DE4219935A1 - Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors

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Description

Das vorliegende Verfahren betrifft die Herstellung eines Feldeffekttransistors, bei dem für die ohmschen Kontakte von Source und Drain und den Schottky-Kontakt von Gate eine gemeinsame Metallisierung aufgebracht wird.
Bei Feldeffekttransistoren (zum Beispiel MESFET, HEMT) ist das Gate möglichst nahe an Source zu lokalisieren. Die Source-Metallisierung bildet einen Ohm-Kontakt (einen lei­ tenden Übergang zwischen Metall und Halbleiter) auf dem Halbleitermaterial. Die Metallisierung für Gate bildet einen Schottky-Kontakt (das heißt einen bei einer Strom­ richtung sperrenden Übergang zwischen der Metallelektrode und dem Halbleitermaterial). Deshalb ist im allgemeinen das Gate-Metall separat von dem für Source und Drain ver­ wendeten Ohm-Metall aufzubringen. Durch die Justierung der beiden Metallsorten für die drei Elektroden zueinander ent­ steht eine durch die Justiergenauigkeit der Lithographie­ technik vorgegebene Streuung in der Positionierung und damit auch eine Streuung der elektrischen Parameter des Transistors.
Der Betrag der Streuung wird durch Selbstjustierverfahren vermindert. Aus der EP 00 34 729 ist ein solches selbstju­ stierendes Verfahren bekannt. Dabei wird im Bereich des aufzubringenden Ohm-Metalls unter Verwendung einer Lack­ maske in Phototechnik zunächst Germanium in das Halblei­ termaterial (Galliumarsenid) implantiert. Diese Implantate werden ausgeheilt. Unter Verwendung einer weiteren Maske mit Öffnungen im Bereich von Source, Gate und Drain wird dann eine allen drei Elektroden gemeinsame Metallschicht oder Metallschichtfolge ganzflächig aufgebracht und struk­ turiert. In einem nachfolgenden Sinterprozeß bildet sich dann infolge der Germanium-Implantation im Source- und Drain-Gebiet ein leitender Kontaktübergang (ohmscher Kon­ takt) zwischen Metall und Halbleiter. Im Gate-Gebiet sin­ tert das Metall ebenfalls, aber weil Germanium fehlt, bil­ det sich ein Schottky-Kontakt. Auf diese Weise sind die Abstände der Metallkontakte zwischen Source und Gate bzw. zwischen Gate und Drain durch nur einen Phototechnik­ schritt bestimmt, und dementsprechend ist die Streuung der Transistorparameter reduziert. Weil nur eine Metallschicht­ folge im Transistor verwendet wird, ist das Problem der Elektromigration minimiert.
Das beschriebene selbstjustierende Verfahren hat folgende Nachteile: Es werden noch zwei Phototechnikschritte be­ nötigt. Dadurch wirkt sich die Streuung der Position des germaniumimplantierten Gebietes noch auf die Streuung der elektrischen Transistorparameter aus. Das Ausheilen der Germaniumimplantation erfordert Temperaturen über 800°C. Die Verwendung von epitaktisch hergestellten aktiven Schichten (zum Beispiel beim HEMT) ist dadurch in Frage gestellt, weil das Dotierungsprofil bei solch hohen Tem­ peraturen unter Umständen nicht erhalten bleibt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbesser­ tes selbstjustierendes Verfahren für die Herstellung eines Feldeffekttransistors anzugeben, bei dem die für einen ohmschen Metall-Halbleiterkontakt vorgesehenen Bereiche selbstjustiert zum Gatebereich hergestellt werden.
Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Es folgt eine Beschreibung des erfindungsgemäßen Verfah­ rens anhand der Fig. 1 bis 10, die einen Feldeffekt­ transistor im Querschnitt jeweils nach verschiedenen Ver­ fahrensschritten darstellen.
