DE4211050A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors in einem Substrat - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors in einem SubstratInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors in einem
Substrat.
In einem Substrat integrierte, vertikale Bipolartransistoren
müssen gegeneinander elektrisch isoliert werden.
Bipolartransistoren werden vielfach durch Herstellung einer
vergrabenen Schicht, auch vergrabener Kollektor genannt, in
einem Substrat und durch anschließende ganzflächige Herstel
lung einer epitaktischen Schicht hergestellt. Dabei ist das
Substrat von einem Leitfähigkeitstyp, die vergrabene Schicht
und die epitaktische Schicht vom entgegengesetzten Leitfähig
keitstyp dotiert. Der Bipolartransistor wird in der vergrabe
nen Schicht und der epitaktischen Schicht aufgebaut.
Die Isolation zwischen benachbarten Bipolartransistoren muß so
tief in das Substrat hineinreichen, daß die epitaktische
Schicht und die vergrabene Schicht durchtrennt werden.
Es ist bekannt, (s. z. B. Bräckelmann et al, ISSCC Dig. Techn.
Papers (1977), pp. 108) benachbarte Bipolartransistoren durch
gesperrte pn-Übergänge gegeneinander zu isolieren. Diese
Isolationstechnik ist jedoch sehr flächenaufwendig.
Eine andere Isolationstechnik besteht in der Einführung von im
Substrat versenkten Oxiden ("Recessed Oxide"), die zum Bei
spiel aus A. W. Wieder, Siemens Forschungs- und Entwicklungs
berichte, Bd. 13 (1984), Seite 246 ff, bekannt ist. Dadurch
kann der Flächenbedarf der Isolation bei gleichbleibender
Lithographie auf etwa ein Drittel gesenkt werden.
Eine Weiterentwicklung des "Recessed-Oxide"-Prozesses (siehe
H. Kabza et al, IEEE Electr. Dev. Lett., Bd. 10 (1989), Seite
344) sieht die Einführung einer selbstjustierten Seitenwand
passivierung vor. Dadurch wird eine planare Isolation reali
siert, die mit deutlich verringerten technologischen Vorhalten
auskommt. Durch Unteroxidation und Wachstumsunterdrückung von
Oxiden in schmalen Lithographiespalten kann jedoch auch diese
Technik nicht beliebig verkleinert werden. Auch in dieser Tech
nik ist die Skalierbarkeit daher begrenzt.
Aus H. B. Pogge, IEEE BTCM′90, Conf. Proc., 1990, pp. 18 und
E. Bertagnolli et al, IEEE BCTM′91 Conf. Proc., 1991, pp. 34,
ist bekannt, Bipolartransistoren durch umlaufende tiefe Gräben,
die mit isolierendem Material gefüllt sind, gegeneinander zu
isolieren. Diese Isolationstechnik braucht keine technologi
schen Vorhalte und ist daher bei der weiteren Skalierung von
Bipolartransistoren geeignet. An der Oberfläche des Substrats
werden durch eine LOCOS-Oxidation Isolationsbereiche herge
stellt, die die Lage des aktiven Transistors aus Emitter,
Basis und Kollektor und die Lage eines Kollektoranschlusses
definieren.
Diese Technologie weist gegenüber den Vorläufergenerationen
eine deutlich höhere Prozeßkomplexität auf: es werden etwa 30
Prozent mehr Prozeßschritte und eine zusätzliche Maskenebene
für den Isolationsbereich benötigt.
Die zusätzliche Maskenebene ist notwendig, um einen transistor
seitigen Substratkontakt herzustellen. Dies erfolgt durch mas
kierte Implantation in die epitaktische Schicht und gegebenen
falls die vergrabene Schicht, so daß im Bereich des Substrat
kontaktes der gleiche Leitfähigkeitstyp wie im Substrat er
zeugt wird.
Die Temperaturbelastung bei der LOCOS-Oxidation ist in dieser
Prozeßfolge so hoch, daß einerseits die vergrabene Schicht
etwa 0,3 µm tief in die epitaktische Schicht eindiffundiert
und damit die nominelle Dicke der epitaktischen Schicht um
diesen Betrag reduziert wird und daß andererseits die thermi
schen Lastzyklen die Ausbeute begrenzen. Ferner wird durch die
Temperaturbelastung das Dotierstoffprofil der vergrabenen
Schicht abgeflacht, was zu einem Verlust an Performance und
Skalierbarkeit der Transistorprofile führt.
