DE4135802C2

DE4135802C2 - Elektrofotographisches Aufzeichnungsmaterial

Info

Publication number: DE4135802C2
Application number: DE4135802A
Authority: DE
Inventors: Yukihiro Maruta
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1990-11-01
Filing date: 1991-10-30
Publication date: 1997-07-24
Anticipated expiration: 2011-10-31
Also published as: JP2674302B2; DE4135802A1; US5162182A; JPH04170554A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektrophotographi sches Aufzeichnungsmaterial gemäß dem Oberbegriff des An spruchs 1. Ein derartiges Material wird in elektrophotogra phischen Vorrichtungen wie beispielsweise Kopiergeräten, Druckern und Faksimileapparaten verwendet, bei denen für die Belichtung kohärentes Licht wie beispielsweise Laserlicht eingesetzt wird.

Nach dem Stand der Technik muß ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial eine hohe Empfindlichkeit aufweisen, eine lange Lebensdauer und eine hohe Wärmewiderstandsfähigkeit, und es muß über einen langen Zeitraum Bilder mit hoher Qualität zur Verfügung stellen. In jüngster Zeit wurden elektrophotographische Geräte, wie bei spielsweise Kopiergeräte, Drucker und Faksimileapparate in der Praxis eingesetzt, bei welchen Bilder dadurch erzeugt werden, daß ein lichtempfindliches elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial optisch mit einem Laserlicht abgetastet wird, welches abhängig von einer digitalen Bildinformation moduliert ist, um das elektrophotographische Aufzeichnungsma terial zu belichten. Bei derartigen elektrophotographischen Geräten wurden Halbleiterlaser kleiner Größe in großem Ausmaß als Laserlichtquellen eingesetzt. Das in derartigen Geräten verwendete elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial muß äußerst empfindlich für den Halbleiterlaserstrahl sein, des sen Wellenlänge in einem Bereich zwischen 750 bis 800 nm liegt.

Als derartiges lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial für die Elektrophotographie sind licht empfindliche elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien mit getrennten Funktionen bekannt, bei denen selenhaltige Ma terialien als photoleitende Materialien eingesetzt werden, und die einem Schichtträger aufweisen, auf welchem drei bis vier la minierte lichtempfindliche Schichten vorgesehen sind. Die elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien mit getrenn ten Funktionen sind beispielsweise in der US-PS 3 655 377 und den japanischen offengelegten Patentanmeldungen Nr. 4240/1977 und 77744/1980 beschrieben. Die elektrophotographischen Auf zeichnungsmaterialien weisen im wesentlichen einen Aufbau auf, der - wie in Fig. 6 gezeigt ist - einen leitfähigen Schichtträger 1 aufweist, auf welchem in dieser Reihenfolge eine Ladungen transportierende Schicht (CTL) 2, eine Ladungen erzeugende Schicht (CGL) 3 und eine Oberflächenschutzschicht (OCL) 4 vorgesehen sind.

Ein photoempfindliches Material gemäß dem Oberbegriff des An spruchs 1 ist aus der US 4 880 717 und der US 4 687 723 be kannt. In JP-Patent Abstracts 61-86759 ist ein elektrophoto graphisches Material beschrieben, das ein leitfähiges Substrat, eine darauf angeordnete photoleitfähige Schicht, eine darüber angeordnete Zwischenschicht und schließlich eine Oberflächenschicht über der Zwischenschicht umfaßt.

Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial mit getrenn ten Funktionen, welches mit derartigen laminierten lichtemp findlichen Schichten versehen ist, ergibt keine Bilder hoher Qualität, da ein für die Belichtung des elektrophotographi schen Aufzeichnungsmaterials verwendetes Laserlicht Mehrfach reflexionen in dessen lichtempfindlicher Schicht verursacht, was dazu führt, daß ein Interferenzmuster auf den sich erge benden Bildern erzeugt wird, insbesondere bei Halbton-Punkt bildern.

Fig. 7 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung der Mehrfachreflexion, die man beobachtet, wenn ein konventionel les elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit ge trennten Funktionen, das üblicherweise eingesetzt wird und einen in Fig. 6 dargestellten Aufbau hat, mit Laserlicht be strahlt wird. Fig. 7 erläutert die Mehrfachreflexion, die von einem Laserlicht erzeugt wird, welches diagonal auf die Ober fläche des konventionellen elektrophotographischen Aufzeich nungsmaterials mit getrennten Funktionen auffällt, um in na heliegender Weise eine Reflexion an einer Grenzfläche zwi schen CGL 3 und OCL 4 zu erläutern. Ein Teil eines Laserlich tes 6, welches auf die Oberfläche des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials auftrifft, wird an der Grenzfläche zwischen der Luft und OCL 4 infolge des Unterschiedes zwi schen den Brechungsindices dieser beiden Bereiche reflek tiert, wogegen das übrige Laserlicht I durch OCL 4 gelangt und auf CGL 3 auftrifft. In diesem Zustand wird ein Teil des Laserlichts I ebenfalls an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 infolge des Unterschiedes ihrer Brechungsindices re flektiert, jedoch wird reflektiertes Licht teilweise an der Grenzfläche zwischen der Luft und OCL 4 reflektiert, so daß reflektiertes Licht R₁ gebildet wird, welches zum Teil an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, und das übrige Licht kann auf CGL 3 einfallen. Ein Teil des Lich tes R₁, welches an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, wird weiterhin an der Grenzfläche zwischen der Luft und OCL 4 teilweise reflektiert, um reflektiertes Licht R₂ zu bilden, welches- ebenso wie das Licht R₁ - durch OCL 4 gelangt und teilweise an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, und das übrige Licht läßt man auf CGL 3 auffallen. Wie voranstehend erläutert wurde, erfährt das einfallende Licht, welches an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, innerhalb OCL 4 eine mehr fache Reflexion, und dieses Licht läßt man auf CGL 3 auffal len, und das Licht 8, welches auf CGL 3 auftrifft, ist das Interferenzlicht von Ii, R₁, R₂, . . . . Daher ändert sich die Intensität des Laserlichtes, welches vertikal auf CGL 3 auf trifft, abhängig von der Dicke von OCL 4, und wenn die Abwei chung der Filmdicken dieser Schicht und die Wellenlänge des Laserlichtes als n₁, d und λ festgelegt werden, dann ist die Anzahl (m) der erzeugten Interferenzstreifen gleich 2n₁d/λ.