Das erfindungsgemäße Verfahren geht von einer für die ak­ tive Schicht des Gate-Bereiches vorgesehenen Halbleiter­ schicht 4 oder Halbleiterschichtfolge aus, die auf oder in einem, vorzugsweise semiisolierenden, Substrat 1 herge­ stellt ist. Auf dieser Halbleiterschicht 4 wird zunächst eine Maske 2 aufgebracht, die Öffnungen im Bereich der herzustellenden Source S, Gate G und Drain D (siehe Fig. 1) besitzt. Anschließend wird Material, das für die Erzeu­ gung von ohmschen Kontakten zwischen Metall und Halbleiter­ material geeignet ist, im Bereich von Source und Drain auf oder in die Halbleiterschicht 4 gebracht. Im Fall eines Galliumarsenid-Substrates und einer Halbleiterschicht 4 im Galliumarsenid-Materialsystem kann dieses Material zum Bei­ spiel Germanium sein. Der Einfachheit halber wird daher im folgenden dieses Material kurz als Germanium bezeichnet. Damit im Gate-Bereich ein Schottky-Kontakt hergestellt werden kann, wird dafür gesorgt, daß dieses Germanium die Oberfläche der als aktive Schicht vorgesehenen Halbleiter­ schicht 4 im Bereich des Gate nicht erreicht. Zu diesem Zweck wird das Germanium in einer zur Halbleiterschicht 4 schrägen Einfallsrichtung aufgebracht. Die Maske 2 ist so dick und die Öffnung für den Gate-Bereich so schmal, daß bei geeigneter Wahl des Winkels der Einfallsrichtung die Maske 2 die Oberfläche der Halbleiterschicht 4 in der für das Gate vorgesehenen Öffnung der Maske 2 abschirmt. Es er­ reicht daher kein Germanium die aktive Schicht im Bereich des herzustellenden Gate. In Fig. 2 sind für das Germa­ nium zwei verschiedene schräge Einfallsrichtungen durch die Pfeile bezeichnet. Die Verwendung zweier verschiedener Einfallsrichtungen in einer Ebene, die durch eine Senk­ rechte auf der Halbleiterschicht 4 und die Gerade längs des kürzesten Abstandes von Source und Drain festgelegt ist, hat den Vorteil, daß das Germanium im Bereich von Source und Drain bis an die Maske 2 heranreichend die Halbleiterschicht 4 erreicht. Eine Metallisierung kann dann ganzflächig (senkrecht zur Halbleiterschicht 4) auf­ gebracht werden und bildet nach einem Temperschritt zum Sintern im Bereich von Source und Drain einen ohmschen Kontakt und im Gate-Bereich einen Schottky-Kontakt. Als Metallisierung kommt z. B. eine Schichtfolge von nach­ einander Chrom und Gold in Frage. Das Einsintern wird z. B. bei einer Temperatur von 400°C 10 Minuten lang vorgenommen.
Es werden im folgenden im wesentlichen zwei verschiedene Ausführungsbeispiele beschrieben. Bei dem ersten Ausfüh­ rungsbeispiel wird die Halbleiterschicht 4 vorzugsweise an der Oberfläche des Substrates 1 durch Ionenimplantation hergestellt. Die Maske 2 wird als Passivierung aufgebracht. Dafür eignet sich zum Beispiel SiN, das mittels Plasma-CVD etwa 1 µm dick aufgebracht wird. Die Öffnungen dieser Maske 2 werden mittels einer ersten Phototechnik zum Bei­ spiel durch RIE (reactive Ion etching) hergestellt. Das Germanium wird wie in Fig. 2 gezeigt vorzugsweise in zwei Schritten in die Halbleiterschicht 4 implantiert (Dosis z. B. 1015 Ionen/cm2). Die Einfallsrichtungen können z. B. jeweils einen Winkel von 45° mit der Halbleiterschicht 4 bilden. Infolge dieser zweifachen anisotropen Implantierung wird wegen der beschriebenen abschattenden Wirkung der Maske 2 die Halbleiterschicht 4 im Gate-Bereich nicht im­ plantiert. Die Implantate werden ausgeheilt (zum Beispiel durch capless anneal), das unter einer im Überdruck be­ findlichen Arsen-Atmosphäre erfolgt, damit an den Öffnung­ en der Maske 2 kein Arsen aus der Halbleiterschicht 4 ab­ dampfen kann. Die Maske 2 bleibt als Passivierung er­ halten.