Da die Lage des aktiven Transistorbereichs und des Kollektor
anschlusses in diesem Prozeß durch eine LOCOS-Oxidation defi
niert wird, kann der Abstand zwischen Kollektoranschluß und
aktivem Transistor bedingt durch die bei der LOCOS-Oxidation
auftretende Unteroxidation (Vogelschnabel) nicht beliebig
klein gemacht werden.
Der Erfindung liegt daher das Problem zugrunde, ein Verfahren
zur Herstellung eines Bipolartransistors in einem Substrat an
zugeben, das einen möglichst geringen Prozeßaufwand und
möglichst wenig Maskenebenen erfordert und das eine weitere
vertikale und horizontale Skalierung des Bipolartransistors
ermöglicht.
Dieses Problem wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren
nach Anspruch 1. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen
aus den übrigen Ansprüchen hervor.
In dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Bipolartransistor
durch einen isolierenden Graben, der ihn vollständig umgibt,
isoliert. An der Oberfläche des Substrats werden Isolations
bereiche hergestellt durch Abscheiden einer SiO2-Schicht mit
tels thermischer Zersetzung von Si(OC2H5)4 (TEOS), dem soge
nannten TEOS-Verfahren, und anschließender Strukturierung der
SiO2-Schicht. Die Strukturierung der SiO2-Schicht erfolgt mit
Hilfe einer Photolackmaske durch anisotropes Ätzen. Die Aus
dehnung der Isolationsbereiche in horizontaler Richtung ist
daher nur durch die Justiergenauigkeit und die Auflösung des
zur Herstellung der Photolackmaske verwendeten Photolitho
graphieschrittes begrenzt.
Durch ein Nachtempern der SiO2-Schicht vor der Strukturierung
bei einer Temperatur oberhalb der Abscheidetemperatur, insbe
sondere zwischen 750°C und 900°C wird die SiO2-Schicht ver
dichtet und damit die Qualität der fertigen Isolationsbereiche
erhöht.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, die SiO2-Schicht so zu struk
turieren, daß sie neben der Lage eines aktiven Transistorbe
reichs für Emitter, Basis und Kollektor und der Lage eines
Kollektoranschlusses auch die Lage für einen Substratanschluß
außerhalb des Grabens definiert. Unter Verwendung der Isolations
bereiche als Ätzmaske werden der Substratanschluß und der
Kollektoranschluß durch Abätzen der epitaktischen Schicht in
diesen Bereichen bis auf die vergrabene Schicht bzw. das
Substrat hergestellt.
Es ist besonders vorteilhaft, einen Basisanschluß und einen
Emitteranschluß jeweils durch Abscheiden und Strukturieren
einer entsprechend dotierten Polysiliziumschicht herzustellen
und beim anisotropen Ätzen zur Bildung von Basisanschluß und
Emitteranschluß gleichzeitig im Bereich des Kollektoranschlus
ses und des Substratanschlusses die epitaktische Schicht zu
entfernen. Dazu wird die Ätzung der zuletzt abgeschiedenen
Polysiliziumschicht, zum Beispiel zur Herstellung des Emitter
anschlusses, soweit überzogen, daß die epitaktische Schicht im
Bereich von Substratanschluß und Kollektoranschluß vollständig
entfernt wird.
Durch Verwendung der Isolationsbereiche als Ätzmaske zur Her
stellung des Kollektoranschlusses und des Substratanschlusses
werden zwei Maskenebenen eingespart. Darüber hinaus kann mit
dem erfindungsgemäßen Verfahren ein Gesamtprozeß zur Her
stellung eines Bipolartransistors entworfen werden, in dem
Hochtemperaturschritte, die bei Prozeßtemperaturen oberhalb
950°C ablaufen, nicht erforderlich sind. Die Anzahl der Prozeß
schritte, die bei Temperaturen zwischen 900°C und 950°C ab
laufen, wird auf zwei reduziert. Dadurch wird das Dotierstoff
profil der vergrabenen Schicht und der epitaktischen Schicht
nicht verschmiert, so daß eine weitere vertikale Skalierung
des Bipolartransistors und eine entsprechend höhere Per
formance des Bipolartransistors ermöglicht werden.