Das vertikal auf die lichtempfindliche Schicht auftreffende Laserlicht erfährt innerhalb der Oberflächenschutzschicht (OCL) 4 eine Mehrfachreflexion, und das reflektierte Licht bewirkt eine Interferenz infolge der Kohärenz des Laserlich tes. Wenn in diesem Falle OCL 4 eine Abweichung bezüglich der Filmdicke aufweist, wird das reflektierte Licht verstärkt oder geschwächt infolge der Interferenz, und entsprechend wird die Anzahl der Ladungen, die innerhalb einer Ladungser zeugung (CGL) 3 erzeugt werden, erhöht oder verringert. Dies führt dazu, daß ein Interferenzmuster erzeugt wird. Darüber hinaus erreicht das Laserlicht, welches nicht durch CGL 3 ab sorbiert und hierdurch durchgelassen wird, die Oberfläche des leitfähigen Schichtträgers 1, und dies führt zu einer- gewöhnli chen Reflexion, und das reflektierte Licht bewirkt eine Mehr fachreflexion innerhalb von CTL 2, so daß eine Interferenz erzeugt wird. Wenn in diesem Falle CTL 2 eine Abweichung in bezug auf die Filmdicke aufweist, so wird das reflektierte Licht infolge der Interferenz verstärkt oder geschwächt, wie voranstehend in Verbindung mit OCL 4 erläutert wurde, und dies führt ebenfalls dazu, daß das Interferenzmuster er scheint. Die infolge dieser Phänomene entstehenden Interfe renzmuster, die einander überlagert sind, erscheinen häufig auf dem sich ergebenden Bild.

Es sind Methoden bekannt, um das letztgenannte Interferenzmu ster zu eliminieren, welches von dem Licht herrührt, das sich durch CGL ausbreitet und von der Oberfläche des Schichtträgers reflektiert wird, und zwar durch Behandlung der Oberfläche des Schichtträgers. Diese Methoden sind beispielsweise in den of fengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. 225854/1985, 254168/1985 und 167761/1989 beschrieben. Allerdings wurde bislang keine Einrichtung zum Eliminieren des erstgenannten Interferenzmusters entwickelt, welches von dem Licht her rührt, das direkt auf CGL auftrifft.

Wie voranstehend beschrieben wurde, weist das elektrophoto graphische Aufzeichnungsmaterial des Selentyps mit getrennten Funktionen einen grundsätzlichen Aufbau auf, wie er in Fig. 6 dargestellt ist. Im Falle eines elektrophotographisches Auf zeichnungsmaterials mit einem derartigen Aufbau trägt das di rekt auf das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial auftreffende Laserlicht wesentlich zur Erzeugung von Ladungen bei, verglichen mit dem Beitrag des Laserlichtes, welches sich durch CGL ausbreitet und durch die Oberfläche des Schichtträgers reflektiert wird. Aus diesem Grund wird das Inter ferenzmuster, welches infolge der Interferenz aufgrund der Mehrfachreflexion des einfallenden Laserlichtes innerhalb OCL erzeugt wird, leichter gebildet als das Interferenzmuster, welches infolge der Interferenz aufgrund der Mehrfachreflexi on innerhalb CTL des Laserlichtes entsteht, welches von der Schichtträgeroberfläche reflektiert wird. Unter solchen Umständen haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung vermutet, daß es notwendigerweise wichtiger und wirksamer ist, den Effekt der erstgenannten Interferenz zu eliminieren, als den Einfluß der letztgenannten Interferenz zu eliminieren, um das Problem der Ausbildung von Interferenzmustern zu lösen.

Es ist die Aufgabe der-vorliegenden Erfindung ein elektropho tographisches Aufzeichnungsmaterial zu schaffen, welches einen leitfähigen Schichtträger aufweist, auf welchem in dieser Reihenfolge zumindest eine Ladungen transportierende Schicht, eine Ladungen erzeugende Schicht, eine Zwischenschicht und eine Oberflächenschutz schicht angeordnet sind, und welches die Ausbildung irgendei nes Interferenzmusters auf den sich ergebenden Bildern unter drücken kann, die sich aufgrund der Interferenz infolge mehr facher Reflexionen innerhalb der OCL ergeben, selbst wenn ko härentes Licht wie beispielsweise Laserlicht dazu eingesetzt wird, das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial zu be lichten.

Zur Lösung dieses Problems umfaßt erfindungsgemäß ein elek trophotographisches Aufzeichnungsmaterial einen leitfähigen Schichtträger, eine auf dem leitfähigen Schichtträger ausge bildete Ladungen transportierende Schicht, eine darauf ausge bildete Ladungen erzeugende Schicht, eine Oberflächenschutz schicht und eine zwischen der Oberflächenschutzschicht und der Ladungen erzeugenden Schicht angeordnete Zwischenschicht, und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht einen Brechungsindex aufweist, der gleich dem Mittelwert der Bre chungsindices der Ladungen erzeugenden Schicht und der Ober flächenschutzschicht ist, und daß die Zwischenschicht eine solche Filmdicke aufweist, daß die optische Phasendifferenz gleich π/2 oder 3/2 π (Bodenmaß) ist.

Die Ladungen transportierende Schicht kann aus einem Material gebildet werden, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus reinem Se und Se-Legierungen besteht.

Die Ladungen erzeugende Schicht kann aus einer Se-Te-Legie rung gebildet werden, in welcher die Se-Te-Legierung wiederum eine Se-Te-Legierung mit einem hohen Te-Gehalt sein kann, beispielsweise eine solche Legierung, die eine Te-Konzentra tion von 43 Gew.-% aufweist.

Die Oberflächenschutzschicht kann eine Se-Legierung aufwei sen, in welcher die Se-Legierung eine Se-Te-Legierung ist. Darüber hinaus kann die Se-Te-Legierung eine Se-Te-Legierung mit einem niedrigen Te-Gehalt sein, beispielsweise eine sol che Legierung, die eine Te-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist. Darüber hinaus kann die Se-Legierung, welche die Oberflächenschutzschicht bildet, eine Se-As-Legierung sein. Die Se-As-Legierung kann eine Se-As-Legierung mit einem nied rigen As-Gehalt sein, beispielsweise eine solche, die eine As-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist.

Die Zwischenschicht kann aus einer Se-Te-Legierung gebildet sein, in welcher die Se-Te-Legierung eine Se-Te-Legierung ist, die einen Te-Gehalt von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% aufweist. Die Dicke der Zwischenschicht sollte nicht weniger als 0,04 µm und nicht mehr als 0,09 µm oder nicht weniger als 0,17 µm und nicht mehr als 0,22 µm betragen.