In einem weiteren Phototechnikschritt wird auf der Maske 2 eine für Abhebetechnik geeignete weitere Maske 3 aufge­ bracht, die die Öffnungen der Maske 2 freiläßt. Dabei ist eine relativ grobe Justierung ausreichend. Auf diese in Fig. 3 gezeigte Struktur wird nachfolgend das für die Me­ tallisierung vorgesehene Metall oder die Metallfolge auf­ gedampft. Nach dem Abheben der weiteren Maske 3 verbleiben die in Fig. 4 eingezeichneten Anteile der Metallisierung 5. Die Metallisierung 5 wird durch eine Temperaturbe­ handlung in das Halbleitermaterial der Halbleiterschicht 4 gesintert, wobei sich im Bereich von Source und Drain ohmsche Kontakte bilden, während im Bereich des Gate ein eingesinterter Schottky-Kontakt entsteht.
Ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Ver­ fahrens benötigt keinen Temperschritt zum Ausheilen von Implantierung. Es ist daher besonders geeignet, wenn die Halbleiterschicht 4 oder Halbleiterschichtfolge für die aktive Schicht des Gate durch ein Epitaxieverfahren bei relativ niedriger Wachstumstemperatur auf das Substrat 1 hergestellt worden ist. Es wird dann eine Maske 2 aus einem für Abhebetechnik geeigneten Material, zum Beispiel eine Lackmaske, aufgebracht. Durch Lithographie werden die Öffnungen der Maske 2 im Bereich von Source, Gate und Drain hergestellt. Insbesondere können hierbei optische Lithographie oder Elektronenstrahllithographie und die entsprechenden Lacke (resists) angewendet werden. Die Maske 2 wird zum Beispiel 1 µm dick aufgebracht für eine Gate-Länge von zum Beispiel 0,6 µm. Auf diese in Fig. 1 gezeigte Struktur wird dann Germanium wie in Fig. 5 ge­ zeigt in einer Dicke von zum Beispiel 10 nm unter einem Winkel von zum Beispiel 45° von der Source-Seite, dann unter einem Winkel von z. B. 45° von der Drain-Seite auf­ gedampft. Dabei wird die Oberfläche der Halbleiterschicht 4 in der im Bereich des Gate befindlichen Öffnung der Maske 2 von dem Germanium nicht erreicht. Das aufgedampfte Germanium bildet eine dünne Schicht 6. In Fig. 6 ist dar­ gestellt, wie anisotrop und senkrecht zur Halbleiterschicht 4 die Metallisierung 5 aus einem Metall oder einer Metall­ folge gemeinsam für Source, Gate und Drain aufgedampft wird. Wegen des anisotropen Aufdampfens besitzt diese Me­ tallisierung 5 getrennte Anteile im Bereich von Source, Gate und Drain sowie auf den Anteilen der Maske 2. Die auf der Maske 2 befindlichen Anteile der Metallisierung 5 wer­ den in Abhebetechnik zusammen mit der Maske 2 entfernt. Die dünne Schicht 6 aus Germanium reißt dabei seitlich der verbleibenden Anteile der Metallisierung 5 ab, so daß sich die in Fig. 7 gezeigte Struktur ergibt.
Die Metallisierung 5 wird durch Tempern eingesintert, wo­ bei die dünne Schicht 6 aus Germanium ausreicht, um bei dem Sintern den Ohm-Kontakt im Bereich von Source und Drain zu bilden.