Die Erfindung läßt sich sowohl für einen selbstjustierten
Innenspacer-Bipolartransistor, wie er aus A. W. Wieder,
Siemens Forschungs- und Entwicklungsberichte, Bd. 13 (1984),
Seite 246 ff, bekannt ist, als auch für einen Außenspacer-Bi
polartransistor, wie er aus G. P. Li et al, IEEE El. Dev.
Lett., Vol. EDL-8 (1987), pp. 338, bekannt ist, realisieren.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei
spiels und der Figuren näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ein Substrat mit vergrabener Schicht und epitak
tischer Schicht.
Fig. 2 zeigt das Substrat nach der Herstellung der Gräben.
Fig. 3 zeigt das Substrat nach der Herstellung der Isolations
bereiche.
Fig. 4 zeigt das Substrat nach der Herstellung des Basisan
schlusses.
Fig. 5 zeigt das Substrat nach der Herstellung von Emitteran
schluß, Kollektoranschluß und Substratanschluß.
Fig. 6 zeigt den fertigen Bipolartransistor.
Fig. 7 zeigt ein Layout für einen Bipolartransistor mit einem
Substratanschluß.
Fig. 8 zeigt ein Layout für einen Bipolartransistor ohne Sub
stratanschluß.
In einem Substrat 1 aus einkristallinem, p-dotiertem Silizium
wird eine n⁺-dotierte, vergrabene Schicht 2 hergestellt (siehe
Fig. 1). Dies erfolgt zum Beispiel durch Implantation mit
Arsen oder Antimon mit Hilfe einer Maske aus zum Beispiel SiO2
(nicht dargestellt). Die vergrabene Schicht 2 ist seitlich be
grenzt.
Nach Entfernung der zur Herstellung der vergrabenen Schicht 2
verwendeten Maske zum Beispiel durch naßchemisches Ätzen wird
eine n⁻-dotierte Epitaxieschicht 3 abgeschieden. Die Epitaxie
schicht 3 wird in einer Dicke von zum Beispiel 0,2 bis 0,5 µm
hergestellt.
Als nächstes wird ein isolierender Graben hergestellt, der den
fertigen Bipolartransistor umgibt. Dazu wird zunächst eine
Grabenmaske, eine sogenannte Hardmask hergestellt. Dazu wird
zum Beispiel eine Schichtenfolge aus thermischem Siliziumoxid,
Siliziumnitrid und TEOS-Siliziumoxid in einem Dickenverhältnis
von zum Beispiel 50 nm/150 nm/600 nm aufgewachsen. Die Graben
maske wird durch einen Photolithographieschritt definiert und
anschließend anisotrop geätzt (die Grabenmaske ist nicht dar
gestellt).
Nach Entfernung einer im Photolithographieschritt verwendeten
Photolackmaske wird ein Graben 4 durch die Epitaxieschicht 3
und die vergrabene Schicht 2 in das Substrat 1 hineingeätzt (s.
Fig. 2). Der Graben 4 wird zum Beispiel in eine Tiefe von etwa
4,5 µm geätzt. Diese Tiefe bestimmt sich aus der Dicke der
Epitaxieschicht 3, der Dicke der vergrabenen Schicht 2 und
einem zulässigen Reststrom unter Vertriebsbedingungen.
Nach Entfernung von bei der Grabenätzung entstandenen Ätzpoly
meren und einer entsprechenden Reinigung wird an den Wänden
und dem Boden des Grabens eine SiO2-Schicht 5 in einer Dicke
von zum Beispiel 50 bis 100 nm aufgewachsen. Anschließend wer
den durch Implantation im Substrat 1 am Boden des Grabens 4
Channelstopperbereiche 6 implantiert. Die Channelstopperbereiche
sollen den Aufbau einer leitenden Inversionsschicht an der
Substrat/Oxid-Grenze und der Betriebsbedingungen verhindern.
Anschließend wird der Graben durch konforme Abscheidung und
Rückätzung einer Schicht mit einer Füllung 7 aus zum Beispiel
CVD-Silizium aufgefüllt. Die Füllung 7 kann anstelle aus CVD-
Silizium auch aus dotiertem oder undotiertem SiO2 bestehen.
