung am Ausgang einzuschalten.
Der vierte Knoten des Ausgangslade-Kondensators liegt am Anfang
auf hohem Potential. Der ladende Speicherkondensator speist einen
vorübergehenden
Ladestrom durch die dritte Durchgangstorschaltung zum Ausgang, um einen
VCC-Abfall zu vermindern. Der ladende Speicherkondensator
sieht daraufhin eine vorübergehende
Leistungsspeicherung über
ein viertes Durchgangstor vor, um dem VCC-Überschwingen
der Hochspannungs-Leistungsschiene entgegenzuwirken. Vergleichbare
Schaltkreise sind auf der Versorgungsseite der Ausgabepufferschaltung
für einen
zweiten Steuerkreis vorgesehen, der mit den Steuerknoten des dritten
und des vierten Durchgangstores verbunden ist, um das vorübergehende
Einspeisen eines Ladestroms vom ladenden Speicherkondensator und
das nachfolgende Speichern der Überschwing-Energie
zu steuern, um so Störgeräusche auf
der Leistungsschiene der Versorgungsseite zu mildern.
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Die
Erfindung ist im folgenden anhand bevorzugter Ausführungsformen
mit Bezug auf die Zeichnungen näher
erläutert.
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Es
zeigen:
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1 ein
schematisches Schaltbild einer Ausgabepufferschaltung nach dem Stand
der Technik zum Vermindern der durch Schalten induzierten Störsignale,
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2 ein
schematisches Schaltbild einer Ausgabepufferschaltung mit Ausgangsspannungs-Abtastung
nach dem Stand der Technik zum Vermindern von durch Schalten induzierten
Störsignalen,
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3 ein
schematisches Schaltbild einer Ausgabepufferschaltung mit einem
Schaltkreis zum Unterdrücken
von Unterschwingungen nach dem Stand der Technik,
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4 ein
schematisches Schaltbild einer Ausgabepufferschaltung mit gesteuertes
Ladungsspeicherung nach der Erfindung zum Vermindern von Masse-Prellen und -Unterschwingen
bei Aufrechterhaltung der Schaltgeschwindigkeit,
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5 ein
schematisches Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Ausgabepufferschaltung mit
gesteuerter Ladungsspeicherung nach der Erfindung, die einen Ladungsspeicher-
und Entladekreis mit Steuerschaltung aufweist, zum Vermindern von
Störgeräuschen der
Masseschiene und Aufrechterhalten der hohen Schaltgeschwindigkeit,
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6 ein
schematisches Schaltbild der Ausgabepufferschaltung mit gesteuerter
Ladungsspeicherung nach der Erfindung, mit weiteren Einzelheiten
einer beispielhaften Steuerschaltung,
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6A ein
Diagramm der Ladungsspeicher- und Entlade-Spannungspegel des Ausgangsentlade-Speicherkondensators
während
des Übergangs
von einer hohen zu einer niedrigen Spannung am Ausgang des Schaltkreises
von 6,
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7 ist
ein schematisches Schaltbild einer bevorzugten Ausgestaltung der
Ausgabepufferschaltung mit gesteuerter Ladungsspeicherung nach der
Erfindung zum Vermindern von VCC-Dachschrägen und
-Überschwingenauf
der Versorgungsseite der Ausgabepufferschaltung bei Aufrechterhaltung
der Schaltgeschwindigkeit,
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8 ist
ein schematisches Schaltbild der Ausgabepufferschaltung von 7 mit
weiteren Einzelheiten eines beispielhaften Steuerkreises zum Steuern
der Ladungsabgabe und Ladungsspeicherung des Ausgangslade-Speicherkondensators
und
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8A ein
Diagramm der Ladungsspeicherungs- und Entladungs-Spannungseigenschaften
des Ausgangslade-Speicherkondensators
während
des Übergangs
von einem niedrigen zu einem hohen Spannungspegel am Ausgang.