Wenn ein Halbleiterlaser (Wellenlänge: 780 nm) als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wird, so ist es wirksam, ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial zu verwenden, in welchem die Ladungen transportierende Schicht aus reinem Selen oder einer Se-Legierung gebildet wird, die Ladungen erzeugende Schicht aus einer Se-Te-Legierung gebil det ist, die Oberflächenschutzschicht aus einer Se-Legierung gebildet ist, und die Zwischenschicht aus einer Se-Te- Legierung gebildet ist.

Bei einer bestimmten Ausführungsform wird die Ladungen erzeu gende Schicht aus einer Se-Te-Legierung mit einem hohen Te- Gehalt gebildet, wobei eine Te-Konzentration von 43 Gew.-% vorgesehen ist, die Oberflächenschutzschicht wird ent weder aus einer Se-Te-Legierung gebildet, die einen niedrigen Te-Gehalt von 5 Gew.-% aufweist, oder aus einer Se-As- Legierung, die einen niedrigen As-Gehalt mit einer As-Konzen tration von 5 Gew.-% aufweist, die Zwischenschicht wird aus einer Se-Te-Legierung gebildet, welche eine Te-Konzentra tion von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% aufweist, und die Filmdicke der Zwischen schicht wird so eingestellt, daß sie nicht weniger als 0,04 µm und nicht mehr als 0,09 µm oder nicht weniger als 0,17 µm und nicht mehr als 0,22 µm beträgt.

Die voranstehenden und weitere Zielrichtungen, Wirkungen, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nach stehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen nä her erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht mit einer Dar stellung einer Ausführungsform eines elektrophotogra phischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der vorliegen den Erfindung;

Fig. 2 ein schematisches Diagramm zur Erläuterung einer Mehrfachreflexion, die auftritt, wenn kohärentes Licht auf das in Fig. 1 gezeigte elektrophotographi sche Aufzeichnungsmaterial auftrifft;

Fig. 3 ein Vektordiagramm zur Erläuterung des Fresnel- Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des in Fig. 1 gezeigten elektrophotographischen Aufzeichnungsma terials, welches auftritt, wenn eine optische Phasen differenz der Filmdicke einer Zwischenschicht gleich π/2 ist (im Bogenmaß);

Fig. 4 ein Vektordiagramm zur Erläuterung des Fresnel- Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des in Fig. 1 gezeigten elektrophotographischen Aufzeichnungsma terials, welches beobachtet wird, wenn die optische Phasendifferenz der Filmdicke der Zwischenschicht gleich π/2 ist (im Bogenmaß), und die op tische Abweichung bezüglich der Filmdicke ± π/8 ist;

Fig. 5A bis 5D Ansichten von Diagrammen, die jeweils ein spektrales Oberflächenreflexionsvermögen der elektro photographischen Aufzeichnungsmaterialien zeigen, die bei der Ausführungsform 1 oder 2 oder in einem Ver gleichsbeispiel 1 oder 2 erhalten wurden;

Fig. 6 eine schematische Querschnittsansicht mit einer Dar stellung eines konventionellen elektrophotographi schen Aufzeichnungsmaterials;

Fig. 7 ein schematisches Diagramm zur Erläuterung der Mehr fachreflexion, die auftritt, wenn kohärentes Licht auf das in Fig. 6 gezeigte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial auffällt; und

Fig. 8 ein Vektordiagramm zur Erläuterung des Fresnel- Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des in Fig. 6 dargestellten elektrophotographischen Aufzeich nungsmaterials.

Nachstehend wird unter Bezug auf die beigefügten Figuren die vorliegende Erfindung eingehender erläutert.

Fig. 1 ist eine schematische Querschnittsansicht mit einer Darstellung einer Ausführungsform des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der vorliegenden Erfindung. In Fig. 1 sind Bauteile, die gleich oder ähnlich den Bauteilen des konventionellen elektrophotographischen Aufzeichnungsma terials sind, wie es in Fig. 6 gezeigt ist, jeweils durch die gleichen entsprechenden numerischen Werte repräsentiert.

Bei dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Zwischenschicht (ICL) 5 zwischen einer Oberflächenschutzschicht (OCL) 4 und einer La dungen erzeugenden Schicht (CGL) 3 angeordnet, wie in Fig. 1 dargestellt ist. Wenn das elektrophotographische Aufzeich nungsmaterial, welches einen derartigen Aufbau aufweist, mit einem Laserlicht bestrahlt wird, so wird eine Mehrfachrefle xion in OCL 4 und ICL 5 beobachtet, etwa so wie in Fig. 2 ge zeigt, wobei die Laserlichtstrahlen R₁₁, R₁₂, . . ., die infol ge der Mehrfachreflexion innerhalb OCL 4 erzeugt werden, bei nahe vollständig durch die Laserlichtstrahlen R₂₁, R₂₂, . . . ausgelöscht werden können, die infolge der Mehrfachreflexion innerhalb ICL 5 entstehen. Fig. 2 erläutert die Mehrfachre flexion, die durch ein Laserlicht erzeugt wird, welches dia gonal auf die Oberfläche des elektrophotographischen Auf zeichnungsmaterials gemäß der vorliegenden Erfindung auf trifft, um deutlich die Reflexion an Grenzflächen zwischen OGL 4 und ICL 5 und zwischen CGL 3 und ICL 5 zu erläutern. Dies führt dazu, daß die Intensität des vertikal auf CGL 3 einfallenden Laserlichts gleichförmig wird, und daß daher die Ausbildung irgendeines Interferenzmusters wirksam eliminiert werden kann, wenn der Brechungsindex und die Dicke von ICL 5 geeignet ausgewählt werden, wie nachstehend noch im einzelnen erläutert wird.

Das Prinzip des Brechungsindex und der Dicke der ICL 5 wird nachstehend theoretisch diskutiert. Die Verstärkung und Ab schwächung von Laserlicht, welches an CGL 3 infolge der Inter ferenz übertragen wird, entspricht der Verstärkung und Ab schwächung des Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials. Um das auf CGL 3 auftreffende Laserlicht gleichförmig zu machen, müssen daher die Lichtstrahlen 7, die auf die Oberfläche des elek trophotographischen Aufzeichnungsmaterials reflektiert wer den, gleichförmig gemacht werden.