Nach Rückätzung der konformen Schicht außerhalb des Grabenbe
reichs wird der Graben im Bereich der Oberfläche der Epitaxie
schicht 3 mit einer isolierenden Schicht 8, zum Beispiel einer
100 nm dicken Schicht aus thermischem Oxid, dielektrisch ver
schlossen. Anschließend wird die Grabenmaske entfernt, so daß
an der Scheibenoberfläche eine Restoxidschicht aus zum Beispiel
etwa 50 nm dickem thermischen Oxid verbleibt.
Zur Herstellung von Isolationsbereichen 9 (siehe Fig. 3) wird
anschließend eine SiO2-Schicht durch thermische Zersetzung von
Si(OC2H5)4 (TEOS) in einer Dicke von zum Beispiel 200 bis 500
nm bei 730°C abgeschieden. Diese SiO2-Schicht wird durch einen
Temperschritt bei einer Temperatur oberhalb der Abscheidetem
peratur, zum Beispiel bei 800°C, verdichtet. Dann werden durch
einen Photolithographieschritt mit Hilfe einer Photolackmaske
die Lage eines aktiven Transistorbereichs 10 zur Aufnahme von
Emitter, Basis und Kollektor, die Lage eines Kollektoranschlus
ses 11 und die Lage eines Substratanschlusses 12 definiert.
Durch einen Ätzschritt wird die Oberfläche der Epitaxieschicht
im aktiven Transistorbereich 10, im Bereich des Kollektoran
schlusses 11 und des Substratanschlusses 12 freigelegt. In dem
Ätzschritt werden die Isolationsbereiche 9 aus der SiO2-Schicht
hergestellt. Der aktive Transistorbereich 10 und der Kollektor
anschluß 11 sind dabei innerhalb des Grabens 4 angeordnet. Der
Substratanschluß 12 ist außerhalb des Grabens 4 und seitlich
der vergrabenen Schicht 2 angeordnet.
Durch ganzflächige Abscheidung und anisotrope Strukturierung
einer p⁺-dotierten Polysiliziumschicht und einer SiO2-Schicht
14 wird ein Basisanschluß 13 hergestellt. Der Basisanschluß 13
umgibt den aktiven Transistorbereich 10 ringförmig. Der Basis
anschluß 13 ist dabei teilweise an der Oberfläche der Epitaxie
schicht 3 und im übrigen auf den benachbarten Isolationsbe
reichen 9 angeordnet (siehe Fig. 4).
Durch Implantation von Dotierstoffatomen, zum Beispiel mit
2 bis 15 keV Bor oder BF2, 5×1013/cm2, wird unter Verwendung
des Basisanschlusses 13 und der SiO2-Schicht 14 als Maske eine
aktive Basis 15 hergestellt. Alternativ kann die aktive Basis
15 auch zum Beispiel durch eine Doppeldiffusionstechnik oder
durch selektive Epitaxie einer p-dotierten Zone im aktiven
Transistorbereich 10 hergestellt werden.
Bei der Herstellung des Basisanschlusses ist es wichtig, daß
die p⁺-dotierte Polysiliziumschicht und die SiO2-Schicht 14
sowohl im Bereich des Substratanschlusses 12 als auch im Be
reich des Kollektoranschlusses 11 vollständig entfernt wird.
An den Flanken des Basisanschlusses 13 und der SiO2-Schicht 14
werden isolierende Flankenbedeckungen 16, sogenannte Spacer
aus SiO2 hergestellt.
Es wird ganzflächig eine n⁺-dotierte Polysiliziumschicht abge
schieden, die mit Hilfe einer Photolackmaske (nicht darge
stellt) in einem anisotropen Ätzschritt strukturiert wird.
Dabei wird ein Emitteranschluß 17 gebildet (siehe Fig. 5).
Der Emitteranschluß 17 bedeckt die innerhalb des Basisan
schlusses 13 offenliegende Oberfläche der Epitaxieschicht 3.
Der Emitteranschluß 17 ist gegen den Basisanschluß 13 durch
die SiO2-Schicht 14 und die Flankenbedeckungen 16 isoliert.