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In 4 ist
eine vereinfachte Ausgabepufferschaltung mit gesteuerter Ladungsspeicherung
nach der Erfindung gezeigt. Die Schaltkreisbauteile, die dieselben
oder ähnliche
Funktionen wie die Schaltkreisbauteile der Figuren 1 bis 3 ausführen, sind
mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. Zusätzlich ist ein Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator
C1 mit einem ersten Knoten m3 vorgesehen, der mit der Hochspannungs-Leistungsschiene
VCC über
die parasitäre
Versorgungsschienen-Leitungsinduktivität LS verbunden ist. Eine erste
Durchgangstorschaltung, die von einem NMOS-Transistor PSGT1 gebildet
wird, ist mit dem Primärstrompfad
zwischen dem zweiten Knoten ml des Kondensators C1 und dem Ausgang
VOUT angeschlossen. Der Steuergate-Knoten
m2 des Durchgangstor-Transistors PSGT1 ist mit dem Steuerknoten
des sekundären
Pulldown-Transistorelementes
N1 verbunden, so daß PSGT1
in Phase mit N1 arbeitet.
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Der
zweite Knoten ml des Ladungsspeicherkondensators C1 wird vor dem Übergang
von einem hohen auf einen niedrigen Spannungspegel am Ausgang auf
dem niedrigen oder Masse-Spannungspegel
gehalten, wie im folgenden beschrieben. Beim Übergang vom hohen auf den niedrigen
Spannungspegel am Ausgang schaltet der Durchgangstor-Transistor
PSGT1 in Phase mit dem sekundären
Pulldown-Transistorelement N1 ein, um vorübergehend die Entladeenergie
der Ausgangslastkapazität
CL zu speichern. Dieses Ableiten der Ladung weg von der Masseschiene
vermindert das Masse-Prellen, das von der Beschleunigung der Ladung durch
die parasitäre
Masseleitungsinduktivität
LG verursacht wird, und erhält
gleichzeitig die hohe Schaltgeschwindigkeit. Wenn der Ausgang VOUT auf den Masse-Spannungspegel abfällt, wird
die im Kondensator C1 gespeicherte Ladung abgegeben oder entladen,
um vorübergehend
einen Gegenstrom einzuspeisen, der die in der parasitären Masseleitungsinduktivität LG der
Niederspannungs-Leistungsschiene gespeicherte Energie des Masse-Unterschwingens
dissipiert.
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Eine
bevorzugte vollständige
Ausführungsform
der Ausgabepufferschaltung mit gesteuerter Ladungsspeicherung ist
in 5 gezeigt. Ein erster Steuerkreis CTR1 ist mit
dem Steuerknoten m2 des ersten Durchgangstor-Transistors PSGT1 verbunden.
Wie im folgenden noch genauer beschrieben, ist der erste Steuerkreis
CTR1 mit dem Datensignaleingang VIN und
-ausgang VOUT verbunden, um den leitenden
Zustand von PSGT1 nach Maßgabe
der Datensignal am Eingang und am Ausgang zu steuern. Der erste
Steuerkreis CTR1 ist so aufgebaut, daß er die erste Durchgangstorschaltung PSGT1
vorübergehend
einschaltet, wenn der Ausgang VOUT während des Übergangs
von dem hohen auf den niedrigen Spannungspegel am Ausgang noch auf dem
hohen Spannungspegel liegt. Für
Dreistufen-Ausgabepufferschaltungen ist ferner ein Dreistufen-Freigabeeingang OE mit CTR1 verbunden.
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Eine
zweite Durchgangstorschaltung, die von einem NMOS-Transistor PSGT2
gebildet wird, ist zwischen dem zweiten Knoten ml des Ladungsspeicherkondensators
C1 und der Niederspannungs-Leistungsschiene GND angeschlossen. Der
Steuergate-Knoten m4 von PSGT2 ist mit dem ersten Steuerkreis CTR1 verbunden,
um den leitenden Zustand der zweiten Durchgangstorschaltung PSGT2
nach Maßgabe
des Datensignals am Ausgang zu steuern.
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Ein
Vorteil der Schaltkreisanordnung von 5 liegt
darin, daß die
Durchgangstor-Transistorelemente PSGT1 und PSGT2 getrennte Steuerpfade
zum Laden und Entladen des Ladungsspeicherkondensators schaffen.