Andererseits ergibt sich ein Oberflächenamplituden-Refle xionsvermögen R eines konventionellen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, welches in Fig. 6 gezeigt ist, aus der folgenden Gleichung (1):

R = γ₁ + γ₂·exp(-2iδ₁) - γ₁·γ₂²·exp(-4iδ₁) + γ₁²·γ₂³Ωxp(-6iδ₁) (1)

wobei γ₁ und γ₂ ein Fresnel-Reflexionsvermögen an der Grenz fläche zwischen OCL 4 und der Luft bzw. ein Fresnel-Refle xionsvermögen an der Grenzfläche zwischen OCL 4 und CGL 3 re präsentieren und durch die nachfolgenden Gleichungen (2-1) und (2-2) gegeben sind, wenn die Brechungsindices der Luft, von OCL 4 und von CGL 3 jeweils als n₀, n₁ bzw. n₂ definiert werden:

γ₁ = (n₁-n₀)/(n₁ + n₀) (2-1)

γ₂ = (n₂-n₁)/(n₂ + n₁) (2-2)

Weiterhin stellt δ₁ eine optische Phasendifferenz dar und er gibt sich aus der folgenden Gleichung (3), wenn die Wellen länge des Laserlichtes und die Dicke von OCL 4 durch λ bzw. d gegeben sind:

δ₁ = 2π·n₁·d/λ (3)

In der Gleichung (1) können das dritte Glied und höhere Glie der vernachlässigt werden.

Die voranstehenden Überlegungen lassen sich anhand eines Vek tordiagramms ausdrücken, welches in Fig. 8 erläutert ist. Fig. 8 zeigt ein Beispiel, in welchem die Werte für die Bre chungsindices n₀, n₁ und n₂ und für die Wellenlänge des La serlichtes λ gegeben sind durch 1, 2,5, 3,5 bzw. 0,78 µm. In diesem Falle lassen sich γ₁ und γ₂ berechnen zu 0,429 und 0,167 entsprechend Gleichung (2), und die Trajektorie des Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens R wird ein Kreis, wie in Fig. 8 dargestellt ist, wenn es eine Abweichung bezüg lich der Filmdicke gibt, so daß die optische Phasendifferenz größer oder gleich 2π ist (Bogenmaß). Das Maximum und Minimum von R in Fig. 8 entspricht der Größe von R, die dann auf tritt, wenn infolge der Interferenz eine Verstärkung oder Ab schwächung erfolgt. Werden diese Werte als R_max bzw. R_min de finiert, so läßt sich die Differenz R_max - R_min zu 0,334 be rechnen.

Nachstehend wird das elektrophotographische Aufzeichnungsma terial erläutert, welches mit ICL 5 gemäß Fig. 1 versehen ist. In diesem Fall ergibt sich das Oberflächenamplituden- Reflexionsvermögen R des elektrophotographischen Aufzeich nungsmaterials aus der folgenden Gleichung (4):

R = γ₁ + γ₂·exp(-2iδ₁) - γ₃·exp[-2i(δ₁ + δ₁)] (4)

wobei γ₁, γ₂ und γ₃ das Fresnel-Reflexionsvermögen repräsen tieren, welches an der Grenzfläche zwischen Luft und OCL 4, an der Grenzfläche zwischen OCL 4 und ICL 5, bzw. an der Grenzfläche zwischen ICL 5 und CGL 3 beobachtet wird, und sich aus einer der nachfolgenden Gleichungen (5-1), (5-2), bzw. (5-3) ergibt, wenn die Brechungsindices von Luft, OCL 4, ICL 5, und CGL 3 festgelegt werden als n₀, n₁, n₂ bzw. n₃:

γ₁ = (n₁-n₀)/(n₁ + n₀) (5-1)

γ₂ = (n₂-n₁)/(n₂ + n₁) (5-2)

γ₃= (n₃-n₂)/(n₃ + n₂) (5-3)

Weiterhin stellen δ₁ und δ₂ optische Phasendifferenzen dar und ergeben sich aus den folgenden Gleichungen (6-1) und (6- 2), wenn die Wellenlänge des Laserlichtes und die Filmdicke von OCL 4 und ICL 5 als λ, d₁ bzw. d₂ definiert werden:

δ₁ = 2π·n₁·d₁/λ (6-1)

γ₂ = 2π·n₂·d₂/λ (6-2)

In Gleichung (4) können das vierte Glied und höhere Glieder vernachlässigt werden.

Die voranstehenden Überlegungen lassen sich durch ein Vektor diagramm ausdrücken, welches in Fig. 3 dargestellt ist. Bei der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform wird angenommen, daß die Brechungsindices n₀, n₁, n₂ und n₃ und die Wellenlänge des Laserlichtes λ 1, 2,5, 3,0, 3,5 bzw. 0,78 µm betragen. Weiterhin weisen OCL 4 und ICL 5 jeweils Filmdickenabweichun gen auf, so daß die optische Phasendifferenz δ₂ gleich π/2 (Bogenmaß) ist.

In diesem Falle bilden die Vektoren γ₂ und γ₃ einen Winkel von 2δ₂, also π (Bogenmaß), und die Richtungen dieser Vekto ren verlaufen einander entgegengesetzt. Darüber erfüllt der Brechungsindex n₂ von ICL 5 in der Größenordnung von 3,0 im wesentlichen die Antireflexionsanforderung: n₂² = n₁·n₃ in bezug auf OCL 4 (Brechungsindex n₁ = 2,5) und CGL 3 (Bre chungsindex n₃ = 3,5). In diesem Falle lassen sich γ₁, γ₂ und γ₃ als 0,429, 0,091 bzw. 0,077 berechnen entsprechend Glei chung (5), und daher wird γ₂ im wesentlichen durch γ₃ ausge glichen, wie in Fig. 3 gezeigt ist, und die Trajektorie des. Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens R wird ein Kreis, der erheblich kleiner ist als der in Fig. 8 dargestellte Kreis. Die Differenz R_max - R_min ist sehr klein und liegt in der Größenordnung von 0,028. Dies bedeutet, daß die Verstär kung und Abschwächung dieser Größe infolge der Interferenz wesentlich verringert wird, verglichen mit dem elektrophoto graphischen Aufzeichnungsmaterial, welches keine ICL 5 auf weist.