Bei der Strukturierung der n⁺-dotierten Polysiliziumschicht
zur Herstellung des Emitteranschlusses 17 wird der anisotrope
Ätzschritt überzogen. Dabei wird im Bereich des Kollektoran
schlusses 11 und des Substratanschlusses 12 die Epitaxieschicht
3 vollständig entfernt. Bei dieser Ätzung wirken die Isola
tionsbereiche 9 als Maske. Die Ätzung muß um etwa 100 bis 200
Prozent überzogen werden. Dieses ist sowieso erforderlich, um
Reste der n⁺-dotierten Polysiliziumschicht außerhalb des Emit
teranschlusses 17 zu entfernen.
Durch Entfernen der Epitaxieschicht 3 im Bereich des Kollektor
anschlusses wird an dieser Stelle die hochdotierte vergrabene
Schicht 3 freigelegt. Im Bereich des Substratanschlusses 12
wird durch Entfernen der Epitaxieschicht 3 das Substrat 1 frei
gelegt. Dadurch kann das Substrat 1 von der gleichen Seite,
an der der Bipolartransistor angeordnet ist, direkt kontak
tiert werden. Eine Umdotierung der Epitaxieschicht in diesem
Bereich, wie sie in den bekannten Herstellverfahren unumgäng
lich ist, wird dadurch vermieden.
Das Entfernen der Epitaxieschicht im Bereich des Substratan
schlusses 12 und des Kollektoranschlusses 11 ist möglich, da
die vergrabene Schicht 2 im erfindungsgemäßen Verfahren prak
tisch nicht in die Epitaxieschicht 3 ausdiffundiert. Daher ist
die Schichtdicke der Epitaxieschicht 3 im Bereich des Kollek
toranschlusses 11 und des Substratanschlusses 12 praktisch
identisch.
Zur Ätzung ist ein Ätzprozeß geeignet, der Polysilizium selek
tiv zu Siliziumoxid ätzt. Der Siliziumoxidabtrag 2 der Ätzung
darf höchstens 50 nm betragen. Dazu ist zum Beispiel ein Cl2/He-
Plasma geeignet.
Die Öffnung des Substratanschlusses und des Kollektoranschlus
ses erfolgt unter Verwendung der Isolationsbereiche 9 als
Maske. Da keine zusätzliche Phototechnik dafür erforderlich
ist, stellt diese Maßnahme eine Selbstjustierungsvariante dar.
Nach Abschluß der Ätzung und einer Nachbehandlung zur Entfer
nung von bei der Ätzung entstandenen Ätzpolymeren wird ganz
flächig eine Zwischenoxidschicht 18 abgeschieden. Die Zwischen
oxidschicht 18 besteht zum Beispiel aus 50 nm TEOS-SiO2 und
800 nm BPSG (Bor-Phosphor-Silikat-Glas) (siehe Fig. 6).
In einem Temperschritt wird durch Ausdiffusion aus dem Emitter
anschluß 17 ein Emitter 19 und durch Ausdiffusion aus der p⁺-
dotierten Basisanschluß 13 eine inaktive Basis 20 gebildet.
Als Temperschritt ist zum Beispiel eine RTA-Behandlung bei
1050°C während 5 bis 15 Sekunden oder einer FA-Behandlung bei
900°C, 20 bis 30 Minuten geeignet.
Schließlich werden in einem Photolithographieschritt Kontakt
löcher zu dem Emitteranschluß 17, dem Basisanschluß 13, dem
Kollektoranschluß 11 und dem Substratanschluß 12 geöffnet. Die
Kontaktlöcher werden mit Metallanschlüssen 21 aus zum Beispiel
TiN/AlSiCu aufgefüllt.
Wird kein transistorseitiger Substratkontakt benötigt, kann
das erfindungsgemäße Verfahren auch nur zur selbstjustierten
Herstellung des Kollektoranschlusses verwendet werden. In die
sem Fall kann die vergrabene Schicht ganzflächig erzeugt wer
den. Dadurch wird eine Photomaskenebene eingespart.