Während
einer ersten Phase des Übergangs
von hohem zu niedrigem Spannungspegel am Ausgang wird der NMOS-Transistor
PSGT1 während
der Übergangsperiode
leitend, während
der Ausgang noch auf dem hohen Spannungspegel liegt. Der Kondensator
C1 erleichtert dabei das Entladen der Ausgangslastkapazität CL durch
vorübergehende
Speicherung oder Übergangsspeicherung
der Ladung. Während
der zweiten Phase, die dem weitgehenden Übergang auf den niedrigen Spannungspegel
am Ausgang folgt, mit einer kurzen Zeitverzögerung nach der ersten Phase,
wird der NMOS-Transistor PSGT2 leitend, um die im Kondensator C1
gespeicherte Ladung freizugeben. Die Entladeenergie vom Kondensator
Cl schafft eine vorübergehende
Einspeisung von Opfer- oder Gegenstrom, um die in der parasitären Leitungsinduktivität LG1 der
Masseschiene gespeicherte Unterschwing-Energie der Masse zu dissipieren.
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Die
Kapazität
des Ladungsspeicherkondensators C1 wird mit Bezug auf den Wert der
Ausgangslastkapazität
CL gewählt.
Für eine
Standard-Ausgangslastkapazität
CL von beispielsweise 50pF wird C1 im Bereich von CL/2 bis CL oder
25-50pF gewählt.
Für eine
Ausgabepufferschaltung mit primären
Ausgangstransistorelementen mit Kanalbreiten im Bereich von 800μ bis 1400μ und sekundären Ausgangstransistorelementen im
Bereich von 200μ werden
die Durchgangstor-Transistorelemente PSGT1 und PSGT2 mit Kanalbreiten
von beispielsweise 300μ bzw.
100μ gewählt.
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In 6 ist
der Steuerkreis CTR1 mit weiteren Einzelheiten gezeigt. Der Steuerkreis
CTR1 weist ein NOR-Glied auf, dessen erster Eingang mit dem Datensignaleingang
VIN und dessen zweiter Eingang über eine
Inverter-Glied IG1 mit dem Ausgang VOUT verbunden
ist. Ein dritter Eingang für
das Dreistufen-Freigabe-Eingangssignal OE ist
für Dreistufen-Ausgabepufferschaltungen
vorgesehen. Ein zweites Inverterglied IG2 verbindet das Signal am
Ausgang VOUT mit dem Steuerknoten m4 des
zweiten Durchgangstor-Transistors PSGT2.
Der Aufbau des Steuerschaltkreises von 6 realisiert
die mit Bezug auf 5 beschriebenen und in 6A dargestellten
Ladungsspeicher- und Entlade-Schaltfunktionen.
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Wie
im Diagramm von 6A gezeigt, empfängt der
Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator C1 während der Phase 1,
in der die Spannung am Ausgang von dem hohen auf den niedrigen Pegel
abfällt, wenn
der Durchgangstor-Transistor PSGT1 leitend ist, eine Ladung. In
der Mitte des Übergangs
von dem hohen auf den niedrigen Spannungspegel am Ausgang VOUT schaltet der Durchgangstor-Transistor
PSGT1 ab, und beide Durchgangstor-Transistoren PSGT1 und PSGT2 sind
während
einer kurzen Verzögerungszeit
ausgeschaltet. Während
Phase 2, nach Abschluß des Übergangs
vom logisch hohen auf den logisch niedrigen Spannungspegel am Ausgang,
schaltet der zweite Durchgangstor-Transistor PSGT2 ein, und der
Kondensator C1 gibt die gespeicherte Ladung ab, wobei er einen vorübergehenden,
dem Masse-Unterschwingen
entgegenwirkenden Strom einspeist. Der zweite Knoten m1 des Kondensators
C1 geht zurück
auf den Masse-Spannungspegel, wo er während des nächsten Übergangs bleibt. Ein hochohmiger
Leckwiderstand oder Ableitwiderstand R2 mit einem Widerstandswert
von beispielsweise 1K Ohm kann parallel zum Durchgangstor-Transistor
PSGT2 angeschlossen sein, wie in 6 gezeigt,
um sicherzustellen, daß der
zweite Knoten m1 des Kondensators C1 auf dem Masse-Spannungspegel
bleibt. Der Zweiphasen-Betrieb des Übergangs vom hohen auf den
niedrigen Spannungspegel am Ausgang ist in Tabelle I zusammengefaßt.