In der Praxis weist ICL 5 ebenfalls eine Abweichung der Filmdicke auf. Falls die Abweichung der Filmdicke von ICL 5 ± π/8 beträgt (Bogenmaß), ausgedrückt anhand der optischen Pha sendifferenz, so verläuft die Richtung von γ₁ nicht vollstän dig entgegengesetzt zu der von γ₃, und diese beiden bilden einen Winkel von π/4 (Bogenmaß). Dies läßt sich durch ein Vektordiagramm ausdrücken, wie es in Fig. 4 gezeigt ist. In diesem Falle beträgt die Differenz R_max - R_min 0,13 und dies ist etwas weniger als 40% des Wertes für das Material, wel ches keine ICL 5 aufweist.

Die Dicke d₂ von ICL 5 ergibt sich aus der folgenden Glei chung (7):

d₂ = δ₂·λ/(2π·n₂) (7)

Wie voranstehend beschrieben wurde, muß, damit die Richtungen von γ₂ und γ₃ in entgegengesetzten Richtungen verlaufen, die optische Phasendifferenz δ₂ gleich π/2 (Bogenmaß) sein, 3π/2 (Bogenmaß), 5π/2 (Bogenmaß), . . ., und in jedem Fall muß die Dicke von ICL 5 einen Wert von 65 nm (650 Å), 195 nm (1950 Å), 325 nm (3250 Å), . . ., aufweisen. In diesem Fall wird die Dicke von d₂ von ICL 5 berechnet unter der Annahme, daß jede Schicht eine Abweichung der Filmdicke von ± π/8 (Bogenmaß) aufweist, ausgedrückt anhand der optischen Phasendifferenz. Die erhaltenen Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 1 dargestellt.

Tabelle 1

Wie aus den in Tabelle 1 aufgeführten Daten hervorgeht, muß dann, wenn δ₁ den Wert 5π/2 + π/8 übersteigt, ICL so gewählt werden, daß die Abweichung der Filmdicke 9% oder kleiner wird, jedoch ist dies vom technischen Standpunkt aus sehr schwierig. Aus diesem Grunde wird d₂ so gewählt, daß es nicht kleiner als 40 nm (400 Å) und nicht größer als 90 nm (900 Å) ist, oder nicht kleiner als 170 nm (1700 Å) und nicht größer als 220 nm (2200 Å), vom Standpunkt der praktischen Anwend barkeit aus.

Wie voranstehend erläutert wurde, kann bei einem elektropho tographischen Aufzeichnungsmaterial, welches einen leitfähi gen Schichtträger aufweist, auf welchem in dieser Reihenfolge eine CTL, eine CGL, und eine OCL angeordnet sind, die Ausbil dung eines Interferenzmusters auf den sich ergebenden Bildern infolge der Mehrfachreflexion innerhalb OCL eines kohärenten Lichtes wie beispielsweise Laserlichtes dadurch eliminiert werden, daß zwischen OCL (Brechungsindex = n₁) und CGL (Brechungsindex = n₃) eine ICL angeordnet wird, die einen Brechungsindex aufweist, der gleich dem Mittelwert von n₁ und n₃ ist und das Antireflexionser fordernis erfüllt (n₂² = n₁·n₃), und welche eine Dicke auf weist, so daß die optische Phasendifferenz π/2 (Bogen maß) oder 3π/2 (Bogenmaß) beträgt, selbst wenn OCL eine Ab weichung der Filmdicke von 2π (Bogenmaß) aufweist, ausge drückt anhand der optischen Phasendifferenz.

Wenn ein Halbleiterlaser (Wellenlänge 780 nm) als Quelle des kohärenten Lichtes verwendet wird, weist das elektrophotogra phische Aufzeichnungsmaterial vorzugsweise eine CTL aus rei nem Se oder einer Se-Legierung auf, eine OCL aus einer Se- Legierung, und eine ICL aus einer Se-Te-Legierung. Auf diese Weise weist das sich ergebende elektrophotographische Auf zeichnungsmaterial eine hohe Empfindlichkeit auf, gute Elek trifizierungseigenschaften, und eine lange Lebensdauer, und kann über einen langen Zeitraum Bilder hoher Qualität erzeu gen.

Bei einer bestimmten Ausführungsform wird CGL aus einer Se- Te-Legierung mit einem hohen Te-Gehalt gebildet, welche eine Te-Konzentration von 43 Gew.-% aufweist (mit einem Bre chungsindex von etwa 3,5), OCL wird entweder aus einer Se-Te- Legierung mit einem niedrigen Te-Gehalt gebildet, die eine Te-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist, oder aus einer Se-As-Legierung mit einem niedrigen As-Gehalt mit einer As- Konzentration von 5 Gew.-% (die jeweils einen Brechungs index von etwa 2,5 aufweisen), ICL wird aus einer Se-Te- Legierung gebildet, die eine Te-Konzentration von nicht weni ger als 20 Gew.-% aufweist und von nicht mehr als 28 Gew.-% (mit einem Brechungsindex von etwa 3,0), und die Filmdicke der ICL wird so eingestellt, daß sie nicht kleiner ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm, oder nicht kleiner als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm Wenn die Filmdicke der ICL in den voranstehend angegebenen Bereich fällt, wäre die Absorption von Licht durch ICL an sich ver nachlässigbar, da die Schicht sehr dünn ist.

Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfin dung beschrieben.

Vergleichsbeispiel 1

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial durch Vakuumablagerung einer CTL 2 aus reinem Selen auf einem zylindrischen Aluminiumschichtträger 1 mit einer Dicke von 60 µm hergestellt, durch eine darauffolgende Vakuumablagerung einer Zwischenschicht aus einer Se-Te- Legierung mit einem leichten Konzentrationsgradienten des Te in einem Bereich von 5 bis 22,5 Gew.-% auf CTL 2 mit einer Dicke von 2 µm, mit einer darauffolgenden Vakuumablagerung einer Se-Te-Legierung mit einem Te-Gehalt von 43 Gew.-% (Brechungsindex 3,5) auf der Zwischenschicht in einer Dicke von 0,3 µm, um eine CGL 3 auszubilden, und durch eine Va kuumablagerung einer Se-Te-Legierung mit einem Te-Gehalt von 5 Gew.-% (Brechungsindex 2,5) auf CGL 3 mit einer solchen Dicke, daß deren Durchschnittsdicke 3 µm betrug und die Dic kenabweichung 0,5 µm war, so daß - mit anderen Worten - deren Dicke sich innerhalb des Bereiches von 2,5 auf 3,5 µm änder te.