Fig. 7 zeigt ein Layout eines Bipolartransistors mit transi
storseitigem Substratkontakt. Der Bipolartransistor ist von
einem isolierenden Graben 71 vollständig umgeben. Die vergra
bene Schicht 72 ist innerhalb des isolierenden Grabens 71 an
geordnet. Ein Substratanschluß 73 ist außerhalb des isolieren
den Grabens angeordnet. Innerhalb des isolierenden Grabens 71
sind ein Kollektoranschluß 74 und ein aktiver Transistorbereich
75 angeordnet. In dem aktiven Transistorbereich 75 sind Emit
ter und Basis angeordnet. Die Basis ist durch einen Basisan
schluß 76 aus p⁺-dotiertem Silizium ringförmig angeschlossen.
Der Emitter ist durch einen Emitteranschluß 77 aus n⁺-dotier
tem Polysilizium angeschlossen.
Fig. 8 zeigt ein Layout für den Bipolartransistor ohne tran
sistorseitigen Substratkontakt. Der Übersichtlichkeit halber
werden die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 7 verwendet. In
dieser Ausführungsform wird die vergrabene Schicht ganzflächig
aufgebracht.
Die Erfindung wurde anhand eines npn-Bipolartransistors be
schrieben. Sie ist ebenso für einen pnp-Bipolartransistor an
wendbar.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors in einem
Substrat,
- - bei dem in dem Substrat (1) aus einkristallinem Silizium ein isolierender Graben (4) hergestellt wird, der den Bipolar transistor vollständig umgibt,
- - bei dem an der Oberfläche des Substrats (1) Isolationsberei che (9), die mindestens die Lage eines Bereichs (10) für Emitter, Basis und Kollektor und die Lage eines Kollektoran schlusses (11) innerhalb des Grabens (4) definieren, durch Abscheiden einer SiO2-Schicht mittels thermischer Zersetzung von Si(OC2H5)4 (TEOS) und anschließende Strukturierung der SiO2-Schicht hergestellt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die SiO2-Schicht vor der
Strukturierung durch Tempern bei einer Temperatur oberhalb der
Abscheidetemperatur verdichtet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
- - bei dem die SiO2-Schicht in einer Dicke zwischen 200 und 500 nm bei einer Temperatur im Bereich (730± 300°C) ab geschieden wird,
- - bei der die SiO2-Schicht durch Tempern bei einer Temperatur im Bereich (800± 200°C) verdichtet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der
isolierende Graben (4) durch eine maskierte, anisotrope
Grabenätzung und eine anschließende Füllung (7) des Grabens
(4) hergestellt wird, wobei die Füllung (7) mindestens an den
Wänden und am Boden des Grabens (4) und im Bereich der Ober
fläche des Substrats isolierendes Material (5, 8) umfaßt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
- - bei dem vor der Herstellung des Grabens (4) mindestens im Bereich unter dem Bipolartransistor eine vergrabene Schicht (2) gebildet wird, die vom zum umgebenden Substrat entgegen gesetzten Leitfähigkeitstyp dotiert ist,
- - bei dem ganzflächig eine Epitaxieschicht (3) von demselben Leitfähigkeitstyp wie die vergrabene Schicht (2) abgeschie den wird, an deren Oberfläche die Isolationsbereiche (9) er zeugt werden,
- - bei dem ein Basisanschluß (13) und ein Emitteranschluß (17) jeweils durch Abscheiden und Strukturieren einer entsprechend dotierten Polysiliziumschicht hergestellt werden.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem beim anisotropen Ätzen
zur Bildung von Basisanschluß (13) und Emitteranschluß (17)
gleichzeitig im Bereich des Kollektoranschlusses (11) eine
Ätzung durch die Epitaxieschicht (3) erfolgt, so daß im Be
reich des Kollektoranschlusses (11) die vergrabene Schicht (2)
freigelegt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6,
- - bei dem die vergrabene Schicht (2) durch maskierte Implan tation so gebildet wird, daß sie seitlich begrenzt ist und den Bipolartransistor seitlich überlappt,
- - bei dem bei der Strukturierung der SiO2-Schicht zur Herstel lung der Isolationsbereiche (9) die Lage eines Substratan schlusses (12) seitlich der vergrabenen Schicht (2) außer halb des Grabens (4) definiert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem beim anisotropen Ätzen