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Ein
weiteres Merkmal des Schaltkreises von 6 ist die
geteilte Leitungsschiene auf der Versorgungsseite der Ausgabepufferschaltung.
Die Versorgungsschiene mit geteilter Leitung weist eine mit der
externen Netzversorgung VCC verbundene gemeinsame
Leitung mit einer gemeinsamen Leitungsinduktivität LS3 auf. Geteilte Leitungen
mit eigenen Teilleitungs-Induktivitäten LS1 und LS2 sind mit den
Ausgabegliedern bzw. internen Bauteilen der Ausgabepufferschaltung
verbunden. Die Teilleitungs-Induktivitäten LS1 und LS2 isolieren die
Störgeräusch behaftete
Ausgangs-Versorgungsschienen-Leitung
PVCC auf der Ausgangsseite der Ausgabepufferschaltung
wirksam von der störungsarmen
Versorgungsschienen-Leitung im Inneren der Ausgabepufferschaltung.
Ohne die isolierenden getrennten Leitungen würde der Ausgangentlade-Ladungsspeicherkondensator
C1 das Ausgangs-Rauschen auf die Versorgungsschiene und innere Schaltkreiselemente übertragen.
Als Alternative zu den getrennten Leitungsblöcken können auch getrennte und unabhängige Netzversorgungen
und Leistungsschienen vorgesehen sein. Der Betrieb der getrennten
Leitungsblöcke
ist im einzelnen in der OS-PS 5,049,763 beschrieben.
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Eine
Ausgabepufferschaltung mit gesteuerter Ladungsspeicherung zum Vermindern
von VCC-Abfall und -Überschwingen auf der Versorgungsschienenseite
der Ausgabepufferschaltung ist in 7 gezeigt.
Die Schaltkreiselemente stellen im wesentlichen ein Spiegelbild
der Schaltkreiselemente von 5 dar. Einen Ausgangslade-Speicherkondensator
C3 weist einen mit der Niederspannungs-Leistungsschiene GND verbundenen
dritten Knoten m7 auf. Bei dieser Ausführungsform ist eine Masseschiene
mit getrennten Leitungen im Schaltkreis vorgesehen, um das Ausgangs-Masserauschen
zu isolieren, das anderenfalls durch den Kondensator C3 mit den
inneren Schaltkreiselementen gekoppelt werden könnte. Der dritte Knoten m7
des Ausgangslade-Ladungsspeicherkondensators
C3 ist daher mit der Störgeräusch behafteten
Masseschienenleitung PGND verbunden, die zur störungsarmen Masseschienen-Leitungs
QGND durch die getrennten Leitungsinduktivitäten LG1 und LG2 iso liert ist.
Die getrennten Leitungsinduktivitäten sind über die gemeinsame Leitungsinduktivität LG3 mit
der externen Masse GND verbunden.
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Eine
dritte Durchgangstor-Schaltung, die von einem PMOS-Transistor PSGT3
gebildet wird, ist zwischen dem vierten Knoten m5 des Kondensators
C3 und dem Ausgang VOUT angeschlossen. Ein
zweiter Steuerkreis CTR2 ist mit dem Steuergate-Knoten m6 von PSGT3
verbunden. Der zweite Steuerkreis ist mit dem Datensignaleingang
VIN und dem Ausgang VOUT verbunden,
wie im folgenden beschrieben, um den leitenden Zustand des dritten
Durchgangstor-Transistors PSGT3 nach Maßgabe der Datensignale am Eingang
und am Ausgang zu steuern. Wie ferner noch beschrieben ist, ist
der zweite Steuerkreis CTR1 so aufgebaut, daß er PSGT3 vorübergehend
einschaltet, wenn der Ausgang VOUT beim Übergang
vom niedrigen zum hohen Spannungspegel am Ausgang noch auf dem niedrigen
Spannungspegel ist.
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Eine
vierte Durchgangstor-Schaltung PSGT4 ist zwischen dem fünften Knoten
m5 des Kondensators C3 und der Hochspannungs-Leistungsschiene VCC über
die Hochspannungsschienen-Leitungsinduktivität LS verbunden.