Das auf diese Weise hergestellte elektrophotographische Auf zeichnungsmaterial wies eine hervorragende Qualität auf, es zeigte beispielsweise nur eine leichte Variation in der Emp findlichkeit und der festgestellten Ladung, nachdem das Teil wiederholt 500 Ladungszyklen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus eine Ladung und eine Entladung der Ladung durch Licht umfaßte, und das Teil wies eine niedrige Restspannung auf. Wenn das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial aller dings an einem Drucker angebracht wurde, in welchem ein Halb leiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbilder ausgedruckt wur den, so zeigte sich deutlich auf dem gesamten Bild ein Inter ferenzmuster, welches der Dickenabweichung von OCL 4 ent sprach.

Ausführungsform 1

Auf dieselbe Weise, die bei dem Vergleichsbeispiel 1 verwen det wurde, wurden eine CTL 2 und eine CGL 3 auf einem zylin drischen Aluminiumschichtträger 1 gebildet, dann wurde eine Se-Te- Legierung mit einem Te-Gehalt von 22,5 Gew.-% (Brechungsindex 3,0) im Vakuum auf CGL 3 mit einer Dicke von 0,06 µm abgela gert, um eine ICL 5 zu bilden, und eine OCL 4 wurde auf ICL 5 über eine Vakuumablagerung auf dieselbe Weise aufgebracht, die bei dem Vergleichsbeispiel 1 verwendet wurde, um so ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial zu erzeugen, welches einen in Fig. 1 gezeigten Aufbau aufwies.

Das auf diese Weise erhaltene elektrophotographische Auf zeichnungsmaterial wies hervorragende elektrophotographische Eigenschaften auf. Wenn das elektrophotographische Aufzeich nungsmaterial an einem Drucker angebracht wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbilder ausge druckt wurden, wurden darüber hinaus klare Bilder mit hoher Qualität erhalten, und es zeigte sich überhaupt kein Interfe renzmuster aufgrund der Dickenabweichung von OCL 4. Darüber hinaus diente die ICL 5 des elektrophotographischen Aufzeich nungsmaterials dazu, eine thermische Diffusion des Te von CGL 3 nach OCL 4 zu verhindern, und dies führte dazu, daß das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial eine wesentlich verringerte Variation der Empfindlichkeit zeigte, nachdem es wiederholt 500 Ladungszyklen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus ein Laden und ein Löschen der Ladung durch Licht um faßte.

Ausführungsbeispiel 2

Es wurde auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm auf 0,19 µm geändert wurde.

Das sich ergebende elektrophotographische Aufzeichnungsmate rial zeigte hervorragende Eigenschaften, die beinahe ver gleichbar waren mit den Eigenschaften des elektrophotographi schen Aufzeichnungsmaterials, welches bei der Ausführungsform 1 erhalten wurde.

Vergleichsbeispiel 2

Es wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm auf 0,13 µm geändert wurde.

Das sich ergebende elektrophotographische Aufzeichnungsmate rial zeigte hervorragende elektrophotographische Eigenschaf ten, die beinahe vergleichbar waren mit denen des elektropho tographischen Aufzeichnungsmaterials, welches bei der Ausfüh rungsform 1 erhalten wurde, wenn das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial jedoch bei einem Drucker eingesetzt wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung eingesetzt wurde, und bei welchem Halbton- Tonerbilder ausgedruckt wurden, zeigte sich deutlich auf dem gesamten Bild ein Interferenzmuster, welches der Dickenabwei chung von OCL 4 entsprach. Darüber hinaus diente ICL 5 des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials zur Verhinde rung der thermischen Diffusion des Te von CGL 3 nach OCL 4, und dies führte dazu, daß das elektrophotographische Auf zeichnungsmaterial eine wesentlich verringerte Variation der Empfindlichkeit zeigte, nachdem es wiederholt 500 Ladungszy klen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus das Laden und das Löschen der Ladung durch Licht umfaßte, wie bei dem elektro photographischen Aufzeichnungsmaterial, welches bei der Aus führungsform 1 erhalten wurde.

Ausführungsform 3

Es wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm so ge ändert wurde, daß sie eine Streuung innerhalb des Bereiches von 0,05 bis 0,08 µm aufwies (Dickenänderung von 50%).

Das sich ergebende elektrophotographische Aufzeichnungsmate rial zeigte hervorragende Eigenschaften, die beinahe mit den Eigenschaften vergleichbar waren, die bei dem bei der Ausfüh rungsform 1 erhaltenen elektrophotographischen Aufzeichnungs material auftraten.

Ausführungsform 4

Es wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm so ge ändert wurde, daß sie eine Streuung innerhalb des Bereiches von 0,18 bis 0,21 µm aufwies (Dickenabweichung von 17%).

Das sich ergebende elektrophotographische Aufzeichnungsmate rial zeigte hervorragende Eigenschaften, die beinahe mit den Eigenschaften des elektrophotographischen Aufzeichnungsmate rials vergleichbar waren, welches bei der Ausführungsform 1 erhalten wurde.

Versuchsbeispiel 1

Es wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm so ge ändert wurde, daß ihre Streuung innerhalb des Bereiches von 0 bis 0,1 µm lag.

Das sich ergebende elektrophotographische Aufzeichnungsmate rial wies hervorragende elektrophotographische Eigenschaften auf. Wenn allerdings das elektrophotographische Aufzeich nungsmaterial bei einem Drucker eingesetzt wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbilder ausge druckt wurden, wurden auf einem Teil des Bildes Interferenz muster gebildet, die der Dickenabweichung von OCL 4 entspra chen. Die Dicke von ICL 5 an der Grenzfläche zwischen dem Be reich, der frei von einem Interferenzmuster war, und dem Be reich, welcher ein Interferenzmuster trug, war etwa 0,03 µm und etwa 0,1 µm.

Versuchsbeispiel 2

Es wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial auf dieselbe Weise hergestellt wie bei der Ausführungsform 1, mit der Ausnahme, daß die Dicke von ICL 5 von 0,06 µm so ge ändert wurde, daß sie eine Streuung innerhalb des Bereiches von 0,15 bis 0,25 µm aufwies (Dickenabweichung 50%).

Das sich ergebende elektrophotographische Aufzeichnungsmate rial wies hervorragende elektrophotographische Eigenschaften auf. Wenn das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial allerdings bei einem Drucker eingesetzt wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbilder ausge druckt wurden, wurden auf einem Teil des Bildes Interferenz muster erzeugt, welche der Dickenabweichung von OCL 4 ent sprachen. Die Dicke von ICL 5 an der Grenzfläche zwischen dem Bereich, der frei von einem Interferenzmuster war, und dem Bereich, welcher ein Interferenzmuster trug, war etwa 0,16 µm und etwa 0,22 µm. Darüber hinaus diente ICL 5 des elektropho tographischen Aufzeichnungsmaterials zur Verhinderung der thermischen Diffusion des Te von CGL 3 nach OCL 4, wie bei dem bei der Ausführungsform 1 erhaltenen elektrophotographi schen Aufzeichnungsmaterial.