zur Bildung von Basisanschluß (13) und Emitteranschluß (17)
gleichzeitig im Bereich des Substratanschlusses (12) eine
Ätzung durch die Epitaxieschicht (3) erfolgt, so daß im Be
reich des Substratanschlusses (12) das Substrat (1) freige
legt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8,
- - bei dem der Basisanschluß (13) durch Strukturierung einer ersten Polysiliziumschicht hergestellt wird, die außerhalb des Basisanschlusses (13) vollständig entfernt wird,
- - bei dem die Flanken des Basisanschlusses (13) mit isolieren den Flankenbedeckungen (16) versehen werden,
- - bei dem der Emitteranschluß (17) durch eine zu SiO2 selek tive, anisotrope Ätzung einer zweiten Polysiliziumschicht hergestellt wird, wobei die Ätzung so weit überzogen wird, daß die Epitaxieschicht (3) in ungedeckten Bereichen voll ständig entfernt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
- - bei dem in dem Substrat (1) von einem ersten Leitfähigkeits typ durch maskierte Ionenimplantation eine seitlich begrenz te, vergrabene Schicht (2) von einem zweiten zum ersten ent gegengesetzten Leitfähigkeitstyp erzeugt wird,
- - bei dem ganzflächig eine Epitaxieschicht (3) vom zweiten Leitfähigkeitstyp abgeschieden wird,
- - bei dem der Graben (4) unter Verwendung einer zuvor herge stellten Grabenmaske durch anisotropes Ätzen in das Substrat (1) erzeugt wird,
- - bei der der Boden und die Wände des Grabens (4) mit einer SiO2-Schicht (5) versehen werden,
- - bei dem durch Implantation Channelstopperbereiche (6) vom zweiten Leitfähigkeitstyp unter dem Graben (4) im Substrat (1) gebildet werden,
- - bei dem der Graben (4) durch Abscheidung und Rückätzung einer konformen Schicht gefüllt wird,
- - bei dem der Graben (4) im Bereich der Oberfläche der Epi taxieschicht (3) mit einer isolierenden Schicht (8) ver sehen wird,
- - bei dem nach Entfernen der Grabenmaske die SiO2-Schicht zur Herstellung der Isolationsbereiche (9) abgeschieden und so strukturiert wird, daß die Lage des Bereichs (10) für Emit ter, Basis und Kollektor und die Lage des Kollektoranschlus ses (11) innerhalb des Grabens (4) und oberhalb der vergra benen Schicht (2) und die Lage eines Substratkontaktes (12) seitlich der vergrabenen Schicht (2) außerhalb des Grabens definiert wird,
- - bei dem durch Abscheiden und anisotropes Strukturieren mit Hilfe einer Photolackmaske einer ersten, vom ersten Leit fähigkeitstyp dotierten Polysiliziumschicht ein ringförmiger Basisanschluß (13) hergestellt wird,
- - bei dem durch Implantation unter Verwendung des mit einer SiO2-Schicht (14) versehenen Basisanschlusses (13) als Maske eine aktive Basis (15) innerhalb des Basisanschlusses (13) gebildet wird,
- - bei dem an den Flanken des Basisanschlusses (13) isolierende Flankenbedeckungen (16) erzeugt werden,
- - bei dem durch Abscheiden und anisotropes Ätzen mit Hilfe einer Photolackmaske einer zweiten, vom zweiten Leitfähig keitstyp dotierten Polysiliziumschicht ein Emitteranschluß (17) hergestellt wird,
- - bei dem die Ätzung zur Herstellung des Emitteranschlusses (17) soweit überzogen wird, daß im Bereich des Kollektoran schlusses (11) und des Substratanschlusses (12) die Epitaxie schicht (3) vollständig entfernt wird,
- - bei dem ganzflächig eine planarisierende Zwischenoxidschicht (18) abgeschieden wird,
- - bei dem in einem Temperschritt durch Ausdiffusion aus dem Basisanschluß (13) eine inaktive Basis (20) und aus dem Emit teranschluß (17) ein Emitter (19), der von der inaktiven Ba sis (20) ringförmig umgeben ist, gebildet werden,
- - bei dem in der Zwischenoxidschicht (18) Kontaktlöcher zum Basisanschluß (13), Emitteranschluß (17), Kollektoranschluß (11) und Substratanschluß (12) geöffnet werden und mit Me tallanschlüssen (21) versehen werden.
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