Bei dem ersten Ausführungsbeispiel kann alternativ die weitere Maske 3 bereits vor der Implantation aufgebracht werden, wenn dabei ein Material verwendet wird, das den Temperprozeß zum Ausheilen der Implantate übersteht und für Abhebetechnik geeignet ist. Die zur Passivierung auf­ gebrachte Maske 2 kann dann entsprechend dünner herge­ stellt werden, weil die weitere Maske 3 mit zur Ab­ schattung des Gate-Gebietes dient. Es ist außerdem aus­ reichend, wenn das Aufbringen oder Einbringen des für den ohmschen Kontakt vorgesehenen Materials nur aus einer schrägen Einfallsrichtung erfolgt. Diese Vorgehensweise wird nun beispielhaft für das zweite Ausführungsbeispiel anhand der Fig. 8 bis 10 beschrieben. In Fig. 8 ist der der Fig. 5 entsprechende Verfahrensschritt darge­ stellt. Es wird nur in der durch die Pfeile angegebenen Einfallsrichtung von der Source-Seite her Germanium auf­ gedampft. Die durch das Germanium gebildete dünne Schicht 6 reicht daher auf der Drain-Seite nicht bis an die Maske 2 heran. In Fig. 9 ist dargestellt, wie die Metalli­ sierung 5 senkrecht zur Halbleiterschicht 4 aufgedampft wird. Auf der Drain-Seite befindet sich daher die Metallisierung 5 unmittelbar auf der Halbleiterschicht 4. Nachdem die auf der Maske 2 aufgebrachten Anteile der Metallisierung 5 zusammen mit der Maske 2 in Abhebetechnik entfernt worden sind, verbleibt die in Fig. 10 darge­ stellte Struktur. Die Drainmetallisierung besitzt in einem gateseitigen Bereich daher einen Schottky-Kontakt mit der Halbleiterschicht 4. In der Richtung von Gate nach Drain besitzt dieser Bereich in dem angegebenen Zahlen­ beispiel eine Ausdehnung von etwa 1 µm. Beim fertigen Transistor wird dadurch der stromführende Pfad in der aktiven Schicht von der gateseitigen Kante des Drain- Kontaktes weg verlagert und damit die Gate-Drain-Durch­ bruchspannung modifiziert.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, bei dem in einem ersten Schritt auf eine als aktive Schicht für den Gatebereich vorgesehene Halbleiterschicht (4) eine Maske (2) mit Öffnungen im Bereich von Source, Gate und Drain aufgebracht wird,
bei dem in einem zweiten Schritt ein für die Erzeugung eines ohmschen Kontaktes zwischen der Halbleiterschicht (4) und einer Metallisierung geeignetes Material anisotrop und in bezüglich der Halbleiterschicht (4) schräger Ein­ fallsrichtung auf- oder eingebracht wird,
bei dem in diesem ersten Schritt und in diesem zweiten Schritt die Dicke der Maske (2) und die Größe des Winkels der Einfallsrichtung so gewählt werden, daß das für ohm­ schen Kontakt geeignete Material in der im Bereich des Gates vorgesehenen Öffnung der Maske (2) die Oberfläche der aktiven Schicht nicht erreicht,
bei dem in einem dritten Schritt anisotrop senkrecht zu der Halbleiterschicht (4) ganzflächig eine Metallisierung (5) aufgebracht wird,
bei dem in einem vierten Schritt Anteile dieser Metalli­ sierung (5), die sich zwischen Source und Gate bzw. zwi­ schen Gate und Drain befinden, in Abhebetechnik entfernt werden und
bei dem in einem fünften Schritt die Metallisierung (5) durch Tempern eingesintert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem in dem zweiten Schritt das für ohmschen Kontakt geeignete Material in zwei einander entgegengesetzten Ein­ fallsrichtungen in der durch die Senkrechte auf die Halb­ leiterschicht (4) und die Gerade längs des kürzesten Ab­ standes von Source und Drain gebildeten Ebene auf- oder eingebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem in dem zweiten Schritt das für ohmschen Kontakt geeignete Material in die Halbleiterschicht (4) implan­ tiert wird und diese Implantate anschließend ausgeheilt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem in dem ersten Schritt die Maske (2) aus einem Material aufgebracht wird, das beim Ausheilen der Implan­ tate im zweiten Schritt als Passivierung für die Halblei­ terschicht (4) dient, und bei dem vor dem dritten Schritt auf die Maske (2) eine für Abhebetechnik geeignete weitere Maske (3) aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem in dem ersten Schritt die Maske (2) aus SiNx auf­ gebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem in dem ersten Schritt die Maske (2) aus einem für Abhebetechnik geeigneten Material aufgebracht wird,
bei dem in dem zweiten Schritt das für ohmschen Kontakt geeignete Material auf die Halbleiterschicht (4) als dünne Schicht (6) aufgedampft wird und
bei dem in dem vierten Schritt die Maske (2) mit den darauf befindlichen Anteilen dieser dünnen Schicht (6) und der Metallisierung (5) entfernt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem als das für ohmschen Kontakt geeignete Material Germanium verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, angewendet für einen Feldeffekttransistor im Materialsy­ stem Galliumarsenid.
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