Vergleichsbeispiel 3

Es wurde ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial auf dieselbe Weise erzeugt wie bei der Ausführungsform 1, mit der Ausnahme, daß die Dicke von ICL 5 von 0,06 µm auf 0,45 µm geändert wurde.

Wenn das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial bei ei nem Drucker angebracht wurde, bei dem ein Halbleiterlaser als Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei wel chem Halbton-Tonerbilder ausgedruckt wurden, wurde überhaupt kein Interferenzmuster gebildet, welches der Dickenabweichung von OCL 4 hätte entsprechen können. Allerdings wurde die Va riation der Eigenschaften des elektrophotographischen Auf zeichnungsmaterials dadurch untersucht, daß dieses wiederholt 500 Ladungszyklen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus das Laden und Löschen der Ladung mit Licht umfaßte, und hieraus ergab sich, daß seine Elektrisierung wesentlich verringert war, verglichen mit der bei den elektrophotographischen Auf zeichnungsmaterialien, die bei den Vergleichsbeispielen 1 und 2, den Ausführungsformen 1 bis 4 und den Versuchsbeispielen 1 und 2 erhalten wurden.

Versuchsbeispiel 3

Es wurden vier Arten elektrophotographischer Aufzeichnungsma terialien auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Te-Konzentration in ICL 5 von 22,5 Gew.-% auf 14, 18, 28 und 32 geändert wurde.

Wenn diese elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien bei einem Drucker angebracht wurden, bei welchem ein Halblei terlaser als Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbilder ausgedruckt wurden, wurde deutlich ein Interferenzmuster gebildet, welches der Abwei chung der Dicke von OCL 4 entsprach, und zwar in dem Falle des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, das mit einer ICL 5 versehen war, die eine Te-Konzentration von 14 Gew.-% aufwies, und es wurde ein geringfügiges Interferenzmu ster auf den elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien erzeugt, die mit einer ICL 5 versehen waren, welche Te-Kon zentrationen von 18 bzw. 32 Gew.-% aufwiesen, wogegen über haupt kein Interferenzmuster auf dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial erzeugt wurde, das mit einer ICL 5 ver sehen war, welche eine Te-Konzentration von 28 Gew.-% auf wies. Darüber hinaus wurde festgestellt, daß das elektropho tographische Aufzeichnungsmaterial, welches mit einer ICL 5 versehen war, das eine Te-Konzentration von 32 Gew.-% auf wies, eine wesentliche Verringerung der anfänglichen Elektri sierung zeigte, und daß das elektrophotographische Aufzeich nungsmaterial, welches mit einer ICL 5 versehen war, das eine Te-Konzentration von 28 Gew.-% aufwies, eine verhältnismäßig starke Verringerung der Elektrisierung aufwies, welche fest gestellt wurde, nachdem das Teil wiederholt 500 Ladungszyklen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus ein Laden und ein Lö schen der Ladung durch Licht umfaßte. Darüber hinaus diente bei den elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien, die mit einer ICL 5 versehen waren, welche Te-Konzentrationen von 14, 18 und 28 Gew.-% aufwies, ICL 5 dazu, die thermische Dif fusion des Te von CGL 3 nach OCL 4 zu verhindern, und dies führte dazu, daß diese Teile eine wesentlich verringerte Va riation der Empfindlichkeit aufwiesen, die festgestellt wur de, nachdem sie wiederholt 500 Ladungszyklen, wie voranste hend beschrieben, unterworfen wurden.

Um die Ergebnisse weiter zu untersuchen, die bei den Ausfüh rungsformen, den Vergleichsbeispielen und den Versuchsbei spielen erhalten wurden, wurden die elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien der Vergleichsbeispiele 1 und 2 und der Beispiele 1 und 2 mit einem Licht bestrahlt, welches eine Wellenlänge von etwa 780 nm aufwies, um ihr spektrales Refle xionsvermögen zu bestimmen. Die auf diese Weise erhaltenen Ergebnisse sind in den Fig. 5A bis 5D dargestellt, wobei Fig. 5A ein Diagramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die mit dem Aufzeichnungsmaterial des Vergleichsbeispiels 1 erhalten wurden, Fig. 5B ein Diagramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die mit dem Aufzeichnungsmaterial der Ausführungsform 1 erhalten wurden, Fig. 5C ein Diagramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die mit dem Aufzeichnungsmaterial der Ausführungsform 2 erhalten wurden, und Fig. 5D ein Dia gramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die mit dem Aufzeichnungsmaterial des Vergleichsbeispiels 2 erhalten wurden. Wie aus diesen Figuren hervorgeht, war die Abweichung des Reflexionsvermögens groß im Falle der elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien der Vergleichsbeispiele 1 und 2, da das Aufzeichnungsmaterial des Vergleichs beispiels 1 keine ICL aufwies, und da beim Vergleichsbeispiel 2 keine derartige Dicke vorgesehen war, daß die Verstärkung und Abschwächung von Licht infolge der Interferenz ausgegli chen wurde, und aus diesem Grunde daher ein Interferenzmuster auf den Bildern ausgebildet wurde. Andererseits war die Ab weichung des Reflexionsvermögens, die bei den elektrophoto graphischen Aufzeichnungsmaterialien der Ausführungsformen 1 und 2 beobachtet wurde, klein, da deren ICL dazu dient, die Verstärkung und Abschwächung infolge der Interferenz zu ver ringern, die von der Mehrfachreflexion innerhalb der OCL her rührt, und daher kam es nicht zur Ausbildung irgendeines In terferenzmusters. Die voranstehenden Ergebnisse zeigen an, daß die theoretische Begründung für die Anwesenheit der ICL zutreffend ist, und die Theorie wird deutlich durch die Er gebnisse der Beispiele gestützt.