Der Steuergate-Knoten des vierten Durchgangstor-Transistors PSGT4
ist mit dem zweiten Steuerkreis CTR2 verbunden, um den leitenden
Zustand von PSGT4 nach Maßgabe
des Datensignals am Ausgang zu steuern. Wie noch beschrieben, ist
der zweite Steuerkreis CTR2 so aufgebaut, daß er PSGT4 einschaltet, wenn
der Ausgang nach dem Übergang
vom niedrigen auf den hohen Spannungspegel am Ausgang auf dem hohen
Spannungspegel liegt.
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Ein
Beispiel des zweiten Steuerkreises CTR2 ist in 8 gezeigt.
Der Steuerkreis CTR2 weist ein NAND-Glied auf, dessen erster Eingang
mit dem Datensignaleingang VIN und dessen
zweiter Eingang mit dem Ausgang VOUT der
Pufferschaltung über
ein drittes Inverter-Glied IG3 verbunden ist. Der Ausgang des NAND-Gliedes
ist mit dem Steuergate-Knoten
m6 des dritten Durchgangstor-Transistors PSGT3 verbunden. Der zweite
Steuerkreis CTR2 weist ferner einen vierten Inverter IG4 auf, der
zwischen dem Ausgang VOUT und dem Steuergate-Knoten
m8 des vierten Durchgangstor-Transistors
PSGT4 angeschlossen ist. Das Dreistufensignal wird an den Ausgangsfreigabe-OE-Eingang
des NAND-Gliedes angelegt.
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Der
in 8 gezeigte Aufbau des Steuerkreises ermöglicht die
mit Bezug auf 7 beschriebenen und im Diagramm
von 8a dargestellten Ladungsspeicher- und Entlade-Funktionen.
Der zweite Knoten m5 des Ladungsspeicherkondensators C3 wird vor
dem Übergang
vom niedrigen auf den hohen Spannungspegel am Ausgang VOUT auf
dem Spannungspegel VCC der Hochspannungs-Leistungsschiene
gehalten. Ein hochohmiger Ableitwiderstand R4 kann zur Ladungserhaltung
parallel zu PSGT4 angeschlossen sein, um die Ladung am zweiten Knoten
m5 des Kondensators C3 nachzuladen und auf dem hohen Spannungspegel
zu halten.
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Während der
ersten Phase des Übergangs
vom niedrigen auf den hohen Spannungspegel am Ausgang VOUT entlädt sich
der Ausgangslade-Speicherkondensator C3 in die Ausgangslastkapazität CL während einer
Phase 1, in der der dritte Durchgangstor-Transistor PSGT3
leitend ist. In der Mitte des Übergangs
vom niedrigen auf den hohen Spannungspegel schaltet PSGT3 ab, und
beide Durchgangstor-Transistoren PSGT3 und PSGT4 sind während einer
kurzen Verzögerungszeit
ausgeschaltet. Beim Übergang
auf den hohen Spannungspegel am Ausgang schaltet das vierte Durchgangstor
PSGT4 ein, und der Kondensator C3 lädt wieder auf, um so während Phase 2 der
Energie des Versorgungs-Überschwingens
entgegenzuwirken und diese zu dissipieren während der Durchgangstor-Transistor
PSGT4 leitend ist. Der Zweiphasenbetrieb des Übergangs von dem niedrigen
auf den hohen Spannungspegel am Ausgang auf der Versorgungsschienenseite
ist in Tabelle II zusammengefaßt.
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Der
Ausgangsentlade-Ladungsspeicherkondensator C1 und der Ausgangslade-Speicherkondensator C3
sind typischer Weise PN-Übergangs-Kondensatoren
für integrierte
Schaltkreise oder isolierte Polysilicium-zu-P-Speicher (polysilicium
to P well) Kondensatoren oder eine Kombination aus beidem sein.
Alternativ können
die Kondensatoren C1 und C3 auch externe Kondensatoren im Leitungsblock
oder Leitungsrahmen statt auf dem Chip sein. Gemäß der letzteren Ausführungsform
kann für
C1 oder C3 ein einzelner Kondensator vorgesehen sein, der die vorübergehende
Ladungsspeicherung oder das vorübergehende
Laden für
mehrere Ausgabepufferschaltungen auf einem Chip gewährleistet.