Bei den voranstehenden Beispielen wird eine Se-Te-Legierung mit einer Te-Konzentration von 5 Gew.-% verwendet für die Herstellung der OCL, jedoch können dieselben Ergebnisse auch dadurch erzielt werden, daß eine Se-As-Legierung verwendet wird, die eine As-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist, da de ren Brechungsindex im wesentlichen gleich dem der Se-Te- Legierung ist, die eine Te-Konzentration von 5 Gew.-% auf weist. Zusätzlich können Verunreinigungen zur Verbesserung der elektrophotographischen Eigenschaften dem Se oder den Se- Legierungen zugefügt werden, um jede Schicht des elektropho tographischen Aufzeichnungsmaterials gemäß der vorliegenden Erfindung herzustellen, und eine derartige Zufügung hat kei nen Einfluß auf die Wirkungen der vorliegenden Erfindung.

Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung weist einen leitfähigen Schichtträger auf, auf welchem in dieser Reihenfolge zumindest eine Ladun gen transportierende Schicht, eine Ladungen erzeugende Schicht und eine Oberflächenschutzschicht vorgesehen ist, und bei welchem zusätzlich zwischen der Ladungen erzeugenden Schicht und der Oberflächenschutzschicht eine Zwischenschicht vorgesehen ist, die einen Brechungsindex aufweist, der gleich dem Mittelwert der Brechungsin dices der Ladungen erzeugenden Schicht und der Oberflächen schutzschicht ist, und deren Dicke so gewählt ist, daß die optische Phasendifferenz gleich π/2 (Bogen maß) oder 3π/2 (Bogenmaß) ist. Die Verwendung einer derarti gen Zwischenschicht ermöglicht es, ein elektrophotographi sches Aufzeichnungsmaterial zu erhalten, bei welchem keine Erzeugung irgendeines Interferenzmusters auf den sich erge benden Bildern geschieht, infolge der Interferenz aufgrund der Mehrfachreflexion innerhalb der Oberflächenschutzschicht und der Abweichung bezüglich der Filmdicke, selbst wenn kohä rentes Licht wie etwa Laserlicht für die Belichtung verwendet wird. Die Abweichung in der Dicke der Zwischenschicht kann größer sein als bei der Oberflächenschutzschicht, und daher ist die Toleranz bezüglich der Variation der Filmdicke wäh rend der Ausbildung der Zwischenschicht hoch.

Wenn ein Halbleiterlaser (Wellenlänge 780 nm) als Lichtquelle für die Belichtung verwendet wird, so ist es wirkungsvoll, ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial zu verwen den, bei welchem die Ladungen transportierende Schicht aus reinem Selen oder einer Se-Legierung gebildet ist, bei wel chem die Ladungen erzeugende Schicht aus einer Se-Te- Legierung gebildet ist, die Oberflächenschutzschicht aus ei ner Se-Legierung gebildet ist, und die Zwischenschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist. Im einzelnen werden der artige elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien bevor zugt, bei welchen die Ladungen erzeugende Schicht aus einer Se-Te-Legierung mit einem hohen Te-Gehalt mit einer Te-Kon zentration von 43 Gew.-% gebildet wird, die Oberflächen schutzschicht entweder aus einer Se-Te-Legierung mit einem niedrigen Te-Gehalt mit einer Te-Konzentration von 5 Gew.-% oder aus einer Se-As-Legierung mit einem niedrigen As- Gehalt mit einer As-Konzentration von 5 Gew.-% gebildet wird, die Zwischenschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet wird, die eine Te-Konzentration von nicht weniger als 20 Gew.-% und nicht mehr als 28 Gew.-% aufweist, und die Filmdicke der Zwischenschicht wird so gesteuert, daß sie nicht kleiner ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm, oder so, daß sie nicht kleiner ist als 0,17 µm und nicht grö ßer als 0,22 µm.

Bei dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung mit einem derartigen Aufbau dient die Zwischenschicht weiterhin dazu, die thermische Diffusion von Te von der Ladungen erzeugenden Schicht zu der Oberflä chenschutzschicht zu verhindern, wodurch jegliche Variation der Eigenschaften des elektrophotographischen Aufzeichnungs materials verhindert werden kann.

Claims

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit
einem leitfähigen Schichtträger,
einer auf dem leitfähigen Schichtträger ausgebildeten Ladun gen transportierenden Schicht, einer darauf ausgebildeten La dungen erzeugenden Schicht,
einer Oberflächenschutzschicht; und
einer zwischen der Oberflächenschutzschicht und der Ladungen erzeugenden Schicht angeordneten Zwischenschicht, dadurch ge kennzeichnet, daß die Zwischenschicht einen Brechungsindex aufweist, der gleich dem Mittelwert der Brechungsindices der Ladungen erzeugenden Schicht und der Oberflächenschutzschicht ist, und daß die Zwischenschicht eine solche Filmdicke auf weist, daß die optische Phasendifferenz gleich π/2 oder 3π/2 (Bogenmaß) ist.

2. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungen transpor tierende Schicht aus reinem Se oder Se-Legierungen besteht.

3. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungen erzeugende Schicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist.

4. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Se-Te-Legierung ei ne Te-Konzentration von 43 Gew.-% aufweist.

5. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschutz schicht aus einer Se-Legierung besteht.

6. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Se-Legierung eine Se-Te-Legierung ist.

7. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Se-Te-Legierung ei ne Te-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist.

8. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Se-Legierung eine Se-As-Legierung ist.

9. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Se-As-Legierung ei ne As-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist.

10. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist.

11. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Se-Te-Legierung eine Te-Konzentration von nicht weniger als 20 Gew.-% und nicht mehr als 28 Gew.-% aufweist.

12. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Zwi schenschicht nicht geringer ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm.

13. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Zwi schenschicht nicht kleiner als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm ist.

14. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungen transpor tierende Schicht aus reinem Selen oder einer Se-Legierung ge bildet ist, daß die Ladungen erzeugende Schicht aus einer Se- Te-Legierung gebildet ist, daß die Oberflächenschutzschicht aus einer Se-Legierung gebildet ist, und daß die Zwischen schicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist.

15. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ladungen erzeugende Schicht aus einer Se-Te-Legierung mit einer Te-Konzentration von 43 Gew.-% gebildet ist,
daß die Oberflächenschutzschicht entweder aus einer Se-Te- Legierung mit einer Te-Konzentration von 5 Gew.-%, oder aus einer Se-As-Legierung mit einer As-Konzentration von 5 Gew.-% gebildet ist, und
daß die Zwischenschicht aus einer Se-Te-Legierung mit einer Te-Konzentration von nicht weniger als 20 Gew.-% und nicht mehr als 28 Gew.-% gebildet ist, und daß die Filmdicke der Zwischenschicht nicht kleiner ist als 0,04 µm und nicht grö ßer als 0,09 µm, oder nicht kleiner als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm.